KR20020060970A - 동적 가스 분배 제어를 갖는 플라즈마 처리 시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (37)
- 플라즈마 처리 시스템으로서,기판을 처리하기 위해 사용되는 플라즈마 처리 챔버와;상기 플라즈마 처리 챔버에 연결된 가스 유동 시스템을 포함하고,상기 가스 유동 시스템은 상기 플라즈마 처리 챔버의 둘 이상의 상이한 영역 내로의 입력 가스의 유동을 제어하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 둘 이상의 상이한 영역은 상단 중앙 영역과 상부 외주 영역을 포함하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 둘 이상의 상이한 영역은 상단 중앙 영역과 하부 외주 영역을 포함하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 둘 이상의 상이한 영역은 상단 중앙 영역과, 하부 외주 영역 및 상부 외주 영역을 포함하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 둘 이상의 상이한 영역은 기판 근방의 하부 영역을 포함하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 시스템은 척을 포함하고,상기 둘 이상의 상이한 영역은 기판의 가장자리 근방의 하부 영역을 포함하며,상기 입력 가스는 상기 척을 통해 방출되는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 유동 시스템은 상기 플라즈마 처리 챔버의 둘 이상의 상이한 영역 내로의 입력 가스의 양 또는 체적을 제어하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 유동 시스템은 상기 플라즈마 처리 챔버의 둘 이상의 상이한 영역 내로의 입력 가스의 유량을 제어하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 입력 가스는 적어도 제 1 및 제 2가스를 포함하고,상기 유동 시스템은 상기 플라즈마 처리 챔버의 둘 이상의 상이한 영역 내로의 상기 적어도 제 1 및 제 2가스의 상대 유량을 독립적으로 제어하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 시스템은 상기 플라즈마 처리 챔버에 연결된 가스 전달 링을 추가로 포함하고,상기 유동 시스템은 상기 가스 전달 링으로의 입력 가스의 양 또는 체적을 제어하고, 그에 의해, 상기 플라즈마 처리 챔버의 외주 영역에 상기 입력 가스를 공급하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 10항에 있어서, 상기 가스 전달 링은 상기 플라즈마 처리 챔버의 상부상에 제공되고, 그에 의해, 상기 가스 전달 링이 상기 플라즈마 처리 챔버의 상부 외주 영역에 입력 가스를 공급하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 챔버는 적어도 내벽을 포함하고,상기 가스 유동 시스템은 상기 플라즈마 처리 챔버내로 전달될 입력 가스를 받아들이기 위한 하나 이상의 가스 입구와, 적어도 상기 플라즈마 처리 시스템에입력 가스를 각각 전달 할 수 있는 제 1 및 제 2가스 출구를 가지며,상기 입력 가스 중 적어도 일부는 상기 제 1 및 제 2가스 출구를 경유하여 상기 플라즈마 처리 챔버에 전달되는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 12항에 있어서, 상기 입력 가스의 적어도 일부는 제 2영역내로 방출되고, 상기 제 1영역은 상기 플라즈마 처리 챔버내의 상단 중앙 영역이며, 상기 제 1영역내로 방출되는 입력 가스는 제 1가스 출구에 의해 전달되는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 12항에 있어서, 상기 입력 가스의 적어도 일부는 제 2영역내로 방출되고, 상기 제 1영역은 상기 플라즈마 처리 챔버의 내벽을 둘러싸는 상부 외주 영역이며, 상기 제 2영역내로 방출되는 입력 가스는 제 2가스 출구에 의해 전달되는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 12항에 있어서, 상기 입력 가스의 적어도 일부는 제 2영역내로 방출되고, 상기 제 2영역은 상기 플라즈마 처리 챔버의 내벽을 둘러싸는 하부 외주 영역이며, 상기 제 2영역내로 방출되는 입력 가스는 제 2가스 출구에 의해 전달되는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 12항에 있어서, 상기 가스 유동 시스템은 상기 제 1 및 제 2가스 출구 중 각 하나에 의해 상기 플라즈마 처리 챔버내로 전달되는 입력 가스의 양 또는 체적을 결정하기 위해 가스 유동 제어 신호를 수신하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 16항에 있어서, 상기 가스 유동 제어 신호는 상기 제 1 및 제 2가스 출구 각각에 의한 상기 플라즈마 처리 챔버내로의 가스 전달의 유량을 결정하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 16항에 있어서, 상기 입력 가스는 적어도 제 1 및 제 2가스를 포함하고,상기 유동 제어 신호는 상기 플라즈마 처리 챔버의 둘 이상의 상이한 영역 내로의 적어도 제 1 및 제 2가스의 상대 유량을 독립적으로 결정하는 플라즈마 처리 시스템.
