JP7245661B2

JP7245661B2 - ターゲットおよび成膜装置並びに成膜対象物の製造方法

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Description

本発明は、ターゲットおよび成膜装置並びに成膜対象物の製造技術に関し、例えば、プラズマを利用して成膜対象物に膜を形成する技術に関する。

特開昭５９－４７７２８号公報（特許文献１）には、電子サイクロトロン共鳴現象（Electron Cyclotron Resonance：ＥＣＲ）を利用して発生させたプラズマに含まれるイオンをターゲット部材に衝突させることにより、ターゲット部材から飛び出してきたターゲット粒子を成膜対象物に被着させて、成膜対象物に膜を形成する技術が記載されている。

特開昭５９－４７７２８号公報

スパッタリング技術では、プラズマに含まれるイオンをターゲット部材に衝突させて、ターゲット部材から飛び出してきたターゲット粒子を成膜対象物に被着させることにより、成膜対象物に膜を形成する。したがって、成膜対象物に膜を形成する工程を繰り返して実施すると、ターゲット部材が消耗する。特に、ターゲット部材は、ボンディング材を介して支持部材に固定されていることから、ターゲット部材が消耗してボンディング材や支持部材が露出すると、ボンディング材や支持部材にイオンが衝突して、ボンディング材や支持部材を構成する粒子が飛び出してくることになり、この粒子が成膜対象物に付着することになる。このことは、成膜対象物に形成される膜中に不純物が導入されることを意味する。したがって、ターゲット部材が消耗してボンディング材や支持部材が露出する前にターゲット部材を交換する必要がある。この点に関し、ターゲット部材の交換頻度が高くなると、成膜装置のランニングコストが上昇する。このことから、ランニングコストを抑制する観点から、できるだけターゲット部材の長寿命化を図ることが望まれている。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態におけるターゲットは、筒形状をしたターゲット部材と、ターゲット部材を支持する支持部材とを備える。この支持部材は、接着部材を介してターゲット部材と接する壁部を有する。そして、壁部は、第１厚さで形成された第１部位と、第１厚さよりも厚い第２厚さで形成された第２部位と、第１厚さで形成された第３部位とを有し、第２部位は、第１部位と第３部位で挟まれている。ここで、第１部位と第３部位は、筒形状の中心線と直交し、かつ、ターゲット部材を２等分割する仮想面に対して対称配置される。

一実施の形態における成膜装置は、成膜対象物を保持する保持部と、プラズマを生成するプラズマ生成部と、保持部とプラズマ生成部との間に設けられたターゲットと、ターゲットを固定する固定部とを備える。このとき、固定部は、本体部と、ターゲットを押さえる押さえ部とを含む。そして、成膜装置は、ターゲットの第１部位とターゲットの第２部位と固定部の押さえ部とに接触する第１封止部材と、ターゲットの第２部位とターゲットの第３部位と固定部の本体部とに接触する第２封止部材と、固定部の本体部と固定部の押さえ部とに接触する第３封止部材とを有する。

一実施の形態における成膜対象物の製造方法は、第１成膜対象物を保持する保持部とプラズマを生成するプラズマ生成部との間に設けられ、かつ、固定部によって固定された筒形状のターゲットを使用して、第１成膜対象物に膜を形成する工程（（ａ）工程）と、（ａ）工程の後、保持部から第１成膜対象物を取り外す工程（（ｂ）工程）とを備える。次に、一実施の形態における成膜対象物の製造方法は、（ｂ）工程の後、ターゲットを固定部から取り外す工程（（ｃ）工程）と、（ｃ）工程の後、ターゲットを反転させて、固定部にターゲットを取り付ける工程（（ｄ）工程）とを備える。続いて、一実施の形態における成膜対象物の製造方法は、（ｄ）工程の後、第２成膜対象物を保持部で保持する工程（（ｅ）工程）と、（ｅ）工程の後、ターゲットを使用して、第２成膜対象物に膜を形成する工程（（ｆ）工程）とを備える。

一実施の形態によれば、ターゲット部材の長寿命化を図ることができる。この結果、一実施の形態によれば、成膜装置のランニングコストを低減することができる。

成膜装置の模式的な構成を示す図である。成膜動作の流れを説明するフローチャートである。成膜装置で使用されるターゲットの外観構成を示す模式図である。円盤形状のターゲットを使用する場合、成膜対象物にダメージを与えやすくなることを模式的に説明する図である。円筒形状のターゲットを使用する場合、成膜対象物に与えるダメージを低減できることを説明する図である。関連技術におけるターゲットの模式的な構成を示す断面図である。関連技術におけるターゲットを成膜装置の固定部に取り付けた状態を模式的に示す図である。図７に示す一部領域を拡大して示す図である。関連技術におけるターゲットでのターゲット部材の消費状態を模式的に示す図である。実施の形態におけるターゲットの模式的な構成を示す図である。（ａ）～（ｃ）は、実施の形態における基本思想を説明する図である。実施の形態におけるターゲットを成膜装置の固定部に取り付けた状態を模式的に示す図である。図１２に示す一部領域を拡大して示す図である。変形例におけるターゲットの構造を模式的に示す図である。成膜対象物の製造方法の流れを説明するためのフローチャートである。実施の形態における成膜対象物の製造工程を示す図である。図１６に続く成膜対象物の製造工程を示す図である。図１７に続く成膜対象物の製造工程を示す図である。図１８に続く成膜対象物の製造工程を示す図である。図１９に続く成膜対象物の製造工程を示す図である。図２０に続く成膜対象物の製造工程を示す図である。図２１に続く成膜対象物の製造工程を示す図である。

実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。

＜成膜装置の構成＞
図１は、成膜装置の模式的な構成を示す図である。

図１において、成膜装置１は、成膜室であるチャンバ１０を有する。このチャンバ１０には、保持部１１が配置されており、この保持部１１によって、例えば、基板に代表される成膜対象物ＳＵＢが保持されている。保持部１１は、チャンバ１０に近接配置された機構部１２と接続されており、機構部１２によって動作可能に構成されている。このチャンバ１０には、ガス導入口１０ａとガス排気口１０ｂとが設けられている。

