JP2006348380A - スパッタリングターゲットタイルの電子ビーム溶接 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持部の表面上に少なくとも2個のターゲットタイル501A、501Bを並べて配置し、少なくとも2個のターゲットタイルの端部は隣接し、ターゲット材料の小片552又は粉体553上に少なくとも1の境界ライン521Aを形成し、電子ビーム溶接チャンバ内のガスを排出し、少なくとも2個のターゲットタイル501A、501B及びターゲット材料の小片552又は粉体553を、ターゲットタイルの溶融が開始する温度、物理的状態が変化する温度又は実質的に分解する温度以下の予備加熱温度まで予備加熱し、並べて配置された少なくとも2個のターゲットタイル501A、501Bを大型ターゲットに溶接する。
【選択図】図5G
Description
Claims (35)
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルを支持部の表面上に並べて配置し、少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルの端部は隣接し、少なくとも1本の境界ラインを形成し、
並べて配置された少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルをスパッタリングターゲットに溶接するスパッタリングターゲットタイルの溶接方法。 - 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルの端部の間の少なくとも1本の境界ラインの間隙空間は0.5mmより小さい請求項1記載の方法。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルの端部の間の少なくとも1本の境界ラインの間隙空間は0.05mmより小さい請求項1記載の方法。
- 溶接は、電子ビーム溶接、レーザー溶接及び摩擦攪拌接合からなる群から選択される請求項1記載の方法。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルを溶接する前に、少なくとも2個のターゲットタイル間の境界ラインの少なくとも1つの下部にスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体を配置する請求項1記載の方法。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル及び少なくとも2個のターゲットタイル間の境界ラインの少なくとも1つの下部に配置されたスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体を溶接前に予備加熱し、この予備加熱温度はターゲットタイルの溶融が開始する温度、物理的状態が変化する温度又は実質的に分解する温度より低い請求項5記載の方法。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル及び少なくとも2個のターゲットタイル間の境界ラインの少なくとも1つの下部に配置されたスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体を、スパッタリングターゲット材料の融点の少なくとも半分まで予備加熱する請求項6記載の方法。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル及び少なくとも2個のターゲットタイル間の境界ラインの少なくとも1つの下部に配置されたスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体を、スパッタリングターゲット材料の融点の少なくとも3/5まで予備加熱する請求項7記載の方法。
- 溶接技術は10−4Torrより小さな圧力で行われる電子ビーム溶接である請求項4記載の方法。
- スパッタリングターゲット材料は、アルミニウム、銅、金、ニッケル、スズ、モリブデン、クロム、亜鉛、パラジウム、ステンレス、パラジウム合金、スズ合金、アルミニウム合金、銅合金及びインジウム−スズ酸化物(ITO)からなる群から選択される請求項1記載の方法。
- スパッタリングターゲットのスパッタリング表面積は10000cm2より大きい請求項1記載の方法。
- 支持部の表面上の少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル間の少なくとも1の予め定められた境界ライン上にスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体を提供し、
少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルを並べて配置し、少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルの端部は隣接し、スパッタリングターゲット材料の小片又 は粉体上の少なくとも1の境界ラインを形成し
電子ビーム溶接チャンバ内のガスを排出し、
少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル及びスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体を、ターゲットタイルの溶融が開始する温度、物理的状態が変化する温度又は実質的に分解する温度以下の予備加熱温度まで予備加熱し、
並べて配置された少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルを大型スパッタリングターゲットに溶接する電子ビーム溶接チャンバ内でスパッタリングターゲットタイルを溶接する方法。 - 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルの隣接端部の間の少なくとも1本の境界ラインの間隙空間は0.05mmより小さい請求項12記載の方法。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル及び少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル間の少なくとも1の予め定められた境界ライン上に配置されたスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体は、スパッタリングターゲット材料の融点の少なくとも半分まで予備加熱される請求項12記載の方法。
- 溶接は10−4Torrより小さな圧力で行われる請求項12記載の方法。
- スパッタリングターゲット材料は、アルミニウム、銅、金、ニッケル、スズ、モリブデン、クロム、亜鉛、パラジウム、ステンレス、パラジウム合金、スズ合金、アルミニウム合金、銅合金及びインジウム−スズ酸化物(ITO)からなる群から選択される請求項12記載の方法。
- スパッタリングターゲットのスパッタリング表面積は750cm2より大きい請求項12記載の方法。
