CN115376873A - 离子源装置及其使用方法和真空处理系统 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种离子源装置及其使用方法和真空处理系统，装置包括一个核心的放电腔，其封闭端呈凹字形设置，沿着放电腔布设四组放电线圈，还包括为放电线圈提供射频功率的射频电源、射频匹配器，用来将功率分配至四组放电线圈的功率分配器，离子栅网系统为离子栅网提供电压的直流电源，中和器以及用于总体控制离子源运行的离子源控制器；放电腔与放电线圈组合在整个放电腔内部形成四个等离子体放电区域，通过组合不同的等离子放电区域，在不同的放电线圈上加载不同的射频功率来实现从放电腔轴心沿径向向外的不同位置的等离子密度；本申请通过调节功率分配实现放电腔内离子体密度的改变，进而保证离子束刻蚀工艺的均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及一种离子源装置及其使用方法和真空处理系统，属于离子束刻蚀领域。
背景技术
在当前的半导体器件、传感器、存储器件等的制造工艺中，越来越多的工艺开始应用离子束刻蚀系统（IBE）。离子束工作的原理是在低压下，将气体通入离子源中，产生等离子体，通过离子栅网将离子束拉出，并通过中和器将离子束中的离子中和，之后粒子束到达衬底表面，达到刻蚀的目的。
随着器件关键尺寸的缩小，器件的复杂性的增加，对IBE刻蚀工艺的均匀性要求越来越高，IBE的工艺均匀性是由IBE的离子源的性能决定的。目前常见的离子源结构（参看图1）是利用在放电腔体上的螺旋线圈天线，通过加载射频（RF）功率，产生电感耦合等离子体（ICP），等离子体主要分布在图1所示的椭圆形区域，但是由于低压ICP以扩散为主，因此，常规大口径离子源拉出的离子束的等离子体密度以及由此穿过离子栅网的离子密度通量分布总是呈凸出状态，即在离子源中心处最高，并且随着距源中心距离的增加而径向减小，导致IBE刻蚀工艺的不均匀性。因此如何优化设计离子源的放电结构，产生更均匀的等离子体，进而形成离子密度均匀分布的离子源是解决IBE刻蚀工艺均匀性的关键。
发明内容
本发明提供一种离子源装置及其使用方法和真空处理系统，通过调节不同的功率分配实现放电腔内离子体密度的改变，进而保证离子束刻蚀工艺的均匀性。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种离子源装置，包括放电腔，其筒状中轴线即为离子源装置的中心轴线，在离子源装置的中心轴线上相对放电腔开口端位置布设晶圆；其特征在于：
所述放电腔的封闭端呈凹字形，第一放电线圈套设在所述放电腔的筒状外侧壁上，在所述放电腔内靠近筒壁位置形成用于等离子体放电的区域；
还包括第二放电线圈，第二放电线圈设置在所述放电腔凹字形的凸出部分，在所述放电腔内靠近凹字形的凸出部分形成用于等离子体放电的区域；
所述第一放电线圈和所述第二放电线圈均与功率分配器连接；
离子源装置还包括至少两层离子栅网，至少两层离子栅网布设在所述放电腔的开口端，；
作为本发明的进一步优选，离子源装置还包括第三放电线圈，第三放电线圈与第一放电线圈同轴设置在凹字形凹槽内侧壁，在所述放电腔内的靠近凹字形凹槽内侧壁位置形成用于等离子体放电的区域；
所述第三放电线圈与功率分配器连接；
作为本发明的进一步优选，离子源装置还包括第四放电线圈，第四放电线圈设置在凹字形凹槽的内底壁处，在所述放电腔内的靠近凹槽底部位置形成用于等离子体放电的区域；
所述第四放电线圈与功率分配器连接；
作为本发明的进一步优选，所述第一放电线圈套设在所述放电腔外侧，且所述第一放电线圈与所述放电腔的外周壁之间具有径向间隙R1，间隙R1为2mm-30mm；
所述第二放电线圈与所述放电腔的凸出部分具有轴向间隙L1，间隙L1为2mm-30mm；
所述第三放电线圈与所述放电腔的凹槽内侧壁之间具有径向间隙R2，间隙R2为2mm-30mm；
