JPH0440764U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0440764U JPH0440764U JP8389890U JP8389890U JPH0440764U JP H0440764 U JPH0440764 U JP H0440764U JP 8389890 U JP8389890 U JP 8389890U JP 8389890 U JP8389890 U JP 8389890U JP H0440764 U JPH0440764 U JP H0440764U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ionization chamber
- waveguide
- processing device
- diameter
- uniform processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案の加工装置の断面図、第２図は
第１図及び第７図のＡ−Ａ断面図、第３図は第１
図のＢ−Ｂ断面図、第４図は同じくＣ−Ｃ断面図
、第５図は同じくＤ−Ｄ断面図、第６図は同じく
Ｅ−Ｅ断面図、第７図は従来のイオン流による表
面加工を行う装置の基本形の構成図である。 ３……導波管、７……試料、８……主コイル、
２２……イオン化室、２３……窓、２４……第一
導波管、２５……第二導波管。
第１図及び第７図のＡ−Ａ断面図、第３図は第１
図のＢ−Ｂ断面図、第４図は同じくＣ−Ｃ断面図
、第５図は同じくＤ−Ｄ断面図、第６図は同じく
Ｅ−Ｅ断面図、第７図は従来のイオン流による表
面加工を行う装置の基本形の構成図である。 ３……導波管、７……試料、８……主コイル、
２２……イオン化室、２３……窓、２４……第一
導波管、２５……第二導波管。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ イオン化室に希薄状態で導入されたガスをマ
イクロ波と磁場の作用による電子サイクロトロン
共鳴を利用してプラズマ化し、発生したイオンを
前記イオン化室に印加した発散磁場により流出せ
しめ、このイオン流を試料に当ててエツチング又
はデポジシヨン等の表面加工を行う加工装置にお
いて、前記マイクロ波を導入する導波管と前記イ
オン化室の接続部分に断面を方形から円形に変換
する第一導波管と、断面が円形で内径が連続的に
前記イオン化室側が大きくなる第二導波管を接続
したことを特徴とする均一加工装置。 ２ 前記第二導波管の前記イオン化室接続部の内
径が前記試料の直径の８５％以上であり、前記イ
オン化室のマイクロ波導入窓の直径は前記第二導
波管の最大直径と同等かそれ以上であることを特
徴とする第１項記載の均一加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8389890U JPH0440764U (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8389890U JPH0440764U (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440764U true JPH0440764U (ja) | 1992-04-07 |
Family
ID=31631953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8389890U Pending JPH0440764U (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0440764U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0197399A (ja) * | 1987-04-27 | 1989-04-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ処理方法および装置並びにプラズマ処理装置用モード変換器 |
-
1990
- 1990-08-06 JP JP8389890U patent/JPH0440764U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0197399A (ja) * | 1987-04-27 | 1989-04-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ処理方法および装置並びにプラズマ処理装置用モード変換器 |
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