JP4000517B2 - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体集積回路等の半導体微細素子の製造工程中で行なわれるドライエッチングや、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)等を行う際に用いられるマイクロ波プラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
【特許文献1】
特開平7−296991号公報
【特許文献2】
特開平4−118838号公報
従来、先行技術文献1にあるように、反応性ガスをプラズマ化してドライエッチングやCVDを行うプラズマ処理装置がある。このプラズマ処理装置のプラズマ発生方法は、永久磁石を用いて磁場を形成し、この磁場中にマイクロ波を放射し、電子サイクロトロン共鳴(以下ECRという)を利用してプラズマを発生させるものである。ここで用いられるマイクロ波は、2.45GHzの工業用周波数であり、このマイクロ波を用いた場合のECR条件を満たす磁場の強さは、875Gaussである。この永久磁石方式のECRプラズマ処理装置は、大型の電磁石を用いないことから省エネルギーで小型化が可能な装置である。
【0003】
さらに特許文献1では、真空容器内の天井部分に永久磁石を配置し、真空容器の天蓋には同軸導波管が連通され、この同軸導波管は矩形導波管を介してマイクロ波電力供給装置に接続されている。
【0004】
また、特許文献2に開示されているように、ECRプラズマ処理装置のマイクロ波発生用アンテナを、副プラズマ室内に設け、アンテナ形状を逆L字形にしたものも提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の技術の装置は、永久磁石を用いて小型化された装置ではあるが、真空容器や永久磁石等の装置の構造が複雑であり、小型化には限度があった。しかも、真空室内の所望の限られた領域に効果的にミラー磁場を発生させることができず、被処理基板の設置位置に高密度で均一なプラズマを発生させることが難しいものであった。また、マイクロ波の放射においても、上記従来の技術の場合、導波管や副プラズマ室を必要とし、装置が大型化し、効率も良くないものであった。従って、より小型で効率よくECR磁場を形成することができる装置が望まれていた。
【0006】
この発明は上記従来の技術に鑑みなされたもので、効率よくECR磁場を形成することができると共に、高密度で均一なプラズマを生成することができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この発明は、ECRプラズマを発生させるための永久磁石を、真空室の内壁側に配置したマイクロ波プラズマ処理装置であって、上記永久磁石は、矩形状に形成され、この矩形状を含む平面の一方の側には同じ磁極が位置するように外枠磁石を配置し、この外枠磁石の内側の中央部に外枠磁石の磁極とは反対の磁極の中央部磁石が位置し、上記真空室にTE 01 モードの電磁界を発生させ、上記真空室内のECRゾーンに発生したプラズマを利用して、上記真空室内の処理台上に設けられた被処理基板の処理を行うことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置である。
【0008】
上記中央部磁石は上記外枠磁石の内側を横断するように配置され、上記中央部磁石の端面は互いに対面する上記外枠磁石の内面に接している。また、上記外枠磁石とその内側の中央部磁石とは同じ材料の永久磁石により構成され、上記中央部磁石は上記外枠磁石を構成する1本の永久磁石の厚さの約2倍の厚さに形成されていると良い。
【0009】
この永久磁石は、真空室の天蓋の天井面に固着されている。また、上記真空室内にはマイクロ波放射用のアンテナが突設され、このマイクロ波放射用アンテナの先端部はL字状に屈曲されている。そして、上記L字状のアンテナの真空室内の突出長さは、発生させるマイクロ波の波長λの4分の1の長さである。また、上記L字状のアンテナの屈曲された先端部の長さは、発生させるマイクロ波のTE01モードの管内波長λg0の4分の1の長さである。上記L字状アンテナの真空室内の突出位置は、上記永久磁石の端面から、上記マイクロ波のTE01モード管内波長λg0の4分の1の間隔を空けた位置である。
【0010】
はた、上記永久磁石には、上記永久磁石の真空室側の端面を覆うように非磁性体の導電性カバーが設けられ、このカバーと上記真空室の内壁との間は、上記マイクロ波のTE11モードの管内波長λg1の2分の1の沿面距離が形成されるように設けられているものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態について図面を基にして説明する。この実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置は、従来と同様に、2.45GHzのマイクロ波を利用した永久磁石方式ECR(電子サイクロトロン共鳴)プラズマ装置である。この実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置10は、図1,図2に示すように、アルミニウム等の非磁性体の導体により形成された円筒状の真空室12と、この真空室12内にECRプラズマを発生させるための磁界を形成する永久磁石20を設けたものである。真空室12は、上面開口部に天蓋14が気密状態で取付可能に設けられ、真空室12の天蓋14の天井面14aに、永久磁石20が固着されている。天蓋14は、強磁性体の材料により構成され、例えば強磁性体のステンレス鋼により形成されている。
【0012】
