JPH10158831A - スパッタリング方法及びスパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング方法及びスパッタリング装置Info
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- JPH10158831A JPH10158831A JP32675596A JP32675596A JPH10158831A JP H10158831 A JPH10158831 A JP H10158831A JP 32675596 A JP32675596 A JP 32675596A JP 32675596 A JP32675596 A JP 32675596A JP H10158831 A JPH10158831 A JP H10158831A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】装置稼働率の向上とターゲット使用効率の向上
を図る。 【解決手段】基板１２とバッキングプレート１３を対向
させて配置し、バッキングプレート上のターゲット１１
の物質を基板上に成膜させるスパッタリング方法におい
て、ターゲット１１とバッキングプレート１３とをボン
ディングせずに別々のパーツにすることにより、ターゲ
ット１１のみを交換可能にする。又、ターゲットを反転
させターゲットの裏面もスパッタリングを行うようにし
てもよいし、ターゲットの面積をバッキングプレートよ
り大きくし、ターゲットをバッキングプレート上で往復
動させるようにしてもよいし、ターゲットを消耗の早い
部分と消耗の遅い部分に分割し、消耗の早い部分のみを
交換するようにしてもよい。
を図る。 【解決手段】基板１２とバッキングプレート１３を対向
させて配置し、バッキングプレート上のターゲット１１
の物質を基板上に成膜させるスパッタリング方法におい
て、ターゲット１１とバッキングプレート１３とをボン
ディングせずに別々のパーツにすることにより、ターゲ
ット１１のみを交換可能にする。又、ターゲットを反転
させターゲットの裏面もスパッタリングを行うようにし
てもよいし、ターゲットの面積をバッキングプレートよ
り大きくし、ターゲットをバッキングプレート上で往復
動させるようにしてもよいし、ターゲットを消耗の早い
部分と消耗の遅い部分に分割し、消耗の早い部分のみを
交換するようにしてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、液晶表示
装置、フォトマスクやカラーフィルタ等の製造に用いら
れるスパッタリングの技術分野に属する。
装置、フォトマスクやカラーフィルタ等の製造に用いら
れるスパッタリングの技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタ現象を利用した薄膜形成技術
は、酸化物、窒化物などの化合物や高融点金属など従来
の蒸着法では薄膜化が困難であった物質の成膜をも可能
にし、現在ほとんど全ての物質の薄膜に利用されてい
る。最初に開発されたスパッタ法は２極スパッタ方式
で、基板とターゲットの間に電圧を印加するだけの単純
な装置構成であったが、成膜速度が遅く基板温度が高く
印加電圧が高く雰囲気ガス圧が高いなどの欠点があっ
た。
は、酸化物、窒化物などの化合物や高融点金属など従来
の蒸着法では薄膜化が困難であった物質の成膜をも可能
にし、現在ほとんど全ての物質の薄膜に利用されてい
る。最初に開発されたスパッタ法は２極スパッタ方式
で、基板とターゲットの間に電圧を印加するだけの単純
な装置構成であったが、成膜速度が遅く基板温度が高く
印加電圧が高く雰囲気ガス圧が高いなどの欠点があっ
た。
【０００３】これらの欠点を解決するために、３極（４
極）スパッタ、マグネトロンスパッタが開発され、特に
マグネトロンスパッタは磁場をターゲット表面に平行に
印加し高密度プラズマを閉じ込めることにより高速スパ
ッタを実現し、さらに基板への電子衝突が少ないことか
ら低基板温度を可能にした優れた方式である。基本的な
構造は、図６に示すように、予め真空ポンプ６４により
真空とした真空チャンバ６２内に電離したガスを充満さ
せ、バッキングプレート６９と基板６５を平行に配置
し、基板６５にターゲット６６を固定する。そして、バ
ッキングプレート６９と基板６５間に所定の電圧を印加
すると、電離したガスがターゲット６６をたたき出し、
この無機物質が対向する基板６５上に堆積するものであ
る。
極）スパッタ、マグネトロンスパッタが開発され、特に
マグネトロンスパッタは磁場をターゲット表面に平行に
印加し高密度プラズマを閉じ込めることにより高速スパ
ッタを実現し、さらに基板への電子衝突が少ないことか