所述第四放电线圈与所述放电腔的凹槽内底壁之间具有轴向间隙L2，间隙L2为2mm-30mm；
作为本发明的进一步优选，离子源装置包括射频匹配器以及离子源总控制器，第一放电线圈、第二放电线圈、第三放电线圈以及第四放电线圈同时与功率分配器连接，功率分配器、射频匹配器和离子源总控制器顺次连接；
作为本发明的进一步优选，所述的离子源总控制器与直流电源形成连通后与中和器连接；
作为本发明的进一步优选，离子源装置包括进气管，其垂直穿设所述放电腔封闭端的凹槽中心；
作为本发明的进一步优选，定义所述放电腔封闭端凹字形凸出部分的宽度为R凸，所述放电腔凹字形凹槽底部的半径为R凹，R凹/R凸=1：3-3：1；
作为本发明的进一步优选，所述离子栅网设置的层数范围为2-7层；
作为本发明的进一步优选，定义所述放电腔的开口端半径为R腔，R腔的尺寸与晶圆尺寸形成匹配；
当晶圆尺寸为8英寸时，R腔的尺寸范围为50mm-250mm；
当晶圆尺寸为12英寸时，R腔的尺寸范围为100mm-300mm；
作为本发明的进一步优选，当晶圆尺寸为12英寸时，R腔的尺寸范围进一步为180mm-250mm；
一种基于所述的离子源装置的使用方法，包括以下步骤：
第一步，设置初始离子源装置的工作参数；
第二步，对晶圆样品进行刻蚀处理；
第三步，对刻蚀处理后的晶圆样品的均匀性进行测量；
第四步，若测量的结果满足预设要求，则进入下一步；若测量的结果不满足预设要求，则对第一放电线圈至第四放电线圈的功率重新分配，调节离子源装置的工作参数后回到第二步重新处理；
第五步，结束整个程序，进行下一组参数优化；
作为本发明的进一步优选，在第四步中，离子源装置中第一放电线圈至第四放电线圈的功率重新分配依据等离子放电区域一、等离子放电区域二、等离子放电区域三以及等离子放电区域四测量所获取的密度高低，将四个放电区域的射频功率调高或者调低完成参数设置；其中，所述第一放电线圈在所述放电腔内形成等离子放电区域一，所述第二放电线圈在所述放电腔内形成等离子放电区域二，所述第三放电线圈在所述放电腔内形成等离子放电区域三，所述第四放电线圈在所述放电腔内形成等离子放电区域四；
作为本发明的进一步优选，所述调节等离子放电区域密度高低的方法具体为，若晶圆样品的刻蚀结果为其中心刻蚀速率快且边缘速率慢，即为晶圆样品的等离子放电区域一和等离子放电区域二的等离子体密度高，可调低第一放电线圈、第二放电线圈的射频功率以使等离子放电区域一和等离子放电区域二的等离子体密度降低，或可调高第三放电线圈、第四放电线圈的射频功率以使等离子放电区域三和等离子放电区域四的等离子体密度升高；
同时使进入第三放电线圈、第四放电线圈的电流与进入第一放电线圈、第二放电线圈的电流反相，将等离子放电区域三和等离子放电区域四的等离子体分布降低；
一种真空处理系统，包括所述的离子源装置。
通过以上技术方案，相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
1、本发明通过将放电腔设成凹字形结构，设置多个放电线圈，形成多个等离子体放电区域，通过组合放电线圈，实现不同功率的调节分配；
2、本发明通过对射频功率进行调节，从而满足放电腔内等离子体密度的调节，实现刻蚀结果的优化。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是背景技术中提供的现有技术结构示意图；
图2是本发明提供的优选实施例的结构示意图；
图3是本发明提供的优选实施例中关于放电腔的尺寸定义示意图；
图4是本发明提供的优选实施例四组放电线圈形成的等离子放电区域示意区；
图5、图6以及图7是本发明提供的优选实施例刻蚀形成的三种刻蚀结果；
图8是本发明提供的优选实施例的参数优化过程示意图。
其中，图1中：1为放电线圈，2为放电腔，3和4代表离子栅网；
