JPS5817613A - グロ−放電による膜形成装置 - Google Patents
グロ−放電による膜形成装置Info
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- JPS5817613A JPS5817613A JP56116081A JP11608181A JPS5817613A JP S5817613 A JPS5817613 A JP S5817613A JP 56116081 A JP56116081 A JP 56116081A JP 11608181 A JP11608181 A JP 11608181A JP S5817613 A JPS5817613 A JP S5817613A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- drum
- film
- deposition chamber
- glow discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、グロー放電を利用して、半導体層、無機絶縁
膜、光導電膜等を効率良く形成する装置に関する。
膜、光導電膜等を効率良く形成する装置に関する。
プラズマを形成してグロー放電により所要の原料ガスを
分解して、所定の基体上に所望の特性の膜を形成する場
合、特に大面積の膜を形成する場合には、全領域に亘り
て膜厚、膜質等をることか非常に難しいことに起因して
いる。
分解して、所定の基体上に所望の特性の膜を形成する場
合、特に大面積の膜を形成する場合には、全領域に亘り
て膜厚、膜質等をることか非常に難しいことに起因して
いる。
例えば、８１Ｈ４ガスをグロー放電によ部分解し、所定
の基板上にアモルファス水素化シリコン（以下ａ−８１
：Ｈ）膜を形成する場合、従来の鉄量でＩＩｉ原料ガス
の流れの管理が不充分であるためガスの流速が均一でな
い部分が発生し易く、形成されｆｃａ−８１：Ｈ膜の特
性が基板内で／（うつくことが多い、又、従来の装置で
はガスの流れに上から下、右から左等一定の方向性があ
シ、そのためこの流れに沿って膜厚が次第に薄く、ある
いは厚くなるという不均一さも多々出現しｆＣ＠ 更に、現在のグロー放電による成膜速度は通常、真空蒸
着に比べてかな９遅いため、生産性の面から成膜速度の
向上が必要と考えられているが、そのためには当面原料
ガスの流量を大幅に増やす必要がおると思われる。その
場合、均一なる膜を形成するにはこれまで以上にガスの
流れの制御が大きな問題となシ１．Ｗ、料ガスの堆積室
への導入、排気には一層の工夫が要求される。
の基板上にアモルファス水素化シリコン（以下ａ−８１
：Ｈ）膜を形成する場合、従来の鉄量でＩＩｉ原料ガス
の流れの管理が不充分であるためガスの流速が均一でな
い部分が発生し易く、形成されｆｃａ−８１：Ｈ膜の特
性が基板内で／（うつくことが多い、又、従来の装置で
はガスの流れに上から下、右から左等一定の方向性があ
シ、そのためこの流れに沿って膜厚が次第に薄く、ある
いは厚くなるという不均一さも多々出現しｆＣ＠ 更に、現在のグロー放電による成膜速度は通常、真空蒸
着に比べてかな９遅いため、生産性の面から成膜速度の
向上が必要と考えられているが、そのためには当面原料
ガスの流量を大幅に増やす必要がおると思われる。その
場合、均一なる膜を形成するにはこれまで以上にガスの
流れの制御が大きな問題となシ１．Ｗ、料ガスの堆積室
への導入、排気には一層の工夫が要求される。
本発明は、上に述べた問題点を克服すべくなされたもの
であって、大面積に亘りて膜質および膜厚の均一なする
膜を再現性良くしかも効率的に形成し得るグロー放電に
よる膜形成装置を提供することを目的とする。
であって、大面積に亘りて膜質および膜厚の均一なする
膜を再現性良くしかも効率的に形成し得るグロー放電に
よる膜形成装置を提供することを目的とする。
本発明のグロー放電による膜形成装置においては、減圧
し得る堆積室のガス流入口とガス流出口は、堆積室をそ
の中心軸に直交する平面に投影したときに、一方が中央