ら低基板温度を可能にした優れた方式である。基本的な
構造は、図６に示すように、予め真空ポンプ６４により
真空とした真空チャンバ６２内に電離したガスを充満さ
せ、バッキングプレート６９と基板６５を平行に配置
し、基板６５にターゲット６６を固定する。そして、バ
ッキングプレート６９と基板６５間に所定の電圧を印加
すると、電離したガスがターゲット６６をたたき出し、
この無機物質が対向する基板６５上に堆積するものであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、スパッタ中
のターゲット温度は、イオンの衝突により非常に高温に
達するため、融点の低い材料やスパッタ条件次第では溶
融したり割れてしまう。このためターゲット６６は、水
冷された鋼製のバッキングプレート６９にインジウムで
ボンディングし温度上昇を防止するのが一般的である
が、ターゲット６６の交換の際は、真空チャンバ６２内
を常圧に戻してからバッキングプレート６９ごと交換す
る必要があった。
のターゲット温度は、イオンの衝突により非常に高温に
達するため、融点の低い材料やスパッタ条件次第では溶
融したり割れてしまう。このためターゲット６６は、水
冷された鋼製のバッキングプレート６９にインジウムで
ボンディングし温度上昇を防止するのが一般的である
が、ターゲット６６の交換の際は、真空チャンバ６２内
を常圧に戻してからバッキングプレート６９ごと交換す
る必要があった。
【０００５】そのため、ターゲット６６の交換に時間が
かかり、結果的に装置の稼働率が低下し、また、一度真
空を破るため次の真空引きに時間がかかり、さらに、タ
ーゲット６６とバッキングプレート６９が一体型のため
重量とかさが大きく運搬への負荷が大きいという問題を
有している。加えて、マグネトロンスパッタでは、高密
度プラズマの閉じ込められた部分のターゲットが局部的
に浸食されるため、特性面では膜厚分布の悪化、経済面
ではターゲットの使用効率が極めて悪い（１５％程度）
という欠点がある。とくに最近、液晶表示装置、カラー
フィルタなどのように基板が大型化してくるとターゲッ
トも大型化し、消耗の激しい部分とそうでない部分の遍
在が大きくなり、ターゲットの寿命が短く製品コストの
上昇を招いていた。
かかり、結果的に装置の稼働率が低下し、また、一度真
空を破るため次の真空引きに時間がかかり、さらに、タ
ーゲット６６とバッキングプレート６９が一体型のため
重量とかさが大きく運搬への負荷が大きいという問題を
有している。加えて、マグネトロンスパッタでは、高密
度プラズマの閉じ込められた部分のターゲットが局部的
に浸食されるため、特性面では膜厚分布の悪化、経済面
ではターゲットの使用効率が極めて悪い（１５％程度）
という欠点がある。とくに最近、液晶表示装置、カラー
フィルタなどのように基板が大型化してくるとターゲッ
トも大型化し、消耗の激しい部分とそうでない部分の遍
在が大きくなり、ターゲットの寿命が短く製品コストの
上昇を招いていた。
【０００６】この問題を改善するために、特開平５−１
０６０３５号公報において、ターゲット６６の背面にマ
グネット６８をおきガイドローラ６７と駆動装置７０に
よりマグネット６８を移動させ、ターゲット６６の浸食
を均一化する方法が提案されている。しかしながら、こ
の方式においては、マグネット６８の往復運動において
往と復の変換点で磁束の存在時間が長くなり、単位時間
当たりの磁束が多くなるため、ターゲット６６は磁力線
の影響を受けて局部的に消耗して図７に示すように、溝
７１が形成されてしまう。その結果、ターゲット６６中
央部では未だターゲットとして使用可能であるにもかか
わらず、スパッタリングに使用するターゲットを取り替
える必要が生じる。また、低温でスパッタリングするた
めには、１０００Ｇ程度の磁束密度の大きな磁石を使用
することにより、薄膜の堆積速度を向上することができ
るが、その一方で幅の狭い溝が形成されるので３００Ｇ
程度の磁束密度の低い磁石を使用した場合に比べて更に
一定部位のターゲットの消耗が早く、ターゲットの使用
効率が低下することになる。
０６０３５号公報において、ターゲット６６の背面にマ
グネット６８をおきガイドローラ６７と駆動装置７０に
よりマグネット６８を移動させ、ターゲット６６の浸食
を均一化する方法が提案されている。しかしながら、こ
の方式においては、マグネット６８の往復運動において
往と復の変換点で磁束の存在時間が長くなり、単位時間
当たりの磁束が多くなるため、ターゲット６６は磁力線
の影響を受けて局部的に消耗して図７に示すように、溝
７１が形成されてしまう。その結果、ターゲット６６中
央部では未だターゲットとして使用可能であるにもかか
わらず、スパッタリングに使用するターゲットを取り替
