JPS616277A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS616277A JPS616277A JP59125200A JP12520084A JPS616277A JP S616277 A JPS616277 A JP S616277A JP 59125200 A JP59125200 A JP 59125200A JP 12520084 A JP12520084 A JP 12520084A JP S616277 A JPS616277 A JP S616277A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drums
- raw material
- electrodes
- drum
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野１
本発明は、プラズマＣＶＤ技術を用いてドラム等の円筒
状基体の表面にアモルファス争シリコン等の膜を蒸着し
て、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産す
ることのできるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にその原
料ガスを適切に処理してドラム表面にアモルファス・シ
リコン膜を均等に蒸着することができるプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。
状基体の表面にアモルファス争シリコン等の膜を蒸着し
て、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産す
ることのできるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にその原
料ガスを適切に処理してドラム表面にアモルファス・シ
リコン膜を均等に蒸着することができるプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。
１従来技術］
この種の装置は、プラズマＣＶＤ装置の電極配置方式か
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極と７ノード電極（ドラム）とが同心固状に配
置されているため、ドラム収納個数が制約され、装置構
造が複雑になる。
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極と７ノード電極（ドラム）とが同心固状に配
置されているため、ドラム収納個数が制約され、装置構
造が複雑になる。
そこで以上のような問題を考慮して、］：とじてアモル
ファス・シリコン感光体材料を用いる電子写真用感光体
ドラムの量産装置を得べく、上述の従来例のごとき複雑
な装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数を増や
し、かつ電極配置方法、及び形状を改善することにより
、従来の装置では困難であった電子写真用ドラム等の量
産、及び高速成膜を有利に可能ならしめた装置が提案さ
れた。
ファス・シリコン感光体材料を用いる電子写真用感光体
ドラムの量産装置を得べく、上述の従来例のごとき複雑
な装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数を増や
し、かつ電極配置方法、及び形状を改善することにより
、従来の装置では困難であった電子写真用ドラム等の量
産、及び高速成膜を有利に可能ならしめた装置が提案さ
れた。
第１図はこのようなプラズマＣＶＤ装置を示し、図中１
５は表面にアモルファスφシリコン膜を形成するように
アルミニウム製の基板をドラム状に形成した円筒状基体
としてのドラムである。
５は表面にアモルファスφシリコン膜を形成するように
アルミニウム製の基板をドラム状に形成した円筒状基体
としてのドラムである。
ｌはドラムを加熱するための加熱室、２は加熱室１に続
けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤ法に
よりアモルファス・シリコン膜を形成するための反応室
、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成後のド
ラムを冷却するための冷却室である。これらの室１．２
および３は気密構造を有している。６は複数のドラム１
５を軸中心に回転させると共に、これらの中心軸 が互
いに同一平面上になるように、かっ各軸が平行になるよ
うに直立して保持し、さらにドラム回転搬送機構を備え
た保持枠である。
けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤ法に
よりアモルファス・シリコン膜を形成するための反応室
、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成後のド
ラムを冷却するための冷却室である。これらの室１．２
および３は気密構造を有している。６は複数のドラム１
５を軸中心に回転させると共に、これらの中心軸 が互
いに同一平面上になるように、かっ各軸が平行になるよ
うに直立して保持し、さらにドラム回転搬送機構を備え
た保持枠である。
４は加熱室１内に各室１．２および３の連続方向に沿う
ように配置された一対のヒーターである。
ように配置された一対のヒーターである。
この一対のヒーター４は、互いに平行になるように直立
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルター及びバッフルを備えた排気系である。７はカソー
ド電極としての一対の平板状電極であって、互いに平行
になるように直立して反応室２内に配置されている。こ
の一対の電極７は原料ガス供給のため二重構造となし、
その間に配列方向が電極７と平行になるように配置され
たドラム１５に向ってガスを噴出する多数の孔を内側全
面にわたって有し、さらにヒータにより加熱される。８
は平板状電極７の外側に接続された、同電極７の二重構
造内に原料ガスを供給するための原料ガス供給パイプ、
８は電極７にはパイプ８を介して高周波パワーを供給す
