JPH07296991A - マイクロ波プラズマ発生装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ発生装置Info
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- JPH07296991A JPH07296991A JP6109017A JP10901794A JPH07296991A JP H07296991 A JPH07296991 A JP H07296991A JP 6109017 A JP6109017 A JP 6109017A JP 10901794 A JP10901794 A JP 10901794A JP H07296991 A JPH07296991 A JP H07296991A
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- coaxial
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Abstract
(57)【要約】
【目的】効率よくＥＣＲ共鳴磁場を形成できると共にア
ンテナ自体の機械的な強度を充分に確保できるマイクロ
波プラズマ発生装置を提供する。 【構成】真空容器１内部の天蓋２に同軸導波管を設ける
と共に該同軸導波管に矩形導波管４を介してマイクロ波
電力供給装置５を連設し、永久磁石９を天蓋の天井面に
固着すると共に前記永久磁石を介してに背面板１７を天
蓋に取付け、該背面板に対峙させ平板状電極８を設け、
前記真空容器の底部に前記平板状電極と対峙する基板電
極１４を設け、マイクロ波電力供給装置よりマイクロ波
を矩形導波管、同軸導波管を介して前記平板状電極に供
給すると該平板状電極と前記永久磁石間に形成される磁
界によりＥＣＲプラズマが発生する。
ンテナ自体の機械的な強度を充分に確保できるマイクロ
波プラズマ発生装置を提供する。 【構成】真空容器１内部の天蓋２に同軸導波管を設ける
と共に該同軸導波管に矩形導波管４を介してマイクロ波
電力供給装置５を連設し、永久磁石９を天蓋の天井面に
固着すると共に前記永久磁石を介してに背面板１７を天
蓋に取付け、該背面板に対峙させ平板状電極８を設け、
前記真空容器の底部に前記平板状電極と対峙する基板電
極１４を設け、マイクロ波電力供給装置よりマイクロ波
を矩形導波管、同軸導波管を介して前記平板状電極に供
給すると該平板状電極と前記永久磁石間に形成される磁
界によりＥＣＲプラズマが発生する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路、液晶表
示素子に用いられる半導体微細素子の製造工程の１つで
あるドライエッチング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を行う際のプラズマ
発生装置、特にマイクロ波プラズマ発生装置に関するも
のである。
示素子に用いられる半導体微細素子の製造工程の１つで
あるドライエッチング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を行う際のプラズマ
発生装置、特にマイクロ波プラズマ発生装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】反応性ガスをプラズマ化し、電離した活
性種を利用してドライエッチング、ＣＶＤを行うプラズ
マ装置の内、プラズマを発生させる方法としてマイクロ
波を利用するものがある。
性種を利用してドライエッチング、ＣＶＤを行うプラズ
マ装置の内、プラズマを発生させる方法としてマイクロ
波を利用するものがある。
【０００３】従来のマイクロ波プラズマ発生装置の１例
として、図３に於いて２．４５ＧＨZ のマイクロ波によ
る永久磁石方式ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラ
ズマ装置を説明する。
として、図３に於いて２．４５ＧＨZ のマイクロ波によ
る永久磁石方式ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラ
ズマ装置を説明する。
【０００４】真空容器１の天蓋２には同軸導波管外部導
体３が連通され、該同軸導波管外部導体３は矩形導波管
４を介してマイクロ波電力供給装置５に接続されてい
る。
体３が連通され、該同軸導波管外部導体３は矩形導波管
４を介してマイクロ波電力供給装置５に接続されてい
る。
【０００５】前記同軸導波管外部導体３内には軸状の同
軸導波管中心導体６が挿入され、同軸部真空隔壁７によ
り前記同軸導波管外部導体３に気密に保持され、前記同
軸導波管中心導体６の上端部は前記矩形導波管４内に突
出して矩形−同軸導波管変換部をなし、前記同軸導波管
中心導体６の下端には平板状電極８が前記天蓋２と平行
に設けられている。
軸導波管中心導体６が挿入され、同軸部真空隔壁７によ
り前記同軸導波管外部導体３に気密に保持され、前記同
軸導波管中心導体６の上端部は前記矩形導波管４内に突
出して矩形−同軸導波管変換部をなし、前記同軸導波管
中心導体６の下端には平板状電極８が前記天蓋２と平行
に設けられている。
【０００６】前記天蓋２は前記平板状電極８の背面板を
兼ねており、前記天蓋２の上面に前記平板状電極８に対
応する範囲に所要数の永久磁石９が載設されている。前
記平板状電極８に対峙して前記真空容器１の底部に基板
電極１４が設けられ、該基板電極１４にはウェーハ、ガ
ラス基板等の被処理基板１５が載置される。
兼ねており、前記天蓋２の上面に前記平板状電極８に対
応する範囲に所要数の永久磁石９が載設されている。前
記平板状電極８に対峙して前記真空容器１の底部に基板
電極１４が設けられ、該基板電極１４にはウェーハ、ガ
ラス基板等の被処理基板１５が載置される。
【０００７】又、前記真空容器１の側壁上部には放電ガ
ス供給装置１０がガス導入管１１を介して連通され、前
記真空容器１の側壁下部には排気装置１２が排気管１３
を介して連通されている。
ス供給装置１０がガス導入管１１を介して連通され、前
記真空容器１の側壁下部には排気装置１２が排気管１３
を介して連通されている。
【０００８】真空容器１内を前記排気装置１２により真
空引きし、前記放電ガス供給装置１０より放電ガスを導
入しつつ、マイクロ波電力供給装置５よりマイクロ波を
矩形導波管４、同軸導波管外部導体３、更に前記同軸導
波管中心導体６を介して前記平板状電極８に供給する
と、該平板状電極８と前記永久磁石９間に形成される磁
界によりＥＣＲプラズマが発生する。このプラズマを利
用して、基板電極１４上の被処理基板１５をエッチン
グ、ＣＶＤ処理する。
空引きし、前記放電ガス供給装置１０より放電ガスを導
入しつつ、マイクロ波電力供給装置５よりマイクロ波を
矩形導波管４、同軸導波管外部導体３、更に前記同軸導
波管中心導体６を介して前記平板状電極８に供給する
と、該平板状電極８と前記永久磁石９間に形成される磁
界によりＥＣＲプラズマが発生する。このプラズマを利
用して、基板電極１４上の被処理基板１５をエッチン
グ、ＣＶＤ処理する。
【０００９】図４は他の従来例を示しており、該他の従
来例では前記真空容器１の上端が開放され、該開口部は
マイクロ波を透過する材質（石英、アルミナ等）の天蓋
１６により閉塞される。前記平板状電極８は前記天蓋１
６の上面に設けられ、又背面板１７は前記平板状電極８
の上方に位置する様、前記同軸導波管外部導体３の下端
に設けられている。永久磁石９は背面板１７の上面に設
けられている。
来例では前記真空容器１の上端が開放され、該開口部は
マイクロ波を透過する材質（石英、アルミナ等）の天蓋
１６により閉塞される。前記平板状電極８は前記天蓋１
６の上面に設けられ、又背面板１７は前記平板状電極８
の上方に位置する様、前記同軸導波管外部導体３の下端
に設けられている。永久磁石９は背面板１７の上面に設
けられている。
【００１０】被処理基板１５の処理については上記実施
例同様であるので説明を省略する。
例同様であるので説明を省略する。
【００１１】図５は更に他の実施例を示し、同軸導波管
外部導体３を天蓋２に気密に貫通させて設け、前記同軸
導波管外部導体３の下端に背面板１７が設けられ、該背
面板１７に対峙する様平板状電極８が配置され、該平板
状電極８は同軸導波管中心導体６の下端に固着されてい
る。永久磁石９は前記背面板１７の上面に設けられてい