永久磁石20は、例えばNd-Fe-B磁石であり、全体形状が矩形状に形成され、矩形状の外枠磁石22が正方形に形成され、真空室12内を向く面は全て同じ磁極、例えばN極になるように配置されている。この外枠磁石22の中央部には、外枠磁石22の磁極とは反対の磁極、ここではS極が真空室12内を向いて位置した中央部磁石24が配置されている。中央部磁石24は、一対の外枠磁石22の辺の間に位置し、且つ中央部磁石24の両端は外枠磁石22の各辺の中央に密着している。外枠磁石22と中央部磁石24は、同じ残留磁束密度のNd-Fe-B磁石により構成され、中央部磁石24の厚さは、外枠磁石22の1本の厚さの約2倍の厚さに形成されている。この永久磁石20は高い残留磁束密度の永久磁石であり、図3に示すように、外枠磁石22から中央部磁石24に向かって閉じた磁力線が形成されるミラー磁場を形成する。そして、中央部磁石24が外枠磁石22に密着して形成されていることにより、外枠磁石22からシャープな立ち上がりで、コンパクトな形状で閉じたミラー磁場を形成する。
【0013】
この真空室12内には、図1,図2に示すように、マイクロ波放射用のアンテナ26が、永久磁石20の一方の端面と平行な方向である水平方向に突設されている。このマイクロ波放射用アンテナ26は、先端部26aがL字状に屈曲されている。L字状のアンテナ26の真空室12内での突出長さは、発生させるマイクロ波の波長λの4分の1の長さである。また、真空室12内でL字状に屈曲された先端部の長さは、発生させるマイクロ波の後述するTE01モードの管内波長λg0の4分の1の長さである。さらに、L字状のアンテナ26の真空室12内の突出位置は、永久磁石20の真空室12内での下端面から、発生させるマイクロ波のTE01モードの管内波長λg0の4分の1の間隔を空けた位置である。この位置は、後述するECRゾーン34の面にほぼ一致している。
【0014】
また、永久磁石20には、真空室12側の端面を覆うように非磁性体で導電性を有するアルミニウム等のカバー28が設けられている。このカバー28は、真空室12の内壁面12aに沿って、一回り小径に形成された有底筒状カバーでありその側面28aの上縁部には、真空室12の内壁面12aに接する細いフランジ部28bが形成されている。
【0015】
真空室12の内壁12aとカバー28の側面28aとの間には、フランジ部28bまでの隙間が形成され、この隙間は、発生させるマイクロ波のTE11モードの管内波長λg1/4の深さに形成されている。この深さは、カバー28の側面28aと真空室12の内壁面12aとの間で、マイクロ波のTE11モードの管内波長λg1の2分の1の沿面距離が形成されるように設けられていれば良く、深さ自体がλg1/4である必要はない。例えば、真空室12の内壁12aとカバー28の側面28aとの間の隙間を、λg1/4よりも浅く形成し、カバー28の側面28aに凹部や凸部を形成することにより、この隙間での沿面距離がマイクロ波のTE11モードの管内波長λg1の2分の1の沿面距離となるようにしたものでも良い。
【0016】
真空室12内には、半導体ウェーハやガラス基板等の、ドライエッチングやプラズマCVDを行う被処理基板30が載置され、一方の電極となる処理台32が所定位置に固定されている。また、真空室12の側壁上部には図示しない放電ガス供給装置が、ガス導入管を介して連通され、真空室12の側壁下部には図示しない排気装置が排気管を介して連通されている。
【0017】
この実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置10の動作は、先ず、真空室12内を排気装置により真空引きし、放電ガス供給装置より放電ガスを導入する。そして、マイクロ波電力供給装置よりマイクロ波をアンテナ26に供給すると、アンテナ26からマイクロ波が放射される。放射された2.45GHzのマイクロ波により、永久磁石20による磁界の875Gaussの強さの位置である図3(A)(B)(C)に示すECRゾーン34で、ECR状態が得られ、ECRプラズマが発生する。このプラズマを利用して、処理台32上の被処理基板30をエッチング、又はCVD等を行う。
【0018】
この実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置10の真空室12内での電磁界モードは、円形導波管の電磁界モードTE11(図4A)とTE01(図4B)に示すモードのうち、TE01モードを励振するようにしている。これは、TE11モードとTE01モード等の複数のモードを発生させて所望の電磁界強度分布を得られるようにしても良いが、図6に示すTE11モードの電界強度分布(Erは半径方向の電界強度、Eφは円周方向の電界強度を指す。φは測定位置の導波管内での角度を示す。)からわかるように、TE11モードでは、真空室12の内壁付近でもエネルギーが高く、この部分ではECRゾーン34から外れており、エネルギーの無駄が生じている。そこで、よりエネルギー効率良くプラズマを発生させるには、図4(B)、図5に示すように真空室の内壁部分で電界強度が0の、TE01モードを単一で励振した方がよい。
【0019】
このTE01モードのみとするための構成として、カバー28の側壁28aと真空室12の内壁面12aとの間の隙間が形成されている。この隙間の深さが、λg1/4に設定されていることにより、TE11モードのマイクロ波は、この隙間の沿面を往復することにより半波長ずれることになり、真空室12内のTE11モードの波と互いに打ち消し合う。これによりTE11モードが生成されなくなるものである。
【0020】
この実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置10は、永久磁石20を矩形に組み合わせてより小さい範囲のミラー磁場を形成することができ、フラットなECRゾーンを形成することができる。また、L形のアンテナ26を真空室12内に突設してマイクロ波を放射するようにしているので、永久磁石20の配置と相まって効率よく高密度なプラズマを発生させることができる。
【0021】
また、アンテナ26の真空室12内への突出長さ、及びL字部分の先端の長さが、放射するマイクロ波の波長λの4分の1の長さであり、効率よくエネルギーを真空室12内へ伝搬する。