える必要が生じる。また、低温でスパッタリングするた
めには、１０００Ｇ程度の磁束密度の大きな磁石を使用
することにより、薄膜の堆積速度を向上することができ
るが、その一方で幅の狭い溝が形成されるので３００Ｇ
程度の磁束密度の低い磁石を使用した場合に比べて更に
一定部位のターゲットの消耗が早く、ターゲットの使用
効率が低下することになる。
【０００７】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
であって、ターゲットとバッキングプレートとをボンデ
ィングせずに別々のパーツにすることにより、装置稼働
率の向上、ターゲット使用効率の向上を図ることができ
るスパッタリング方法及びスパッタリング装置を提供す
ることを目的とする。
であって、ターゲットとバッキングプレートとをボンデ
ィングせずに別々のパーツにすることにより、装置稼働
率の向上、ターゲット使用効率の向上を図ることができ
るスパッタリング方法及びスパッタリング装置を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そのために本発明のスパ
ッタリング方法は、基板１２とバッキングプレート１３
を対向させて配置し、バッキングプレート１３上のター
ゲット１１の物質を基板上に成膜させるスパッタリング
方法において、ターゲット１１とバッキングプレート１
３とをボンディングせずに別々のパーツにすることによ
り、ターゲット１１のみを交換可能にすることを特徴と
し、請求項２記載の発明は、請求項１において、ターゲ
ット１１を反転させターゲットの裏面もスパッタリング
を行うことを特徴とし、請求項３記載の発明は、請求項
１において、ターゲット１１の面積をバッキングプレー
ト１３より大きくし、ターゲット１１をバッキングプレ
ート１３上で往復動させることを特徴とし、請求項４記
載の発明は、請求項１において、ターゲット１１を、消
耗の早い部分１１Ａと消耗の遅い部分１１Ｂに分割し、
消耗の早い部分のみを交換することを特徴とし、また、
本発明のスパッタリング装置は、真空チャンバ２と、該
真空チャンバに接続された未使用ターゲット収納室９及
び使用済ターゲット収納室１０と、搬送されてくる基板
１２に対向して前記真空チャンバ内に配設されたバッキ
ングプレート１３と、ターゲット１１をバッキングプレ
ート１３上から前記使用済ターゲット収納室１０に移動
させ、前記未使用ターゲット収納室９からバッキングプ
レート１３上へ移動させるターゲット自動交換機構２２
とを備えたことを特徴とする。なお、上記構成に付加し
た番号は、本発明の理解を容易にするために図面と対比
させるもので、これにより本発明が何ら限定されるもの
ではない。
ッタリング方法は、基板１２とバッキングプレート１３
を対向させて配置し、バッキングプレート１３上のター
ゲット１１の物質を基板上に成膜させるスパッタリング
方法において、ターゲット１１とバッキングプレート１
３とをボンディングせずに別々のパーツにすることによ
り、ターゲット１１のみを交換可能にすることを特徴と
し、請求項２記載の発明は、請求項１において、ターゲ
ット１１を反転させターゲットの裏面もスパッタリング
を行うことを特徴とし、請求項３記載の発明は、請求項
１において、ターゲット１１の面積をバッキングプレー
ト１３より大きくし、ターゲット１１をバッキングプレ
ート１３上で往復動させることを特徴とし、請求項４記
載の発明は、請求項１において、ターゲット１１を、消
耗の早い部分１１Ａと消耗の遅い部分１１Ｂに分割し、
消耗の早い部分のみを交換することを特徴とし、また、
本発明のスパッタリング装置は、真空チャンバ２と、該
真空チャンバに接続された未使用ターゲット収納室９及
び使用済ターゲット収納室１０と、搬送されてくる基板
１２に対向して前記真空チャンバ内に配設されたバッキ
ングプレート１３と、ターゲット１１をバッキングプレ
ート１３上から前記使用済ターゲット収納室１０に移動
させ、前記未使用ターゲット収納室９からバッキングプ
レート１３上へ移動させるターゲット自動交換機構２２
とを備えたことを特徴とする。なお、上記構成に付加し
た番号は、本発明の理解を容易にするために図面と対比
させるもので、これにより本発明が何ら限定されるもの
ではない。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ説明する。図１は、本発明のスパッタリン
グ方法及び装置の１実施形態を示し、図１（Ａ）は模式
的平面図、図１（Ｂ）は模式的断面図である。
を参照しつつ説明する。図１は、本発明のスパッタリン
グ方法及び装置の１実施形態を示し、図１（Ａ）は模式
的平面図、図１（Ｂ）は模式的断面図である。
