JP3585512B2 - マイクロ波プラズマ発生装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、例えば種々の装置のイオン源等として用いられているマイクロ波プラズマ発生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、マイクロ波プラズマ発生装置は、核融合のための中性粒子入射加熱装置のイオン源や、半導体装置の製造に使用されるプラズマドライエッチング装置、及びプラズマ気相成長装置等のイオン源に用いられている。そして数百W以上の大電力のマイクロ波を放電容器内に導入してプラズマを生成する装置では、導波管が用いられている。
【0003】
以下、マイクロ波プラズマ発生装置の1つであるイオン源の従来例を図4及び図5を参照して説明する。図4は第1の例の概略構成を示す断面図であり、図5は図4の要部を拡大して示す断面図であり、図6は他の例の要部を拡大して示す断面図である。
【0004】
図4及び図5において、1は放電容器であり、この放電容器1の上板2に形成されたマイクロ波導入口3には、図示しないマイクロ波発生部から放電容器1内にマイクロ波を、途中真空窓4を透過させて導入する導波管5の片端部が取着されている。6は放電容器1の外面に配設された永久磁石で、放電容器1内に磁場を形成する。なお、7は模式的に示す磁力線である。
【0005】
また、放電容器1には、内部に図示しないガス導入口から所定のガスが導入されるようになっており、さらに開口した下端面に複数の引出電極を有し放電容器1から外部にイオンビームを引き出す電極部8が間に絶縁材9を設けて取り付けられている。なお電極部8の各引出電極には、放電容器1の内部に生成されたプラズマからイオンビームを引き出すために、それぞれ所定の電圧が印加される。
【0006】
このように構成されたものでは、放電容器1の内部が減圧され、その内部にガス導入口から所定のガスが導入され、さらに導波管5を伝搬し真空窓4を透過したマイクロ波がマイクロ波導入口3から導入され、永久磁石6による磁場との相互作用でマイクロ波放電が生起されてプラズマが生成される。そして、電極部8の各引出電極に所定の電圧がそれぞれ印加されることによって外部にイオンビームが引き出される。
【0007】
このとき、プラズマが生成されている放電容器1の内壁面近傍では、先ずプラズマ中の速度を大幅に異にする電子とイオンのうち、速度の速い電子がイオンよりも多く放電容器1の内壁に流入する。これによりプラズマはイオンが多く取り残されて、その空間電位が高くなっていく。
【0008】
そして、プラズマの空間電位が高くなることにより放電容器1内壁への電子の流入が抑制され、この電子の流れと電位勾配が釣り合ったところで電位分布が確定し、プラズマと放電容器1の内壁との間にイオンシースが形成される。なお、10はプラズマの電気的中和が保たれたイオンシースの始まりの位置を模式的に示しており、通常は放電容器1の内壁面から数mm程度の位置に形成される。
【0009】
一方、導波管5は放電容器1に取着されているので同じ電位となっており、マイクロ波導入口3の近傍領域のプラズマはマイクロ波導入口3から導波管5の内部に入り込むようにして存在する。そして、この領域でのイオンシースは図5に示すようになっていて、導波管5の片端部内に入り込んだものとなっている。
【0010】
また、導波管5の内部は永久磁石6によって磁場が形成されるものではなく、磁場が形成されたとしても弱く、このため無磁場域となっているか、あるいは弱い磁場域となっている。このような無磁場域や弱い磁場域に存在するプラズマに対してマイクロ波が入射した場合には、そのプラズマ表面近傍でマイクロ波の一部が反射されてしまう。
【0011】
さらに導波管5の内部のプラズマの密度が増大すると、マイクロ波は全反射されカットオフ現象を起こして放電容器1の内部にマイクロ波が導入されなくなってしまう。因みにマイクロ波放電によく用いられる2.45GHzの周波数のマイクロ波で、カットオフ現象を起こすプラズマのカットオフ密度は7×1010cm−3程度である。
【0012】
