JPS617542A - マイクロ波イオン源 - Google Patents

マイクロ波イオン源

Info

Publication number
JPS617542A
JPS617542A JP59127440A JP12744084A JPS617542A JP S617542 A JPS617542 A JP S617542A JP 59127440 A JP59127440 A JP 59127440A JP 12744084 A JP12744084 A JP 12744084A JP S617542 A JPS617542 A JP S617542A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
lines
magnetic force
microwave
ion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59127440A
Other languages
English (en)
Inventor
Kuniyuki Sakumichi
訓之 作道
Katsumi Tokikuchi
克己 登木口
Hidemi Koike
英巳 小池
Osami Okada
岡田　修身
Toru Ishitani
亨 石谷
Ichiro Shikamata
鹿又　一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59127440A priority Critical patent/JPS617542A/ja
Publication of JPS617542A publication Critical patent/JPS617542A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/16—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation
    • H01J27/18—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation with an applied axial magnetic field

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はイオン打込機用マイクロ波イオン源に係り、特
にプラズマを効率良く発生させ、高密度にすることによ
り、大電流を引出せるマイクロ波イオン源に関する。
〔発明の背景〕
従来の装置は、特公昭５７−１１０９３号公報に記載の
ようにソレノイド゛コイルによって発生する軸対称磁場
を使っている。しかしイオン打込み機用としてはスリッ
ト状の引出し電極を使うため、発生したプラズマ断面の
一部を使うことになり、効率が悪かった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は上記欠点をなくし□、口径の大きいプラ
ズマチャンバで発生させたプラズマの断面を変換するこ
とにより、スリット状の引出し口から効率良くビームを
引出せるマイクロ波イオン源を提供することにある。
〔発明め概要〕
第１図は従来のマイクロ波イオン源を使ったイオン打込
装置を示す。マイクロ波発生器１で発生したマイクロ波
は矩形導波管２を通り、チョークフランジ３を通り、ま
たリッジ導波管を通って放電室６へ導入される。５は真
空封じ用誘電体である。７は放電電極で、これにより放
電箱９番主断面がイオン引出し電極系１０と引出しスリ
ットに近い形状の矩形になっている。この空間にはコイ
ル１１により磁場がかけられており、この磁場中のマイ
クロ波放電により、放電箱中のガス分子がイオン化され
プラズマを発する。このプラズマから電極系１０を通し
て短冊状のイオンビームが引出され質量分離器１３によ
り質量分散されたビームはスリット１５により特定のイ
オン種のみが選択されて打込み室１４中のドラム８にマ
ウントされたウェーハ１６に打込まれる。１２は真空排
気系である。従来ははじめから断面が矩形になる空間で
プラズマを発生させた。しかし効率良くプラズマ発生さ
せるには円形などの別の断面形状にする方が有効である
。またプラズマは磁力線に沿って動くので、第２図に示
すように磁力線１７をプラズマ発生部１８からイオン引
出し部１９まで非対線にまげることによりプラズマ断面
を変換し、高密度でかつ矩形断面にすることができる。
〔発明の実施例〕 本発明の実施例の一つを第３図に示す。２ｏはマイクロ
波放電によりプラズマを発生させるための磁場発生用コ
イルで、２１は磁力線を非対称にまげるための四重極磁
場を発生するためのコイルである。矢印はそれぞれのコ
イルで発生する磁力線の方向を示す。これらの合成によ
り第２図のような磁力線を作ることができる。これによ
りプラズマ発生部でのプラズマ断面形状２２はイオン引
出し部では７のようになる。
第４図は本発明の別の実施例を示すものは、非対称磁場
発生用コイル２４とコイル１９により、第２図のごとき
磁場を発生できる。これにより、プラズマ発生部での断
面が２２′であったものがイオン引出し部では、２３′
のようになる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、プラズマの発生を断面の大きな場所で
効率良く行ったあと、イオンを失うことなくその断面形
状を引出し孔形状に近い形に変換できるので、実質的に
引出し孔付近のプラズマ密度を上げることができ、大電
源のイオンビームを引出せる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のマイクロ波イオン源を装備したイオン打
込装置を示す図、第２ＷＩは本発明の詳細な説明する図
、第３図は四重極磁界を用いた本発明の実施例を示す図
、第４図は別の実施例を示す図である。 １・・・マイクロ波発生器、２・・・矩形導波管、３・
・・チョークフランジ、４・・・リッジ導波管、６・・
・放電室。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、マイクロ波発生器、マイクロ波伝送路、直流磁場を
    発生するための電磁石、プラズマを発生するための放電
    箱およびこのプラズマからイオンをビームとして引出す
    ためのレンズ系からなるマイクロ波イオン源において、
    プラズマ発生部からイオン引出し部へ向う磁力線を軸に
    対して非対称に変形させたことを特徴するマイクロ波イ
    オン源。 ２、特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波イオン源に
    おいて軸対称のコイルと非軸対称のコイルを組合せたこ
    とを特徴とするマイクロ波イオン源。
JP59127440A 1984-06-22 1984-06-22 マイクロ波イオン源 Pending JPS617542A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59127440A JPS617542A (ja) 1984-06-22 1984-06-22 マイクロ波イオン源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59127440A JPS617542A (ja) 1984-06-22 1984-06-22 マイクロ波イオン源

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS617542A true JPS617542A (ja) 1986-01-14

Family

ID=14959995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59127440A Pending JPS617542A (ja) 1984-06-22 1984-06-22 マイクロ波イオン源

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS617542A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63126197A (ja) * 1986-11-17 1988-05-30 日本電信電話株式会社 マイクロ波励起によるプラズマ生成源
JPS63126198A (ja) * 1986-11-17 1988-05-30 日本電信電話株式会社 マイクロ波励起によるプラズマ生成源

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63126197A (ja) * 1986-11-17 1988-05-30 日本電信電話株式会社 マイクロ波励起によるプラズマ生成源
JPS63126198A (ja) * 1986-11-17 1988-05-30 日本電信電話株式会社 マイクロ波励起によるプラズマ生成源

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940010844B1 (ko) 이온 원(源)
US5133825A (en) Plasma generating apparatus
US20040104683A1 (en) Negative ion source with external RF antenna
US5266146A (en) Microwave-powered plasma-generating apparatus and method
JPS62235485A (ja) イオン源装置
JP3284886B2 (ja) イオン源及びイオン注入装置
JPS617542A (ja) マイクロ波イオン源
US5545257A (en) Magnetic filter apparatus and method for generating cold plasma in semicoductor processing
JP2713692B2 (ja) イオン打込み装置
JPH0619961B2 (ja) マイクロ波イオン源
JP3585512B2 (ja) マイクロ波プラズマ発生装置
JP2838738B2 (ja) 電子サイクロトロン共振イオン源
JP3341497B2 (ja) 高周波型荷電粒子加速器
JP2671733B2 (ja) Ｅｃｒ型イオン源
JPS62108428A (ja) イオン源
JPH06140196A (ja) パルス引出型の電子サイクロトロン共振イオン源
JP2834147B2 (ja) 荷電粒子ビームの形成方法
EP0095879B1 (en) Apparatus and method for working surfaces with a low energy high intensity ion beam
JP3543356B2 (ja) イオンビーム発生装置
JPH10283976A (ja) イオン注入装置
JP3265987B2 (ja) イオン照射装置
JPH02168541A (ja) 電子ビーム励起イオン源
JPS6364247A (ja) プラズマ装置
JPH09288981A (ja) イオンビーム引き出し方法
JPH07326495A (ja) マイクロ波プラズマ発生装置