图2-图8中，5为第一放电线圈，6为第二放电线圈，7为第三放电线圈，8为第四放电线圈，9为放电腔，10为第一离子栅网，11为第二离子栅网，12为晶圆，13为进气管，14为第一直流电源，15为第二直流电源，16为中和器，17为离子源总控制器，18为射频电源，19为射频匹配器，20为功率分配器，21为等离子放电区域一，22为等离子放电区域二，23为等离子放电区域三，24为等离子放电区域四。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。本申请的描述中，需要理解的是，术语“左侧”、“右侧”、“上部”、“下部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，“第一”、“第二”等并不表示零部件的重要程度，因此不能理解为对本发明的限制。本实施例中采用的具体尺寸只是为了举例说明技术方案，并不限制本发明的保护范围。
图1是背景技术中提到的目前常见的离子源结构，1为放电线圈，2为放电腔，3和4代表离子栅网，此种结构容易导致IBE刻蚀工艺的不均匀；为了解决背景技术中因为离子体密度的无法调节导致离子束刻蚀工艺的不均匀问题，本申请旨在提供一种离子源装置，可以调节等离子体的密度，其基于的原理在于通过调节不同的功率分配，实现在放电腔内调节等离子体的密度，进而实现均匀的离子束刻蚀工艺。
图2所示，是整个离子源装置的结构示意图，离子源装置的核心即为封闭端呈凹字形的放电腔9，其筒状中轴线即为整个装置的中心轴线，对应的在中心轴线上布设晶圆12，晶圆12与放电腔9的开口端相对设置；进气管13垂直穿设封闭端凹字形的凹槽中心，气体由进气管13进入放电腔9内部。
在离子源装置中，还包括了四组放电线圈，分别为第一放电线圈5、第二放电线圈6、第三放电线圈7以及第四放电线圈8，四组放电线圈的排布方式如图4所示，第一放电线圈5套设在放电腔9的筒状外侧壁上，第二放电线圈6设置在放电腔9凹字形的凸出部分，第三放电线圈7与第一放电线圈5同轴设置在凹字形凹槽内侧壁，第四放电线圈8设置在凹字形凹槽的内底壁处，第一放电线圈5至第四放电线圈8在放电腔9内形成四个用于等离子体放电的区域；这里需要说明的是，仅需布设第一放电线圈5以及第二放电线圈6于放电腔9上即可，但是为了达到最佳的调节效果，本申请同时还布设第三放电线圈7以及第四放电线圈8，通过单个使用或者组合使用以实现不同功率的调节分配。
接着，第一放电线圈5、第二放电线圈6、第三放电线圈7以及第四放电线圈8同时与功率分配器20连接，功率分配器20、射频匹配器19、离子源总控制器17顺次连接；射频匹配器19用来将功率分配至四组放电线圈的功率分配器20上，通过组合不同的放电区域，在不同的放电线圈上加载不同的射频功率来实现从放电腔9中心轴线开始，沿着径向向外不同位置的等离子密度的改变。
在本申请中，放电腔9的材质优先选用石英、陶瓷（氧化铝、氧化锆等）等绝缘材质，其尺寸针对不同尺寸的晶圆12进行匹配配置，在图3中，定义放电腔9的开口端半径为R腔，R腔的尺寸与晶圆12尺寸形成匹配。
当晶圆12尺寸为8英寸时，R腔的尺寸范围从50mm-250mm内可以选择，优选实施例中，推荐的尺寸为150mm；当晶圆12尺寸为12英寸时，R腔的尺寸范围从100mm-300mm内选择，推荐的尺寸范围进一步为180mm-250mm，以使刻蚀均匀性达到最优。
离子源装置还包括若至少两层离子栅网，至少两层离子栅网设置在放电腔9的开口端，且至少两层离子栅网两两平行，同时与放电腔9的中心轴线垂直布设，每层离子栅均连接一个直流电源；离子栅网可以是二层以及多层，但是最多不超过七层，除去必要的两层，其余层数均是为了防止靠近放电腔9开口端最近的两层被玷污，同时可以调整离子密度分布。