次に、チャンバ１０には、保持部１１に保持された成膜対象物ＳＵＢと対向する位置にプラズマ生成部１３が設けられている。このプラズマ生成部１３は、プラズマを生成するように構成されており、プラズマ生成部１３の周囲には、例えば、コイルから構成される磁場発生部１４が配置されている。また、プラズマ生成部１３には、導波管１５が接続されており、導波管１５を伝搬するマイクロ波がプラズマ生成部１３に導入されるようになっている。さらに、保持部１１とプラズマ生成部１３の間であって、プラズマ生成部１３に近接する位置に、例えば、円筒形状からなるターゲットＴＡが配置されており、このターゲットＴＡは、高周波電源１６と電気的に接続されている。これにより、ターゲットＴＡは、高周波電源１６からの高周波電圧が印加されるように構成されている。このターゲットＴＡは、固定部１７によって固定されている。

以上のようにして、成膜装置１が構成されている。

＜成膜装置における成膜動作＞
続いて、成膜装置１における成膜動作について説明する。

図２は、成膜動作の流れを説明するフローチャートである。

まず、図１において、プラズマ生成部１３には、例えば、アルゴンガスに代表されるガスが導入されている。そして、プラズマ生成部１３の周囲に配置されている磁場発生部１４から磁場を発生させると、プラズマ生成部１３に導入されているガスに含まれる電子がローレンツ力を受けることにより、円運動する。このとき、電子の円運動の周期（あるいは周波数）と同じ周期（あるいは周波数）を有するマイクロ波（電磁波）を導波管１５からプラズマ生成部１３に導入すると、円運動する電子とマイクロ波とが共鳴して、マイクロ波のエネルギーが円運動する電子に効率良く供給される（電子サイクロトロン共鳴現象）（図２のＳ１０１）。この結果、ガスに含まれる電子の運動エネルギーが大きくなって、ガスが、正イオンと電子とに分離する。これにより、正イオンと電子とからなるプラズマが生成される（図２のＳ１０２）。

次に、図１において、高周波電源１６からターゲットＴＡに対して高周波電圧を供給する。この場合、高周波電圧が供給されたターゲットＴＡには、正電位と負電位とが交互に印加されることになる。ここで、プラズマを構成する正イオンと電子のうち、ターゲットＴＡに印加される高周波電圧に追従することができるのは、質量の軽い電子である一方、質量の重い正イオンは、高周波電圧に追従することができない。この結果、追従する電子を引き付ける正電位が電子の有する負電荷によって相殺される一方、負電位が残存するため、高周波電力の平均値は、０Ｖから負電位にシフトする。このことは、ターゲットＴＡに対して高周波電圧が印加されているにも関わらず、あたかも、ターゲットＴＡに負電位が印加されているとみなすことができることを意味している。これにより、正イオンは、平均的に負電位が印加されているとみなされるターゲットＴＡに引き付けられて、ターゲットＴＡに衝突する（図２のＳ１０３）。

続いて、正イオンがターゲットＴＡに衝突すると、ターゲットＴＡを構成するターゲット粒子が正イオンの運動エネルギーの一部を受けとって、ターゲットＴＡからチャンバ１０の内部空間に飛び出す（図２のＳ１０４）。その後、チャンバ１０の内部空間に飛び出したターゲット粒子の一部は、保持部１１で保持されている成膜対象物ＳＵＢの表面に付着する（図２のＳ１０５）。そして、このような現象が繰り返されることによって、成膜対象物ＳＵＢの表面に多数のターゲット粒子が付着する結果、成膜対象物ＳＵＢの表面上に膜が形成される（図２のＳ１０６）。

以上のようにして、成膜装置１における成膜動作が実現される。

例えば、ターゲットＴＡをアルミニウムから構成する場合、ターゲット粒子は、アルミニウム原子となり、成膜対象物ＳＵＢに形成される膜は、アルミニウム膜となる。ただし、図１に示す成膜装置１のチャンバ１０に設けられているガス導入口１０ａから酸素ガスや窒素ガスを導入しながら、上述した成膜動作を実施すると、成膜対象物ＳＵＢの表面には、酸化アルミニウム膜や窒化アルミニウム膜を形成することができる。

同様に、例えば、ターゲットＴＡをシリコンから構成する場合、ターゲット粒子は、シリコン原子となり、成膜対象物ＳＵＢに形成される膜は、シリコン膜となる。ただし、図１に示す成膜装置１のチャンバ１０に設けられているガス導入口１０ａから酸素ガスや窒素ガスを導入しながら、上述した成膜動作を実施すると、成膜対象物ＳＵＢの表面には、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を形成することができる。

＜成膜装置の利点＞
上述した成膜装置１は、電子サイクロトロン共鳴現象（ＥＣＲ）と発散磁場を利用して作られたプラズマ流を成膜対象物ＳＵＢに照射し、同時に、ターゲットＴＡとグランドとの間に高周波電圧を加えることにより、プラズマ中のイオンをターゲットＴＡに衝突させて成膜対象物ＳＵＢに膜を形成する方法である。この成膜方法をＥＣＲスパッタリング法と呼ぶことにすると、このＥＣＲスパッタリング法には、以下に示す利点がある。

例えば、マグネトロンスパッタリング法では、１０^－３Ｔｏｒｒ（１０^－３×１３３．３２Ｐａ）のオーダ以上でないと安定なプラズマを得ることができない。これに対し、ＥＣＲスパッタリング法では、安定なＥＣＲプラズマを１０^－４Ｔｏｒｒ（１０^－４×１３３．３２Ｐａ）のオーダの圧力で得ることができる。また、ＥＣＲスパッタリング法では、高周波電圧により、プラズマ中の粒子（正イオン）をターゲットＴＡに当ててスパッタリングを行なうため、低い圧力で成膜対象物ＳＵＢに膜を形成できる。

ＥＣＲスパッタリング法では、成膜対象物ＳＵＢにＥＣＲプラズマ流とスパッタリングされた粒子が照射される。ＥＣＲプラズマ流のイオンは、１０ｅＶ～数十ｅＶのエネルギーを持っており、低い圧力のため、成膜対象物ＳＵＢに到達するイオンのイオン電流密度も大きくとれる。したがって、ＥＣＲプラズマ流のイオンは、スパッタリングされて成膜対象物ＳＵＢ上に飛来した原料粒子にエネルギーを与えるとともに、原料粒子と酸素との結合反応を促進することになり、ＥＣＲスパッタリング法で成膜対象物ＳＵＢに堆積した膜の膜質が改善される。このようなＥＣＲスパッタリング法では、特に、低い基板温度（成膜対象物ＳＵＢの温度）で、成膜対象物上に高品質の膜を成膜できることが利点である。