- 10000cm2より大きなスパッタリング表面積を有するスパッタリングターゲットを備え、スパッタリングターゲットは並べて配置された少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルを一体に溶接して形成されるスパッタリングターゲット。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルは電子ビーム溶接で溶接される請求項18記載のスパッタリングターゲット。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルは、
支持部の表面上に配置されるであろう少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル間の少なくとも1の予め定められた境界ライン上にスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体を提供し、
少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルを並べて配置し、少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルの端部は隣接し、スパッタリングターゲット材料の小片又は粉体上の少なくとも1の境界ラインを形成し
電子ビーム溶接チャンバ内のガスを排出し、
少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル及びスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体を、溶接前に、ターゲットタイルの溶融が開始する温度、物理的状態が変化する温度又は実質的に分解する温度以下の予備加熱温度まで予備加熱し、
並べて配置された少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルを大型ターゲットに溶接する方法で溶接される請求項18記載のスパッタリングターゲット。 - スパッタリングターゲット材料は、アルミニウム、銅、金、ニッケル、スズ、モリブデン、クロム、亜鉛、パラジウム、ステンレス、パラジウム合金、スズ合金、アルミニウム合金、銅合金及びインジウム−スズ酸化物(ITO)からなる群から選択される請求項18記載のスパッタリングターゲット。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルの端部の間の少なくとも1本の境界ラインの間隙空間は0.5mmより小さい請求項18記載のスパッタリングターゲット。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルの端部の間の少なくとも1本の境界ラインの間隙空間は0.05mmより小さい請求項18記載のスパッタリングターゲット。
- 溶接は、電子ビーム溶接、レーザー溶接及び摩擦攪拌接合からなる群から選択される請求項18記載のスパッタリングターゲット。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル及びスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体はスパッタリングターゲット材料の融点の少なくとも半分まで予備加熱される請求項18記載のスパッタリングターゲット。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル及びスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体はスパッタリングターゲット材料の融点の少なくとも3/5まで予備加熱される請求項25記載のスパッタリングターゲット。
- 電子ビーム溶接は10−4Torrより小さな圧力で行われる請求項19記載のスパッタリングターゲット。
- 10000cm2より大きなスパッタリング表面積を有するスパッタリングターゲットを備え、スパッタリングターゲットは並べて配置された少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルを一体に溶接して形成され、
スパッタリングターゲットに接着されるバッキングプレートを備えたスパッタリングターゲットアセンブリ。 - 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルは電子ビーム溶接により溶接される請求項28記載のスパッタリングターゲットアセンブリ。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルは、
支持部の表面上に配置されるであろう少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル間の少なくとも1の予め定められた境界ライン上にスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体を提供し、
少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルを並べて配置し、少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルの端部は隣接し、スパッタリングターゲット材料の小片又は粉体上の少なくとも1の境界ラインを形成し
電子ビーム溶接チャンバ内のガスを排出し、
少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル及びスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体を、溶接前に、ターゲットタイルの溶融が開始する温度、物理的状態が変化する温度又は実質的に分解する温度以下の予備加熱温度まで予備加熱し、
並べて配置された少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルを大型ターゲットに溶接する方法で溶接される請求項28記載のスパッタリングターゲットアセンブリ。 - バッキングプレートはインジウムによりスパッタリングターゲットに接着される請求項28記載のスパッタリングターゲットアセンブリ。
- バッキングプレートはエラストマー接着剤によりスパッタリングターゲットに接着される請求項28記載のスパッタリングターゲットアセンブリ。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル及び少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイル間の予め定められた少なくとも1の境界ラインの下部に配置されるスパッタリングターゲット材料の小片又は粉体は、スパッタリングターゲット材料の融点の少なくとも3/5まで予備加熱される請求項12記載の方法。
- スパッタリングターゲットのスパッタリング表面積は10000cm2より大きい請求項12記載の方法。
- 少なくとも2個のスパッタリングターゲットタイルの端部の間の少なくとも1本の境界ラインの間隙空間は0.5mmより小さい請求項12記載の方法。
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