图2所示，本申请的优选实施例中，共设置两层离子栅网，分别为第一离子栅网10、第二离子栅网11，每层离子栅网连接一个直流电源，分别定义为第一直流电源14、第二直流电源15，第一直流电源14、第二直流电源15为离子栅网提供电压的直流电源，后与离子源总控制器17形成连通，用于实现对离子源的总体控制；在图2中还设置一个中和器16，其与直流电源连接，在启动后，用来将离子源拉出的带点离子束进行中和。
图3所示，针对第一放电线圈5、第二放电线圈6、第三放电线圈7以及第四放电线圈8这四组放电线圈给出了相对放电腔9的放置位置限制，具体的，第一放电线圈5套设在放电腔9外侧，且第一放电线圈5与放电腔9的外周壁之间具有径向间隙R1，间隙R1距离为2mm-30mm；第二放电线圈6与放电腔9的凸出部分具有轴向间隙L1，间隙L1距离为2mm-30mm；第三放电线圈7与放电腔9的凹槽内侧壁之间具有径向间隙R2，间隙R2距离为2mm-30mm；第四放电线圈8与放电腔9的凹槽内底壁之间具有轴向间隙L2，间隙L2距离为2mm-30mm；前述将间隙 R1、间隙L1、间隙R2以及间隙L2的距离限定在一定的范围内可以避免等离子体密度大幅度衰减。
同时，定义放电腔9凹字形凸出部分的宽度为R凸，放电腔9凹字形凹槽底部的半径为R凹，R凹/R凸=1：3-3：1；同样的，R凸与R凹尺寸的比例范围设定充分发挥各个放电线圈的调节效果。
本申请的优选实施例在工作时，放电腔9内产生等离子体的功率由射频电源18提供，功率范围为0-3kw，功率分配器20在分配时，通常有三种分配方式，
第一种分配方式是任意的两组放电线圈共同工作放电，如可以选择第一放电线圈5、第二放电线圈6组合工作，第一放电线圈5、第三放电线圈7组合工作，也就是说四组放电线圈里任意两个组合形成的子组合均符合要求。当选定一组放电线圈组合工作后，功率分配的比率Ratio=1：500-500：1。
第二种分配方式是只选择一个放电线圈单独工作，即功率不做分配，全部加载在一个单独的放电线圈上，那么放电线圈仅需选择第一放电线圈5到第四放电线圈8中的一个，形成单线圈子集。
第三种分配方式是选择任意三个放电线圈参与工作，此时首先从集合（第一放电线圈5、第二放电线圈6、第三放电线圈7以及第四放电线圈8）中选择一个放电线圈记录为Coil优先，之后在剩余的3个放电线圈中任意选择包含两个放电线圈的子集记录为coil子集，优先进行功率分配Ratio1=coil：coil子集=1：100-100：1；之后coil子集中的两个放电线圈的功率分配比率由ratio2=1：500-500：1决定。
第三种分配方式是四组放电线圈全部参与工作，此时功率分配比率较为复杂，这里再具体阐述一下，具体有两种比较好的实施方式，第一种是将放电线圈集合（第一放电线圈5、第二放电线圈6、第三放电线圈7、第四放电线圈8）拆分为两个子集，每个子集包含两个放电线圈，将每个子集的放电线圈短接为单个放电线圈记录为coil子集一和coil子集二；两个子集放电线圈的功率分配比率ratio子集=coil子集一：coil子集二=1：500-500：1；第二种同样是将放电线圈拆分为两个子集，每个子集包含两个放电线圈，两个子集的功率分配由ratio子集=1：100-100：1决定；之后每个子集中的两个放电线圈的功率分配由ratio子线圈=1：500-500：1决定；当功率分配较为复杂时，选择给离子源装置配置至少一套射频电源18，或者每个放电线圈配置独立的射频电源18以及射频分配器，直接通过参考功率分配比率，为不同的射频电源18设置相应的射频功率来实现同样的功能。