以上のことから、成膜装置１は、高品質な膜を形成できる点で優れている。特に、成膜装置１では、成膜対象物ＳＵＢに高温に曝すことなく、成膜対象物の表面に高品質な膜を形成することができる点で非常に優れていると言える。つまり、成膜装置１では、成膜対象物ＳＵＢに与えるダメージを低減しながら、成膜対象物ＳＵＢの表面に高品質な膜を形成できる点で非常に優れていると言える。

＜筒形状のターゲットの利点＞
図３は、成膜装置１で使用されるターゲットＴＡの外観構成を示す模式図である。

図３に示すように、ターゲットＴＡは、円筒形状をしている。具体的に、ターゲットＴＡは、例えば、銅材からなる円筒形状のバッキングチューブ（支持部材）２０を有し、このバッキングチューブ２０の内壁に、図示しないボンディング材（接着材）によって、例えば、アルミニウムからなる円筒形状のターゲット部材２１が接着されている。

このように構成されている円筒形状のターゲットＴＡによれば、一般的に使用されている円盤形状のターゲットを使用する場合に比べて、成膜対象物ＳＵＢに与えるダメージを低減することができる。以下に、この利点について説明する。

図４は、円盤形状のターゲットを使用する場合、成膜対象物にダメージを与えやすくなることを模式的に説明する図である。

図４において、成膜対象物ＳＵＢと対向するように、円盤形状のターゲット１００が配置されている。この円盤形状のターゲット１００は、支持部材３０と、支持部材３０上に配置されたターゲット部材３１とを有している。ここで、例えば、図４に示すように、運動エネルギーを有するアルゴンイオンがターゲット部材３１に衝突することにより、ターゲット部材３１からターゲット粒子５０が飛び出して、成膜対象物ＳＵＢの表面に付着する。これにより、成膜対象物ＳＵＢの表面にターゲット粒子から構成される膜が形成されることになる。ただし、このとき、ターゲット部材３１に衝突したアルゴンイオン４０も反跳されるが、図４に示すように、円盤形状のターゲット１００を使用する場合、円盤形状のターゲット１００と対向する位置に成膜対象物ＳＵＢが配置されている。したがって、図４に示すように、反跳したアルゴンイオン４０も成膜対象物ＳＵＢに衝突しやすくなる。つまり、円盤形状のターゲット１００を使用して、ターゲット１００と対向配置された成膜対象物ＳＵＢの表面上に膜を形成する場合、成膜対象物ＳＵＢの表面には、膜の構成要素となるターゲット粒子５０だけでなく、反跳したアルゴンイオン４０も衝突しやすくなるのである。このことから、円盤形状のターゲット１００を使用して、ターゲット１００と対向配置された成膜対象物ＳＵＢの表面上に膜を形成する構成の成膜装置では、反跳したアルゴンイオンが成膜対象物ＳＵＢに衝突する確率が高くなる結果、反跳したアルゴンイオンに起因して、成膜対象物ＳＵＢにダメージを与えやすくなるのである。

これに対し、図５は、円筒形状のターゲットを使用する場合、成膜対象物に与えるダメージを低減できることを説明する図である。

図５において、成膜対象物ＳＵＢと対向する位置に、円筒形状のターゲットＴＡが配置されている。そして、円筒形状のターゲットＴＡでは、円筒形状のバッキングチューブ２０の内壁に、円筒形状のターゲット部材２１が配置されている。したがって、図５に示すターゲットＴＡにおいては、成膜対象物ＳＵＢに対して、ターゲット部材２１は、対向配置されていないことになる。このとき、図５に示すように、円筒形状のターゲットＴＡにおいても、運動エネルギーを有するアルゴンイオン４０が、ターゲット部材２１に衝突することにより、ターゲット部材２１からターゲット粒子５０が飛び出して、成膜対象物ＳＵＢの表面にターゲット粒子５０が付着する。この結果、円筒形状のターゲットＴＡを使用する場合にも、成膜対象物ＳＵＢの表面上に、ターゲット粒子５０からなる膜を形成することができる。一方、図５に示す円筒形状のターゲットＴＡでは、図４に示す円盤形状のターゲット１００とは異なり、ターゲット部材２１自体が、成膜対象物ＳＵＢと対向配置されていない。このことから、図５に示すように、円筒形状のターゲットＴＡでは、ターゲット部材２１に衝突した後に反跳したアルゴンイオン４０が成膜対象物ＳＵＢに衝突する確率が小さくなる。したがって、円筒形状のターゲットＴＡを使用して成膜対象物ＳＵＢの表面上に膜を形成する構成の成膜装置では、反跳したアルゴンイオンが成膜対象物ＳＵＢに衝突する確率が小さくなる結果、反跳したアルゴンイオンが成膜対象物ＳＵＢに衝突することで、成膜対象物ＳＵＢにダメージを与えることを低減できる。

以上のことから、図５に示す円筒形状のターゲットＴＡによれば、一般的に使用されている円盤形状のターゲット１００（図４参照）を使用する場合に比べて、成膜対象物ＳＵＢに与えるダメージを低減することができるという利点が得られる。

ただし、本発明者が検討したところ、円筒形状のターゲットＴＡを使用する成膜装置では、成膜対象物ＳＵＢに与えるダメージを低減できるという利点がある一方、円筒形状のターゲットＴＡの長寿命化を図る観点から改善の余地が存在することを新規に見出した。

以下では、まず、本発明者が新規に見出した円筒形状のターゲットＴＡに存在する改善の余地について、関連技術を使用して説明する。

＜円筒形状のターゲットに特有の改善の余地＞
図６は、関連技術におけるターゲットＴＡ１の模式的な構成を示す断面図である。

図６において、関連技術におけるターゲットＴＡ１は、略円筒形状をしており、略円筒形状のバッキングチューブ６０と、インジウムからなるボンディング材（図示せず）を介して、バッキングチューブ６０の内壁に接着されたターゲット部材６１とを有している。このとき、図６に示すように、ターゲット部材６１を支持するバッキングチューブ６０は、上下非対称の構造をしていることわかる。したがって、上下非対称のバッキングチューブ６０を含むターゲットＴＡ１も、上下非対称の構造をしていることになる。言い換えれば、関連技術におけるターゲットＴＡ１は、図６に示すように、筒形状の中心線ＣＬと直交し、かつ、ターゲット部材６１を２等分割する仮想面ＶＰに対して非対称の構造をしている。