部に他方か褐辺部に配置されていることを特徴としてい
る・本発明の装置に於いては、堆積室内での原料ガスの
淀れが、例えば上述した投影面内で拘辺部から中央部に
向って流入し、中央部で上記投影面に垂直方向に向って
流出するか、あるいはその逆となる。このため、ガスの
流量を大幅に増やしてもガスの流れの不均一性や方向性
を効果的に減少させることが出来、中央部におかれた基
体表面に所要の特性を有する膜を大面積に亘って均一に
再現性良く量産できるばかシでなく、従来のものに比べ
て原料ガスを大量に効果的に導入出来るので成膜速度を
増すことができ、グロー放電によるＩＩＭを利用する４
！ｒ種装置の低価格化が計れるとともに生産性も向上す
る。
し得る堆積室のガス流入口とガス流出口は、堆積室をそ
の中心軸に直交する平面に投影したときに、一方が中央
部に他方か褐辺部に配置されていることを特徴としてい
る・本発明の装置に於いては、堆積室内での原料ガスの
淀れが、例えば上述した投影面内で拘辺部から中央部に
向って流入し、中央部で上記投影面に垂直方向に向って
流出するか、あるいはその逆となる。このため、ガスの
流量を大幅に増やしてもガスの流れの不均一性や方向性
を効果的に減少させることが出来、中央部におかれた基
体表面に所要の特性を有する膜を大面積に亘って均一に
再現性良く量産できるばかシでなく、従来のものに比べ
て原料ガスを大量に効果的に導入出来るので成膜速度を
増すことができ、グロー放電によるＩＩＭを利用する４
！ｒ種装置の低価格化が計れるとともに生産性も向上す
る。
以下、本発明の実施例を図を用いて訳明する。
第１図は電子写真用Ａｔ製ドラム上にａ−８ｉ：Ｈ展を
形成する場合の装置の模式的断面図であり、第２図はそ
の堆積室を中心軸に直交する平面に投影しｆｃＩＩ式的
平面図である。堆積室ｒｅｄ主排気系にメインパルプ２
を介して直結したベースグレート３の上に絶縁性ガスケ
ット４を挾んで原料ガスの導入用マニホールド５（５１
〜５４）がついた金属製円筒６を置き、更にその上に同
じく絶縁性ガスケット１を挾んでガラス管８０ついたガ
ラス板９を置いてＳ成される。金属円筒６０周辺、即ち
堆積室Ｉの周辺に小さい孔の集合であるガス流入口１０
（１０，〜１０４ ）が互いに回転対称となる位置、
本実施例では４１１ｍ所に配置されている。ガラスｔ８
はガスヲ排気するためのものでその先端すなわちガス流
出口１１は堆積室ＩＯはは中央にあって、基体となるＡ
ｔ製ド２ム１２内のほぼ中心にさし込まれる形となる。
形成する場合の装置の模式的断面図であり、第２図はそ
の堆積室を中心軸に直交する平面に投影しｆｃＩＩ式的
平面図である。堆積室ｒｅｄ主排気系にメインパルプ２
を介して直結したベースグレート３の上に絶縁性ガスケ
ット４を挾んで原料ガスの導入用マニホールド５（５１
〜５４）がついた金属製円筒６を置き、更にその上に同
じく絶縁性ガスケット１を挾んでガラス管８０ついたガ
ラス板９を置いてＳ成される。金属円筒６０周辺、即ち
堆積室Ｉの周辺に小さい孔の集合であるガス流入口１０
（１０，〜１０４ ）が互いに回転対称となる位置、
本実施例では４１１ｍ所に配置されている。ガラスｔ８
はガスヲ排気するためのものでその先端すなわちガス流
出口１１は堆積室ＩＯはは中央にあって、基体となるＡ
ｔ製ド２ム１２内のほぼ中心にさし込まれる形となる。
一方、ＡｔＩ！！ドラム１２はガス穴１３のあいたＡｔ
製ふた１ ４１ ｅ Ｚ ４Ｂで両端をふさがれた形
で回転テーブル１５の上に設置され、成膜中はｌ Ｏｒ
ｐｍ程で回転され、又、内部ヒータ１６により３００℃
Ｓ度に熱せられるようになっている。ｌＩＬ金属円筒６
と接地されたＡｔ製ドラム１２０間に高周波電圧を印加
して堆積室ｌ内にプラズマを生成する島周波電源である
。
製ふた１ ４１ ｅ Ｚ ４Ｂで両端をふさがれた形
で回転テーブル１５の上に設置され、成膜中はｌ Ｏｒ
ｐｍ程で回転され、又、内部ヒータ１６により３００℃
Ｓ度に熱せられるようになっている。ｌＩＬ金属円筒６
と接地されたＡｔ製ドラム１２０間に高周波電圧を印加
して堆積室ｌ内にプラズマを生成する島周波電源である
。