このように放電容器1内に生成したプラズマが導波管5の内部に存在してマイクロ波の反射やカットオフ現象を起こすため、マイクロ波の放電容器1の内部への導入が効率よく行えず、また高いプラズマ密度とすることができない。また生成されるプラズマの密度がカットオフ密度になると、マイクロ波が全反射し導入が制限されて高いプラズマ密度とすることができず、導入パワーの大きさにも限度があることから高密度プラズマや大面積プラズマの生成は困難であった。
【0013】
そこで、図6を要部の拡大した断面図とする他の例のごとく、プラズマが導波管5aの内部に入り込まないように、放電容器1aの内壁面に形成されたマイクロ波導入口3に直接真空窓4aを設けることが行われている。しかし、このような構成のものでは、真空窓4aが放電容器1a内に生成されたプラズマに直接晒され、プラズマの熱により破損してしまい易く、導入できるマイクロ波のパワーが制限され、また真空窓4aの交換を頻繁に行う必要があり手間が掛かるものである。
【0014】
このため、マイクロ波プラズマ装置の1つであるイオン源では放電容器1,1a内のプラズマの密度が高いものとすることができず、電極部8を介して外部に引き出せるイオンビームの密度を高くすることができなかった。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように放電容器内に導入する導波管の内部にプラズマが存在することにより、マイクロ波が反射され遮断されて効率よく導入できず、プラズマ密度を高いものとすることができない。さらに真空窓を放電容器の内壁に直接設けて導波管内にプラズマが存在しないようにした場合には、プラズマの熱により真空窓が破損してしまうのでマイクロ波の導入パワーの大きさが制限され、高い密度のプラズマを得ることができない。
【0016】
このような状況に鑑みて本発明はなされたもので、その目的とするところはマイクロ波が効率よく導入でき、高密度プラズマや大面積プラズマが生成できるマイクロ波プラズマ装置を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明のマイクロ波プラズマ装置は、減圧された内部に所定のガスが導入されてプラズマが形成される放電容器と、この放電容器のマイクロ波導入口に片端部が取着され該放電容器内にマイクロ波を導入する導波管と、この導波管中間部のマイクロ波導入口から直視できない位置にマイクロ波の伝送路に交差するよう装着された真空窓と、放電容器内部に磁場を形成する磁場形成手段とを備え、放電容器内で形成されたプラズマからのイオンビームを真空窓とは逆の方向に導くようにしたマイクロ波プラズマ発生装置において、
導波管には、放電容器に対し絶縁部材を間に設けて電気絶縁し、異なる電位が与えられていることを特徴とするものであり、
さらに、導波管には、放電容器に対し正の電位が与えられていることを特徴とするものである。
【0018】
【作用】
上記のように構成されたマイクロ波プラズマ装置は、マイクロ波を導入する導波管が放電容器に対し電気絶縁されており、また導波管には放電容器に対し異なる電位が与えられているものであるので、導波管内にプラズマが形成されるのが抑制され、放電容器内へのマイクロ波の導入に際してマイクロ波が反射されたり、導入が遮断されてしまったりすることがなくなる。このため導波管を介して放電容器内にマイクロ波が効率よく導入でき、高密度プラズマや大面積プラズマが生成できる。
【0019】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。なお、実施例として示すものは何れもマイクロ波プラズマ発生装置の1つであるイオン源である。
【0020】
先ず、第1の実施例を図1及び図2により説明する。図1は概略構成を示す断面図であり、図2は図1の要部を拡大して示す断面図である。
図1及び図2において、放電容器11は、その下端外周にフランジ12を備えた下開口13を有し、上端外周にフランジ14を備えた上開口15を有して形成された直径15cm、軸方向長さ15cmの略円筒状のものである。そして、上開口15はフランジ14の上面にアルミナセラミック等でなる絶縁部材16を介して上板17が気密に取着されて閉塞され、これによって放電容器11と上板17とは電気的に絶縁されている。なお、放電容器11は、その内部が図示しない排気装置によって、例えば0.1Pa台に減圧され、その所定の圧力が維持されるようになっている。
