JPS62290054A - マイクロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置 - Google Patents
マイクロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置Info
- Publication number
- JPS62290054A JPS62290054A JP13177286A JP13177286A JPS62290054A JP S62290054 A JPS62290054 A JP S62290054A JP 13177286 A JP13177286 A JP 13177286A JP 13177286 A JP13177286 A JP 13177286A JP S62290054 A JPS62290054 A JP S62290054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- gas
- mode
- cavity resonator
- ion source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 6
- 210000001331 nose Anatomy 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 2
- 235000004789 Rosa xanthina Nutrition 0.000 description 1
- 241000109329 Rosa xanthina Species 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
コノ発明は、薄膜形成などに供用されるマイクロ波によ
るガスのイオン化方法およびイオン源装置に関するもの
である。
るガスのイオン化方法およびイオン源装置に関するもの
である。
第2図は1例えば、第q6回応物学会riqgs年秋期
’)*演予稿集、3440頁に発表されたマイクロ波イ
オン源による薄膜形成装置rEcFt式プラズマCVD
装置)の断面図であり、イオン源部分は。
’)*演予稿集、3440頁に発表されたマイクロ波イ
オン源による薄膜形成装置rEcFt式プラズマCVD
装置)の断面図であり、イオン源部分は。
マイクロ波導入部(//)、励磁コイル(12)および
イオン化室(/、7)、試料室(ハ0よりなり、イオン
化室(13)内でのマイクロ波共振モードは’pE//
Jである。
イオン化室(/、7)、試料室(ハ0よりなり、イオン
化室(13)内でのマイクロ波共振モードは’pE//
Jである。
以上の構成により、イオン化室(/3)内に入射される
マイクロ波電力により、イオン化室(13)内に導入さ
れるガスを励起およびイオン化する。
マイクロ波電力により、イオン化室(13)内に導入さ
れるガスを励起およびイオン化する。
イオン化室(/J)を囲む励磁コイル(/2)は、イオ
ン化室(/3)での電子サイクロトロン共鳴rEcR)
を生じさせ、イオン化の効率を高める作用をする。
ン化室(/3)での電子サイクロトロン共鳴rEcR)
を生じさせ、イオン化の効率を高める作用をする。
以上のような従来のマイクロ波によるガスのイオン化方
法およびイオン源装置では、イオン化室(/3)の周囲
に励磁コイル(/2)を設けなければならず、装置が複
雑かつ高価になるという問題薇があった。
法およびイオン源装置では、イオン化室(/3)の周囲
に励磁コイル(/2)を設けなければならず、装置が複
雑かつ高価になるという問題薇があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、単純化され、かつ、安価に提供できるマイク
ロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置を得
ることを目的とする。
たもので、単純化され、かつ、安価に提供できるマイク
ロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置を得
ることを目的とする。
この発明に係るマイクロ波によるガスのイオン化方法は
、ガスの励起およびイオン化を、マイクロ波のTMモー
ドおよびTEMモードの双方を用いて行う。
、ガスの励起およびイオン化を、マイクロ波のTMモー
ドおよびTEMモードの双方を用いて行う。
この発明の別の発明に係るマイクロ波イオン源装置は、
マイクロ波が供給される開口が設けられた空胴共振器を
ガスが通る石英管が貫通しており。
マイクロ波が供給される開口が設けられた空胴共振器を
ガスが通る石英管が貫通しており。
空胴共振器とともにマイクロ波のTMモードおよびTE
Mモードそれぞれの周波数調整を担持する各/対の対向
する金属ノーズおよび円板とが、空胴共振器内に収納さ
れている。
Mモードそれぞれの周波数調整を担持する各/対の対向
する金属ノーズおよび円板とが、空胴共振器内に収納さ
れている。
この発明においては、イオン化室内に導入されるガスが
励起される以前は、マイクロ波のTMモードによりマイ
クロ波電力をイオン化室内に供給し、ガスが十分励起、
イオン化されてプラズマ状態になって後は、マイクロ波
のTEMモードによりマイクロ波電力をイオン化室内に
供給することにより、マイクロ波の両モードを利用して
ガスの励起、イオン化が行われる。
励起される以前は、マイクロ波のTMモードによりマイ
クロ波電力をイオン化室内に供給し、ガスが十分励起、
イオン化されてプラズマ状態になって後は、マイクロ波
のTEMモードによりマイクロ波電力をイオン化室内に
