KR870004493A - 이온 원(源) - Google Patents

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KR870004493A
KR870004493A KR1019860008183A KR860008183A KR870004493A KR 870004493 A KR870004493 A KR 870004493A KR 1019860008183 A KR1019860008183 A KR 1019860008183A KR 860008183 A KR860008183 A KR 860008183A KR 870004493 A KR870004493 A KR 870004493A
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유끼오 구로사와
요시미 하까마다
야스노리 오오노
구니오 히라사와
다다시 사또오
Original Assignee
미다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/08—Ion sources; Ion guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/16—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation
    • H01J27/18—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation with an applied axial magnetic field
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma

Abstract

내용 없음

Description

이온 원(源)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 이온 원의 일실시예를 나타낸 단면도,
제 2 도 내지 제 3 도는 본 발명의 제 2, 제 3 도의 각 실시예를 나타낸 단면도,
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 진공용기 2 : 도파관
3 : 코일 4,5,6 : 전극
9 : 이온 인출부 10 : 플라즈마실
12 : 유전체창 13 : 자기 시일드
15 : 개구부 16 : 플라즈마
18 : 칸막이판

Claims (8)

  1. 내부에 플라즈마가 발생하는 진공용기와, 그 진공용기의 일단에 설치되고, 진공용기내에 마이크로파를 도입하는 도파관과, 그 도파관으로부터의 마이크로파 도입방향과 평행인 방향의 자계를 상기 진공용기내에 발생하는 수단과, 상기 진공용기로 부터 이온을 인출하는 이온 인출부를 구비한 이온 원에 있어서, 상기 진공용기를 마이크로파 도입방향과 같은 방향으로 연장하여 플라즈마실을 형성하고, 그 플라즈마실의 외주 또는 내주에 커스프 자계 발생용 자석을 설치한 것을 특징으로 하는 이온 원.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 진공용기와 플라즈마실과의 경계 부분에 적어도 1개의 개구부를 가지는 칸막이판을 설치한 것을 특징으로 하는 이온 원.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 플라즈마실의 직경을 상기 진공용기의 직경 보다도 작게한 것을 특징으로 하는 이온 원.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 플라즈마실의 직경을 상기 진공용기의 직경 보다도 크게한 것을 특징으로 하는 이온 원.
  5. 내부에 플라즈마가 발생하는 진공용기와 그 진공용기의 일단에 설치되고, 진공용기내에 마이크로파를 도입하는 도파관과, 그 도파관으로부터의 마이크로파 도입방향과 평행인 방향의 자계를 상기 진공용기내에 발생하는 수단과, 상기 진공용기로 부터 이온을 인출하는 이온 인출부를 구비한 이온 원에 있어서, 상기 진공용기를 마이크로파 도입방향과 같은 방향으로 연장하여 플라즈마실을 형성하고, 그 플라즈마실의 외주 또는 내주에 커스프 자계 발생용 자석을 설치함과 동시에 그 자석과 상기 마이크로파 도입방향과 평행인 방향의 자계를 발생하는 수단과의 사이에 자기 시일드 부재를 설치한 것을 특징으로 하는 이온 원.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 진공용기와 플라즈마실과의 경계 부분에 적어도 1개의 개구부를 가지는 칸막이판을 설치한 것을 특징으로 하는 이온 원.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 플라즈마실의 직경을 상기 진공용기의 직경 보다도 작게한 것을 특징으로 하는 이온 원.
  8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 플라즈마실의 직경을 상기 진공용기의 직경 보다도 크게한 것을 특징으로 하는 이온 원.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860008183A 1985-10-04 1986-09-30 이온 원(源) KR940010844B1 (ko)

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