るための電源、１０は保持枠６に保持されたドラム１５
を７ノード電極とするためのアースである。
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルター及びバッフルを備えた排気系である。７はカソー
ド電極としての一対の平板状電極であって、互いに平行
になるように直立して反応室２内に配置されている。こ
の一対の電極７は原料ガス供給のため二重構造となし、
その間に配列方向が電極７と平行になるように配置され
たドラム１５に向ってガスを噴出する多数の孔を内側全
面にわたって有し、さらにヒータにより加熱される。８
は平板状電極７の外側に接続された、同電極７の二重構
造内に原料ガスを供給するための原料ガス供給パイプ、
８は電極７にはパイプ８を介して高周波パワーを供給す
るための電源、１０は保持枠６に保持されたドラム１５
を７ノード電極とするためのアースである。
１１は一対の冷却板であって、互いに平行になるように
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板目
はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却するた
めに内部に水等の冷媒流路を有する。１２は冷却板１１
内に供給する水等の冷媒、１３は各室１，２および３を
隔離し、かつドラム１５が保持枠６とともに移動すると
きに開状態になるように制御されるゲート・バルブ、１
４は加熱室１及び冷却室３の排気系５に設けられ各室ｌ
および３を大気に戻すためのリーク・バルブである。
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板目
はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却するた
めに内部に水等の冷媒流路を有する。１２は冷却板１１
内に供給する水等の冷媒、１３は各室１，２および３を
隔離し、かつドラム１５が保持枠６とともに移動すると
きに開状態になるように制御されるゲート・バルブ、１
４は加熱室１及び冷却室３の排気系５に設けられ各室ｌ
および３を大気に戻すためのリーク・バルブである。
保持枠Ｂに固定されたドラム１５は、第１図中左端のゲ
ート・バルブ１３内を通って、加熱室１に入り、排気系
５により真空にされた後の、加熱室ｌ内において回転し
ながらヒーター４により加熱される。加熱されたドラム
１５は両室ｌおよび２間のゲート・バルブ１３内を通っ
て排気系５により真空に保たれた反応室２に保持枠６と
ともに入る。反応室２に入ったドラム１５はアース１０
に接続されて、高周波電源８に接続されたカソード電極
としての一対の電極７に対するアノード電極を形成する
。電極７と電場を形成し、ヒーターにより加熱されたド
ラム１５の表面には、原料ガス供給パイプ８から送られ
るシラン等の原料ガスがプラズマ中で分解することによ
ってアモルファス・シリコン膜が形成される。膜形成の
終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間のゲート
・バルブ１３内を通って、排気系５により真空に保たれ
た冷却室３に入り、冷却板１１を介して冷媒１２と熱交
換して冷却され、リーク・バルブ１４により大気に戻さ
れた冷却室３から第１図中右端のゲート・バルブ１３内
を通って冷却室３外に出され蒸着工程を終了する。
ート・バルブ１３内を通って、加熱室１に入り、排気系
５により真空にされた後の、加熱室ｌ内において回転し
ながらヒーター４により加熱される。加熱されたドラム
１５は両室ｌおよび２間のゲート・バルブ１３内を通っ
て排気系５により真空に保たれた反応室２に保持枠６と
ともに入る。反応室２に入ったドラム１５はアース１０
に接続されて、高周波電源８に接続されたカソード電極
としての一対の電極７に対するアノード電極を形成する
。電極７と電場を形成し、ヒーターにより加熱されたド
ラム１５の表面には、原料ガス供給パイプ８から送られ
るシラン等の原料ガスがプラズマ中で分解することによ
ってアモルファス・シリコン膜が形成される。膜形成の
終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間のゲート
・バルブ１３内を通って、排気系５により真空に保たれ
た冷却室３に入り、冷却板１１を介して冷媒１２と熱交
換して冷却され、リーク・バルブ１４により大気に戻さ
れた冷却室３から第１図中右端のゲート・バルブ１３内
を通って冷却室３外に出され蒸着工程を終了する。
しかしながら以上のような構成のプラズマＣＶＤ装置に
おいては次のような欠点がある。すなわち、第２図は反
応室２の断面を示し、図中矢印で示すように原料ガスは
、平板状電極７の内側に全面にわたって形成されたガス
噴出用の孔７Ａからドラム１５に向って噴出する０図中
右側の平板状電極７から噴出した原料ガスは、ドラム１
５の主として右側の半周部分に接触し、そして、左側の
平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気され、一方
、図中左側の平板状７電極から噴出した原料ガスはドラ
ム１５の主として左側の半周部分に接触して左側の平板
状電極７の周辺を通って排気系５に排気される。
おいては次のような欠点がある。すなわち、第２図は反
応室２の断面を示し、図中矢印で示すように原料ガスは
、平板状電極７の内側に全面にわたって形成されたガス
噴出用の孔７Ａからドラム１５に向って噴出する０図中
右側の平板状電極７から噴出した原料ガスは、ドラム１
５の主として右側の半周部分に接触し、そして、左側の
平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気され、一方
、図中左側の平板状７電極から噴出した原料ガスはドラ
ム１５の主として左側の半周部分に接触して左側の平板
状電極７の周辺を通って排気系５に排気される。
このように反応室２内に供給された原料ガスの流れは反
応室２内においてきわめて不均一であり、特に第２図に
示すようにドラム１５の左側における軸方向の中間部分
近傍の原料ガスおよび左側の平板状電極７の内側の」二
下両端部分から噴出した原料ガスなどは、反応室２内に
おいてよどみやすい、その結果、ドラム１５の周囲にお
