CN103839746A - 刻蚀设备工艺气体供气装置 - Google Patents

刻蚀设备工艺气体供气装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103839746A
CN103839746A CN201210487876.4A CN201210487876A CN103839746A CN 103839746 A CN103839746 A CN 103839746A CN 201210487876 A CN201210487876 A CN 201210487876A CN 103839746 A CN103839746 A CN 103839746A
Authority
CN
China
Prior art keywords
process gas
gas
etching apparatus
cavity
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210487876.4A
Other languages
English (en)
Inventor
王健
郑玮斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN201210487876.4A priority Critical patent/CN103839746A/zh
Publication of CN103839746A publication Critical patent/CN103839746A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种刻蚀设备工艺气体供气装置，包括：工艺腔，用于在其内容纳工艺气体并进行刻蚀反应；主供气管路，用于往工艺腔内输送主工艺气体，进行刻蚀反应；多条气体管道，用于输送不同种类的工艺气体；另外还包括辅助供气管路，用于往工艺腔内输送辅助工艺气体，控制和调节工艺腔内中心和边缘不同部位工艺气体浓度。本发明能方便的通过调节反应腔内中心和边缘的刻蚀气体浓度(比例)来实现调节刻蚀面内均一性。

Description

刻蚀设备工艺气体供气装置
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路制造设备，特别是涉及一种半导体设备工艺气体供气装置。
背景技术
目前刻蚀设备工艺气体的供气装置结构是将需要的工艺气体按工艺条件设定的流量混合后流入工艺腔中，如图1所示，为传统的刻蚀设备工艺气体的供气装置结构示意图，若干气体管道14中的各种不同流量不同种类的气体混合后，分别流经气体过滤器13及终端气动阀12后从工艺腔11顶部中心流入工艺腔11中。该供气装置中各工艺气体的浓度(比例)在工艺腔的中心和边缘不同部位工艺气体浓度是无法直接调节，导致无法通过精确调节工艺腔中心和边缘的气体配比浓度，来满足刻蚀面内均一性的要求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种刻蚀设备工艺气体供气装置，能通过调节刻蚀反应腔内中心和边缘不同部位工艺气体浓度(比例)来实现调节刻蚀面内均一性。
为解决上述技术问题，本发明提供的一种刻蚀设备工艺气体供气装置，包括：
工艺腔，用于在其内容纳工艺气体并进行刻蚀反应；
主供气管路，用于往工艺腔内输送主工艺气体，用于刻蚀反应；
多条气体管道，用于输送不同浓度的工艺气体；
还包括辅助供气管路，用于往工艺腔内输送辅助工艺气体，控制和调节工艺腔内中心或边缘一种或多种工艺气体浓度。
进一步的，所述主供气管路包括第一气体过滤器及第一终端气动阀。
进一步的，所述辅助供气管路包括第二气体过滤器及第二终端气动阀。
进一步的，所述辅助供气管路还包括第一支路气动阀及第二支路气动阀。
进一步的，所述工艺腔在顶部中心设置有一小孔，顶部周边设置有多个等距分布的小孔，用于通入工艺气体。
进一步的，所述辅助工艺气体，只从所述工艺腔的中心通入、只从所述工艺腔的边缘通入或者从所述工艺腔的中心及边缘同时通入。
进一步的，其特征在于，所述主供气管路及所述辅助供气管路使用相同的所述气体管道。
进一步的，其特征在于，所述主供气管路及所述辅助供气管路使用不同的所述气体管道。
本发明的刻蚀设备工艺气体供气装置，可以自由的通过调节反应腔内中心和边缘不同部位的刻蚀气体浓度(比例)来实现调节刻蚀均一性。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是传统的刻蚀设备工艺气体供气装置结构示意图；
图2是本发明刻蚀设备工艺气体供气装置第一实施例结构示意图；
图3是本发明刻蚀设备工艺气体供气装置第二实施例结构示意图。
主要附图标记说明：
工艺腔11                     终端气动阀12