【0022】
さらに、アンテナ26の真空室12内での突出位置が、永久磁石20の真空室12内での下端面から、発生させるマイクロ波の管内波長λg0の4分の1の長さを空けた位置とし、マイクロ波を効率よく放射することができる。特に、このアンテナ26の真空室12内での突出位置は、ほぼECRゾーン34と一致しており、効率良くECRプラズマを発生させるとともに、アンテナ26から導入したマイクロ波はこの位置で振幅が最大になる。これにより、所望のマイクロ波プラズマ処理をきわめて効率よく行なうことができる。
【0023】
また、天蓋14の永久磁石20の下面にカバー28を設け、真空室12の内壁面12aとの間に、TE11モードの管内波長λg1の2分の1の沿面距離が形成されることにより、真空室12内でのマイクロ波のモードがTE01モードを主たるモードとすることができ、エネルギー効率良く高密度のプラズマを発生させることができる。
【0024】
なお、この発明のマイクロ波プラズマ処理装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、上記L字状のアンテナの屈曲された先端部の長さは、発生させるマイクロ波の波長の4分の1以下の長さであれば良い。永久磁石の種類や組み合わせも適宜設定可能なものである。また、真空室内のマイクロ波のモードはTE01、TE11モードやその他の適宜の単一または複数のモードになるようにしてもよい。
【0025】
【発明の効果】
この発明によれば、高密度なプラズマを効率よく発生させることができ、装置の小型化省エネルギー化に寄与するものである。また、フラットで均一なECRゾーンを形成することができ、より高品質なエッチング処理やCVD処理等を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置の横断面図である。
【図2】 この発明の一実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置の縦断面図である。
【図3】 この発明の一実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置に用いられる永久磁石とその磁力線及びECRゾーンを示した平面図(A)、右側面図(B)、正面図(C)である。
【図4】 この発明の一実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置の真空室内の電磁界モードのTE11モードを示す模式図(A)、TE01モードを示す模式図(B)である。
【図5】 この発明の一実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置の、真空室内の電磁界モードのTE01モードの相対的な電界強度分布を示すグラフである。
【図6】 この発明の一実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置の、真空室内の電磁界モードのTE11モードの相対的な電界強度分布を示すグラフである。
【符号の説明】
10 マイクロ波プラズマ処理装置
12 真空室
14 天蓋
20 永久磁石
22 外枠磁石
24 中央部磁石
26 アンテナ
28 カバー
30被処理基板
Claims (5)
- 電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるための永久磁石を、真空室の内壁側に配置したマイクロ波プラズマ処理装置において、上記永久磁石は、矩形状に形成され、この矩形状を含む平面の一方の側には同じ磁極が位置するように外枠磁石を配置し、この外枠磁石の内側の中央部に外枠磁石の磁極とは反対の磁極の中央部磁石が位置し、上記真空室内にはマイクロ波放射用のアンテナが突設され、このマイクロ波放射用アンテナの先端部はL字状に屈曲され、上記L字状のアンテナの真空室内での突出長さは、発生させるマイクロ波の波長の4分の1の長さであり、上記L字状のアンテナの屈曲された先端部の長さは、発生させるマイクロ波のTE 01 モードの管内波長の4分の1の長さであり、上記真空室にTE 01 モードの電磁界を発生させ、上記真空室内のECRゾーンに発生したプラズマを利用して、上記真空室内の処理台上に設けられた被処理基板の処理を行うことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
- 上記永久磁石の真空室側の端面を覆うように非磁性体の導電性カバーが設けられ、このカバーと上記真空室の内壁との間は、上記マイクロ波のTE11モードの管内波長の2分の1の沿面距離となるように形成されていることを特徴とする請求項1記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 上記L字状アンテナの真空室内の突出位置は、上記永久磁石の端面から、上記マイクロ波のTE 01 モードの管内波長の4分の1の間隔を空けた位置であることを特徴とする請求項2記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 上記永久磁石は、真空室の天蓋の天井面に固着され、上記中央部磁石は上記外枠磁石の内側を横断するように配置され、上記中央部磁石の端面は互いに対面する上記外枠磁石の内面に接していることを特徴とする請求項3記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 上記外枠磁石とその内側の中央部磁石とは同じ材料の永久磁石により構成され、上記中央部磁石は上記外枠磁石を構成する1本の永久磁石の厚さの2倍の厚さに形成されていることを特徴とする請求項4記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
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