【００１０】図１（Ａ）において、本発明のスパッタリ
ング装置１は、真空チャンバ２と、真空チャンバ２に開
閉扉３、４を介して接続された基板ローダ室５及び基板
アンローダ室６と、真空チャンバ２に開閉扉７、８を介
して接続された未使用ターゲット収納室９及び使用済タ
ーゲット収納室１０とから構成されている。真空チャン
バ２、基板ローダ室５、基板アンローダ室６、未使用タ
ーゲット収納室９及び使用済ターゲット収納室１０は、
真空ポンプにより真空引きが可能にされるロードロック
方式を採用している。そして、図示矢印に示すように、
基板１２は基板ローダ室５に収納され真空引き後、開閉
扉３を開いて真空チャンバ２内に搬送され、ここでスパ
ッタリングされた後、開閉扉４を開いて真空引きされた
基板アンローダ室６に搬送される。また、ターゲット１
１の交換の際は、未使用ターゲットが収納室９から真空
チャンバ２に供給され、使用済のターゲットが収納室１
０に搬送される。
ング装置１は、真空チャンバ２と、真空チャンバ２に開
閉扉３、４を介して接続された基板ローダ室５及び基板
アンローダ室６と、真空チャンバ２に開閉扉７、８を介
して接続された未使用ターゲット収納室９及び使用済タ
ーゲット収納室１０とから構成されている。真空チャン
バ２、基板ローダ室５、基板アンローダ室６、未使用タ
ーゲット収納室９及び使用済ターゲット収納室１０は、
真空ポンプにより真空引きが可能にされるロードロック
方式を採用している。そして、図示矢印に示すように、
基板１２は基板ローダ室５に収納され真空引き後、開閉
扉３を開いて真空チャンバ２内に搬送され、ここでスパ
ッタリングされた後、開閉扉４を開いて真空引きされた
基板アンローダ室６に搬送される。また、ターゲット１
１の交換の際は、未使用ターゲットが収納室９から真空
チャンバ２に供給され、使用済のターゲットが収納室１
０に搬送される。
【００１１】図１（Ｂ）において、真空チャンバ２内に
は、搬送されてくる基板１２に対向してバッキングプレ
ート１３が配設されており、バッキングプレート１３の
裏側にはマグネット１４が設けられ、また、バッキング
プレート１３の裏面側に冷却水を循環させている。真空
チャンバ２は、ガス圧をコントロールするためのコンダ
クタンスバルブ１７、メインバルブ１６を介してクライ
オポンプ１５に接続され、真空チャンバ２内が排気され
ると共に、真空チャンバ２内にはスパッタガスが導入さ
れる。スパッタ時にはターゲット側にＤＣ又はＲＦ電圧
を印加し、スパッタガスをイオン化する。未使用ターゲ
ット収納室９及び使用済ターゲット収納室１０には真空
ポンプ２０が接続されている。
は、搬送されてくる基板１２に対向してバッキングプレ
ート１３が配設されており、バッキングプレート１３の
裏側にはマグネット１４が設けられ、また、バッキング
プレート１３の裏面側に冷却水を循環させている。真空
チャンバ２は、ガス圧をコントロールするためのコンダ
クタンスバルブ１７、メインバルブ１６を介してクライ
オポンプ１５に接続され、真空チャンバ２内が排気され
ると共に、真空チャンバ２内にはスパッタガスが導入さ
れる。スパッタ時にはターゲット側にＤＣ又はＲＦ電圧
を印加し、スパッタガスをイオン化する。未使用ターゲ
ット収納室９及び使用済ターゲット収納室１０には真空
ポンプ２０が接続されている。
【００１２】未使用ターゲット収納室９及び使用済ター
ゲット収納室１０内には、複数のターゲット１１が積層
して配設され、これらのターゲット１１は図で垂直方向
に移動可能にされると共に、バッキングプレート１３の
位置でターゲット自動交換機構２２により水平方向に移
動可能に構成されている。このターゲット自動交換機構
２２は、例えば、真空チャンバ２内にロボットハンドを
設け、ターゲット１１を未使用ターゲット収納室９から
バッキングプレート１３上へ移動させたり、バッキング
プレート１３上からターゲット１１を使用済ターゲット
収納室１０に移動させる機構である。
ゲット収納室１０内には、複数のターゲット１１が積層
して配設され、これらのターゲット１１は図で垂直方向
に移動可能にされると共に、バッキングプレート１３の
位置でターゲット自動交換機構２２により水平方向に移
動可能に構成されている。このターゲット自動交換機構
２２は、例えば、真空チャンバ２内にロボットハンドを
設け、ターゲット１１を未使用ターゲット収納室９から
バッキングプレート１３上へ移動させたり、バッキング
プレート１３上からターゲット１１を使用済ターゲット
収納室１０に移動させる機構である。
【００１３】なお、上記実施形態においては、基板１２
の下方にバッキングプレート１３を水平方向に配設して
いるが、バッキングプレート１３の下方に基板１２を配
設してもよいし、バッキングプレート１３を垂直方向に