【0021】
さらに放電容器11には、その内部にプラズマを形成する所定のガス、例えば水素あるいは重水素ガスをガス源から導入する図示しないガス導入口が設けられている。
【0022】
また、上板17は中央部分にマイクロ波導入口18が形成されており、このマイクロ波導入口18には導波管19が、その片端部20を放電容器11内に開口するように取着され、一方、導波管19の他端部は、例えば2.45GHzのマイクロ波を発生する図示しないマイクロ波発生源に接続されている。そしてマイクロ波発生源からのマイクロ波は、導波管19内を伝搬し、マイクロ波導入口18を通過して放電容器11内に導入される。
【0023】
さらに、導波管19は、中間部の片端部側にマイクロ波の伝送路を略直角に曲げる屈曲部21が設けられ、この屈曲部21より他端部側のマイクロ波導入口18から直視できない位置に、マイクロ波に対して透明な材料、例えばアルミナセラミック等でなる真空窓22が装着されている。そして真空窓22は、その主面が導波管19のマイクロ波の伝送路に交差するように装着され、これにより導波管19は片端部20側と他端部側とが気密に分断される。
【0024】
また放電容器11に対し絶縁部材16によって電気的に絶縁されている導波管19は、0V〜80Vに可変の電源23に開閉器24を介して接続され、開閉器24を閉じることによって放電容器11に対し正の電位が加えられるようになっている。
【0025】
またさらに、上板17には下面側周縁部に沿って環状に突起部25が突出しており、放電容器11の上開口15を上板17で閉塞した時、突起部25と放電容器11の上端内縁部に沿って設けられた環状の突堤部26とが所定寸法の屈曲隙間27を形成するようにして組み合わされ、マイクロ波に対するチョークを形成すると共に絶縁部材16が放電容器11内に生成されるプラズマに晒されないようになっている。
【0026】
一方、放電容器11の下開口13は、フランジ12との間に絶縁リング28を介在させるようにして電極部29の内側引出電極30が取着されて閉塞されている。電極部29は、放電容器11に面した内側引出電極30の他に複数の引出電極31と、各電極30,31間に設けられた絶縁リング32を有して構成されている。なお各電極30,31には、放電容器11の軸方向をイオン引出方向とするようにしてイオン引出しを行なう貫通孔33が中央部分に多数対応して形成されている。
【0027】
そして電極部29の内側引出電極30と複数の各引出電極31は、電源34の対応する端子に接続されていて、放電容器11の内部に生成されたプラズマからイオンビームを引き出すことができるよう、放電容器11に対しそれぞれ所定の電圧が印加される。
【0028】
また一方、放電容器11の筒状部の外壁面には、磁場形成手段であるSmCoでなる円環状の2個の永久磁石35,36が、一つは上板17で閉塞された上端のフランジ14近傍に、他は下端のフランジ12近傍に、夫々環状面を水平にするようにして軸方向上下に約9.2cmの間隔をおいて配設されている。これら一対の永久磁石35,36は半径方向の相反する向きに着磁されており、上方側の永久磁石35は内径側がN極で外径側がS極に、下方側の永久磁石36は内径側がS極で外径側がN極になっている。このため、永久磁石35,36により放電容器11内には磁力線37が大きく放電容器11内の中心軸方向に張り出すように形成される。
【0029】
このように構成されたものでは、放電容器11の内部が図示しない排気装置によって0.1Pa台の所定の圧力となるように減圧され、この状態が維持されながら、図示しないガス導入口からプラズマを形成するガスの水素ガスまたは重水素がガス源から導入される。そして所定のガス雰囲気にした後、図示しないマイクロ波発生源から導波管19内を、途中真空窓22を透過して伝搬してきた2.45GHzのマイクロ波が、放電容器11内にマイクロ波導入口18を通じて導入される。
【0030】
これによりマイクロ波電界により電子を高エネルギに加速し、放電容器11内に放電プラズマが生成される。そして励起した水素分子からH−が生成され、生成されたH−は、所定電圧が印加されている電極部29の各電極30,31によって所定のエネルギとなるように貫通孔33を通過しながら加速されて外部にH−ビームとして引き出される。
