JP5046641B2 - 電荷中和装置 - Google Patents
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Description
さらに、上記のイオン注入装置では、上述のように、電子銃15から放出した一次電子の照射によりファラデーケージ11表面から発生する二次電子23でゲート電極22上に蓄積された正電荷を中和するものであるが、一次電子の一部も反射によって基板13に到達する。このため300eVのエネルギーをもつ高速電子が基板13を負にチャージアップさせ、負電荷による絶縁破壊を起こし、また絶縁破壊に至らずとも、ゲート絶縁膜22を劣化させるという問題点があった。
また、これにより、イオンビームを取り囲む全ての方向から電子を供給することができ、電荷中和の位置によるむらを大幅に低減することができる。
また、これにより、プラズマチューブ内に均一にプラズマを発生させ易いので望ましい。
また、この構成により、マイクロ波の減衰部により多くのガス供給がなされるためより高効率で均一なプラズマ生成が可能となる。
また本発明の第2の電荷中和装置は、前記接触手段がイオンビームをリング状に取り囲むプラズマチューブを有することを特徴とする。これにより、イオンビームを取り囲む全ての方向から電子を供給することができ、電荷中和の位置によるむらを大幅に低減することができる。
さらに本発明の第2の電荷中和装置は、前記導波管が、前記導波管中のマイクロ波伝搬方向の下流側から上流側に向かって前記プラズマチューブへのガスの供給がなされるように構成されるものを含む。
この構成により、マイクロ波の減衰部により多くのガス供給がなされるためより高効率で均一なプラズマ生成が可能となる。
さらに前記プラズマ発生用のガスの種類は、希ガスなどの不活性ガスであることを特徴とする。これにより、半導体などのターゲットに与える影響をほとんど無視できる水準にすることができる。
同様に、本発明の電荷中和装置を搭載したビームライン装置にも有効であることは明らかである。
従って磁場を用いる場合には、マグネットの与える磁場強度はECRポイントを外すように設定する。 現実には、カスプ磁場を使う際の磁場強度は、大抵500Gauss以下の弱い磁場であるため、問題となることはない。
さらには、本発明の電荷中和装置、イオン注入装置、ビームライン装置を用いて製造した 耐圧1V以下の半導体デバイスは、高信頼性を得ることができる。
同様に、本発明の電荷中和装置、イオン注入装置、ビームライン装置を用いて製造した電子デバイスなどの被処理物は、電荷中和が有効にできており、信頼性が高いので長期の使用や、宇宙開発用ロケットなどの特に高い信頼性を要する用途に有効である。
P ビームプラズマ
100 導電チューブ
101 プラズマチューブ
102 導波管
103 ウェハ支持台
104 マグネトロン
106 スリット
107 開口部
108 第2の電源
109 第1の電源
110 バイアスワイヤ
110C カスプマグネット
120 カスプマグネット
130 カスプマグネット
113 シリコンウェハ
1 イオン注入装置
2 イオン源部
3 ビームライン部
4 エンドステーション部
5 イオン源
6 引き出し電極系
7 イオンビーム
8 質量分析器
9 成形スリット
10 分析スリット
11 ファラデーケージ
13 基板
14 ディスク
15 電子銃
20 フィールド絶縁膜
21 ゲート絶縁膜
22 ゲート電極
23 2次電子
31 エレクトロンソース
40 アークチャンバー
41 陰極
42 永久磁石
43 ガスボンベ
44 ガス導入口
45 引き出し電極
46 減速電極
47 真空ポンプ
(実施の形態1)
本実施の形態の電荷中和装置は、図1に断面概要図、図2に図1のA−A断面概要図を示すように、図示しないプラズマ発生器から供給されるイオンビームIBを含むビームプラズマPを、ウェハ支持台103に載置された被処理基板であるシリコンウェハ113に照射するもので、シリコンウェハのチャージアップを防止するものである。
この導波管102表面の電位Vgは第2の電源108によって0〜100Vに可変である。
そしてイオンビームP系内に電子不足が発生すると、瞬時にそれを補うべくプラズマチューブ101から電子が流入する。
この電子の流入量はVcとVgを調整することによって調整可能である。
このように、電子はビームプラズマ中でわずかでも少なくなると、瞬時に開口部107を介してビームプラズマ中に供給されるように構成されている。
まず、基板支持台103に被処理基板113として、ゲート酸化膜およびゲート電極を形成したシリコンウェハを載置する。
そして、イオンビームを含むビームプラズマPをこのシリコンウェハ上に照射する。このときビームプラズマはウェハチャージングが発生しない安定した定常状態では、正のイオンと、負の電子との間で電荷のほぼ中和状態が保たれる(Plasma nuetralityと言う)。
このように、ウェハ上のチャージングが絶縁性膜の耐圧限界を超えるとデバイスが破壊されるため、それを防ぐためにウェハ上の正電荷を負の電子電荷によって中和されることが必要になる。