次に、図７は、関連技術におけるターゲットＴＡ１を成膜装置の固定部ＦＵに取り付けた状態を模式的に示す図である。図７において、関連技術におけるターゲットＴＡ１は、成膜装置に設けられている固定部ＦＵによって固定されていることがわかる。

続いて、図８は、図７に示す領域ＡＲを拡大して示す図である。

図８において、ターゲットＴＡ１の構成要素であるバッキングチューブ６０は、第１厚さの第１部位６０ａと、この第１部位６０ａと接続し、かつ、第１厚さよりも薄い第２厚さの第２部位６０ｂとを有する。さらに、バッキングチューブ６０は、第２部位６０ｂと接続し、かつ、第１厚さよりも薄く第２厚さよりも厚い第３部位６０ｃと、第３部位６０ｃと接続し、かつ、第２厚さよりも薄い第４部位６０ｄとを有する。

一方、図８において、ターゲットＴＡ１を固定する固定部ＦＵは、本体部２００と、本体部２００上に配置される押さえ部２０１とを有する。さらに、関連技術における固定部ＦＵの本体部２００には、冷却水が流れる流路２００ａが形成されている。

このように構成されている関連技術におけるターゲットＴＡ１は、以下に説明するようにして、成膜装置に設けられている固定部ＦＵに固定されている。すなわち、図８に示すように、ターゲットＴＡ１の構成要素であるバッキングチューブ６０と固定部ＦＵとが接続されている。具体的に、図８に示すように、バッキングチューブ６０の第１部位６０ａと第２部位６０ｂとの間に形成される段差部は、Ｏリング３００ａを介して、固定部ＦＵの本体部２００に接続されている。同様に、バッキングチューブ６０の第３部位６０ｃと第４部位６０ｄとの間に形成される段差部は、Ｏリング３００ｂを介して、固定部ＦＵの本体部２００に接続されている。そして、図８に示すように、バッキングチューブ６０の第１部位６０ａの上面は、固定部ＦＵの押さえ部２０１によって押さえ付けられる。

これにより、固定部ＦＵの本体部２００に形成されている流路２００ａは、本体部２００と第１部位６０ａとの間に介在するＯリング３００ａと、本体部２００と第３部位６０ｃとの間に介在するＯリング３００ｂとによって密閉（封止）される。この結果、流路２００ａにターゲットＴＡ１を冷却するための冷却水を流しても、流路２００ａから冷却水が漏洩することを防止することができる。このとき、密閉された流路２００ａは、バッキングチューブ６０の円周方向に沿って形成される。この結果、ターゲットＴＡ１の円周方向に沿って形成された流路２００ａを冷却水が流れることにより、効率良くターゲットＴＡ１全体を冷却することができる。

なお、ターゲットＴＡ１と固定部ＦＵとの間に流路２００ａを設けて、流路２００ａに冷却水を流す理由は、ターゲットＴＡ１を構成するターゲット部材６１には、プラズマ生成部で生成されたアルゴンイオンが衝突するからである。すなわち、ターゲット部材６１にアルゴンイオンが衝突するということは、アルゴンイオンの有する運動エネルギーの一部が熱エネルギーとしてターゲット部材６１に供給されることを意味し、これによって、ターゲット部材６１の温度が上昇することになるからである。そして、ターゲット部材６１の温度が上昇すると、ターゲット部材６１をバッキングチューブ６０に接着しているボンディング材（例えば、インジウム）が溶融してしまうため、ターゲットＴＡ１を冷却水で冷却する必要があるのである。以上のことから、図８に示すように、関連技術におけるターゲットＴＡ１と、流路２００ａが形成された固定部ＦＵとは、Ｏリング３００ａとＯリング３００ｂとによって流路２００ａを密閉するように配置される。

ここで、関連技術におけるターゲットＴＡ１は、図８に示すように、上下非対称な構造をしているが、この上下非対称な構造からターゲットＴＡ１を構成するのは、固定部ＦＵの本体部２００に設けられた流路２００ａを密閉する構造を最も簡単な構成で実現する観点から必然的な構成といえる。なぜなら、押さえ部２０１による上からの圧力で、バッキングチューブ６０と本体部２００とを接続する２箇所の接続部位をＯリング（３００ａ、３００ｂ）で封止する構造が、流路２００ａを密閉するために最も単純な構成であるからである。そして、この最も単純な構成を実現するためには、図８に示すように、Ｏリング３００ａとＯリング３００ｂとを横方向（ｘ方向）にずらして配置しなければならない。すなわち、Ｏリング３００ａとＯリング３００ｂとを横方向（ｘ方向）に一致させて配置すると、押さえ部２０１による上からの圧力で、２つのＯリング（３００ａ、３００ｂ）を一度に封止させる構造を実現するためには、複雑な構造を取らなければならない。

以上のことから、関連技術におけるターゲットＴＡ１は、流路２００ａを密閉するために最も単純な構成を実現する観点から、必然的に上下非対称な構造をしていることになる。このように関連技術におけるターゲットＴＡ１によれば、上下非対称な構造を採用することにより、流路２００ａを密閉するために最も単純な構成を実現できる一方、本発明者の検討によると、上下非対称な構造は、ターゲットＴＡ１の長寿命化を図る観点からは、改善の検討が必要な構成であることを新たに見出した。以下に、この点について説明する。

例えば、図１に示すように、円筒形状のターゲットＴＡは、プラズマ生成部１３と成膜対象物ＳＵＢとの間に配置される。そして、プラズマは、プラズマ生成部１３から保持部１１で保持されている成膜対象物ＳＵＢに向って移動する。このことから、プラズマ密度は、場所によって異なることになる。具体的に、プラズマ生成部１３に近い場所のプラズマ密度は高い一方、プラズマ生成部１３から離れた場所のプラズマ密度は低くなる。

ここで、図１において、円筒形状のターゲットＴＡは、プラズマ生成部１３と成膜対象物ＳＵＢとの間に配置されることから、ターゲットＴＡのプラズマ生成部側のプラズマ密度は、ターゲットＴＡの成膜対象物側のプラズマ密度よりも高くなる。言い換えれば、ターゲットＴＡの成膜対象物側のプラズマ密度は、ターゲットＴＡのプラズマ生成部側のプラズマ密度よりも低くなる。この結果、ターゲットＴＡのプラズマ生成部側でのアルゴンイオンによるスパッタリング現象の頻度は、ターゲットＴＡの成膜対象物側でのアルゴンイオンによるスパッタリング現象の頻度よりも高くなる。なぜなら、プラズマ密度の低い領域よりもプラズマ密度が高い領域のほうがスパッタリング現象を引き起こすアルゴンイオンの量が多いからである。