当离子源装置配置整个IBE系统工作最终获得的刻蚀工艺结果通常有如下三种情况，如图5、图6以及图7所示为三种典型的IBE系统刻蚀结果的均匀性profile结果，图5所示的刻蚀结果一为中心刻蚀速率快，边缘慢，代表中心等离子体密度高（对应图4中等离子放电区域一21和/或者等离子放电区域二22），边缘低（对应图4中对应等离子体放电区域三和/或者等离子体放电区域四）；图6所示的刻蚀结果二为M型结果，中心和边缘位置刻蚀速率慢，中间位置刻蚀速率快，代表中心和边缘等离子密度低（对应图4中等离子体放电区域一和/或者等离子体放电区域四），中间位置高（对应图4中等离子体放电区域二和/或者等离子体放电区域三）；图7所示的刻蚀结果三为中心刻蚀速率慢，边缘快，代表中心等离子体密度低（对应图4中等离子放电区域一21和/或者等离子放电区域二22），边缘高（对应图4中等离子体放电区域三和/或者等离子体放电区域四）；根据刻蚀结果进行优化功率分配等离子源工作的参数，以获得最优的刻蚀均匀性。
接着以图5所示的刻蚀结果一为例，要将此刻蚀结果优化，需要降低等离子放电区域一21和/或者等离子放电区域二22的等离子体密度，也就是需要调低接入第一放电线圈5和/或者第二放电线圈6的射频功率；或者调高等离子放电区域三23和/或者等离子放电区域四24的等离子体密度，同时使进入第三放电线圈7、第四放电线圈8的电流与进入第一放电线圈5、第二放电线圈6的电流反相，这样可抵消中部区域磁通量，降低中部区域等离子体分布，使中部区域刻蚀深度受第一放电线圈5、第二放电线圈6的影响尽量减小，这里中部区域从图4中可以看出为等离子放电区域三23和等离子放电区域四24；进而可以调节刻蚀均匀性至好的方向发展。同理当刻蚀结果是图6所示的情况二或者图7所示的情况三时，需要调节对应区域的等离子体密度，实际对应需要调节的是不同放电线圈上加载的射频功率大小，以及不同放电线圈的电流反相或者，将不同放电线圈短接组合等等。
具体优化离子源装置工作参数的过程需要结合刻蚀工艺的过程，在整个参数范围内优化调节，具体参数优化过程如图8所示，首先设置初始的离子源工作参数，然后通过刻蚀晶圆样品，测量刻蚀工艺结果，观察结果profile呈何形态，通过不同的profile可以对应出是四个等离子体放电区域中某一个区域的密度是否需要调节高或者低，或者是其他的离子源装置工作参数需要调节，比如离子栅网上加载的电压或者电流，通过此过程，可以实现大多数条件下的刻蚀工艺结果的均匀性满足要求，比如高功率刻蚀，低功率刻蚀，中能量刻蚀等待。
通过上述实施方式的阐述，可以确认本申请涉及的优化离子源装置的放电结构，会产生更均匀的等离子体，进而形成粒子密度均匀分布的离子源，最终实现IBE刻蚀工艺的均匀性。
最后本申请还提供了一种包含上述离子源装置的真空处理系统，即在真空处理系统内安装所述离子源装置即可。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本申请中所述的“和/或”的含义指的是各自单独存在或两者同时存在的情况均包括在内。
本申请中所述的“连接”的含义可以是部件之间的直接连接也可以是部件间通过其它部件的间接连接。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (15)
1.一种离子源装置，包括放电腔，其筒状中轴线为离子源装置的中心轴线，在离子源装置的中心轴线上相对放电腔开口端位置布设晶圆；其特征在于：
所述放电腔的封闭端呈凹字形，第一放电线圈套设在所述放电腔的筒状外侧壁上，在所述放电腔内靠近筒壁位置形成用于等离子体放电的区域；
还包括第二放电线圈，第二放电线圈设置在所述放电腔凹字形的凸出部分，在所述放电腔内靠近凹字形的凸出部分形成用于等离子体放电的区域；
所述第一放电线圈和所述第二放电线圈均与功率分配器连接；
离子源装置还包括至少两层离子栅网，至少两层离子栅网布设在所述放电腔的开口端。
2.根据权利要求1所述的离子源装置，其特征在于：离子源装置还包括第三放电线圈，第三放电线圈与第一放电线圈同轴设置在凹字形凹槽内侧壁，在所述放电腔内的靠近凹字形凹槽内侧壁位置形成用于等离子体放电的区域；
所述第三放电线圈与功率分配器连接。
3.根据权利要求2所述的离子源装置，其特征在于：离子源装置还包括第四放电线圈，第四放电线圈设置在凹字形凹槽的内底壁处，在所述放电腔内的靠近凹槽底部位置形成用于等离子体放电的区域；