シリコンウェハにビームによる正のチャージングが起こると、先ず近傍のビームプラズマ中に存在する低エネルギーのプラズマ電子がウェハ上の正電荷部位に流れ込み、チャージを中和する。
そしてこの状態がさらに進むとビームプラズマが壊れてビーム中の電位が極めて高くなり、ウェハ上のチャージング破壊が進行して、ビームも自身の正電荷によって発散してしまい、イオン注入は不可能になる。
前記実施の形態1では、導電チューブの管軸と垂直な面内で外周を取り囲むように配置されたプラズマチューブ101と、このプラズマチューブ101の外側を取り囲むように配置された導波管102を備え、このプラズマチューブ101内で電子プラズマを生成するものについて説明したが、本実施の形態の電荷中和装置は、図3に断面概要図、図4および図5に図3のA−A断面概要図およびB−B断面図を示す。本実施の形態では、基本的には導電チューブ100を囲むようにプラズマチューブ101と導波管102とが並置された点で前記実施の形態1と異なる。この例では進行波によるプラズマ励起を行っている。
他については基本的には実施の形態1と同様に形成されている。
前記実施の形態2では、進行波によるプラズマ励起を行う例について説明したが、定在波を用いる場合も有効である。
この場合、図6にビームに垂直方向の断面図を示すように導波管102が定在波を形成し得るように閉管構造をとる点が異なるのみで他は前記実施の形態2と同様である。
ビームに平行な方向の断面図は図3に示したものと同様である。
本実施の形態では、基本的には導電チューブ100を囲むようにプラズマチューブ101と導波管102とが並置され、定在波によるプラズマ励起を行っている。
本実施の形態では、図7に示すように、カスプ磁場を生成するカスプマグネット110Cをプラズマチューブ102の側面に配設したことを特徴とするものである。カスプマグネット110Cはプラズマチューブ102の側面の両側でも良いし片側でもよい。
この場合も、図7にビームに垂直方向の断面図を示すようにカスプマグネットを配設した点が異なるのみで他は前記実施の形態2と同様である。
ビームに平行な方向の断面図は図3に示したものと同様である。
本実施の形態では、基本的には導電チューブ100を囲むようにプラズマチューブ101と導波管102とが並置され、定在波によるプラズマ励起を行っている。
前記実施の形態4では、カスプマグネット120をプラズマチューブ102の側面に配設したが、本実施の形態では、カスプマグネッ120をプラズマチューブ102の外周面上に配設したことを特徴とする。
すなわち本実施の形態では、図8に示すように、カスプ磁場を生成するカスプマグネット120をプラズマチューブ102の外周面上に配設したことを特徴とするものである。
この場合も、図8にビームに垂直方向の断面図を示すようにカスプマグネットを配設した点が異なるのみで他は前記実施の形態2と同様である。
ビームに平行な方向の断面図は図3に示したものと同様である。
前記実施の形態4,5では、カスプマグネット110C、または120をプラズマチューブ102の側面または外周面に配設したが、本実施の形態では、カスプマグネット130を内側と外側とで、プラズマチューブ102をはさむように配設したことを特徴とする。
すなわち本実施の形態では、図9に示すように、カスプ磁場を生成するカスプマグネット130をプラズマチューブ102の内周面と外周面上とに配設したことを特徴とするものである。
この場合も、図9に斜視図を示すようにカスプマグネットを配設した位置が異なるのみで他は前記実施の形態2と同様である。
ビームに平行な方向の断面図は図3に示したものと同様である。
Claims (17)
- 電荷中和装置であって、
マイクロ波発生手段と、
前記マイクロ波発生手段で発生せしめられたマイクロ波によって電子プラズマを発生するプラズマ生成手段と、
前記プラズマ生成手段で生成された電子プラズマを、イオンビームを含むビームプラズマ領域に対し、前記イオンビームを取り囲むプラズマチューブを介して、接触させる接触手段とを備え、
前記プラズマチューブ内に配置されたバイアスワイヤを介して電源から、バイアスを制御するための電位が、供給され、
イオンビームに供給される電子プラズマ量を制御するように構成され、
前記プラズマチューブは、イオンビームをリング状に取り囲み、
前記プラズマ生成手段は、前記プラズマチューブの外側を取り囲むように配置された導波管を備え、前記マイクロ波発生手段から前記導波管を介して前記プラズマチューブ内にマイクロ波を導入するとともに前記プラズマチューブ内にガスを供給することにより、前記プラズマチューブ内にプラズマを発生させ、
前記導波管は、前記導波管中のマイクロ波の伝搬方向が、前記イオンビームの流れ方向に直交する面で、前記イオンビームを囲むように配設され、
前記導波管は、前記導波管中のマイクロ波伝搬方向の下流側から上流側に向かって前記プラズマチューブへのガスの供給がなされるように構成された電荷中和装置。 - 電荷中和装置であって、