气体过滤器13                 气体管道14
工艺腔31                     第一终端气动阀32
第一气体过滤器33             第一支路气动阀34
第二终端气动阀35             第二气体过滤器36
第二支路气动阀37             气体管道38
工艺腔41                     第一终端气动阀42
第一气体过滤器43             第一支路气动阀44
第二终端气动阀45             第二支路气动阀46
第二气体过滤器47             气体管道48
具体实施方式
为使贵审查员对本发明的目的、特征及功效能够有更进一步的了解与认识，以下配合附图详述如后。
如图2所示，为本发明刻蚀设备工艺气体供气装置第一实施例结构，包括工艺腔31，主供气管路，辅助供气管路及N路气体管道38，其中工艺腔31的顶部中心有一个小孔(未标出)，用于中心通入工艺气体，并且在工艺腔31的顶部周边有多个等距分布的小孔(未标出)，用于腔体边缘通入工艺气体，小孔的大小根据需要调节，主供气管路包括第一气体过滤器33及第一终端气动阀32，辅助供气管路包括第二气体过滤器36、第二终端气动阀35、第一支路气动阀34及第二支路气动阀37。
各种不同流量的主工艺气体通过N路气体管道38传输混合后通过主供气管道通入工艺腔31，并在工艺腔31内进行刻蚀反应。当该工艺腔31内的工艺气体浓度分布，不能使刻蚀面内均一性满足工艺要求时，一种或几种不同流量的辅助工艺气体通过N路气体管道38传输混合后通过辅助供气管路通入工艺腔31内。辅助工艺气体可以只从工艺腔31的中心通入、可以只从工艺腔31的边缘通入、也可以从工艺腔31的中心和边缘同时通入，用以控制和调节硅片中心和边缘的工艺气体浓度分布，使硅片面内刻蚀均一性满足工艺要求。
当需要从工艺腔31边缘通入某(几)种辅助工艺气体时，连接辅助供气管道的相应气体管道38打开，第二终端气动阀35和第二支路气动阀37打开。当需要从工艺腔31中心通入某(几)种辅助工艺气体时，连接辅助供气管道的相应气体管道38打开，第二终端气动阀35和第一支路气动阀34打开。
如图3所示，为本发明刻蚀设备工艺气体供气装置第二实施例结构，本实施例与第一实施例的不同点在于，主供气管路与辅助供气管路使用不同的气体管道48分别进行供气。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种刻蚀设备工艺气体供气装置，其特征在于，包括：
工艺腔，用于在其内容纳工艺气体并进行刻蚀反应；
主供气管路，用于往工艺腔内输送主工艺气体，用于刻蚀反应；
多条气体管道，用于输送不同种类的工艺气体；
辅助供气管路，用于往工艺腔内输送辅助工艺气体，用于控制和调节工艺腔内中心和边缘的一种或多种工艺气体浓度。
2.如权利要求1所述的刻蚀设备工艺气体供气装置，其特征在于，所述主供气管路包括第一气体过滤器及第一终端气动阀。
3.如权利要求1所述的刻蚀设备工艺气体供气装置，其特征在于，所述辅助供气管路包括第二气体过滤器及第二终端气动阀。
4.如权利要求2所述的刻蚀设备工艺气体供气装置，其特征在于，所述辅助供气管路还包括第一支路气动阀及第二支路气动阀。
5.如权利要求1所述的刻蚀设备工艺气体供气装置，其特征在于，所述工艺腔在顶部中心设置有一小孔，顶部周边设置有多个等距分布的小孔，用于通入工艺气体。
6.如权利要求5所述的刻蚀设备工艺气体供气装置，其特征在于，所述辅助工艺气体，只从所述工艺腔的中心通入、只从所述工艺腔的边缘通入或者从所述工艺腔的中心及边缘同时通入。
7.如权利要求1所述的刻蚀设备工艺气体供气装置，其特征在于，其特征在于，所述主供气管路及所述辅助供气管路使用相同的所述气体管道。
8.如权利要求1所述的刻蚀设备工艺气体供气装置，其特征在于，其特征在于，所述主供气管路及所述辅助供气管路使用不同的所述气体管道。
CN201210487876.4A 2012-11-26 2012-11-26 刻蚀设备工艺气体供气装置 Pending CN103839746A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210487876.4A CN103839746A (zh) 2012-11-26 2012-11-26 刻蚀设备工艺气体供气装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210487876.4A CN103839746A (zh) 2012-11-26 2012-11-26 刻蚀设备工艺气体供气装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103839746A true CN103839746A (zh) 2014-06-04