供給することにより、マイクロ波の両モードを利用して
ガスの励起、イオン化が行われる。
この発明の別の発明にBいては、マイクロ波のTMモー
ドの周波数調整を、主として空胴共振器と金属ノーズに
より、TKMモードの周波数調整は。
ドの周波数調整を、主として空胴共振器と金属ノーズに
より、TKMモードの周波数調整は。
主として空胴共振器と円板により行うことにより。
マイクロ波の両モードを利用して、石英管内に導入され
るガスを効率よく励起、イオン化する。
るガスを効率よく励起、イオン化する。
第7図はこの発明のイオン源装置の一実施例を示し1図
において、空胴共振器(イオン化室)(ハ内に/対の円
板(2+が対向しており、それぞれの円板(コ)には金
属ノーズ(Jlが設けられている。空胴共振器(ハには
開口(piが形成されている。空胴共振器1/1、円板
(21,金属ノーズ(3)を貫通して石英管(s)が設
けられている。矢印(61はガスの流れを示している。
において、空胴共振器(イオン化室)(ハ内に/対の円
板(2+が対向しており、それぞれの円板(コ)には金
属ノーズ(Jlが設けられている。空胴共振器(ハには
開口(piが形成されている。空胴共振器1/1、円板
(21,金属ノーズ(3)を貫通して石英管(s)が設
けられている。矢印(61はガスの流れを示している。
次に動作について説明する。空胴共振器(ハ内に開口(
piを通して1例えばコ4Is6MFIZのマイクロ波
が供給される。このマイクロ波電力により1石英管(5
)を通して空胴共振器Cハ内に導入されるガス(61が
、最初はマイクロ波のTMモードにより効率よく励起、
イオン化される。十分イオン化が進み。
piを通して1例えばコ4Is6MFIZのマイクロ波
が供給される。このマイクロ波電力により1石英管(5
)を通して空胴共振器Cハ内に導入されるガス(61が
、最初はマイクロ波のTMモードにより効率よく励起、
イオン化される。十分イオン化が進み。
ガス(61がプラズマ状態C半導通状態)になった後。
マイクロ波のTEMモードが主流モードとなり、このT
EMモードにより、ガス(61中に効率よくマイクロ波
電力が供給され、プラズマ状態を保つ。このマイクロ波
のTMモードの周波数JF、tAMH2の調整は主とし
て、空胴共振器Cハと金属ノーズ(Jlの寸法諸元によ
り行われ、TEMモードの周波数調整は。
EMモードにより、ガス(61中に効率よくマイクロ波
電力が供給され、プラズマ状態を保つ。このマイクロ波
のTMモードの周波数JF、tAMH2の調整は主とし
て、空胴共振器Cハと金属ノーズ(Jlの寸法諸元によ
り行われ、TEMモードの周波数調整は。
主として空胴共振器(ハと円板(,210寸法諸元によ
り行われる。このようにして、マイクロ波のTM。
り行われる。このようにして、マイクロ波のTM。
TEM両モードを効率よく用いることにより、励磁コイ
ルを使用せずに、効率よくガス(6)の励起、イオン化
ができる。
ルを使用せずに、効率よくガス(6)の励起、イオン化
ができる。
なお、この発明は、イオン源装置としてのみではなく、
ガスおよび固体、液体の熱分解装置および加熱装置、変
質装置にも応用することができる。
ガスおよび固体、液体の熱分解装置および加熱装置、変
質装置にも応用することができる。
以上のように、この発明によれば、マイクロ波のTMモ
ード、TEMモード双方を効率よく利用できるようにし
たので、励磁コイルを用いずに、単純、安価にでき、か
つ、効率を向上することができる効果がある。
ード、TEMモード双方を効率よく利用できるようにし
たので、励磁コイルを用いずに、単純、安価にでき、か
つ、効率を向上することができる効果がある。
第1図はこの発明の別の発明の一実施例の側断面図、第
一図は従来のマイクロ波イオン源による薄膜形成装置の
側断面図である、 fハ・・空胴共振器、(2)・拳円板、 (31、・金
属)−ス5(y)・・開口、(j)・・石英管、(61
・・ガス。
一図は従来のマイクロ波イオン源による薄膜形成装置の
側断面図である、 fハ・・空胴共振器、(2)・拳円板、 (31、・金
属)−ス5(y)・・開口、(j)・・石英管、(61
・・ガス。
Claims (2)
- (1)空胴共振器にマイクロ波を供給して前記空胴共振
器内のガスをイオン化する方法において、前記ガスの励
起およびイオン化を、前記マイクロ波のTMモードおよ
びTEMモードの双方を用いて行うことを特徴とするマ
イクロ波によるガスのイオン化方法。 - (2)マイクロ波が供給される開口が形成されている空
胴共振器と、この空胴共振器を貫通して配置されガスが
導入される石英管と、前記空胴共振器に収納されて前記
空胴共振器とともに前記マイクロ波のTMモードおよび
TEMモードそれぞれの周波数調整を担持する各1対の
対向する金属ノーズおよび円板とを備えてなるマイクロ
波イオン源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13177286A JPS62290054A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | マイクロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13177286A JPS62290054A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | マイクロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62290054A true JPS62290054A (ja) | 1987-12-16 |
