JPS6122027B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6122027B2 JPS6122027B2 JP10880078A JP10880078A JPS6122027B2 JP S6122027 B2 JPS6122027 B2 JP S6122027B2 JP 10880078 A JP10880078 A JP 10880078A JP 10880078 A JP10880078 A JP 10880078A JP S6122027 B2 JPS6122027 B2 JP S6122027B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- reaction gas
- gas supply
- supply port
- exhaust gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45504—Laminar flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコンなどの半導体層を得るための
低圧気相成長装置に関する。
低圧気相成長装置に関する。
低圧気相成長装置としては、例えば反応管を横
方向に設け、反応管内に基板ウエーハをおき、反
応管の一方の端部から管の軸方向に反応ガスを送
り込み、他の端部からガスを排出して基板ウエー
ハ上に気相成長を行なうものが考えられる。この
場合、基板ウエーハの加熱法として、高周波誘導
加熱法、抵抗加熱法、ランプ加熱法があり、後者
２つの方法では、反応管壁の温度が高くなり、気
相成長時に反応管の内壁に反応物質が付着しやす
く、特にモノシラン（SiH4）を用いた場合には、
分解温度が低いために付着がはげしい。このため
基板ウエーハに供給される反応ガス量は減少しか
つガスの流れ方向に沿つて成長層の膜厚にばらつ
きが生ずる。
方向に設け、反応管内に基板ウエーハをおき、反
応管の一方の端部から管の軸方向に反応ガスを送
り込み、他の端部からガスを排出して基板ウエー
ハ上に気相成長を行なうものが考えられる。この
場合、基板ウエーハの加熱法として、高周波誘導
加熱法、抵抗加熱法、ランプ加熱法があり、後者
２つの方法では、反応管壁の温度が高くなり、気
相成長時に反応管の内壁に反応物質が付着しやす
く、特にモノシラン（SiH4）を用いた場合には、
分解温度が低いために付着がはげしい。このため
基板ウエーハに供給される反応ガス量は減少しか
つガスの流れ方向に沿つて成長層の膜厚にばらつ
きが生ずる。
本発明はこのような気相成長装置の欠点を解消
するものであり、この目的とするところは、供給
された反応ガス量の損失を小さくし、かつ気相成
長層の膜厚のばらつきが少ない低圧気相成長装置
を供給することにある。
するものであり、この目的とするところは、供給
された反応ガス量の損失を小さくし、かつ気相成
長層の膜厚のばらつきが少ない低圧気相成長装置
を供給することにある。
このような目的を達成するための本発明は、加
熱法として抵抗加熱法あるいはランプ加熱法を用
いた低圧気相成長装置において、前記反応管の内
壁の一部に多孔状の反応ガス供給口と、該反応ガ
ス供給口と相対する内壁に多孔状の排気ガス排出
口とを設け、さらに、該反応ガス供給口の外側
に、複数個の反応ガス導入管と、この導入管と前
記反応ガス供給口の間に該反応ガス導入管毎に互
いに独立となるように仕切られている反応ガス供
給室とを設け、前記排気ガス排出口の外側には、
排気ガス導出管を設け、前記反応管の軸に対して
ほぼ垂直方向に反応ガスを流すことを特徴とした
低圧気相成長装置である。
熱法として抵抗加熱法あるいはランプ加熱法を用
いた低圧気相成長装置において、前記反応管の内
壁の一部に多孔状の反応ガス供給口と、該反応ガ
ス供給口と相対する内壁に多孔状の排気ガス排出
口とを設け、さらに、該反応ガス供給口の外側
に、複数個の反応ガス導入管と、この導入管と前
記反応ガス供給口の間に該反応ガス導入管毎に互
いに独立となるように仕切られている反応ガス供
給室とを設け、前記排気ガス排出口の外側には、
排気ガス導出管を設け、前記反応管の軸に対して
ほぼ垂直方向に反応ガスを流すことを特徴とした
低圧気相成長装置である。
以下添付図面に関連して本発明の実施例を説明
する。
する。
第１図は、本発明の実施例として用いた低圧気
相成長装置の反応炉部分の断面を示したもので、
第２図は反応管の一端から見た図である。反応管
２を横方向に配置し、炉内の均熱領域に含まれる
反応管壁に多孔状の反応ガス供給口３と排気ガス
排出口４を設ける。反応管２の外側にしきり板５
でしきられた反応ガス供給室６を複数個設け、各
反応ガス供給室には反応ガス導入管１で反応ガス
が送りこまれる。又、反応ガス供給室に相対する
管壁の外側には排気ガス排出口７を設け、前記排
気ガス排出室７に接続された排気ガス導出管８に
より排気ガスを真空ポンプで排出し、例えば0.2
〜100Torrの範囲の一定圧力に保持する。基板ウ
エーハ９は例えば第１図、第２図に示すように反
応ガスの流れ方向にほぼ平行となるように置かれ
る。基板ウエーハ９は、例えば反応管の外側から
抵抗加熱体１０により加熱され、反応ガス供給口
３を通して反応管２の中に送りこまれた反応ガス
で、低圧下で反応させ、基板ウエーハ９上に気相
成長層を形成する。基板ウエーハ上にシリコン層
を形成する場合には、反応ガスとしてSiH4＋H2
を用いる。なおSiH4の代りにSiCl4，SiHCl3，
SiH2Cl2を用いてもよい。又SiH4の場合に、H2の
代りにHe，N2などを使用してもよい。
相成長装置の反応炉部分の断面を示したもので、
第２図は反応管の一端から見た図である。反応管
２を横方向に配置し、炉内の均熱領域に含まれる
反応管壁に多孔状の反応ガス供給口３と排気ガス
排出口４を設ける。反応管２の外側にしきり板５
でしきられた反応ガス供給室６を複数個設け、各
反応ガス供給室には反応ガス導入管１で反応ガス
が送りこまれる。又、反応ガス供給室に相対する
管壁の外側には排気ガス排出口７を設け、前記排
気ガス排出室７に接続された排気ガス導出管８に
より排気ガスを真空ポンプで排出し、例えば0.2
〜100Torrの範囲の一定圧力に保持する。基板ウ
エーハ９は例えば第１図、第２図に示すように反