- 처리를 위해 플라즈마의 점화 및 유지, 양자 모두가 그 내부에서 이루어지고, 별도의 플라즈마 발생 챔버를 구비하지 않으며, 상단부와 하단부를 구비하는 실질적인 원통형 플라즈마 처리 챔버와;상기 플라즈마 처리 챔버의 상단부에 배치된 결합 윈도우와;상기 기판이 처리를 위해 상기 플라즈마 처리 챔버내에 배치될 때, 기판에 의해 형성되는 평면 위에 배치되는 RF 안테나 배열과;하나 이상의 직류가 공급될 때, 상기 RF 안테나에 근접한 영역에서 플라즈마 처리 챔버내의 정적 자장 토폴로지에 상기 기판에 걸친 처리 균일성에 영향을 미치는 반경방향 변화를 유발하도록 구성되고, 상기 기판에 의해 형성된 평면 위에 배치되어 있는 전자석 배열과;상기 기판에 걸친 처리 균일성을 향상시키기 위해, 상기 하나 이상의 직류의 크기를 변화시켜서 안테나 부근의 영역에서 플라즈마 처리 챔버내의 자장 토폴로지의 반경방향 변화를 변경시키는 제어기를 구비하는, 상기 전자석 배열에 연결된 dc 전원과;상기 플라즈마 처리 챔버내의 둘 이상의 상이한 영역 내로의 입력 가스의 유동을 제어하는, 상기 플라즈마 처리 챔버에 연결된 가스 유동 시스템을 포함하는, 기판을 처리하기 위한 플라즈마 처리 시스템.
- 제 19항에 있어서, 상기 둘 이상의 상이한 영역은 상단 중앙 영역과 상부 외주 영역을 포함하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 19항에 있어서, 상기 둘 이상의 상이한 영역은 상단 중앙 영역과 하부 외주 영역을 포함하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 19항에 있어서, 상기 둘 이상의 상이한 영역은 상단 중앙 영역과, 하부 외주 영역과, 상부 외주 영역을 포함하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 19항에 있어서, 상기 유동 시스템은 상기 플라즈마 처리 챔버의 둘 이상의 상이한 영역 내로의 입력 가스의 양 및 체적을 제어하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 19항에 있어서, 상기 유동 시스템은 상기 플라즈마 처리 챔버의 둘 이상의 상이한 영역 내로의 입력 가스의 유량을 제어하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 19항에 있어서, 상기 입력 가스는 적어도 제 1 및 제 2가스를 포함하고,상기 유동 시스템은 상기 플라즈마 처리 챔버의 둘 이상의 상이한 영역 내로의 적어도 제 1 및 제 2가스의 상대 유량을 독립적으로 제어하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 19항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 시스템은 상기 플라즈마 처리 챔버에 연결된 가스 전달 링을 추가로 포함하고,상기 유동 시스템은 상기 가스 전달 링으로의 입력 가스의 양 또는 체적을 제어함으로써, 상기 플라즈마 처리 챔버의 외주 영역으로 입력 가스를 공급하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 26항에 있어서, 상기 가스 전달 링은 상기 플라즈마 처리 챔버의 상부상에 제공됨으로써, 상기 가스 전달 링이 상기 플라즈마 처리 챔버의 상부 외주 영역에 입력 가스를 공급하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 19항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 챔버는 하나 이상의 내벽을 포함하고,상기 가스 유동 시스템은 상기 플라즈마 처리 챔버내로 유동될 입력 가스를 받아들이기 위한 하나 이상의 가스 입구와,각각 상기 플라즈마 처리 시스템에 입력 가스를 전달할 수 있는 적어도 제 1및 제 2가스 출구를 포함하며,상기 입력 가스의 적어도 일부는 상기 제 1 및 제 2가스 출구를 경유하여 상기 플라즈마 처리 챔버로 