Family
ID=15065795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13177286A Pending JPS62290054A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | マイクロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62290054A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01141759U (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-28 | ||
JPH01283745A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Hitachi Ltd | プラズマ発生装置及びプラズマ元素分析装置 |
JPH088238A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 加工方法及び加工装置 |
JP2013108179A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Draka Comteq Bv | プラズマ化学蒸着を行うための装置 |
-
1986
- 1986-06-09 JP JP13177286A patent/JPS62290054A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01141759U (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-28 | ||
JPH01283745A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Hitachi Ltd | プラズマ発生装置及びプラズマ元素分析装置 |
JPH088238A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 加工方法及び加工装置 |
JP2013108179A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Draka Comteq Bv | プラズマ化学蒸着を行うための装置 |
EP2594660B1 (en) * | 2011-11-17 | 2020-06-17 | Draka Comteq B.V. | An apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4417178A (en) | Process and apparatus for producing highly charged large ions and an application utilizing this process | |
JPS62179728A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
JPS63142636A (ja) | 真空装置 | |
JPS62290054A (ja) | マイクロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置 | |
JPS6267822A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS5553422A (en) | Plasma reactor | |
JP2000174009A (ja) | プラズマ処理装置及び半導体製造装置並びに液晶製造装置 | |
JPH02141576A (ja) | プラズマプロセス装置 | |
JP2639292B2 (ja) | Ecrプラズマ処理装置 | |
JPS59121747A (ja) | イオンミリング方法 | |
JP2827660B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法 | |
JPS6310500A (ja) | サイクロトロンプラズマ発生装置 | |
JP2001085399A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS63104333A (ja) | ドライエツチング方法 | |
JPS61114532A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH01183822A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JPH08246146A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
JPH08167499A (ja) | マイクロ波給電装置並びにこれを使用したプラズマ発生装置 | |
JPH0227719A (ja) | プラズマプロセス装置 | |
JPH01169844A (ja) | プラズマイオン源質量分析器 | |
JPH01306558A (ja) | スパッタリング装置 | |
JPH01100920A (ja) | プラズマ生成物を用いた基体処理装置 | |
JPS62151574A (ja) | プラズマ装置 | |
JPH0414822A (ja) | マイクロ波プラズマエッチング方法 | |
JPH0268900A (ja) | マイクロ波プラズマ源 |