いて、Ｍ料ガスの密度は不均一になりやすく、そのため
、ドラム１５の表面に得られたアモルファス壷シリコン
の膜厚および膜質は不均一になりやすい。
応室２内においてきわめて不均一であり、特に第２図に
示すようにドラム１５の左側における軸方向の中間部分
近傍の原料ガスおよび左側の平板状電極７の内側の」二
下両端部分から噴出した原料ガスなどは、反応室２内に
おいてよどみやすい、その結果、ドラム１５の周囲にお
いて、Ｍ料ガスの密度は不均一になりやすく、そのため
、ドラム１５の表面に得られたアモルファス壷シリコン
の膜厚および膜質は不均一になりやすい。
−男子板状カソード電極７は電極とガス噴出手段とを兼
ねており、したがってその構造が複雑であり、ガス噴出
孔において異常放電する恐れがある。
ねており、したがってその構造が複雑であり、ガス噴出
孔において異常放電する恐れがある。
［目的］
本発明の目的は以−Ｌのような問題を解消し、適切な原
料ガスの流れを形成して、表面に膜圧および膜質の均一
なアモルファスφシリコン等の膜を有するドラム等の円
筒状基体が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供すること
にある。
料ガスの流れを形成して、表面に膜圧および膜質の均一
なアモルファスφシリコン等の膜を有するドラム等の円
筒状基体が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供すること
にある。
【実施例］
第３図は本発明の一実施例にかかるプラズマＣＶＤ装置
の要部を示す斜視図、第４図は同装置の要部の断面図で
ある０本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置においては、
反応室内の電極および原料ガス供給排気のための構造を
除いた他の橋べは。
の要部を示す斜視図、第４図は同装置の要部の断面図で
ある０本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置においては、
反応室内の電極および原料ガス供給排気のための構造を
除いた他の橋べは。
第１図に示したプラズマＣＶＤ装置と同様な構成である
ので図示省略し、以下、反応室について主に説明する。
ので図示省略し、以下、反応室について主に説明する。
すなわち第３図および第４図に示すように、本発明にか
かるプラズマＣＶＤ装置における反応室２１内には、一
対の平板状電極２２が、従来の平板状電極７と同様の位
置に、互いに平行になるように直立して配置されている
。この一対の平板状電極２２は、従来の平板状電極７と
同様の構造になっている。すなわちこの一対の平板状電
極２２は、原料ガス供給のため二重構造となし、その間
に配列方向が電極２２と平行になるように配置されたド
ラム１５に向ってガスを噴出する多数の孔２３を内側全
面にわたって有し、さらにヒーターによって加熱される
。２４は平板状電極２２の外側に接続された、同電極２
２の二重構造内に原料ガスを供給するための原料ガス供
給パイプである。一方の平板状電極２２はパイプ２４を
介して高周波電源９に接続し、カソード電極とする。
かるプラズマＣＶＤ装置における反応室２１内には、一
対の平板状電極２２が、従来の平板状電極７と同様の位
置に、互いに平行になるように直立して配置されている
。この一対の平板状電極２２は、従来の平板状電極７と
同様の構造になっている。すなわちこの一対の平板状電
極２２は、原料ガス供給のため二重構造となし、その間
に配列方向が電極２２と平行になるように配置されたド
ラム１５に向ってガスを噴出する多数の孔２３を内側全
面にわたって有し、さらにヒーターによって加熱される
。２４は平板状電極２２の外側に接続された、同電極２
２の二重構造内に原料ガスを供給するための原料ガス供
給パイプである。一方の平板状電極２２はパイプ２４を
介して高周波電源９に接続し、カソード電極とする。
反応室２１の天井壁２１Ａおよび底壁２１Ｂには、一対
の平板状電極２２の間に位置した複数のドラム１５の配
列方向にそうように、かつ同ドラム１５の直上および直
下に位置するように、各々複数個のガス排気口２６を形
成し、反応室２１の天井壁２１Ａおよび底壁２１Ｂの外
側にガス排気孔２Ｂに連通ずるようにガス排気管２５を
接続する。
の平板状電極２２の間に位置した複数のドラム１５の配
列方向にそうように、かつ同ドラム１５の直上および直
下に位置するように、各々複数個のガス排気口２６を形
成し、反応室２１の天井壁２１Ａおよび底壁２１Ｂの外
側にガス排気孔２Ｂに連通ずるようにガス排気管２５を
接続する。
ガス供給パイプ２４は、図示しない原料ガス供給源に接
続され、ガス排気管２５は図示しない排気装置に接続さ
れている。
続され、ガス排気管２５は図示しない排気装置に接続さ
れている。
ドラム１５はアースされて、７ノード電極となっている
。
。
以上のような構成による本発明プラズマＣＶＤ装置の作
用を次に説明する。第４図および第５図に矢印で示すよ
うに、一方の電極２２の各々の内側の孔２３から反応室
２１内にドラム１５に向って噴出した原料ガスは、反応
室２１の天井壁２１Ａおよび底壁２１Ｂのガス排気口２
６内に吸い込まれて反応室２１外に排気される。孔２３
から噴出した原料ガスは、反応室２１内のドラム１５の
上方および下方のガス排気口２６に吸込まれるので、ド
ラム１５の軸方向にそって原料ガスのよどみないスムー
ズな流れが形成される。
用を次に説明する。第４図および第５図に矢印で示すよ
うに、一方の電極２２の各々の内側の孔２３から反応室
２１内にドラム１５に向って噴出した原料ガスは、反応
室２１の天井壁２１Ａおよび底壁２１Ｂのガス排気口２
６内に吸い込まれて反応室２１外に排気される。孔２３
から噴出した原料ガスは、反応室２１内のドラム１５の
上方および下方のガス排気口２６に吸込まれるので、ド
ラム１５の軸方向にそって原料ガスのよどみないスムー
ズな流れが形成される。
その結果、ドラム１５の周囲のガス密度が全体にわたっ
て均一になり、ドラム１５の表面には膜厚および膜質が
均一なアモルファス・シリコン膜が形成される。
て均一になり、ドラム１５の表面には膜厚および膜質が
均一なアモルファス・シリコン膜が形成される。
なお、加熱室ｌおよび冷却室３におけるドラム１５の処