具体的に、図９は、関連技術におけるターゲットＴＡ１でのターゲット部材６１の消費状態を模式的に示す図である。この図９では、関連技術におけるターゲットＴＡ１の一部分が示されている。図９において、ターゲットＴＡ１の上方には、成膜対象物が配置される一方、ターゲットＴＡ１の下方には、プラズマ生成部が配置される。すなわち、図９において、ターゲットＴＡ１の上方側は、成膜対象物側を示している一方、ターゲットＴＡ１の下方側は、プラズマ生成部側を示している。したがって、図９に示すように、ターゲットＴＡ１のプラズマ生成部側のプラズマ密度は高い一方、ターゲットＴＡ１の成膜対象物側のプラズマ密度は低くなる。この結果、ターゲットＴＡ１のプラズマ生成部側では、ターゲット部材６１の消費は大きくなるのに対し、ターゲットＴＡ１の成膜対象物側では、ターゲット部材６１の消費は小さくなる。したがって、図９に示すように、ターゲットＴＡ１の成膜対象物側において、ターゲット部材６１が充分に残存していても、ターゲットＴＡ１のプラズマ生成部側において、ターゲット部材６１の残存量が少なくなると、関連技術におけるターゲットＴＡ１を交換しなければならなくなる。ここで、関連技術におけるターゲットＴＡ１が上下対称な構造をしていれば、ターゲットＴＡ１の上下を反転させることにより、さらに、ターゲットＴＡ１を使用し続けることできる。この点に関し、上述したように、関連技術におけるターゲットＴＡ１は、上下非対称な構造をしている。このため、例えば、ターゲットＴＡ１のプラズマ生成部側において、ターゲット部材６１の残存量が少なくなった場合に、関連技術におけるターゲットＴＡ１を反転させて使用することができなくなる。このことは、ターゲットＴＡ１の成膜対象物側において、ターゲット部材６１が充分に残存している状態であっても、ターゲットＴＡ１のプラズマ生成部側において、ターゲット部材６１の残存量が少なくなると、ターゲットＴＡ１を交換しなければならないことを意味する。この結果、関連技術では、ターゲットＴＡ１の交換頻度が多くなることになり、これによって、関連技術におけるターゲットＴＡ１を使用する成膜装置のランニングコストが上昇することになる。

このように、関連技術におけるターゲットＴＡ１は、（１）円筒形状をしており、かつ、成膜対象物とプラズマ生成部との間に配置される結果、ターゲットＴＡ１の上方側（成膜対象物側）よりも下方側（プラズマ生成部側）でのプラズマ密度が高くなる点と、（２）上下非対称の構造をしている結果、反転使用ができない点との相乗要因によって、ターゲットＴＡ１の交換頻度が高くなる。これにより、関連技術では、成膜装置のランニングコストが上昇することになるのである。すなわち、関連技術では、ターゲットＴＡ１の長寿命化を図ることを通じて、成膜装置のランニングコストを低減する観点から改善の余地が存在する。そこで、本実施の形態では、ターゲットの長寿命化を図る工夫を施すことにより、成膜装置のランニングコストを低減している。以下では、ターゲットの長寿命化を図る工夫を施した本実施の形態における技術的思想について説明する。

＜実施の形態における基本思想（特徴）＞
本実施の形態における基本思想は、ターゲットの構造を対称構造にすることにより、反転可能な構成を実現する思想である。この基本思想によれば、プラズマ密度が高いプラズマ生成部側において、ターゲット部材の消費が大きくなっても、ターゲットを反転させることにより、プラズマ密度が低い成膜対象物側に位置している消費の少ないターゲット部材の部位をプラズマ密度の高いプラズマ生成部側に再配置することができる。この結果、プラズマ密度が高いプラズマ生成部側において、ターゲット部材の厚さを回復することができる。したがって、本実施の形態における基本思想によれば、ターゲットの長寿命化を図ることができ、これによって、本実施の形態におけるターゲットを使用する成膜装置のランニングコストを低減することができる。

以下に、本実施の形態における基本思想について、図面を参照しながら説明する。

図１０は、本実施の形態におけるターゲットＴＡ２の模式的な構成を示す図である。

図１０において、本実施の形態におけるターゲットＴＡ２は、円筒形状をしたバッキングチューブ７０と、このバッキングチューブ７０の内壁にボンディング材（図示せず）を介して接着されたターゲット部材７１とを有している。このとき、図１０に示すように、ターゲットＴＡ２の一部を構成するバッキングチューブ７０は、上下対称な構造をしている。言い換えれば、本実施の形態におけるバッキングチューブ７０は、円筒形状の中心線ＣＬと直交し、かつ、ターゲット部材７１を２等分割する仮想面ＶＰに対して対称配置されている。これにより、対称構造のバッキングチューブ７０を備えるターゲットＴＡ２は、上下反転可能に構成されることになる。

図１１は、本実施の形態における基本思想をわかりやすく説明する図である。

まず、図１１（ａ）において、本実施の形態におけるターゲットＴＡ２を取り付けた成膜装置を使用して、成膜対象物への成膜処理を実施する。すると、ターゲットＴＡ２のプラズマ生成部側（下方側）のプラズマ密度が、ターゲットＴＡ２の成膜対象物側（上方側）のプラズマ密度が高いことに起因して、ターゲットＴＡ２のプラズマ生成部側（下方側）において、ターゲット部材７１の消費量が多くなる。

このとき、非対称な構造のターゲットを使用する場合には、ターゲットを反転させて使用することができないため、図１１（ａ）に示す状態で、ターゲットを交換する必要が生じる。これに対し、本実施の形態におけるターゲットＴＡ２は、上下対称構造をしている。このことから、図１１（ｂ）に示すように、ターゲットＴＡ２を反転させることができる。この場合、プラズマ密度が低い成膜対象物側（上方側）に位置している消費の少ないターゲット部材の部位をプラズマ密度の高いプラズマ生成部側（下方側）に再配置することができる。このため、本実施の形態によれば、図１１（ａ）に示す状態の後、引き続き、反転したターゲットＴＡ２を使用して、成膜対象物への成膜処理を続行することができる。その後、成膜対象物への成膜処理を繰り返して実施することにより、図１１（ｃ）の状態となる。本実施の形態では、この状態になって初めてターゲットＴＡ２を交換することになる。このように、本実施の形態における基本思想によれば、上下対称構造のターゲットＴＡ２を採用することにより、ターゲットＴＡ２の長寿命化を図ることができる。この結果、本実施の形態におけるターゲットＴＡ２を使用する成膜装置のランニングコストを低減することができる。