このような構成として、まず主排気系で１Ｏ−６Ｔｏｒ
ｒ以下の高真空に堆積室１内を排気した後、メインパル
プ２を閉じてＳｉＨ４をガス流入口ＩＯより堆積室ｌ中
へ導入して成膜する。このとき、ＳｉＨ４は堆積室１０
周辺から導入され中央にあるガス流出口１１よシ排気さ
れるのでガスの流れは、極めて幾何学的対称性が高く、
Ａｔ製ドラム自身も回転しているので、ＳｉＨ４ガスは
ｈｔＨドラム１２の表面付近で抹各部のガスの流れの方
向性が消えて流速分布も均一となる。この状態で高周波
を源１１をオンすると金属円筒６と接地されたＡｔ製ド
ラム１２との間にプラズマが起こるが、５ｉｎ４ガスの
流れがｈｔ％ドラムＩ２の表面で均一であるのでＡｔ製
ドラム１２の全面に膜厚および膜質の均−表るａ−８ｌ
：ＨＪ［を形成することが出来る。この場合ガス流量を
増しても、ＳｉＨ４ガスのガス流入口１０とガス流出口
１１とが幾何学的対称性を保って配置されているのでガ
スの流れが均一となるように良く制御される結果、Ａｔ
製ドラム１２の上に高速で均質なるａ−８１：Ｈ膜を形
成することができる。更に、／Ｊさい孔の集合であるガ
ス流入口１０の名札を１夫で大きく、上下で少し小さく
してやるとよ土一層均一なる特性のａ−８ｔ：Ｈ［を形
成することが出来る。
ｒ以下の高真空に堆積室１内を排気した後、メインパル
プ２を閉じてＳｉＨ４をガス流入口ＩＯより堆積室ｌ中
へ導入して成膜する。このとき、ＳｉＨ４は堆積室１０
周辺から導入され中央にあるガス流出口１１よシ排気さ
れるのでガスの流れは、極めて幾何学的対称性が高く、
Ａｔ製ドラム自身も回転しているので、ＳｉＨ４ガスは
ｈｔＨドラム１２の表面付近で抹各部のガスの流れの方
向性が消えて流速分布も均一となる。この状態で高周波
を源１１をオンすると金属円筒６と接地されたＡｔ製ド
ラム１２との間にプラズマが起こるが、５ｉｎ４ガスの
流れがｈｔ％ドラムＩ２の表面で均一であるのでＡｔ製
ドラム１２の全面に膜厚および膜質の均−表るａ−８ｌ
：ＨＪ［を形成することが出来る。この場合ガス流量を
増しても、ＳｉＨ４ガスのガス流入口１０とガス流出口
１１とが幾何学的対称性を保って配置されているのでガ
スの流れが均一となるように良く制御される結果、Ａｔ
製ドラム１２の上に高速で均質なるａ−８１：Ｈ膜を形
成することができる。更に、／Ｊさい孔の集合であるガ
ス流入口１０の名札を１夫で大きく、上下で少し小さく
してやるとよ土一層均一なる特性のａ−８ｔ：Ｈ［を形
成することが出来る。
以上のように本実施例の装置ではａ−８ｉ：）］膜を高
速で広い面積に亘って均質に再現性良く又効率的に−を
産することができる・ なお、実施例で１、ダロー放−を容量結合プ式で起むし
たが誘導結合方式でも、直流電源舌用いる方式でも同様
の効果がわるとと０′８゛う壜でもない、更に、実施例
ではＡ／、製ドラムの上に成膜する場合をと９あげたが
、例えは平坦なカラス基板上に成膜する場合にも本装置
は１効１ある。この場合、例えば上記実施例のＡｔ製ド
ラムの位Ｉｎこれと同様な形状の基台をおいて（の表面
にガラス基板を配置すればよい。
速で広い面積に亘って均質に再現性良く又効率的に−を
産することができる・ なお、実施例で１、ダロー放−を容量結合プ式で起むし
たが誘導結合方式でも、直流電源舌用いる方式でも同様
の効果がわるとと０′８゛う壜でもない、更に、実施例
ではＡ／、製ドラムの上に成膜する場合をと９あげたが
、例えは平坦なカラス基板上に成膜する場合にも本装置
は１効１ある。この場合、例えば上記実施例のＡｔ製ド
ラムの位Ｉｎこれと同様な形状の基台をおいて（の表面
にガラス基板を配置すればよい。
その他事発明はその趣旨を逸脱しない範囲ズ種々変形実
施することが可能である。
施することが可能である。
第１図は本発明の一実施例のａ−８ｉ：Ｈ膜形成装置を
示す模式的断面図、第２図はその堆積室を中心軸に直交
する平面に投影した模式的平面図である。 １・・・堆積室、２・・・メインパルプ、３・・・ベー
スプレーＦ 、５ （ｓ１〜ｉｍ）−ガス導入剤マニ＊
−ｙド、ｓ・・・金属製円筒、８・・・ガラス管、９・
・・ガラス板、１０（１０１〜ｆ０４）・・・ガス流入