る。
外部導体３を天蓋２に気密に貫通させて設け、前記同軸
導波管外部導体３の下端に背面板１７が設けられ、該背
面板１７に対峙する様平板状電極８が配置され、該平板
状電極８は同軸導波管中心導体６の下端に固着されてい
る。永久磁石９は前記背面板１７の上面に設けられてい
る。
【００１２】被処理基板１５の処理については上記実施
例同様であるので説明を省略する。
例同様であるので説明を省略する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記した従来
のプラズマ処理方法では、以下に述べる様に不具合があ
る。
のプラズマ処理方法では、以下に述べる様に不具合があ
る。
【００１４】図３に示す従来例では、天蓋２の厚さは真
空容器としての耐圧強度が要求されるので薄くするには
限度があり、この様に永久磁石９と平板状電極８とが離
れている関係では、磁束密度を共鳴磁場に必要なだけを
確保するのが実用上困難である。例えば、Ｓm −Ｃo 磁
石の場合磁石表面から１cm以内程度が共鳴磁場維持域で
ある。この為、共鳴磁場域の大半を前記天蓋２が占める
こととなって効率よくプラズマを発生させることができ
ない。
空容器としての耐圧強度が要求されるので薄くするには
限度があり、この様に永久磁石９と平板状電極８とが離
れている関係では、磁束密度を共鳴磁場に必要なだけを
確保するのが実用上困難である。例えば、Ｓm −Ｃo 磁
石の場合磁石表面から１cm以内程度が共鳴磁場維持域で
ある。この為、共鳴磁場域の大半を前記天蓋２が占める
こととなって効率よくプラズマを発生させることができ
ない。
【００１５】図４に示す従来例では、背面板１７を真空
容器１外部に設ける為、薄くできるが、真空容器の一部
である天蓋１６を介在させ真空容器１内に共鳴磁場を形
成することになるので、共鳴磁場域の大半を前記天蓋１
６が占めることとなって効率よくプラズマを発生させる
ことができない。
容器１外部に設ける為、薄くできるが、真空容器の一部
である天蓋１６を介在させ真空容器１内に共鳴磁場を形
成することになるので、共鳴磁場域の大半を前記天蓋１
６が占めることとなって効率よくプラズマを発生させる
ことができない。
【００１６】図５に示す従来例では、背面板１７を真空
容器１内部に設けるので、薄くすることができ、共鳴磁
場を有効に形成することができるが、背面板１７を薄肉
とした場合、多数の永久磁石９の重量を支持するだけの
機械的強度が得られず、特に大面積の平面スロットアン
テナを構成するのが困難である。
容器１内部に設けるので、薄くすることができ、共鳴磁
場を有効に形成することができるが、背面板１７を薄肉
とした場合、多数の永久磁石９の重量を支持するだけの
機械的強度が得られず、特に大面積の平面スロットアン
テナを構成するのが困難である。
【００１７】従って、従来のものでは平板状電極に永久
磁石によるＥＣＲ共鳴磁場を効率よく印加する構造とす
ることができないという問題があった。
磁石によるＥＣＲ共鳴磁場を効率よく印加する構造とす
ることができないという問題があった。
【００１８】本発明は斯かる実情に鑑み、効率よくＥＣ
Ｒ共鳴磁場を形成できると共にアンテナ自体の機械的な
強度を充分に確保できるマイクロ波プラズマ発生装置を
提供しようとするものである。
Ｒ共鳴磁場を形成できると共にアンテナ自体の機械的な
強度を充分に確保できるマイクロ波プラズマ発生装置を
提供しようとするものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空容器内部
の天蓋に同軸導波管を設けると共に該同軸導波管に矩形
導波管を介してマイクロ波電力供給装置を連設し、永久
磁石を天蓋の天井面に固着すると共に前記永久磁石を介
して背面板を天蓋に取付け、該背面板に対峙させ平板状
電極を設け、前記真空容器の底部に前記平板状電極と対
峙する基板電極を設けたことを特徴とするものである。
の天蓋に同軸導波管を設けると共に該同軸導波管に矩形
導波管を介してマイクロ波電力供給装置を連設し、永久
磁石を天蓋の天井面に固着すると共に前記永久磁石を介
して背面板を天蓋に取付け、該背面板に対峙させ平板状
