JPS6063370A - アモルファス水素化シリコン膜製造装置 - Google Patents
アモルファス水素化シリコン膜製造装置Info
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- JPS6063370A JPS6063370A JP58171727A JP17172783A JPS6063370A JP S6063370 A JPS6063370 A JP S6063370A JP 58171727 A JP58171727 A JP 58171727A JP 17172783 A JP17172783 A JP 17172783A JP S6063370 A JPS6063370 A JP S6063370A
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- JP
- Japan
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- gas
- electrode
- film
- reactor
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、′電子写真用像形成部材として用いられるア
モルファス水素化シリコン(以後α−sル:Hと略記す
る。)製造装置に関する。
モルファス水素化シリコン(以後α−sル:Hと略記す
る。)製造装置に関する。
′喝子写真用像形成部相等における光4・電層全構成す
る光等′亀制科としては、高感度、高抵抗であって視感
度にできる限り近いスペクトル將fi、 f Wするこ
と、未造時や使用時において人体に対して無公害である
ことが被水でれる。
る光等′亀制科としては、高感度、高抵抗であって視感
度にできる限り近いスペクトル將fi、 f Wするこ
と、未造時や使用時において人体に対して無公害である
ことが被水でれる。
これらの要求に対して最近有望視されているものの中に
a−El、1.:Hがある。
a−El、1.:Hがある。
α−8Q : H膜は、一般的にはグロー放電法やスパ
ッタリング法等の放電現象を利用する堆稙法によシ適当
な支持体上に形成さ、fLることによって得られる。
ッタリング法等の放電現象を利用する堆稙法によシ適当
な支持体上に形成さ、fLることによって得られる。
このような維槓法によってα−8Q : H腹を得る場
合、膜堆積時の反応ガス(SL山、5721(6Q’F
’ )の流入量(流入速度)と、支持体と19周波電極
間の圧力(真空度)によって、形成された膜の電子写真
用像形底部相としての特性要素である暗抵抗(暗所での
抵抗)や光感度が変化することは種々の報告書や文献に
示されている1、まプこ、反応ガス流入量と、支持体と
高周波電極間の圧力の値により、a−8A ’、 J換
だけでなくα−sz:a粉末も得られることが1iii
々の報告書や文献に示されている。
合、膜堆積時の反応ガス(SL山、5721(6Q’F
’ )の流入量(流入速度)と、支持体と19周波電極
間の圧力(真空度)によって、形成された膜の電子写真
用像形底部相としての特性要素である暗抵抗(暗所での
抵抗)や光感度が変化することは種々の報告書や文献に
示されている1、まプこ、反応ガス流入量と、支持体と
高周波電極間の圧力の値により、a−8A ’、 J換
だけでなくα−sz:a粉末も得られることが1iii
々の報告書や文献に示されている。
従来、α−8L :I(を作成する方法としては、前述
の如くグロー放電法やスパッタリング法が用いられてい
るが、支持体形状として円f:1〕形がよく使用される
。電子写真用像形成部材の場合、製造方法が容易、安定
な膜が得られる等の理由からグロー放電法が多く用いら
れている。
の如くグロー放電法やスパッタリング法が用いられてい
るが、支持体形状として円f:1〕形がよく使用される
。電子写真用像形成部材の場合、製造方法が容易、安定
な膜が得られる等の理由からグロー放電法が多く用いら
れている。
グロー放電法の場合、電源の種類により直流グロー放電
法と高周波グロー放電法に大別される。
法と高周波グロー放電法に大別される。
さらに高周波グロー放電法は電極をコイル状にした誘導
結合型と平行板状にした容量結合型に分けられる。その
中でも電子写真用像形成部利用としては、大型製造装置
に適するという理由から、容量結合型高周波グロー放電
法がよく用いられている。
結合型と平行板状にした容量結合型に分けられる。その
中でも電子写真用像形成部利用としては、大型製造装置