ＦＰは従来と同様である。
ＦＰは従来と同様である。
また、−１−記実施例では、−・対の電極２２は共に高
周波電源８に接続してカソード電極としたが、これらの
一方をカソード電極とし、他方を高周波電源８に接続せ
ずにアースして、７ノード電極としてもよい（ドラム１
５はアースする）。
周波電源８に接続してカソード電極としたが、これらの
一方をカソード電極とし、他方を高周波電源８に接続せ
ずにアースして、７ノード電極としてもよい（ドラム１
５はアースする）。
１効果ｌ
以ヒ説明したように本発明によれば、膜厚および膜質が
均一であり、電気的特性に優れたアモルファス・シリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。また本発明によれば、反応室の内部構造を簡
単にすることができ、さらに平行平板電極が簡単な構造
で済む。
均一であり、電気的特性に優れたアモルファス・シリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。また本発明によれば、反応室の内部構造を簡
単にすることができ、さらに平行平板電極が簡単な構造
で済む。
ラズマＣｖＤ装置の概略平面図、
ＰＩＳ２図は同装置における反応室の縦断面図、第３図
は電子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかるプラズ
マＣＶＤ装置の一実施例の要部を示す斜視図、 Ｗ４４図は同装置における反応室の縦断面図である。
は電子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかるプラズ
マＣＶＤ装置の一実施例の要部を示す斜視図、 Ｗ４４図は同装置における反応室の縦断面図である。
１５・・・ドラム、
２１・・・反応室、
２２・・・平板状電極、
２３・・・原料ガスの噴射用の孔、
２６・・・ガス排気口。
２１Ａ
Claims (1)
- 互いに平行になるように配置し、かつ内側に原料ガスの
噴出部を形成した一対の平行平板電極と、各中心軸が前
記電極と平行な同一平面上に位置し、かつ互いに平行に
なるように複数の円筒状基体を前記一対の平行平板電極
の間に配置するための基体保持手段と、前記一対の平行
平板電極の間に配置した複数の円筒状基体の両端近傍に
原料ガスの吸込部が位置するように配置した原料ガス排
気手段とを具えたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125200A JPS616277A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125200A JPS616277A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616277A true JPS616277A (ja) | 1986-01-11 |
| JPS6242028B2 JPS6242028B2 (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=14904382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125200A Granted JPS616277A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616277A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164880A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-21 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| WO1989003587A1 (en) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for thin film formation by plasma cvd |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP59125200A patent/JPS616277A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164880A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-21 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| WO1989003587A1 (en) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for thin film formation by plasma cvd |
| EP0336979A1 (en) * | 1987-10-14 | 1989-10-18 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Apparatus for thin film formation by plasma cvd |
| US4991542A (en) * | 1987-10-14 | 1991-02-12 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of forming a thin film by plasma CVD and apapratus for forming a thin film |
| EP0336979B1 (en) * | 1987-10-14 | 1995-05-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Apparatus for thin film formation by plasma cvd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242028B2 (ja) | 1987-09-05 |
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