【0031】
このとき、上述した通り導波管19の片端部20の内部は、真空窓22までがマイクロ波導入口18を介して放電容器11内と同じガス雰囲気となっており、またマイクロ波導入口18の近傍領域では導波管19及び上板17が放電容器11に対して電気絶縁された状態にあり、開閉器24を閉じることで正の電位が加えられている。そして、導波管19及び上板17が正の電位となった状態となっていて、プラズマと放電容器11の内壁、上板17の下面及び導波管19との間に形成されるイオンシースは、プラズマの電気的中和が保たれた境界位置38が図2に示すように、上板17の下面に対しては放電容器11の内壁よりも離れた位置にあり、またマイクロ波導入口18では導波管19の片端部20内に入り込んだ形のものとなってはいない。
【0032】
このようにプラズマは導波管19内の無磁場域や弱い磁場域に形成されていず、強い磁場が形成された放電容器11内に閉じ込められた状態にあるので、導波管19からは、マイクロ波が反射により減衰されてしまったり、カットオフされることなく放電容器11内に効率よく導入され、形成されるプラズマの密度を高いものとすることができる。同時に反射による減衰がないため、プラズマの密度を高く維持しようとして投入するマイクロ波の電力を余分に大きくしなければならない等の問題がなくなる。
【0033】
また、真空窓22が放電容器11内に面するようにマイクロ波導入口18に取り付けられているものではないため、放電容器11内に形成されたプラズマの熱に直接晒されて破損してしまうようなことがなく、導入できるマイクロ波のパワーも大きくでき、さらに真空窓22の交換を頻繁に行う必要がなくなって手間が掛からなくなる。
【0034】
この結果、放電容器11内に高密度プラズマや大面積プラズマの生成を行うことができ、電極部29を介して外部に引き出せるH−ビームの電流も大きいものとすることができる。
【0035】
また上記のように構成されたもので、例えば水素をプラズマを形成するガスとして放電容器11の内部圧力を0.16Paとし、電極部29の内側引出電極30に+40Vの電圧を掛け、さらに導波管19に正の電位を与えるようにした状態で1.1kWの2.45GHzのマイクロ波を放電容器11内に導入してプラズマを生成したところ、導入に際しての反射はほとんど0で、導波管19の正の電位が大きくなるにしたがってプラズマ密度が高くなった。そして、導波管19の正の電位が30Vのときプラズマ密度は最高となって1011〜1012cm−3台の値となり、さらに電位を高くしていった場合にはプラズマ密度は若干減少するものとなった。これに対し導波管が放電容器と等電位である以外は上記と同じ条件の場合の従来の装置においては、マイクロ波の導入に際しての反射は570Wもあり、プラズマ密度は1010cm−3台程度である。
【0036】
なお、上記では導波管19に放電容器11に対し正の電位が加えられた状態のものについて説明したが、逆に導波管19に放電容器11に対し負の電位が加えられるようにしても同様の効果が得られるものである。さらに開閉器24を開いた状態にし、単に導波管19が放電容器11に対し電気絶縁された状態にした場合においても導波管19と放電容器11とは異なる電位を有するものとなり、放電容器11内のプラズマ密度を高くすることができる。
【0037】
次に、第2の実施例を図3により説明する。図3は概略構成を示す断面図である。
図3において、放電容器41は、その下端外周にフランジ12を備えた下開口13を有し、上端部が上板42で閉塞された直径15cm、軸方向長さ15cmの略円筒状のものである。そして放電容器41は、その内部が図示しない排気装置によって、例えば0.1Pa台に減圧され、その所定の圧力が維持されるようになっており、さらに、その内部にプラズマを形成する所定のガス、例えば水素あるいは重水素ガスをガス源から導入できるよう図示しないガス導入口が設けられている。
【0038】
また、放電容器41の上端側を閉塞する上板42には、その中央部分にマイクロ波導入口43が形成されている。そして上板42の上面には、マイクロ波導入口43に連通するように導波管44が取着されている。この導波管44の上板42への取着は、導波管44の片端部45に設けられたフランジ46と上板42の上面との間にアルミナセラミック等でなる絶縁部材47を介して行われており、これによって放電容器41と導波管44とは気密に取着され、電気的に絶縁された状態になっている。