本実施の形態における基本思想は、上下対称構造のターゲットＴＡ２を使用する点にあるが、ターゲットＴＡ２の構造を変えるということは、ターゲットＴＡ２を成膜装置に取り付ける取り付け構造を工夫する必要があることを意味する。特に、本実施の形態では、ターゲットＴＡ２を冷却水で冷却する構造を採用しているため、さらなる工夫が要求される。そこで、以下では、上下対称構造のターゲットＴＡ２を成膜装置に取り付ける構造について、図面を参照しながら説明する。

＜ターゲットの取り付け構造＞
図１２は、本実施の形態におけるターゲットＴＡ２を成膜装置の固定部ＦＵ２に取り付けた状態を模式的に示す図である。図１２において、本実施の形態におけるターゲットＴＡ２は、成膜装置に設けられている固定部ＦＵ２によって固定されていることがわかる。

続いて、図１３は、図１２に示す領域ＢＲを拡大して示す図である。

図１３において、本実施の形態におけるターゲットＴＡ２は、支持部材として機能する円筒形状のバッキングチューブ７０を有する。ここで、バッキングチューブ７０は、例えば、インジウムからなる接着部材（接着材）を介してターゲット部材７１と接する壁部を有する。そして、この壁部は、第１厚さで形成された第１部位７０ａと、第１厚さよりも厚い第２厚さで形成された第２部位７０ｂと、第１厚さで形成された第３部位７０ｃとを有している。このとき、第２部位７０ｂは、第１部位７０ａと第３部位７０ｃで挟まれている。そして、第１部位７０ａと第３部位７０ｃは、第２部位７０ｂに対して対称配置されている。つまり、第１部位７０ａと第３部位７０ｃは、円筒形状の中心線と直交し、かつ、ターゲット部材７１を２等分割する仮想面に対して対称配置されている。

次に、図１３において、固定部ＦＵ２は、本体部４００と、ターゲットＴＡ２を押さえる押さえ部４０１とを含む。そして、実施の形態における固定部ＦＵ２の本体部４００には、冷却水が流れる流路４００ａが形成されている。この固定部ＦＵ２は、ターゲットＴＡ２を取り外し可能に構成されている。特に、本実施の形態におけるターゲットＴＡ２は、上下反転可能に構成されていることから、固定部ＦＵ２は、反転したターゲットＴＡ２も取り付け可能に構成されていることになる。

本実施の形態におけるターゲットＴＡ２は、以下に説明するようにして、成膜装置に設けられている固定部ＦＵ２に固定されている。すなわち、図１３に示すように、ターゲットＴＡ２の構成要素であるバッキングチューブ７０と固定部ＦＵ２とが接続されている。具体的に、図１３に示すように、バッキングチューブ７０の第１部位７０ａと第２部位７０ｂとの間に形成される段差部は、Ｏリング（封止部材）５００ａを介して、固定部ＦＵ２の押さえ部４０１によって押さえ付けられている。すなわち、Ｏリング５００ａは、第１部位７０ａと第２部位７０ｂと押さえ部４０１とに接触するように配置されている。一方、バッキングチューブ７０の第２部位７０ｂと第３部位７０ｃとの間に形成される段差部は、Ｏリング５００ｂを介して、固定部ＦＵ２の本体部４００と接続されている。つまり、Ｏリング５００ｂは、第２部位７０ｂと第３部位７０ｃと本体部４００とに接触するように配置されている。さらに、図１３に示すように、固定部ＦＵ２を構成する本体部４００と押さえ部４０１とは、Ｏリング５００ｃを介して接続されている。すなわち、Ｏリング５００ｃは、本体部４００と押さえ部４０１とに接触するように配置されている。

例えば、Ｏリング５００ａとＯリング５００ｂは、同じサイズから構成されている。一方、Ｏリング５００ｃは、Ｏリング５００ａよりも大きいサイズで構成されている。

固定部ＦＵ２の本体部４００に形成されている流路４００ａは、押さえ部４０１と第２部位７０ｂとの間に介在するＯリング５００ａと、本体部４００と第２部位７０ｂとの間に介在するＯリング５００ｂと、本体部４００と押さえ部４０１との間に介在するＯリング５００ｃとによって密閉（封止）される。ここで、本体部４００は、第２部位７０ｂと対向する側面を有し、第２部位７０ｂと側面との間には、隙間が存在する。そして、この隙間は、Ｏリング５００ａとＯリング５００ｂとＯリング５００ｃとによって密閉されており、流路４００ａの一部分を構成している。このとき、この隙間にも、ターゲットＴＡ２を冷却するための冷却水が流れる。

以上のようにして、流路４００ａにターゲットＴＡ２を冷却するための冷却水を流しても、流路４００ａから冷却水が漏洩することを防止することができる。このとき、密閉された流路４００ａは、バッキングチューブ７０の円周方向に沿って形成される。この結果、ターゲットＴＡ２の円周方向に沿って形成された流路４００ａを冷却水が流れることにより、効率良くターゲットＴＡ２全体を冷却することができる。

本実施の形態におけるターゲットＴＡ２は、対称構造をしている。そして、図１３に示すように、対称構造をしたターゲットＴＡ２は、ｘ方向に一致する位置に配置されている２つのＯリング５００ａとＯリング５００ｂとを介して、固定部ＦＵ２に固定されている。ただし、この構成だけでは、図１３に示すように、固定部ＦＵ２の本体部４００に形成されている流路４００ａ（バッキングチューブ７０の壁部に接する隙間も含む）を完全に密閉することはできない。なぜなら、この構成では、押さえ部４０１と本体部４００と境界が密閉されないことになるからである。そこで、図１３に示すように、本実施の形態では、本体部４００と押さえ部４０１との間にＯリング５００ｃを介在させて、流路４００ａを完全に密閉（封止）している。このように、本実施の形態では、ターゲットＴＡ２を対称構造から構成する変更を行なっている結果、ターゲットＴＡ２の取り付け構造が、例えば、図８に示すターゲットＴＡ１の取り付け構造と相違することになる。特に、本実施の形態におけるターゲットＴＡ２の取り付け構造では、本体部４００に形成されている流路４００ａを密閉（封止）するために、３つのＯリングが必要となる点で、２つのＯリングしか必要としない関連技術におけるターゲットＴＡ１の取り付け構造よりも複雑になる。ただし、本実施の形態におけるターゲットＴＡ２は、関連技術におけるターゲットＴＡ１とは異なり、対称構造をしている。このことから、固定部ＦＵ２は、反転したターゲットＴＡ２も取り付けることが可能となる点で、関連技術における固定部ＦＵよりも優れている。