に適するという理由から、容量結合型高周波グロー放電
法がよく用いられている。
第1図に一般に用いられている容量結合型高周波グロー
放電法を用いた場合の、円筒形状をもった支持体上にα
−Bi、 二H膜を得るだめの製造装置の形状を示す。
放電法を用いた場合の、円筒形状をもった支持体上にα
−Bi、 二H膜を得るだめの製造装置の形状を示す。
この装置を用いた場合、α−s=;n膜が形成される過
程は次のようになる。まず、流量制御ノ(ルブ60によ
多制御された反応ガスが導入管40を経て吹き出し目印
から高周波電極20と円筒形支持体30の間に吹き出さ
れる。吹き出された反応ガスは高周波電極間と接地され
た円筒形支持体30間でプラズマとなり、遊離基(Sル
H4の場合Sν、SルHスEijH2−等)に分解され
支持体30あるいは電極力上に堆積する。堆積しなかっ
た誘離基はガス排気口印へ流れ、ガス排気管130、ガ
ス排気社調整ノ〈ルブ140を経て排気される。この堆
積した遊離基がa −BL ’、 Hを形成していく。
程は次のようになる。まず、流量制御ノ(ルブ60によ
多制御された反応ガスが導入管40を経て吹き出し目印
から高周波電極20と円筒形支持体30の間に吹き出さ
れる。吹き出された反応ガスは高周波電極間と接地され
た円筒形支持体30間でプラズマとなり、遊離基(Sル
H4の場合Sν、SルHスEijH2−等)に分解され
支持体30あるいは電極力上に堆積する。堆積しなかっ
た誘離基はガス排気口印へ流れ、ガス排気管130、ガ
ス排気社調整ノ〈ルブ140を経て排気される。この堆
積した遊離基がa −BL ’、 Hを形成していく。
最近では、放電状態を円筒形支持体30の長さ方向に対
して均一にするために1、高周波電極20の内部に空洞
を設け、そこに反応ガスを流入し、電極20懺面に設け
られたガス吹き出し口50から反応ガスを吹き出させた
シ、またはガス排気口80を同様な形状にする等の工夫
が行われている1゜しかし、′電子写真円像形部71j
の大面積化に伴い、円筒形支持体側の形状が大きくなる
場合、第1図において反応炉10、高周波電極かも大型
化する。さらにc −Si : H堆積面積が増大する
ため、反応ガス流入景も増大する 従って、ガス吹き出
し口50よシ吹き出た反応ガスが、電極20と支」゛、
1体30の間だけでなく、その領域以外のα−8j :
1i膜堆積が不要な領域へ流れる。その結果、膜堆積
か不要な領域へ流れた反応ガスがその領域の雰囲気(第
1図では電極20と支持体30の間より低真空、低流量
となる。)によF) a −SL: J、4粉末となる
ことがある。このようにして得られたα−4;:H粉末
は浮遊してα−BL : H膜に刺着し7こ場合、α−
Sノ・:■(膜の特性に悪影特を及ばず。まだ大量生産
時においては、汚れを多くし杵築の手間を増すばかりで
なく、製造装置の寿命を短くする。さらにαBL: H
J換とhるべきものがα−6L : H粉末となったた
め、高周波電力、α−6L:H膜生成速度においてc
−fEQ : )I膜の製造効率を悪くする。
して均一にするために1、高周波電極20の内部に空洞
を設け、そこに反応ガスを流入し、電極20懺面に設け
られたガス吹き出し口50から反応ガスを吹き出させた
シ、またはガス排気口80を同様な形状にする等の工夫
が行われている1゜しかし、′電子写真円像形部71j
の大面積化に伴い、円筒形支持体側の形状が大きくなる
場合、第1図において反応炉10、高周波電極かも大型
化する。さらにc −Si : H堆積面積が増大する
ため、反応ガス流入景も増大する 従って、ガス吹き出
し口50よシ吹き出た反応ガスが、電極20と支」゛、
1体30の間だけでなく、その領域以外のα−8j :
1i膜堆積が不要な領域へ流れる。その結果、膜堆積
か不要な領域へ流れた反応ガスがその領域の雰囲気(第
1図では電極20と支持体30の間より低真空、低流量
となる。)によF) a −SL: J、4粉末となる
ことがある。このようにして得られたα−4;:H粉末
は浮遊してα−BL : H膜に刺着し7こ場合、α−
Sノ・:■(膜の特性に悪影特を及ばず。まだ大量生産
時においては、汚れを多くし杵築の手間を増すばかりで
なく、製造装置の寿命を短くする。さらにαBL: H
J換とhるべきものがα−6L : H粉末となったた
め、高周波電力、α−6L:H膜生成速度においてc
−fEQ : )I膜の製造効率を悪くする。
本発明の目的は、反応ガスの流れる領域を限定し、α−
8L: H膜堆積が不要な領域における反応をなくシ、
α−89: H膜の製造効率tあげる製造装置を提供す
