KR890013820A - 막막 형성 장치 및 이온원 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

막막 형성 장치 및 이온원
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 박막 형성 장치의 제1실시예에 대한 단면도.
제3A도 및 3B도는 타겟의 설치를 도시한 상세화된 단면도.
제4도는 제2도에서 도시된 제1실시예에서 자속 방향으로 자계강도의 분포도.

Claims (26)

  1. 박막 형성 장치로서, 플라즈마를 발생하기 위해 가스가 도입되는 플라즈마 발생실, 마이크로파를 상기 플라즈마 발생실내로 도입하기 위한 마이크로파 도입창, 스퍼터되는 물질로 제조되며 상기 플라즈마 발생시의 내측의 양단부에 설치된 제1 및 제21타겟, 상기 제1 및 제2타겟중 적어도 하나는 관형임, 상기 제1 및 제2타겟에 부전압을 인가하기 위한 적어도 하나이상의 전원, 상기 플라즈마가 발생실에서 자계를 발생하며 상기 제1 및 제2타켓중 하나로 부터 출발하여 다른 타겟내로 진입하는 자속을 발생하기 위한 자계 발생 수단 및, 상기 관형의 측상에서 상기 플라즈마 발생실과 통하여 이 발생실내에 설치된 기판 홀더를 갖는 시료실을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생실은 상기 플라즈마가 마이크로파 전자 사이클로트론 공명 방전에 의해 발생되는 방법으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마이크로파는 발생되는 플라즈마의 축방향으로 상기 플라즈마 발생실내로 도입되며, 상기 마이크로파 도입창은 진공 도파관을 통해 상기 플라즈마 발생실에 연결되며, 상기 진공 도파관은 요크로 둘러싸여져 상기 지계 발생 수단으로 발생된 자계는 흡수 되며, 상기 진공 도파관내의 자계 강도는 감소되며 자계 강도는 상기 진공 도파관과 상기 플라즈마 발생실간의 경계에서 급격하게 변화되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  4. 제1항에 있어서, 마이크로파 도입 방향은 발생되는 플라즈마의 축과 평행하지 않는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 마이크로파 도입창은 상기 제1 및 제2타겟으로부터 직접 관찰될 수 없는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 관형 타겟은 다각형 관형인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2타겟중 하나는 관형이며 다른 하나는 평판형인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2타겟 모두는 관형인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  9. 제8항에 있어서, 시료실은 상기 플라즈마 발생실의 양단 간격과 통하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2타겟은 관형의 한 타겟의 단부인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  11. 제1항에 있어서, 보조 자계 발생 수단은 상기 자계 발생 수단으로 발생된 자계를 제어하도록 상기 기판 홀더의 부근에 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  12. 이온원으로서, 플라즈마를 발생하기 위해 가스가 도입되는 플라즈마 발생실, 상기 플라즈마 발생실내로 마이크로파를 도입하기 위한 마이크로파 도입창, 스퍼터된 물질로 제조되며 상기 플라즈마 발생실의 내측의 양단부에 배치된 제1타겟 및 제2타겟, 상기 제1및 제2타겟중 하나는 관형임, 상기 플라즈마 발생실의 전압에 대해 부전압인 전압을 상기 제1및 제2타겟에 인가하기 위한 적어도 하나이상의 전원 및, 자계를 발생하며 상기 제1및 제2타겟중 하나로 부터 출발하여 다른 타겟내로 진입하기 위한 자계발생 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 이온원.