配設してもよい。その場合には、ターゲット１１をバッ
キングプレート１３に係止させると共に、この係止を解
除させる係脱機構を設けることになる。
の下方にバッキングプレート１３を水平方向に配設して
いるが、バッキングプレート１３の下方に基板１２を配
設してもよいし、バッキングプレート１３を垂直方向に
配設してもよい。その場合には、ターゲット１１をバッ
キングプレート１３に係止させると共に、この係止を解
除させる係脱機構を設けることになる。
【００１４】上記構成からなる本発明のスパッタリング
装置において、ターゲットの交換方法について説明す
る。ターゲット交換時には、バッキングプレート１３上
のターゲット１１は図示しないターゲット自動交換機構
２２により使用済ターゲット収納室１０に搬送され、そ
の後、未使用ターゲット収納室９から新規のターゲット
１１がターゲット自動交換機構２２によりバッキングプ
レート１３上に搬送される。従って、従来のように真空
チャンバ内を常圧に戻してからバッキングプレートごと
交換する必要がなく、ターゲットの交換が簡単且つ短時
間にできるので装置の稼働率を向上させることができ
る。
装置において、ターゲットの交換方法について説明す
る。ターゲット交換時には、バッキングプレート１３上
のターゲット１１は図示しないターゲット自動交換機構
２２により使用済ターゲット収納室１０に搬送され、そ
の後、未使用ターゲット収納室９から新規のターゲット
１１がターゲット自動交換機構２２によりバッキングプ
レート１３上に搬送される。従って、従来のように真空
チャンバ内を常圧に戻してからバッキングプレートごと
交換する必要がなく、ターゲットの交換が簡単且つ短時
間にできるので装置の稼働率を向上させることができ
る。
【００１５】本発明ではターゲット１１がバッキングプ
レート１３にボンディングされていないため、イオン衝
撃によりターゲット１１が高温になることが予想され
る。特に、マグネトロンスパッタでは局部的なイオン衝
撃によりターゲット面内の温度のバラツキが大きくなる
ため、熱膨張の差が生じターゲットにひびが入ったり割
れたりする可能性がある。そのため、本発明では熱伝導
性性の良好な即ちターゲット密度ができるだけ高い方が
好ましい。
レート１３にボンディングされていないため、イオン衝
撃によりターゲット１１が高温になることが予想され
る。特に、マグネトロンスパッタでは局部的なイオン衝
撃によりターゲット面内の温度のバラツキが大きくなる
ため、熱膨張の差が生じターゲットにひびが入ったり割
れたりする可能性がある。そのため、本発明では熱伝導
性性の良好な即ちターゲット密度ができるだけ高い方が
好ましい。
【００１６】本発明が適用可能なスパッタ方式として
は、ＲＦスパッタでは交流電圧が印加されるため、ター
ゲットとバッキングプレートとの間が導通されている必
要がなく、本発明が適用可能である。ＤＣスパッタで
は、ターゲットのチャージアップがないこと即ち導電性
ターゲットに限定され、かつバッキングプレートと導通
されていることが必要である。そのため、バッキングプ
レート上にターゲットを置くだけでは十分な導電性が得
られない可能性があるため、装置側にターゲットとバッ
キングプレートとを圧着する圧着機構を設けることが望
ましい。
は、ＲＦスパッタでは交流電圧が印加されるため、ター
ゲットとバッキングプレートとの間が導通されている必
要がなく、本発明が適用可能である。ＤＣスパッタで
は、ターゲットのチャージアップがないこと即ち導電性
ターゲットに限定され、かつバッキングプレートと導通
されていることが必要である。そのため、バッキングプ
レート上にターゲットを置くだけでは十分な導電性が得
られない可能性があるため、装置側にターゲットとバッ
キングプレートとを圧着する圧着機構を設けることが望
ましい。
【００１７】図２は、本発明のスパッタリング方法及び
装置の他の実施形態を説明するための模式的断面図、図
３は図２におけるターゲット反転機構の模式的斜視図で
ある。本実施形態においては、図（Ａ）に示す通常位置
でターゲット１１の表面が消耗した場合には、先ず、タ
ーゲット１１とバッキングプレート１３を移動機構（図
示せず）により下方に移動させ（図Ｂ）、次にターゲッ
ト１１を図３に示すターゲット反転機構２１により把持
した後、バッキングプレート１３のみを下方に移動させ
（図Ｃ）、次にターゲット１１をターゲット反転機構２
１により回転させ（図Ｄ）、ターゲット１１の表裏を反
転させてその裏面をスパッタすることにより、ターゲッ
トの使用効率を向上させるようにしている。
装置の他の実施形態を説明するための模式的断面図、図
３は図２におけるターゲット反転機構の模式的斜視図で
ある。本実施形態においては、図（Ａ）に示す通常位置