マイクロ波発生手段と、
前記マイクロ波発生手段で発生せしめられたマイクロ波によって電子プラズマを発生するプラズマ生成手段と、
前記プラズマ生成手段で生成された電子プラズマを、イオンビームを含むビームプラズマ領域に対し、前記イオンビームを取り囲むプラズマチューブを介して、接触させる接触手段とを備え、
前記プラズマチューブ内に配置されたバイアスワイヤを介して電源から、バイアスを制御するための電位が、供給され、
イオンビームに供給される電子プラズマ量を制御するように構成され、
マイクロ波励起を用いて低温プラズマを維持し、それによって2eV以下の低エネルギーの電子を供給する電荷中和装置。 - 請求項2に記載の電荷中和装置であって、
前記プラズマチューブは、イオンビームをリング状に取り囲む電荷中和装置。 - 請求項2に記載の電荷中和装置であって、
前記接触手段は、前記イオンビームの形状もしくは前記イオンビームのスキャンエリアに対応して、前記イオンビームもしくは前記スキャンエリアの外周を取り囲むように配置されたプラズマチューブを含むことを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項3または4に記載の電荷中和装置であって、
前記プラズマ生成手段は、前記プラズマチューブの外側を取り囲むように配置された導波管を備え、前記マイクロ波発生手段から前記導波管を介して前記プラズマチューブ内にマイクロ波を導入するとともに前記プラズマチューブ内にガスを供給することにより、前記プラズマチューブ内にプラズマを発生させることを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項5に記載の電荷中和装置であって、
前記導波管は、前記導波管中のマイクロ波の伝搬方向が、前記イオンビームの流れ方向に直交する面で、前記イオンビームを囲むように配設されたことを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項6に記載の電荷中和装置であって、
前記導波管は、前記導波管中のマイクロ波伝搬方向の下流側から上流側に向かって前記プラズマチューブへのガスの供給がなされるように構成されたことを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項1および5乃至7のいずれか1項に記載の電荷中和装置であって、
前記プラズマ生成手段は、同軸ケーブルであることを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項1および5乃至8のいずれか1項に記載の電荷中和装置であって、
前記ガスは不活性ガスであることを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項1および5乃至9のいずれか1項に記載の電荷中和装置であって、
前記プラズマチューブと前記導波管との間にはそれぞれ位置をあわせた少なくともひとつのスリットを有することを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項10に記載の電荷中和装置であって、
前記プラズマチューブと前記導波管との間にはそれぞれ位置をあわせた複数のスリットを有することを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項1および3乃至11のいずれか1項に記載の電荷中和装置であって、
前記プラズマチューブの前記イオンビームに近接する側にひとつの開口部を有することを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項1および3乃至12のいずれか1項に記載の電荷中和装置であって、
前記プラズマチューブの前記イオンビームに近接する側に複数の開口部を有することを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項1乃至13のいずれか1項に記載の電荷中和装置であって、
マイクロ波励起を用いてプラズマを発生させて、前記イオンビームを含むビームプラズマ中に電子を供給することを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項1乃至13のいずれか1項に記載の電荷中和装置であって、
マイクロ波励起を用いてプラズマを発生させて、前記イオンビームを照射する固体基体近傍の少なくとも1つに電子を供給することを特徴とする電荷中和装置。 - 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の電荷中和装置を備えたイオン注入装置。
- 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の電荷中和装置を有するビームライン装置。
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