전달되는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 28항에 있어서, 상기 입력 가스 중 적어도 일부는 제 2영역으로 방출되고, 상기 제 1영역은 플라즈마 처리 챔버내의 상단 중앙 영역이며, 상기 제 1영역내로 방출되는 입력 가스는 제 1가스 출구에 의해 전달되는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 28항에 있어서, 상기 입력 가스 중 적어도 일부는 제 2영역으로 방출되고, 상기 제 1영역은 상기 플라즈마 처리 챔버의 내벽을 둘러싸는 상부 외주 영역이며, 상기 제 2영역내로 방출되는 입력 가스는 상기 제 2가스 출구에 의해 전달되는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 28항에 있어서, 상기 입력 가스 중 적어도 일부는 제 2영역내로 방출되고, 상기 제 2영역은 상기 플라즈마 처리 챔버의 내벽을 둘러싸는 하부 외주 영역이며, 상기 제 2영역내로 방출되는 입력 가스는 제 2가스 출구에 의해 방출되는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 28항에 있어서, 상기 가스 유동 시스템은 상기 제 1 및 제 2가스 출구 중 각 하나에 의해 상기 플라즈마 처리 챔버 내로 전달되는 입력 가스의 양 또는 체적을 결정하기 위한 가스 유동 제어 신호를 수신하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 32항에 있어서, 상기 가스 유동 제어 신호는 상기 플라즈마 처리 챔버내로의 상기 제 1 및 제 2가스 출구 중 각각에 의한 가스 전달의 유량을 결정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 32항에 있어서, 상기 입력 가스는 적어도 제 1 및 제 2가스를 포함하고,상기 유동 제어 신호는 상기 플라즈마 처리 챔버의 둘 이상의 상이한 영역 내로의 적어도 제 1 및 제 2가스의 상대 유량을 독립적으로 결정하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 19항에 있어서, 상기 두 개 이상의 상이한 영역은 기판 근방의 하부 영역을 포함하는 플라즈마 처리 시스템.
- 제 19항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 시스템은 척을 포함하고,상기 둘 이상의 상이한 영역은 상기 기판의 가장자리 근방의 하부 영역을 포함하며,상기 입력 가스는 상기 척을 통해 방출되는 플라즈마 처리 시스템.
- 처리를 위한 플라즈마의 점화 및 유지, 양자 모두가 그 내부에서 이루어지고, 별도의 플라즈마 발생 챔버를 구비하지 않으며, 상단부와 하단부를 구비하는 실질적인 원통형 플라즈마 처리 챔버와;상기 플라즈마 처리 챔버의 상단부에 배치된 결합 윈도우와;상기 기판이 처리를 위해 상기 플라즈마 처리 챔버내에 배치될 때 기판에 의해 형성되는 평면 위에 배치되는 RF 안테나 배열과;하나 이상의 직류가 공급될 때 RF 안테나에 근접한 영역에서 플라즈마 처리 챔버내의 정적 자장 토폴로지에 상기 기판에 걸친 처리 균일성에 영향을 미치는 반경방향 변화를 유발하도록 구성되고, 상기 기판에 의해 형성된 평면 위에 배치되어 있는 전자석 배열과;상기 기판에 걸친 처리 균일성을 향상시키기 위해, 하나 이상의 직류의 크기를 변화시켜서 안테나 부근의 영역에서 플라즈마 처리 챔버내의 자장 토폴로지의 반경방향 변화를 변경시키는 제어기를 구비하는, 상기 전자석 배열에 연결된 dc 전원과;상기 플라즈마 처리 챔버에 연결된 가스 유동 시스템을 포함하고,상기 가스 유동 시스템은 플라즈마 처리 챔버내의 제 1 및 제 2영역내로 입력 가스가 방출되는 것을 제어하며, 상기 제 1영역은 상기 플라즈마 처리 챔버내의 상단 중앙 영역이고, 상기 제 2영역은 상기 플라즈마 처리 챔버의 외주 영역인, 기판을 처리하기 위한 플라즈마 처리 시스템.
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