ることである。
8L: H膜堆積が不要な領域における反応をなくシ、
α−89: H膜の製造効率tあげる製造装置を提供す
ることである。
本発明の特徴は、円筒形支持体30の周囲に反応ガスの
流れを強制する障壁230を設けた点にある。この障壁
230により、反応ガスは高周波′Cい夕加と円筒形支
持体30の間にのみυ1t、れるようにな9、a −S
Q : H膜が堆積されるべき領域以外に反応ガスが流
れ込むことがなくなシ、α−8711: H膜に悪影#
を及はすα−8# : H粉末の発生を抑制することが
できる。
流れを強制する障壁230を設けた点にある。この障壁
230により、反応ガスは高周波′Cい夕加と円筒形支
持体30の間にのみυ1t、れるようにな9、a −S
Q : H膜が堆積されるべき領域以外に反応ガスが流
れ込むことがなくなシ、α−8711: H膜に悪影#
を及はすα−8# : H粉末の発生を抑制することが
できる。
以下、本発明の笑施例を図面を用いて説明する第2図に
2いて、α−SA 二HJ摸を堆積されるべき円筒形支
持体30の内部には支持体30を高温に加熱できるよう
にヒーター90を設置した。円筒形支持体側の円周方向
にα−6L :i(換が均一に堆積するように、支持体
30の下部には回11ム導入機構100を設置した。ま
た円筒形支持体30の上部に反応ガス吹き出し口50が
位置するように、反応ガス導入管40を設け、反応ガス
吹き出し口50と円筒形支持体30を包むような形状に
円j¥31形状の#l J=fi Hガラス230(岩
城硝子製:パイレツクスガラス)を設置した。さらに/
14mgガラス230の周囲にステンレス製高周波電極
20をすき間が1ミリツ一トル以内になるように設置し
、反応ガス導入?1第40の移動用にすき間をあけ、反
応炉叫に固定した。1−だ真空排気系は、反応炉叫の高
兵窒化用及びガス反応時の反応炉叫とAL酸ガラス23
0間の真空化用として油拡散ポンプ160を、その補助
ポンプとして油回転ポンプ180を設置し7゛こ。ガス
反応時のJIrlf!Wガラス230と円筒形支持体3
0間の真空化用として、ルーツブロアポンプ170を、
その補助ポンプとして油回転ポンプ181を設置した。
2いて、α−SA 二HJ摸を堆積されるべき円筒形支
持体30の内部には支持体30を高温に加熱できるよう
にヒーター90を設置した。円筒形支持体側の円周方向
にα−6L :i(換が均一に堆積するように、支持体
30の下部には回11ム導入機構100を設置した。ま
た円筒形支持体30の上部に反応ガス吹き出し口50が
位置するように、反応ガス導入管40を設け、反応ガス
吹き出し口50と円筒形支持体30を包むような形状に
円j¥31形状の#l J=fi Hガラス230(岩
城硝子製:パイレツクスガラス)を設置した。さらに/
14mgガラス230の周囲にステンレス製高周波電極
20をすき間が1ミリツ一トル以内になるように設置し
、反応ガス導入?1第40の移動用にすき間をあけ、反
応炉叫に固定した。1−だ真空排気系は、反応炉叫の高
兵窒化用及びガス反応時の反応炉叫とAL酸ガラス23
0間の真空化用として油拡散ポンプ160を、その補助
ポンプとして油回転ポンプ180を設置し7゛こ。ガス
反応時のJIrlf!Wガラス230と円筒形支持体3
0間の真空化用として、ルーツブロアポンプ170を、
その補助ポンプとして油回転ポンプ181を設置した。
真空J=測定用として、バラトロンA窒計81.151
と電離真空計82.152をガス排気口150、加の近
傍に設置した。
と電離真空計82.152をガス排気口150、加の近
傍に設置した。
次に、油拡散ポンプ160を用いて、ガス排気管220
.130により反応炉IO内部及びAハ疼敵ガラス23
0内部をI XIO’ Torr にしたのち反応ガス
(sLa< : H2=1 : 9 )を流し込んだ。
.130により反応炉IO内部及びAハ疼敵ガラス23
0内部をI XIO’ Torr にしたのち反応ガス
(sLa< : H2=1 : 9 )を流し込んだ。
そして各種設定値を硼迂酸ガラス230を設置せずα−
6L :H粉末が反応炉lOの内壁及び高周波電極20
の外壁に発生した値(高周波電極20と円筒形支持体3
0の間の真空度:0.71−−ル、高周波消費電カニ3
00ワット、反応ガス流入量:毎分300ミリリツトル
、円筒形支持体30の温度−250°C)としだ3、さ
らに反応炉狛と刊1]抵酸ガラス230のI’、ilは
グロー放電現象が生じないようにガス排気調整・</リ
ブ210を調mLi2X10 )−ルとした。ここでガ