電極を設け、前記真空容器の底部に前記平板状電極と対
峙する基板電極を設けたことを特徴とするものである。
【００２０】
【作用】マイクロ波電力供給装置よりマイクロ波を矩形
導波管、同軸導波管を介して前記平板状電極に供給する
と該平板状電極と前記永久磁石間に形成される磁界によ
りＥＣＲプラズマが発生する。
導波管、同軸導波管を介して前記平板状電極に供給する
と該平板状電極と前記永久磁石間に形成される磁界によ
りＥＣＲプラズマが発生する。
【００２１】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００２２】図１に於いて本発明の第１の実施例を説明
する。
する。
【００２３】図中、図３中で示したものと同様の構成要
素には同符号を付してある。
素には同符号を付してある。
【００２４】真空容器１の天蓋２には同軸導波管外部導
体３が気密に貫通し、該同軸導波管外部導体３は矩形導
波管４を介してマイクロ波電力供給装置５に接続されて
いる。前記同軸導波管外部導体３の下端には背面板１７
が前記天蓋２と平行に設けられ、前記同軸導波管外部導
体３と前記背面板１７間に所要数の永久磁石９が挾設さ
れ、該永久磁石９と永久磁石９との間の間隙には絶縁物
が設けられる。
体３が気密に貫通し、該同軸導波管外部導体３は矩形導
波管４を介してマイクロ波電力供給装置５に接続されて
いる。前記同軸導波管外部導体３の下端には背面板１７
が前記天蓋２と平行に設けられ、前記同軸導波管外部導
体３と前記背面板１７間に所要数の永久磁石９が挾設さ
れ、該永久磁石９と永久磁石９との間の間隙には絶縁物
が設けられる。
【００２５】前記同軸導波管外部導体３内には軸状の同
軸導波管中心導体６が挿入され、該同軸導波管中心導体
６は同軸部真空隔壁７により気密に保持され、前記同軸
導波管中心導体６の下端には平板状電極８が前記背面板
１７と所要の間隙を明けて平行に設けられている。前記
同軸導波管中心導体６の上端部は前記矩形導波管４内に
突出して矩形−同軸導波管変換部をなしている。
軸導波管中心導体６が挿入され、該同軸導波管中心導体
６は同軸部真空隔壁７により気密に保持され、前記同軸
導波管中心導体６の下端には平板状電極８が前記背面板
１７と所要の間隙を明けて平行に設けられている。前記
同軸導波管中心導体６の上端部は前記矩形導波管４内に
突出して矩形−同軸導波管変換部をなしている。
【００２６】上記した様に、前記永久磁石９は天蓋２と
背面板１７の間に設けられ、永久磁石９は前記天蓋２に
支持される構成となっており、前記平板状電極８は自重
を支えるだけの厚さでよく、充分に薄く、例えば１mm以
下の板厚でよく、更に永久磁石９自体は口径の大きい円
筒或はリング状の特殊な形状でなく、一般的で廉価な小
径円柱状の磁石の集合体でよい。
背面板１７の間に設けられ、永久磁石９は前記天蓋２に
支持される構成となっており、前記平板状電極８は自重
を支えるだけの厚さでよく、充分に薄く、例えば１mm以
下の板厚でよく、更に永久磁石９自体は口径の大きい円
筒或はリング状の特殊な形状でなく、一般的で廉価な小
径円柱状の磁石の集合体でよい。
【００２７】ここで、前記背面板１７と平板状電極８と
の間隙は図示される様に、間隙のままとしてもよく、或
はマイクロ波透過性絶縁樹脂材料で充填してもよい。
の間隙は図示される様に、間隙のままとしてもよく、或
はマイクロ波透過性絶縁樹脂材料で充填してもよい。
【００２８】又、前記真空容器１の側壁上部には放電ガ
ス供給装置１０がガス導入管１１を介して連通され、前
記真空容器１の側壁下部には排気装置１２が排気管１３
を介して連通されている。
ス供給装置１０がガス導入管１１を介して連通され、前
記真空容器１の側壁下部には排気装置１２が排気管１３
を介して連通されている。
【００２９】真空容器１内を前記排気装置１２により真
空引きし、前記放電ガス供給装置１０より放電ガスを導
入しつつ、マイクロ波電力供給装置５よりマイクロ波を
矩形導波管４、同軸導波管外部導体３、更に前記同軸導
波管中心導体６を介して前記平板状電極８に供給すると
該平板状電極８と前記永久磁石９間に形成される磁界に
よりＥＣＲプラズマが発生する。このプラズマを利用し
て、基板電極１４上の被処理基板１５をエッチング、Ｃ
