JPH028132U - - Google Patents

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JPH028132U
JPH028132U JP8557688U JP8557688U JPH028132U JP H028132 U JPH028132 U JP H028132U JP 8557688 U JP8557688 U JP 8557688U JP 8557688 U JP8557688 U JP 8557688U JP H028132 U JPH028132 U JP H028132U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例によるプラズマ処理
装置の断面構成図、第２図はそのプラズマ引出し
窓部の平面図、第３図は従来のプラズマ処理装置
の断面構成図、第４図は従来装置の問題点を説明
するための図である。 １……プラズマ室、２……導波管、３ａ，３ｂ
……電磁コイル、４……試料室、５……基板、１
０……隔壁、１１……孔。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. マイクロ波とプラズマ発生用ガスが導入されそ
    の内部にプラズマを発生するためのプラズマ室と
    、処理すべき試料が収容された試料室と、前記プ
    ラズマ室の周囲に配設されたプラズマ発生用電磁
    コイルとを備え、前記プラズマ発生用電磁コイル
    により前記プラズマ室内な電子サイクロトロン共
    鳴条件を満たす磁界を形成するとともに、前記プ
    ラズマ室から試料室内の試料に向けて発散する磁
    界を形成するようにしたプラズマ処理装置におい
    て、前記プラズマ室と試料室との間に隔壁を設け
    るとともに、この隔壁に複数の小径の孔を形成し
    たことを特徴とするプラズマ処理装置。
JP1988085576U 1988-06-28 1988-06-28 プラズマ処理装置 Expired - Lifetime JPH0717147Y2 (ja)

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JPH028132U true JPH028132U (ja) 1990-01-19
JPH0717147Y2 JPH0717147Y2 (ja) 1995-04-19

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5359586U (ja) * 1976-10-22 1978-05-20
JPH11251091A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Foi:Kk プラズマ発生装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5817613A (ja) * 1981-07-24 1983-02-01 Toshiba Corp グロ−放電による膜形成装置

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5817613A (ja) * 1981-07-24 1983-02-01 Toshiba Corp グロ−放電による膜形成装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPH11251091A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Foi:Kk プラズマ発生装置

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JPH0717147Y2 (ja) 1995-04-19

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