所述第四放电线圈与功率分配器连接。
4.根据权利要求3所述的离子源装置，其特征在于：所述第一放电线圈套设在所述放电腔外侧，且所述第一放电线圈与所述放电腔的外周壁之间具有径向间隙R1，间隙R1为2mm-30mm；
所述第二放电线圈与所述放电腔的凸出部分具有轴向间隙L1，间隙L1为2mm-30mm；
所述第三放电线圈与所述放电腔的凹槽内侧壁之间具有径向间隙R2，间隙R2为2mm-30mm；
所述第四放电线圈与所述放电腔的凹槽内底壁之间具有轴向间隙L2，间隙L2为2mm-30mm。
5.根据权利要求3所述的离子源装置，其特征在于：离子源装置包括射频匹配器以及离子源总控制器，第一放电线圈、第二放电线圈、第三放电线圈以及第四放电线圈同时与功率分配器连接，功率分配器、射频匹配器和离子源总控制器顺次连接。
6.根据权利要求5所述的离子源装置，其特征在于：所述的离子源总控制器与直流电源形成连通后与中和器连接。
7.根据权利要求1所述的离子源装置，其特征在于：离子源装置包括进气管，其垂直穿设所述放电腔封闭端的凹槽中心。
8.根据权利要求1所述的离子源装置，其特征在于：定义所述放电腔封闭端凹字形凸出部分的宽度为R凸，所述放电腔凹字形凹槽底部的半径为R凹，R凹/R凸=1：3-3：1。
9.根据权利要求1所述的离子源装置，其特征在于：所述离子栅网设置的层数范围为2-7层。
10.根据权利要求1所述的离子源装置，其特征在于：定义所述放电腔的开口端半径为R腔，R腔的尺寸与晶圆尺寸形成匹配；
当晶圆尺寸为8英寸时，R腔的尺寸范围为50mm-250mm；
当晶圆尺寸为12英寸时，R腔的尺寸范围为100mm-300mm。
11.根据权利要求10所述的离子源装置，其特征在于：当晶圆尺寸为12英寸时，R腔的尺寸范围为180mm-250mm。
12.一种基于权利要求3至权利要求11任一权利要求所述的离子源装置的使用方法，其特征在于：包括以下步骤：
第一步，设置初始离子源装置的工作参数；
第二步，对晶圆样品进行刻蚀处理；
第三步，对刻蚀处理后的晶圆样品的均匀性进行测量；
第四步，若测量的结果满足预设要求，则进入下一步；若测量的结果不满足预设要求，则对第一放电线圈至第四放电线圈的功率重新分配，调节离子源装置的工作参数后回到第二步重新处理；
第五步，结束整个程序，进行下一组参数优化。
13.根据权利要求12所述的离子源装置的使用方法，其特征在于：在第四步中，离子源装置中第一放电线圈至第四放电线圈的功率重新分配依据等离子放电区域一、等离子放电区域二、等离子放电区域三以及等离子放电区域四测量所获取的密度高低，将四个放电区域的射频功率调高或者调低完成参数设置；其中，所述第一放电线圈在所述放电腔内形成等离子放电区域一，所述第二放电线圈在所述放电腔内形成等离子放电区域二，所述第三放电线圈在所述放电腔内形成等离子放电区域三，所述第四放电线圈在所述放电腔内形成等离子放电区域四。
14.根据权利要求13所述的离子源装置的使用方法，其特征在于：所述调节等离子放电区域密度高低的方法具体为，若晶圆样品的刻蚀结果为其中心刻蚀速率快且边缘速率慢，为晶圆样品的等离子放电区域一和等离子放电区域二的等离子体密度高，调低第一放电线圈、第二放电线圈的射频功率以使等离子放电区域一和等离子放电区域二的等离子体密度降低，或调高第三放电线圈、第四放电线圈的射频功率以使等离子放电区域三和等离子放电区域四的等离子体密度升高；
同时使进入第三放电线圈、第四放电线圈的电流与进入第一放电线圈、第二放电线圈的电流反相，将等离子放电区域三和等离子放电区域四的等离子体分布降低。
15.一种真空处理系统，其特征在于：包括根据权利要求3至权利要求11任一权利要求所述的离子源装置。
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