ＶＤ処理する。
空引きし、前記放電ガス供給装置１０より放電ガスを導
入しつつ、マイクロ波電力供給装置５よりマイクロ波を
矩形導波管４、同軸導波管外部導体３、更に前記同軸導
波管中心導体６を介して前記平板状電極８に供給すると
該平板状電極８と前記永久磁石９間に形成される磁界に
よりＥＣＲプラズマが発生する。このプラズマを利用し
て、基板電極１４上の被処理基板１５をエッチング、Ｃ
ＶＤ処理する。
【００３０】図２に示す実施例は、同軸導波管中心導体
６を同軸導波管外部導体３に支持させる態様に於いて、
特に図示していないが支持部に於いて通気性を妨げない
構成とし、前記矩形導波管４に真空隔壁１８を設け、前
記真空容器１内の気密性を確保する。
６を同軸導波管外部導体３に支持させる態様に於いて、
特に図示していないが支持部に於いて通気性を妨げない
構成とし、前記矩形導波管４に真空隔壁１８を設け、前
記真空容器１内の気密性を確保する。
【００３１】本実施例では、真空隔壁１８を前記矩形導
波管４と一体化したので、同軸導波管外部導体３の長さ
が短くてすみ、同軸導波管外部導体３の支持部を簡略化
できるので組立てが容易となり、組立て精度が向上し、
而も同軸導波管外部導体３を完全な中空構造にできるの
で、マイクロ波の整合、同軸導波管外部導体３の冷却が
容易となり、単純で能率のよい矩形−同軸モード変換が
可能であり、効率よくマイクロ波を出力することができ
る。
波管４と一体化したので、同軸導波管外部導体３の長さ
が短くてすみ、同軸導波管外部導体３の支持部を簡略化
できるので組立てが容易となり、組立て精度が向上し、
而も同軸導波管外部導体３を完全な中空構造にできるの
で、マイクロ波の整合、同軸導波管外部導体３の冷却が
容易となり、単純で能率のよい矩形−同軸モード変換が
可能であり、効率よくマイクロ波を出力することができ
る。
【００３２】尚、図１、図２で示す上記実施例で同軸導
波管外部導体３内をマイクロ波透過性絶縁樹脂材料で充
填してもよい。又、同軸導波管外部導体３は天蓋２を貫
通させることなく、天蓋２に同軸導波管外部導体３の内
径と同径の孔を穿設し、該孔に連設してもよく、この場
合背面板１７の中心部に前記同軸導波管外部導体３と同
径の短管を形成し、該短管を介して前記天蓋２に固着す
るようにしてもよい。
波管外部導体３内をマイクロ波透過性絶縁樹脂材料で充
填してもよい。又、同軸導波管外部導体３は天蓋２を貫
通させることなく、天蓋２に同軸導波管外部導体３の内
径と同径の孔を穿設し、該孔に連設してもよく、この場
合背面板１７の中心部に前記同軸導波管外部導体３と同
径の短管を形成し、該短管を介して前記天蓋２に固着す
るようにしてもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、背面
板、永久磁石、平板状電極を真空容器内に設け、而も永
久磁石を真空容器に支持させる構成としたので、永久磁
石、背面板、平板状電極を接近させ設けることができる
と共に背面板、平板状電極を薄肉にし得るので、永久磁
石の形成磁場強度を有効に利用できる。又、同軸導波管
外部導体内、或は背面板と平板状電極間の間隙を空隙の
ままとすること、マイクロ波透過性絶縁樹脂材料を充填
すること等、プラズマの特性に合わせて選択することが
可能であり、多様な装置構成とすることができる。或は
又、矩形導波管に真空隔壁を設けることで、同軸導波管
外部導体を中空構造とすることができ、冷却上不具合な
同軸部真空隔壁を除去し得簡単な構成で、効率よく矩形
−同軸変換が可能で信頼性が高いという効果がある。
板、永久磁石、平板状電極を真空容器内に設け、而も永
久磁石を真空容器に支持させる構成としたので、永久磁
石、背面板、平板状電極を接近させ設けることができる
と共に背面板、平板状電極を薄肉にし得るので、永久磁
石の形成磁場強度を有効に利用できる。又、同軸導波管
外部導体内、或は背面板と平板状電極間の間隙を空隙の
ままとすること、マイクロ波透過性絶縁樹脂材料を充填
すること等、プラズマの特性に合わせて選択することが
可能であり、多様な装置構成とすることができる。或は
又、矩形導波管に真空隔壁を設けることで、同軸導波管
外部導体を中空構造とすることができ、冷却上不具合な