＜変形例＞
図１４は、本変形例におけるターゲットＴＡ３の構造を模式的に示す図である。

図１４において、本変形例におけるターゲットＴＡ３も上下対称構造をしているが、実施の形態におけるターゲットＴＡ２とは異なり、バッキングチューブ７０の第２部位に凹部７２が形成されている。つまり、本変形例のターゲットＴＡ３において、バッキングチューブ７０の第２部位７０ｂは、第１部位７０ａの第１厚さよりも厚い凹部７２を含むように構成されている。このように構成されているターゲットＴＡ３では、バッキングチューブ７０の側面に凹部７２が形成されていることから、実施の形態におけるターゲットＴＡ２よりもバッキングチューブ７０の側面における表面積が大きくなる（第１要因）。また、本変形例におけるターゲットＴＡ３では、凹部７２が形成されている結果、冷却水と接触するバッキングチューブ７０の厚さが薄くなる（第２要因）。この結果、本変形例によれば、上述した第１要因と第２要因との相乗効果によって、バッキングチューブ７０の内壁に設けられているターゲット部材７１へのアルゴンイオンの衝突に起因して発生する熱をターゲットＴＡ３に接触する冷却水によって効率よく放散させることができる。

＜成膜対象物の製造方法＞
続いて、本実施の形態における成膜対象物の製造方法について説明する。

図１５は、成膜対象物の製造方法の流れを説明するためのフローチャートである。

まず、図１５において、成膜対象物を成膜装置の内部に搬入する（Ｓ２０１）。その後、成膜装置において、成膜対象物の表面に膜を形成する（Ｓ２０２）。次に、表面に膜を形成した成膜対象物を成膜装置の内部から搬出する（Ｓ２０３）。

続いて、成膜装置での成膜処理を継続するか否かを判断する（Ｓ２０４）。例えば、予め、ターゲットを反転するまでに成膜装置で処理する成膜対象物のおおよその枚数を調べておき、成膜装置での成膜処理を継続するか否かのしきい値となる処理枚数（規定値）を定めておく。そして、成膜装置で処理する成膜対象物の処理枚数が、規定値に満たない場合は、成膜装置での成膜処理を継続する。すなわち、Ｓ２０１～Ｓ２０３の工程を繰り返して実施する。一方、成膜装置で処理する成膜対象物の処理枚数が、規定値に満した場合、成膜装置からターゲットを取り出して反転させた後、成膜装置に装着する（Ｓ２０５）。

次に、ターゲットを反転させた状態で、成膜対象物を成膜装置の内部に搬入する（Ｓ２０６）。その後、成膜装置において、成膜対象物の表面に膜を形成する（Ｓ２０７）。次に、表面に膜を形成した成膜対象物を成膜装置の内部から搬出する（Ｓ２０８）。

続いて、成膜装置での成膜処理を継続するか否かを判断する（Ｓ２０９）。例えば、予め、ターゲットを交換するまでに成膜装置で処理する成膜対象物のおおよその枚数を調べておき、成膜装置での成膜処理を継続するか否かのしきい値となる処理枚数（規定値）を定めておく。そして、成膜装置で処理する成膜対象物の処理枚数が、規定値に満たない場合は、成膜装置での成膜処理を継続する。すなわち、Ｓ２０６～Ｓ２０８の工程を繰り返して実施する。一方、成膜装置で処理する成膜対象物の処理枚数が、規定値に満した場合、ターゲットの寿命がきたと判断して、ターゲットを交換する。

以上のようにして、本実施の形態における成膜対象物の製造方法が実現される。特に、本実施の形態によれば、ターゲットを反転させて再利用していることから、ターゲットの長寿命化を図ることができる。この結果、本実施の形態における成膜対象物の製造方法によれば、成膜装置のランニングコストを低減することができる。

次に、図面を参照しながら、本実施の形態における成膜対象物の製造方法の詳細について説明する。まず、図１６に示すように、成膜対象物（第１成膜対象物）ＳＵＢを保持する保持部１１とプラズマを生成するプラズマ生成部１３との間に設けられ、かつ、固定部ＦＵ２によって固定された円筒形状のターゲットＴＡ２を使用して、成膜対象物ＳＵＢに膜を形成する準備をする。このターゲットＴＡは、上下反転対称性を有する。

続いて、図１７に示すように、成膜装置を動作させることにより、成膜対象物ＳＵＢの表面に膜ＴＦを形成する。例えば、成膜対象物ＳＵＢは、劈開面を有し、膜ＴＦは、成膜対象物ＳＵＢの劈開面に形成される。このとき、ターゲットＴＡ２は、冷却水によって冷却されながら、成膜対象物ＳＵＢに膜ＴＦが形成される。

ここで、図１７に示すように、保持部１１よりもプラズマ生成部１３に近い位置におけるターゲット部材７１の厚さは、プラズマ生成部１３よりも保持部１１に近い位置におけるターゲット部材７１の厚さよりも薄くなる。

その後、図１８に示すように、保持部１１から成膜対象物ＳＵＢを取り外す。

次に、図１９に示すように、ターゲットＴＡ２を固定部ＦＵ２から取り外した後、ターゲットＴＡ２を反転させて、固定部ＦＵ２に再びターゲットＴＡ２を取り付ける。

ここで、図１９に示すように、ターゲットＴＡ２を反転させた結果、保持部１１よりもプラズマ生成部１３に近い位置におけるターゲット部材７１の厚さは、プラズマ生成部１３よりも保持部１１に近い位置におけるターゲット部材７１の厚さよりも厚くなる。

続いて、図２０に示すように、成膜対象物（第２成膜対象物）ＳＵＢを保持部１１で保持する。そして、図２１に示すように、成膜装置を動作させることにより、成膜対象物ＳＵＢの表面に膜ＴＦ２を形成する。例えば、成膜対象物ＳＵＢは、劈開面を有し、膜ＴＦ２は、成膜対象物ＳＵＢの劈開面に形成される。このとき、ターゲットＴＡ２は、冷却水によって冷却されながら、成膜対象物ＳＵＢに膜ＴＦ２が形成される。