でターゲット１１の表面が消耗した場合には、先ず、タ
ーゲット１１とバッキングプレート１３を移動機構（図
示せず）により下方に移動させ（図Ｂ）、次にターゲッ
ト１１を図３に示すターゲット反転機構２１により把持
した後、バッキングプレート１３のみを下方に移動させ
（図Ｃ）、次にターゲット１１をターゲット反転機構２
１により回転させ（図Ｄ）、ターゲット１１の表裏を反
転させてその裏面をスパッタすることにより、ターゲッ
トの使用効率を向上させるようにしている。
【００１８】図４は、本発明のスパッタリング方法の他
の実施形態を説明するための模式的断面図である。本実
施形態においては、ターゲット１１の面積をバッキング
プレート１３よりも大きくし、図Ａ、図Ｂに示すように
ターゲット移動機構によりターゲット１１をバッキング
プレート１３上で往復動させ、ターゲットの浸食の激し
い部分の均一化を図り（図Ｃ）、ターゲットの使用効率
を向上させるものである。
の実施形態を説明するための模式的断面図である。本実
施形態においては、ターゲット１１の面積をバッキング
プレート１３よりも大きくし、図Ａ、図Ｂに示すように
ターゲット移動機構によりターゲット１１をバッキング
プレート１３上で往復動させ、ターゲットの浸食の激し
い部分の均一化を図り（図Ｃ）、ターゲットの使用効率
を向上させるものである。
【００１９】図５は、本発明のスパッタリング方法の他
の実施形態を説明するための図（Ａ）は側面図、図
（Ｂ）は平面図である。本実施形態においては、ターゲ
ット１１を、消耗の早いターゲット部分１１Ａと消耗の
遅いターゲット部分１１Ｂに分割し、消耗の早いターゲ
ット部分１１Ａのみを図１と同様のターゲット自動交換
機構により交換することにより、ターゲットの使用効率
を向上させるものである。
の実施形態を説明するための図（Ａ）は側面図、図
（Ｂ）は平面図である。本実施形態においては、ターゲ
ット１１を、消耗の早いターゲット部分１１Ａと消耗の
遅いターゲット部分１１Ｂに分割し、消耗の早いターゲ
ット部分１１Ａのみを図１と同様のターゲット自動交換
機構により交換することにより、ターゲットの使用効率
を向上させるものである。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ターゲットとバッキングプレートとをボンデ
ィングせずに別々のパーツにすることにより、装置稼働
率の向上、メンテナンス時間の短縮を図ると共に、ター
ゲット運搬負荷の低減、ターゲット使用効率の向上を図
ることができる。
によれば、ターゲットとバッキングプレートとをボンデ
ィングせずに別々のパーツにすることにより、装置稼働
率の向上、メンテナンス時間の短縮を図ると共に、ター
ゲット運搬負荷の低減、ターゲット使用効率の向上を図
ることができる。
【図１】本発明のスパッタリング方法及び装置の１実施
形態を示し、図１（Ａ）は模式的平面図、図１（Ｂ）は
模式的断面図である。
形態を示し、図１（Ａ）は模式的平面図、図１（Ｂ）は
模式的断面図である。
【図２】本発明のスパッタリング方法及び装置の他の実
施形態を説明するための模式的断面図である。
施形態を説明するための模式的断面図である。
【図３】図２におけるターゲット反転機構の模式的斜視
図である。
図である。
【図４】本発明のスパッタリング方法の他の実施形態を
説明するための模式的断面図である。
説明するための模式的断面図である。
【図５】本発明のスパッタリング方法の他の実施形態を
説明するための図（Ａ）は側面図、図（Ｂ）は平面図で
ある。
説明するための図（Ａ）は側面図、図（Ｂ）は平面図で
ある。
【図６】従来のスパッタ装置の１例を示す模式的断面図
である。
である。
【図７】本発明の課題を説明するための図である。
１…スパッタリング装置、２…真空チャンバ、３、４、
７、８…開閉扉 ５…基板ローダ室、６…基板アンローダ室、９…未使用
ターゲット収納室 １０…使用済ターゲット収納室、１１…ターゲット、１
２…基板 １３…バッキングプレート、２２…ターゲット自動交換
機構
７、８…開閉扉 ５…基板ローダ室、６…基板アンローダ室、９…未使用
ターゲット収納室 １０…使用済ターゲット収納室、１１…ターゲット、１
２…基板 １３…バッキングプレート、２２…ターゲット自動交換
機構
Claims (5)
- 【請求項１】基板とバッキングプレートを対向させて配
置し、バッキングプレート上のターゲットの物質を基板
上に成膜させるスパッタリング方法において、ターゲッ
トとバッキングプレートとをボンディングせずに別々の
パーツにすることにより、ターゲットのみを交換可能に
することを特徴とするスパッタリング方法。 - 【請求項２】上記ターゲットを反転させターゲットの裏