ス排気調整バルブ190.200は閉じられており、真
空の度合はガス排気調整パルプ140.、210にて制
御される構成となる。
6L :H粉末が反応炉lOの内壁及び高周波電極20
の外壁に発生した値(高周波電極20と円筒形支持体3
0の間の真空度:0.71−−ル、高周波消費電カニ3
00ワット、反応ガス流入量:毎分300ミリリツトル
、円筒形支持体30の温度−250°C)としだ3、さ
らに反応炉狛と刊1]抵酸ガラス230のI’、ilは
グロー放電現象が生じないようにガス排気調整・</リ
ブ210を調mLi2X10 )−ルとした。ここでガ
ス排気調整バルブ190.200は閉じられており、真
空の度合はガス排気調整パルプ140.、210にて制
御される構成となる。
以上のような方法にて25時間放電を実施した。
その結果、反応炉10内壁及び高周波電極20の周囲に
はa、 −19L : H粉末が発生し々かった。
はa、 −19L : H粉末が発生し々かった。
さらに、円筒形支持体30に堆積されたα−8b:H膜
は、廉苑酸ガラス230を設f宣する以前と比較して、
同等な特性を示し、その膜厚は1.1〜1.2倍と増加
した。
は、廉苑酸ガラス230を設f宣する以前と比較して、
同等な特性を示し、その膜厚は1.1〜1.2倍と増加
した。
第3図、第4図に示される構造は、円筒形支持体間に堆
ゲ〔されるa −Bir : H膜の支持体30の長さ
方向への均一性を得るだめの工夫の一例である、。
ゲ〔されるa −Bir : H膜の支持体30の長さ
方向への均一性を得るだめの工夫の一例である、。
第3図に示されるように反応ガス吹き出し口50、ガス
排気口(資)を設定し/C場合、支持体30の長さ方向
に対して、真空度分布、反応ノjス流入量分布が一様に
なり、円筒形支持体30の円周方向ばかシでなく長さ方
向に対しても、a’b : HI漠の均一性は向上する
。
排気口(資)を設定し/C場合、支持体30の長さ方向
に対して、真空度分布、反応ノjス流入量分布が一様に
なり、円筒形支持体30の円周方向ばかシでなく長さ方
向に対しても、a’b : HI漠の均一性は向上する
。
捷た、円筒形支持体30及びガス吹き出L L:] 5
0を囲むものの材質は、利l111gガラスとQ31、
限らず、耐蝕性、耐熱性を持ち、高周波に対してその電
力を消費することなく透過さぜるものであれIJ:I:
良い7゜1ブξその構造は円1)二)形支持体30を囲
む構造とは限らず、反応炉10と尚周取電極20の空間
をグロー放電現象を生じさせ女い圧力(0,1トール以
下)ニ、高周波電極20と円筒形支持体艶の空間がグロ
ー放電現象を発生される圧力(0,1−叫トール)にな
る構造であれは良い。
0を囲むものの材質は、利l111gガラスとQ31、
限らず、耐蝕性、耐熱性を持ち、高周波に対してその電
力を消費することなく透過さぜるものであれIJ:I:
良い7゜1ブξその構造は円1)二)形支持体30を囲
む構造とは限らず、反応炉10と尚周取電極20の空間
をグロー放電現象を生じさせ女い圧力(0,1トール以
下)ニ、高周波電極20と円筒形支持体艶の空間がグロ
ー放電現象を発生される圧力(0,1−叫トール)にな
る構造であれは良い。
まだ、ひとつの反応炉lOの内部に、1組の高周波電極
額1.flllif酸ガラス2301 円筒形支持体3
0があるとは限らず、反応炉10の容量に応じて数組の
ものが設置されていても良い。
額1.flllif酸ガラス2301 円筒形支持体3
0があるとは限らず、反応炉10の容量に応じて数組の
ものが設置されていても良い。
以上のように、本発明によれば、前記障壁を設けゐこと
により、a −(3L :H絞堆稙時においてa−BL
: li粉末の発生を抑制てきるので、α−8b:H
粉末のcL−Sb:H膜への影響をなくすことができる
。さらに製造装置の長寿命化が可能となる。
により、a −(3L :H絞堆稙時においてa−BL
: li粉末の発生を抑制てきるので、α−8b:H
粉末のcL−Sb:H膜への影響をなくすことができる
。さらに製造装置の長寿命化が可能となる。
また、1つの反応炉内に数組の高周波電極、円筒形支持
体を設置することができ、量産性を得ることもできる。
体を設置することができ、量産性を得ることもできる。
第1図は従来から使用されている公知なα−8L:1■
膜製造装置の縦H)「1創面図である。第2図、第3図
、第4図は本発明の一実施例を示したもので、第2図は
a −SA : H膜製造装置の縦断側面図、第3図は
他の実施例における横断面図、第4図は第3図のA−A
