JPH01141759U - - Google Patents

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JPH01141759U
JPH01141759U JP3571788U JP3571788U JPH01141759U JP H01141759 U JPH01141759 U JP H01141759U JP 3571788 U JP3571788 U JP 3571788U JP 3571788 U JP3571788 U JP 3571788U JP H01141759 U JPH01141759 U JP H01141759U
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source chamber
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magnetic coil
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の一実施例の概略断面図、第
２図はその要部を示す部分断面図、第３図はこの
考案の他の実施例の概略断面図、第４図は従来の
イオン源の概略断面図、第５図はマイクロ導入窓
からのマイクロ波反射板の距離に対するプラズマ
密度の関係を示すグラフである。 １……イオン源チヤンバ、２……導波管、３…
…マイクロ波発振器、４……磁気コイル、５……
マイクロ波導入窓、７……引き出し電極、１０…
…駆動装置、１１……マイクロ波反射板、１２…
…ガス導入窓。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ガスが導入されたイオン源チヤンバと、こ
    のイオン源チヤンバの周囲に配置された磁気コイ
    ルと、前記イオン源チヤンバの一端に接続されマ
    イクロ波をイオン源チヤンバ内に導入する導波管
    と、前記イオン源チヤンバの他端に設けられ前記
    磁気コイルのよる磁界とマイクロ波とによつてイ
    オン源チヤンバの内部で発生したプラズマからイ
    オンを引き出すイオン引き出し口と、前記イオン
    源チヤンバのイオン引き出し口に設けられマイク
    ロ波を反射するマイクロ波反射板とを備えたイオ
    ン源において、 前記マイクロ波反射板をイオンの引き出し方向
    に移動可能にしたことを特徴とするイオン源。 (2) 前記マイクロ波反射板が、前記イオン引き
    出し口に設けた引き出し電極によつて兼用されて
    いる実用新案登録請求の範囲第(1)項記載のイオ
    ン源。
JP1988035717U 1988-03-16 1988-03-16 イオン源 Expired - Lifetime JPH0735291Y2 (ja)

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JPH01141759U true JPH01141759U (ja) 1989-09-28
JPH0735291Y2 JPH0735291Y2 (ja) 1995-08-09

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3917061B2 (ja) * 2002-11-14 2007-05-23 株式会社昭和真空 圧電素子の周波数調整装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60264032A (ja) * 1984-06-11 1985-12-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> マイクロ波イオン源
JPS62290054A (ja) * 1986-06-09 1987-12-16 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置

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JPS62290054A (ja) * 1986-06-09 1987-12-16 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置

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JPH0735291Y2 (ja) 1995-08-09

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