  13. 제12항에 있어서, 상기 플라즈마 발생실은 상기 플라즈마가 마이크로파 전자 사이클로트론 공명 방전으로 발생되는 것을 특징으로 하는 이온원.
  14. 제12항에 있어서, 상기 마이크로파는 프라즈마의 축방향으로 상기 플라즈마 발생실내로 도입되며, 상기 마이크로파 도입창은 진공 도파관을 통해 상기 플라즈마 발생실에 연결되며, 상기 진공 도파관은 요크로 둘러싸여져 상기 자계 발생수단으로 발생된 자계는 흡수되며, 상기 진공 도파관내로 자계 강도는 감소되며 자계 강도는 상기 진공 도파관과 상기 플라즈마 발생실내간의 경계에서 급격하게 변화되는 것을 특징으로 하는 이온원.
  15. 제12항에 있어서, 마이크로파 도입 방향은 발생되는 플라즈마의 축과 평행하지 않는 것을 특징으로 하는 이온원.
  16. 제12항에 있어서, 상기 마이크로파 도입창은 상기 제1 및 제2타겟에서 직접 관찰될 수 없는 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 이온원.
  17. 제12항에 있어서, 상기 관형 타켓은 다각형 관형인 것을 특징으로 하는 이온원.
  18. 제12항에 있어서, 상기 제1 및 제2타겟중 하나는 관형이며 다른 하나는 평판형인 것을 특징으로 하는 이온원.
  19. 제12항에 있어서, 상기 제1 및 제2타겟 모두는 관형인 것을 특징으로 하는 이온원.
  20. 제19항에 있어서, 시료실은 상기 플라즈마 발생실의 양단 각각과 통하는 것을 특징으로 하는 이온원.
  21. 제12항에 있어서, 상기 제1 및 제2타겟은 관형인 한 타겟의 단부 각각인 것을 특징으로 하는 이온원.
  22. 제12항에 있어서, 보조 자계 발생 수단은 상기 자계 발생 수단으로 발생된 자계를 제어하기 위하여 상기 기판 홀더의 부근에서 배치되는 것을 특징으로 하는 이온원.
  23. 제12항에 있어서, 상기 이온 인출 기구는 관통된 두 그리드를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온원.
  24. 제12항에 있어서, 상기 이온 인출 기구는 관통된 한 그리드를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온원.
  25. 박막 형성 장치로서, 플라즈마를 발생하기 위해 가스가 도입되는 플라즈마 발생실, 상기 플라즈마 발생실은 상기 플라즈마가 마이크로파 전자 사이클로트론 공명 방전에 의해 발생되는 방법으로 구성됨, 상기 플라즈마 발생실에 연결되어 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입창, 상기 플라즈마 발생실의 한단에 배치된 이온 인출기구, 상기 플라즈마 발생실의 내측의 양단부에 배치되며 스퍼터되는 물질로 제조된 제1 및 제2타겟, 상기 제1 및 제2타겟중 적어도 하나는 관형임, 상기 플라즈마 발생실의 전압에 대해 부전압인 전압을 상기 제1 및 제2타겟에 인가하기 위한 적어도 하나이상의 전원, 상기 제1 및 제2타겟중 하나로 부터 출발하여 다른 타겟내로 진입하는 자계 및 자속을 발생하기 위한 자계 발생 수단 및, 상기 플라즈마 발생실에 연결되며 이 발생실내에 설치된 기판 홀더를 갖는 시료실을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  26. 플라즈마 발생 장치로서, 플라즈마를 발생하기 위해 가스가 도입되는 플라즈마 발생실, 상기 플라즈마 발생실은 상기 플라즈마가 마이크로파 전자 사이클로트론 공명 방전에 의해 발생되는 방법으로 구성됨, 마이크로파를 상기 플라즈마 발생실내로 도입하기 위한 마이크로파 도입창, 상기 플라즈마 발생실의 내측의 양단부에 배치되며 스퍼터된 물질은 제조된 제1 및 제2타겟, 제1및 제2타겟중 적어도하나는 관형임, 상기 플라즈마 발생실의 전압에 대해 부전압인 전압을 제1 및 제2타겟에 인가하기 위한 적어도 하나 이상의 전원, 상기 제1 및 제2타겟중 하나로 부터 출발하여 다른 타겟내로 진입하는 자속 및 자계를 발생하기 위한 자계 발생 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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