線縦断側面図である。 1000反応炉、20.、高周波電極、30゜、支持体
、50.、ガス吹き出し口、SO,、ガス排気口、23
0. 障壁。 特許出l1jJ4人の名称 日立上(幾株式会社才1m 紫3図 才4(2]
膜製造装置の縦H)「1創面図である。第2図、第3図
、第4図は本発明の一実施例を示したもので、第2図は
a −SA : H膜製造装置の縦断側面図、第3図は
他の実施例における横断面図、第4図は第3図のA−A
線縦断側面図である。 1000反応炉、20.、高周波電極、30゜、支持体
、50.、ガス吹き出し口、SO,、ガス排気口、23
0. 障壁。 特許出l1jJ4人の名称 日立上(幾株式会社才1m 紫3図 才4(2]
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 /、アモルファス水素化シリコン’< ;1174 i
ti’< −J 亡るべき支持体と、この支持体と放電
現像を元生さぜるべきこの支]守捧の周囲に設置した高
周数′電極と、ml記支持体と前記尚周波電極の間の壁
間に反応ガスを流すために設置したガス吹き出し口と、
前記支持体の中心に対して前記ガス吹き出しI」と対称
な位置に設置したガス排気口と、FJU記支持体、n1
ib己i冑周仮’k i血、+jiJ記力′スl!にき
出しロ、1可i己ガスJ非気口の周1mlの圧力を減圧
できるようにこれらを密封した反応炉を1liiiえ/
Cものにおいて、t」1工記高周波電極と支持体の間に
障壁を設けることを特徴とし/こアモルファス水素化シ
リコンIIK m M 装置μ。 コ、 前記の障殊に用いる桐質として訓ll止ばガラス
及び石英ガラスからなる特許請求の範囲第1項記載のア
モルファス水素化シリコンJ換製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58171727A JPS6063370A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | アモルファス水素化シリコン膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58171727A JPS6063370A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | アモルファス水素化シリコン膜製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6063370A true JPS6063370A (ja) | 1985-04-11 |
Family
ID=15928553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58171727A Pending JPS6063370A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | アモルファス水素化シリコン膜製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6063370A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62103372A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-13 | バルツァース・アクティエンゲゼルシャフト | プラズマを使用した化学蒸気堆積による薄膜形成方法および装置 |
JPH01119057U (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-11 | ||
CN106115711A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 南京德邦金属装备工程股份有限公司 | 一种多晶硅还原炉 |
CN106115709A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 南京德邦金属装备工程股份有限公司 | 一种多晶硅还原方法 |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP58171727A patent/JPS6063370A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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