面もスパッタリングを行うことを特徴とする請求項１記
載のスパッタリング方法。 - 【請求項３】上記ターゲットの面積をバッキングプレー
トより大きくし、ターゲットをバッキングプレート上で
往復動させることを特徴とする請求項１記載のスパッタ
リング方法。 - 【請求項４】上記ターゲットを、消耗の早い部分と消耗
の遅い部分に分割し、消耗の早い部分のみを交換するこ
とを特徴とする請求項１記載のスパッタリング方法。 - 【請求項５】真空チャンバと、該真空チャンバに接続さ
れた未使用ターゲット収納室及び使用済ターゲット収納
室と、搬送されてくる基板に対向して前記真空チャンバ
内に配設されたバッキングプレートと、ターゲットをバ
ッキングプレート上から前記使用済ターゲット収納室に
移動させ、前記未使用ターゲット収納室からバッキング
プレート上へ移動させるターゲット自動交換機構とを備
えたことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32675596A JPH10158831A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32675596A JPH10158831A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10158831A true JPH10158831A (ja) | 1998-06-16 |
Family
ID=18191329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32675596A Pending JPH10158831A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10158831A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007197749A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Eiko Engineering Co Ltd | マルチターゲットスパッタリング装置 |
| EP2119809A1 (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-18 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing module exchange unit. |
| WO2020158272A1 (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | Ｊｓｗアフティ株式会社 | ターゲットおよび成膜装置並びに成膜対象物の製造方法 |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP32675596A patent/JPH10158831A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007197749A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Eiko Engineering Co Ltd | マルチターゲットスパッタリング装置 |
| EP2119809A1 (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-18 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing module exchange unit. |
| WO2020158272A1 (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | Ｊｓｗアフティ株式会社 | ターゲットおよび成膜装置並びに成膜対象物の製造方法 |
| JP2020122178A (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-13 | Ｊｓｗアフティ株式会社 | ターゲットおよび成膜装置並びに成膜対象物の製造方法 |
| CN113330138A (zh) * | 2019-01-30 | 2021-08-31 | Jsw Afty公司 | 靶、成膜装置和成膜对象物的制造方法 |
| CN113330138B (zh) * | 2019-01-30 | 2023-11-10 | Jsw Afty公司 | 靶、成膜装置和成膜对象物的制造方法 |
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