同軸部真空隔壁を除去し得簡単な構成で、効率よく矩形
−同軸変換が可能で信頼性が高いという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す概略断面図である。
【図３】従来例を示す概略断面図である。
【図４】従来例を示す他の概略断面図である。
【図５】従来例を示す更に他の概略断面図である。
１ 真空容器 ２ 天蓋 ３ 同軸導波管外部導体 ４ 矩形導波管 ５ マイクロ波電力供給装置 ６ 同軸導波管中心導体 ７ 同軸部真空隔壁 ８ 平板状電極 ９ 永久磁石 １４ 基板電極 １７ 背面板 １８ 真空隔壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 21/31
Claims (6)
- 【請求項１】 真空容器内部の天蓋に同軸導波管を設け
ると共に該同軸導波管に矩形導波管を介してマイクロ波
電力供給装置を連設し、永久磁石を天蓋の天井面に固着
すると共に前記永久磁石を介して背面板を天蓋に取付
け、該背面板に対峙させ平板状電極を設け、前記真空容
器の底部に前記平板状電極と対峙する基板電極を設けた
ことを特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。 - 【請求項２】 永久磁石が円柱状磁石の集合体である請
求項１のマイクロ波プラズマ発生装置。 - 【請求項３】 同軸導波管の同軸導波管中心導体下端に
平板状電極を設け、前記同軸導波管中心導体を同軸部真
空隔壁を介して同軸導波管外部導体に支持させた請求項
１のマイクロ波プラズマ発生装置。 - 【請求項４】 真空容器を気密にする真空隔壁を矩形導
波管に設けた請求項１のマイクロ波プラズマ発生装置。 - 【請求項５】 同軸導波管外部導体と中心導体の間、平
板状電極と背面板間の両方、或はいずれか一方をマイク
ロ波透過性の絶縁材料で充填した請求項１のマイクロ波
プラズマ発生装置。 - 【請求項６】 背面板の板厚が１mm以下である請求項１
のマイクロ波プラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6109017A JPH07296991A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6109017A JPH07296991A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296991A true JPH07296991A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14499476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6109017A Pending JPH07296991A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07296991A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE102006037144A1 (de) * | 2006-08-09 | 2008-02-28 | Roth & Rau Ag | ECR-Plasmaquelle |
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| WO2015114992A1 (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-06 | ノベリオン システムズ株式会社 | プラズマ発生装置 |
| TWI587752B (zh) * | 2012-09-11 | 2017-06-11 | Ｈｅｆ公司 | 利用氣相介質中之電子迴旋共振產生沿軸向顯著延伸之電漿的裝置 |
-
1994
- 1994-04-25 JP JP6109017A patent/JPH07296991A/ja active Pending
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