その後、図２２に示すように、保持部１１から成膜対象物ＳＵＢを取り外す。

以上のようにして、本実施の形態における成膜対象物の製造方法が実現される。

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

１１保持部
１３プラズマ生成部
７０バッキングチューブ
７０ａ第１部位
７０ｂ第２部位
７０ｃ第３部位
７１ターゲット部材
４００本体部
４００ａ流路
４０１押さえ部
５００ａＯリング
５００ｂＯリング
５００ｃＯリング
ＦＵ固定部
ＦＵ２固定部
ＴＡターゲット
ＴＡ１ターゲット
ＴＡ２ターゲット

Claims

筒形状をしたターゲット部材と、
前記ターゲット部材を前記ターゲット部材の外側から支持する支持部材と、
を備える、ターゲットであって、
前記支持部材は、接着部材を介して前記ターゲット部材と接する壁部を有し、
前記壁部は、
第１厚さで形成された第１部位と、
前記第１厚さよりも厚い第２厚さで形成された第２部位と、
前記第１厚さで形成された第３部位と、
を有し、
前記第２部位は、前記第１部位と前記第３部位で挟まれ、
前記第１部位と前記第３部位は、前記筒形状の中心線と直交し、かつ、前記ターゲット部材を２等分割する仮想面に対して対称配置され、
前記ターゲットは、前記仮想面に対して上下反転可能に構成され、
前記第２部位は、前記第１厚さよりも厚く、かつ、前記第２厚さよりも薄い凹部を含む、ターゲット。
請求項１に記載のターゲットにおいて、
前記ターゲット部材は、円筒形状から構成されている、ターゲット。
成膜対象物を保持する保持部と、
プラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記保持部と前記プラズマ生成部との間に設けられたターゲットと、
前記ターゲットを固定する固定部と、
を備える、成膜装置であって、
前記ターゲットは、
筒形状をしたターゲット部材と、
前記ターゲット部材を前記ターゲット部材の外側から支持する支持部材と、
を有し、
前記支持部材は、接着部材を介して前記ターゲット部材と接する壁部を含み、
前記壁部は、
第１厚さで形成された第１部位と、
前記第１厚さよりも厚い第２厚さで形成された第２部位と、
前記第１厚さで形成された第３部位と、
を有し、
前記第２部位は、前記第１部位と前記第３部位で挟まれ、
前記第１部位と前記第３部位は、前記筒形状の中心線と直交し、かつ、前記ターゲット部材を２等分割する仮想面に対して対称配置され、
前記ターゲットは、前記仮想面に対して上下反転可能に構成され、
前記固定部は、前記ターゲットを取り外し可能に構成され、かつ、上下反転した前記ターゲットも取り付け可能に構成され、
前記固定部は、
本体部と、
前記ターゲットを押さえる押さえ部と、
を含み、
前記成膜装置は、
前記第１部位と前記第２部位と前記押さえ部とに接触する第１封止部材と、
前記第２部位と前記第３部位と前記本体部とに接触する第２封止部材と、
前記本体部と前記押さえ部とに接触する第３封止部材と、
を有する、成膜装置。
請求項３に記載の成膜装置において、
前記第１封止部材は、Ｏリングから構成され、
前記第２封止部材も、Ｏリングから構成され、
前記第３封止部材も、Ｏリングから構成されている、成膜装置。
請求項４に記載の成膜装置において、
前記第１封止部材と前記第２封止部材は、同サイズのＯリングから構成されている、成膜装置。
請求項３に記載の成膜装置において、
前記本体部は、前記第２部位と対向する側面を有し、
前記第２部位と前記側面との間には、隙間が存在する、成膜装置。
請求項６に記載の成膜装置において、
前記隙間は、前記第１封止部材と前記第２封止部材と前記第３封止部材とによって密閉されている、成膜装置。
請求項７に記載の成膜装置において、
前記隙間には、前記ターゲットを冷却するための冷却水が流れる、成膜装置。
請求項３に記載の成膜装置において、
前記プラズマ生成部は、電子サイクロトロン共鳴現象を利用してプラズマを生成する、成膜装置。
請求項３に記載の成膜装置において、
前記成膜装置は、高周波電圧を前記ターゲットに印加する高周波電源部を有する、成膜装置。
請求項３に記載の成膜装置において、
前記成膜対象物は、劈開面を有する、成膜装置。
（ａ）第１成膜対象物を保持する保持部とプラズマを生成するプラズマ生成部との間に設けられ、かつ、固定部によって固定された筒形状のターゲットを使用して、前記第１成膜対象物に膜を形成する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記保持部から前記第１成膜対象物を取り外す工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記ターゲットを前記固定部から取り外す工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記ターゲットを反転させて、前記固定部に前記ターゲットを取り付ける工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、第２成膜対象物を前記保持部で保持する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記ターゲットを使用して、前記第２成膜対象物に膜を形成する工程、
を備え、
前記ターゲットは、
筒形状をしたターゲット部材と、
前記ターゲット部材を前記ターゲット部材の外側から支持する支持部材と、
を有し、
前記支持部材は、接着部材を介して前記ターゲット部材と接する壁部を含み、
前記壁部は、
第１厚さで形成された第１部位と、
前記第１厚さよりも厚い第２厚さで形成された第２部位と、
前記第１厚さで形成された第３部位と、
を有し、
前記第２部位は、前記第１部位と前記第３部位で挟まれ、
前記第１部位と前記第３部位は、前記筒形状の中心線と直交し、かつ、前記ターゲット部材を２等分割する仮想面に対して対称配置され、
前記ターゲットは、前記仮想面に対して上下反転可能に構成されている、成膜対象物の製造方法。
請求項１２に記載の成膜対象物の製造方法において、
前記（ａ）工程の後、前記（ｃ）工程の前において、
前記ターゲット部材の前記プラズマ生成部側の厚さは、前記ターゲット部材の前記保持部側の厚さよりも薄い、成膜対象物の製造方法。
請求項１２に記載の成膜対象物の製造方法において、
前記（ｄ）工程の後、前記（ｆ）工程の前において、
前記ターゲット部材の前記プラズマ生成部側の厚さは、前記ターゲット部材の前記保持部側の厚さよりも厚い、成膜対象物の製造方法。
請求項１２に記載の成膜対象物の製造方法において、
前記（ａ）工程では、前記ターゲットを冷却し、
前記（ｆ）工程でも、前記ターゲットを冷却する、成膜対象物の製造方法。