Family

ID=50803140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210487876.4A Pending CN103839746A (zh) 2012-11-26 2012-11-26 刻蚀设备工艺气体供气装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103839746A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104913200A (zh) * 2014-03-11 2015-09-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 去离子水泄漏检测控制的装置
CN109817505A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 长鑫存储技术有限公司 等离子体供应装置及晶圆刻蚀装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4917136A (en) * 1988-05-08 1990-04-17 Tadahiro Ohmi Process gas supply piping system
CN1423825A (zh) * 1999-11-15 2003-06-11 兰姆研究有限公司 具有动态气体分布控制的等离子体加工系统
US20040069747A1 (en) * 2001-09-17 2004-04-15 Reflectivity, Inc., A California Corporation Apparatus and method for detecting an endpoint in a vapor phase etch
CN101179023A (zh) * 2006-11-10 2008-05-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
CN101925985A (zh) * 2008-01-28 2010-12-22 朗姆研究公司 控制斜面边缘蚀刻等离子体室中的边缘排除的气体调节
CN202003945U (zh) * 2010-12-01 2011-10-05 中微半导体设备(上海)有限公司 一种可调多区气体分布装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4917136A (en) * 1988-05-08 1990-04-17 Tadahiro Ohmi Process gas supply piping system
CN1423825A (zh) * 1999-11-15 2003-06-11 兰姆研究有限公司 具有动态气体分布控制的等离子体加工系统
US20040069747A1 (en) * 2001-09-17 2004-04-15 Reflectivity, Inc., A California Corporation Apparatus and method for detecting an endpoint in a vapor phase etch
CN101179023A (zh) * 2006-11-10 2008-05-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
CN101925985A (zh) * 2008-01-28 2010-12-22 朗姆研究公司 控制斜面边缘蚀刻等离子体室中的边缘排除的气体调节
CN202003945U (zh) * 2010-12-01 2011-10-05 中微半导体设备(上海)有限公司 一种可调多区气体分布装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104913200A (zh) * 2014-03-11 2015-09-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 去离子水泄漏检测控制的装置
CN109817505A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 长鑫存储技术有限公司 等离子体供应装置及晶圆刻蚀装置
CN109817505B (zh) * 2017-11-20 2021-09-24 长鑫存储技术有限公司 等离子体供应装置及晶圆刻蚀装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100541732C (zh) 气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
SG145663A1 (en) Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
CN110047775B (zh) 半导体装置制造设备与制造方法
TWI606510B (zh) Semiconductor processing equipment and gas shower head cooling plate
CN110400768B (zh) 反应腔室
CN103839746A (zh) 刻蚀设备工艺气体供气装置
CN104651838A (zh) 一种进气装置及反应腔室
CN104658944A (zh) 反应腔室及半导体加工设备
CN105308211B (zh) 用于改善边缘一致性的腔室气体扩散器孔设计
US8590548B2 (en) Liquid processing apparatus for substrate, method for generating processing liquid, and computer readable recording medium storing program for generating processing liquid therein
CN105590825A (zh) 气体输送装置及等离子体处理装置
CN1278393C (zh) 半导体机台气体反应室的气体配送系统及方法
TWI619195B (zh) 托盤裝置及等離子體加工設備
CN202003945U (zh) 一种可调多区气体分布装置
CN104810238A (zh) 匀气结构及等离子体系统
CN104150431A (zh) 进气系统及基片处理设备
WO2023279445A1 (zh) 一种机台及晶圆制程设备
CN104419912A (zh) 一种进气装置及反应腔室
CN103578903B (zh) 可调电极间距及平行度的刻蚀腔
CN204325495U (zh) 进气装置
CN213144954U (zh) 用于外延工艺的反应腔室及外延设备
CN209591974U (zh) 离子注入系统
CN202281042U (zh) 外延设备的工艺管路系统
CN103966573A (zh) 用于pecvd薄膜沉积的气体反应装置和方法
CN103757610B (zh) 一种基于物料供应系统模型的工艺环境压力调度方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140604