応ガスの流れ方向にほぼ平行となるように置かれ
る。基板ウエーハ９は、例えば反応管の外側から
抵抗加熱体１０により加熱され、反応ガス供給口
３を通して反応管２の中に送りこまれた反応ガス
で、低圧下で反応させ、基板ウエーハ９上に気相
成長層を形成する。基板ウエーハ上にシリコン層
を形成する場合には、反応ガスとしてSiH4＋H2
を用いる。なおSiH4の代りにSiCl4，SiHCl3，
SiH2Cl2を用いてもよい。又SiH4の場合に、H2の
代りにHe，N2などを使用してもよい。
加熱法として抵抗加熱法以外にランプ加熱法を
用いても良い。排気ガス導出管８は、第１図では
反応ガス導入管１と相対する位置に制限されるも
のではない。又、実施例では反応管２を横に設置
したが、縦型にしても差支えない。
用いても良い。排気ガス導出管８は、第１図では
反応ガス導入管１と相対する位置に制限されるも
のではない。又、実施例では反応管２を横に設置
したが、縦型にしても差支えない。
このような低圧気相成長装置を用いると、反応
ガス供給口と基板ウエーハとの距離が近くなり、
かつ管の軸方向に反応ガス導入管が複数個存在す
るため、反応管の端部から軸方向に反応ガスを流
す場合に比べて、反応物質が管壁に付着する量が
少なく、かつ、多孔状のガス供給口が設けられて
いることから反応ガスが各基板ウエーハ９に均一
に送られるので、気相成長層の厚さのばらつきが
少ない。
ガス供給口と基板ウエーハとの距離が近くなり、
かつ管の軸方向に反応ガス導入管が複数個存在す
るため、反応管の端部から軸方向に反応ガスを流
す場合に比べて、反応物質が管壁に付着する量が
少なく、かつ、多孔状のガス供給口が設けられて
いることから反応ガスが各基板ウエーハ９に均一
に送られるので、気相成長層の厚さのばらつきが
少ない。
以上の実施例で示したように、本発明の低圧気
相成長装置は、反応管壁に複数個の反応ガス導入
管を備えたガス供給部及び排気ガス導出管を備え
たガス排出部を有し、反応管の軸にほぼ垂直方向
に反応ガスを流すような構造になつているため、
抵抗加熱法あるいはランプ加熱法を用いた気相成
長において反応物質の管壁への付着量が低減され
基板ウエーハへの反応ガス供給量の損失を少なく
できること、および反応ガス供給口、排気ガス排
出口が多孔状になつていることからウエーハ間で
の成長膜厚のばらつきが少ないという利点を有し
ている。
相成長装置は、反応管壁に複数個の反応ガス導入
管を備えたガス供給部及び排気ガス導出管を備え
たガス排出部を有し、反応管の軸にほぼ垂直方向
に反応ガスを流すような構造になつているため、
抵抗加熱法あるいはランプ加熱法を用いた気相成
長において反応物質の管壁への付着量が低減され
基板ウエーハへの反応ガス供給量の損失を少なく
できること、および反応ガス供給口、排気ガス排
出口が多孔状になつていることからウエーハ間で
の成長膜厚のばらつきが少ないという利点を有し
ている。
第１図および第２図はそれぞれ本発明一実施例
の低圧気相成長装置における反応炉の縦断面図お
よび横断面図である。 尚、図において、１……反応ガス導入管、２…
…反応管、３……反応ガス供給口、４……排気ガ
ス排出口、５……抜しきり板、６……反応ガス供
給室、７……排気ガス排出室、８……排気ガス導
出管、９……基板ウエーハ、１０………抵抗加熱
体である。
の低圧気相成長装置における反応炉の縦断面図お
よび横断面図である。 尚、図において、１……反応ガス導入管、２…
…反応管、３……反応ガス供給口、４……排気ガ
ス排出口、５……抜しきり板、６……反応ガス供
給室、７……排気ガス排出室、８……排気ガス導
出管、９……基板ウエーハ、１０………抵抗加熱
体である。
Claims (1)
- １ 反応管の外側に、該反応管内の基板ウエーハ
を加熱するための加熱手段を有する低圧気相成長
装置において、前記反応管の内壁の一部に多孔状
の反応ガス供給口と、該反応ガス供給口と相対す
る内壁に多孔状の排気ガス排出口とを設け、さら
に、前記反応ガス供給口の外側に、、複数個の反
応ガス導入管と、この導入管と前記反応ガス供給
口の間に反応ガス導入管毎に互いに独立となるよ
うに仕切られている反応ガス供給室とを設け、前
記排気ガス排出口の外側には、排気ガス導出管を
設け、前記反応管の軸に対してほぼ垂直方向に反
応ガスを流すことを特徴とした低圧気相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10880078A JPS5534690A (en) | 1978-09-04 | 1978-09-04 | Low pressure gas phase growing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10880078A JPS5534690A (en) | 1978-09-04 | 1978-09-04 | Low pressure gas phase growing apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5534690A JPS5534690A (en) | 1980-03-11 |
| JPS6122027B2 true JPS6122027B2 (ja) | 1986-05-29 |
Family
ID=14493796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10880078A Granted JPS5534690A (en) | 1978-09-04 | 1978-09-04 | Low pressure gas phase growing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5534690A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139931A (en) * | 1981-02-24 | 1982-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | Resin-sealing mold for semiconductor device |