口、１１・・・ガス流出口、１．２・・・ＡｔＩＪＩド
ラム（基体）、１？・・・高周波電源。
示す模式的断面図、第２図はその堆積室を中心軸に直交
する平面に投影した模式的平面図である。 １・・・堆積室、２・・・メインパルプ、３・・・ベー
スプレーＦ 、５ （ｓ１〜ｉｍ）−ガス導入剤マニ＊
−ｙド、ｓ・・・金属製円筒、８・・・ガラス管、９・
・・ガラス板、１０（１０１〜ｆ０４）・・・ガス流入
口、１１・・・ガス流出口、１．２・・・ＡｔＩＪＩド
ラム（基体）、１？・・・高周波電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）減圧し得る堆積室内に基体を配置して原料ガスを
供給し、グロー放電をおこしてこの原料ガスを分解して
前記基体表面に所定の膜を堆積する骸置において、前記
堆積室のガス流入口とガス流出口は、前記堆積室をその
中心軸に直交する平面に投影してみたときに、一方が中
央部に他方が周辺部に配置されていることを特徴とする
グロー放電による膜形成装置。 流出口が中央部に１４１Ａ配置される特許請求の範囲第
１項記載のグロー放電による膜形成装置。 （３） 基体はドラムであってその中心軸が堆積室の
中心軸と一致するように堆積室内に配置されその中心軸
まわ９に回転駆動されるものである特許請求の範囲第１
項記載のグロー放電による膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116081A JPS5817613A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | グロ−放電による膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116081A JPS5817613A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | グロ−放電による膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817613A true JPS5817613A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14678237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56116081A Pending JPS5817613A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | グロ−放電による膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817613A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5963817U (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-26 | 株式会社ケンウッド | 薄膜磁気ヘツドにおけるリ−ド線 |
| JPH028132U (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-19 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56116081A patent/JPS5817613A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5963817U (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-26 | 株式会社ケンウッド | 薄膜磁気ヘツドにおけるリ−ド線 |
| JPH028132U (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-19 |
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