KR960702167A - 스퍼터 에칭 제어용 플라즈마 성형 플러그(Plasma shaping plug for control of spuffer etching) - Google Patents

스퍼터 에칭 제어용 플라즈마 성형 플러그(Plasma shaping plug for control of spuffer etching)

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Abstract

가공챔버(30)내부에 지지되는 스퍼터 에칭될 웨이퍼(40)의 표면에 걸쳐 이온화된 플라즈마(40)를 물리적으로 변위시키고 이온화된 가스 입자(15)의 농도를 선택적으로 조절가능하게 변화시키기 위해 이온화된 플라즈마(48)를 함유하는 가공 챔버(30)의 내부에서 플라즈마(48)에 근접하여 연장되는 요각형 플러그 구조물(52)에 관한 것이다. 이온화된 플라즈마(48)의 농도의 변화는 웨이퍼(40)의 표면상의 스퍼터 에칭정도를 선택적으로 가변 조절가능하게 한다. 요각형 플러그 구조물(52)은 가공 챔버(30)의 외피 커버(34)의 부분으로 형성되거나, 가공 챔버(30)내의 개구를 통해 플라즈마 내부로 삽입되는 분리형 가동 유니트일 수 있다. 요각형 플러그(52)는 이온화된 플라즈마(48)를 변위시켜 성헝하기 위해 길이, 직경, 형상이 다양할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 플러그는 요각형 플러그(52)에 의하여 초래되는 물리적 변위에 더하여 플라즈마(48)를 자기적으로 변위시켜 성형하는 영구 자석 또는 전자석(80)을 포함한다.

Description

스퍼터 에칭 제어용 플라즈마 성형 플러그(Plasma shaping plug for control of spuffer etching)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이온화된 가스 플라즈마 구름으로 기판 표면을 에칭하는데 사용되는 종래의 플라즈마 에칭 가공챔버의 정면도.

Claims (22)