| JPS5956576A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-04-02 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPS6033352A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-20 | Kokusai Electric Co Ltd | 減圧ｃｖｄ装置 |
| JPH04255315A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Nec Kyushu Ltd | 樹脂封止金型 |
| JP2008172205A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-07-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応容器 |
| US20080173238A1 (en) | 2006-12-12 | 2008-07-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction vessel |
| JP2009298638A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Hitachi Zosen Corp | カーボンナノチューブ製造装置 |
| JP2011195863A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層堆積装置及び原子層堆積方法 |
| JP5702657B2 (ja) * | 2011-04-18 | 2015-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP2015137415A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | エヌシーディ・カンパニー・リミテッドＮｃｄ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 大面積原子層蒸着装置 |
| CN103866294B (zh) * | 2014-04-03 | 2017-01-11 | 江西沃格光电股份有限公司 | 镀膜充气装置 |
| CN114902381A (zh) * | 2020-02-05 | 2022-08-12 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS505562U (ja) * | 1973-05-17 | 1975-01-21 |
-
1978
- 1978-09-04 JP JP10880078A patent/JPS5534690A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5534690A (en) | 1980-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5250323A (en) | Chemical vapor growth apparatus having an exhaust device including trap | |
| US4232063A (en) | Chemical vapor deposition reactor and process | |
| JPS6122027B2 (ja) | ||
| JP2002501671A (ja) | 反応炉の排出パイプ内における物質の沈着を低減する方法および装置 | |
| WO2006093037A1 (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| IE811017L (en) | Chemical vapor deposition of films on silicon wafers | |
| US4781945A (en) | Process for the formation of phosphosilicate glass coating | |
| JPS6054919B2 (ja) | 低圧反応装置 | |
| US4487787A (en) | Method of growing silicate glass layers employing chemical vapor deposition process | |
| JPS6033352A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH02504290A (ja) | 表面の被覆又は処理用反応装置 | |
| JPS61186288A (ja) | 炭化珪素化合物半導体の気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS6335776A (ja) | 気相化学蒸着装置 | |
| CN215856322U (zh) | 特气管路及平板式pecvd设备 | |
| JPH01109714A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS59159980A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS626682Y2 (ja) | ||
| JPS5670830A (en) | Vapor growth method | |
| JP3027992B2 (ja) | Ｌｐｃｖｄ装置 | |
| JPS61248519A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH0410617A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS60200531A (ja) | 処理装置 | |
| JPS5493357A (en) | Growing method of polycrystal silicon | |
| JPH04139820A (ja) | 縦型減圧ｃｖｄ装置 | |
| SU905342A1 (ru) | Устройство дл осаждени слоев из газовой фазы |