【0039】
また導波管44は、他端部が図示しない、例えば2.45GHzのマイクロ波発生源に接続されており、真空窓22が装着され屈曲部21が設けられた中間部を通じてマイクロ波を伝搬し、放電容器41内に導入する。
【0040】
さらに導波管44は、0V〜80Vに可変の電源23に開閉器24を介して接続され、開閉器24を閉じることによって放電容器41に対し正の電位が加えられるようになっている。
【0041】
このように構成されたものでは、第1の実施例と同様に放電容器41の内部が0.1Pa台に減圧され、プラズマ形成ガスの水素ガスまたは重水素が導入された後、導波管44を介して2.45GHzのマイクロ波が放電容器41内に導入される。そして放電容器41内に放電プラズが生成され、この放電プラズマはプラズマ閉じ込め領域に閉じ込められる。このプラズマの励起した水素分子からH−が生成され、生成されたH−は電極部29の各電極30,31によって加速されて外部にH−ビームとして引き出される。
【0042】
このとき導波管44の片端部45内は、放電容器41内と同じガス雰囲気となっており、またマイクロ波導入口18の近傍領域では導波管44が放電容器41に対して正の電位が加えられている。そして、プラズマと放電容器41の内壁及び導波管44との間に形成されるイオンシースは、マイクロ波導入口43の近傍領域では導波管44の片端部45内に入り込んだ形のものとなってはいない。
【0043】
このため、本実施例においても第1の実施例と同様の作用・効果が得られることになる。
【0044】
尚、本発明は上記の各実施例のみに限定されるものではなく、イオン源の他にマイクロ波プラズマを用いた半導体製造装置や化学処理装置などのマイクロ波プラズマ発生装置に適用されるもので、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るものである。
【0045】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように本発明は、マイクロ波を導入する導波管が放電容器に対し電気絶縁された構成であり、また導波管には放電容器に対し異なる電位が与えられている構成としたことにより、マイクロ波が効率よく導入でき、高密度プラズマや大面積プラズマが生成できる等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の概略構成を示す断面図である。
【図2】図1の要部を拡大して示す断面図である。
【図3】本発明の第2の実施例の概略構成を示す断面図である。
【図4】従来の第1の例の概略構成を示す断面図である。
【図5】図4の要部を拡大して示す断面図である。
【図6】従来の他の例の要部を拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
11…放電容器
16…絶縁部材
18…マイクロ波導入口
19…導波管
23…電源
35,36…永久磁石
Claims (2)
- 減圧された内部に所定のガスが導入されてプラズマが形成される放電容器と、この放電容器のマイクロ波導入口に片端部が取着され該放電容器内にマイクロ波を導入する導波管と、この導波管中間部の前記マイクロ波導入口から直視できない位置にマイクロ波の伝送路に交差するよう装着された真空窓と、前記放電容器内部に磁場を形成する磁場形成手段とを備え、前記放電容器内で形成されたプラズマからのイオンビームを前記真空窓とは逆の方向に導くようにしたマイクロ波プラズマ発生装置において、前記導波管には、前記放電容器に対し絶縁部材を間に設けて電気絶縁し、異なる電位が与えられていることを特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。
- 導波管には、放電容器に対し正の電位が与えられていることを特徴とする請求項1記載のマイクロ波プラズマ発生装置。
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