  1. 이온화된 플라즈마로 웨이퍼의 표면을 스퍼터 에칭하기 위한 가공 챔버로서, 베이스와, 이온화된 플라즈마를 내포할 외피를 스퍼터 에칭될 웨이퍼에 근접하여 형성하기 위해 베이스를 둘러싸는 커버와, 에칭될 웨이퍼를 지지하기 위한 상기 외피내의 지지체와, 상기 웨이퍼를 전기적으로 바이어스시키기 위한 전원과, 상기 외피에 이온화 가스를 도입하기 위해 상기 챔버에 결합되는 부재와, 가스를 이온화시켜 이온화된 가스 입자를 함유하는 플라즈마를 제공하기 위한 이온화 소스와, 상기 외피 내부에서 이온화된 플라즈마 내부로 연상되며 플라즈마를 선별적으로 물리적으로 이동시키고 웨이퍼 표면에 대한 이온 농도를 선별적으로 변화시켜 웨이퍼표면에 걸쳐서 선택적으로 가변적인 스퍼터 에칭을 제공하는 비전도성 플러그를 포함하며, 상기 이온화된 입자는 웨이퍼의 표면을 가격하여 스퍼터 에칭시키기 위해 플라즈마로부터 상기 웨이퍼 쪽으로 견인되도록 상기 바이어스된 웨이퍼와 반대 극성의 전하를 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터 에칭용 가공 챔버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플러그는 커버 수단과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터 에칭용 가공챔버.
  3. 제1항에 있어서, 상기 플러그는 상기 커버내의 개구를 통해 외피 및 이온화된 플라즈마 내부로 가변 선택적인 깊이로 삽입되는 분리형 가동 유니트인 것을 특징으로 하는 스퍼터 에칭용 가공 챔버.
  4. 제1항에 있어서, 상기 플러그는 에칭될 웨이퍼 표면과 대향하여 상기 외피의 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 에칭용 가공 챔버.
  5. 제1항에 있어서, 상기 플러그는 웨이퍼 표면과 대향하여 위치하는 내표면을 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터 에칭용 가공 챔버.
  6. 제5항에 있어서, 상기 웨이퍼 표면과 대향하는 내면은 거의 편평한 것을 특징으로 하는 스퍼터 에칭용 가공 챔버.
  7. 제6항에 있어서, 상기 내부 플러그면은 웨이퍼 표면과 평행하게 연장되는 것을 특징으로 하는 스퍼터 에칭용 가공 챔버.
  8. 제5항에 있어서, 상기 웨이퍼 표면과 대향하는 내면은 볼록한 것을 특징으로 하는 스퍼터 에칭용 가공챔버.
  9. 제1항에 있어서, 웨이퍼 표면의 부근에서 플라즈마를 선택적으로 물리적 및 자기적으로 변위시켜 성형하고 추가로 웨이퍼 표면에 걸쳐서 스퍼터 에칭 정도를 선택적으로 변화시키기 위해 이온화된 플라즈마 부근에 자기장을 형성하도록 비전도성 플러그 내부에 배치되는 자기 장치를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 에칭용 가공 챔버.
  10. 제9항에 있어서, 상기 자기 장치는 전자석인 것을 특징으로 하는 스퍼터 에칭용 가공 챔버.
  11. 제10항에 있어서, 상기 자석의 자장의 강도를 선택적으로 조절하고 추가로 플라즈마를 선택적으로 변위 및 성형하도록 전자석에 연결되는 가변 선택적 전원을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 에칭용 가공 챔버.
  12. 이온화된 가스 플라즈마를 사용하여 가공 챔버내에서 웨이퍼 표면의 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 변화시키는 방법으로서, 베이스와 커버를 포함하고 전기적으로 바이어스된 웨이퍼를 함유하는 가공 챔버 내부로 이온화 가능한 가스를 유입시키는 단계와, 바이어스된 웨이퍼와 반대 극성의 전하를 갖는 대전된 입자의이온화된 플라즈마를 생성하고 대전된 입자가 웨이퍼 표면을 가격하여 스퍼터 에칭하도록 가스에 전기 에너지를 커플링 시키는 단계와, 플라즈마를 선별적으로 물리적으로 이동시키고 웨이퍼 표면에 대한 이온 농도를 선택적으로 변화시켜 웨이퍼 표면에 걸쳐 스퍼터 에칭 정도를 선택적으로 변화시킬 수 있도록 가공 챔버의 내부에서 비전도성 플러그를 이온화된 플라즈마의 부근에 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면의 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 조절하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 플러그는 상기 커버와 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면의 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 조절하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 플러그는 상기 커버내의 개구를 통해 삽입되는 분리가능한 가동 유니트이며, 상기 방법은 플러그를 외피 및 플라즈마 내부로 가변 선택적인 깊이로 삽입하는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면의 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 조절하는 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 플러그를 가공 챔버내에서 에칭될 웨이퍼 표면과 대향하여 위치시키는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면이 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 조절하는 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 플러그는 내면을 가지며, 상기 방법은 내면을 웨이퍼 표면과 대향하여 위치시키는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면의 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 조절하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 웨이퍼 표면과 대향하는 내면은 거의 편평한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면의 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 조절하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 내면은 웨이퍼 표면과 평행으로 연장되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면의 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 조절하는 방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 웨이퍼 표면과 대향하는 내면은 볼록한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면의 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 조절하는 방법.
  20. 제12항에 있어서, 웨이퍼 표면의 부근에서 플라즈마를 선택적으로 물리적 및 자기적으로 변위시켜 성형하고 추가로 웨이퍼 표면에 걸쳐서 스퍼터 에칭 정도를 선택적으로 변화시키기 위해 이온화된 플라즈마 부근에 자기장을 형성하도록 자기 장치를 비전도성 플러그 내부에 배치하는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면의 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 조절하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 자기 장치는 전자석인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면의 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 조절하는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 자석의 자장의 강도를 선택적으로 조절하고 플라즈마를 선택적으로 변위 및 성형하도록 가변 선택적 전원을 전자석에 커플링시키는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면의 스퍼터링 에칭 정도를 선택적으로 조절하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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