CN108588642A - 防着板及物理气相沉积设备 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009331 sowing Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 235000016804 zinc Nutrition 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种防着板及物理气相沉积设备。本发明的防着板包括支撑架及能转动设于支撑架上的多条防着条,所述多条防着条能组合形成一个防着面,所述多条防着条转动后能组合形成另一个防着面,当一个防着面沉积膜层较厚时可以翻转使用另一个防着面,防止沉积膜层过厚造成脱落或颗粒污染,保证沉积效果,可提高防着板使用寿命,应用于物理气相沉积设备还可减少防着板的更换和清洗工序,提高设备的稼动率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种物理气相沉积用的防着板及物理气相沉积设备。
背景技术
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)及有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display,OLED)。
液晶显示器与有机电致发光显示器的制作过程均涉及镀膜制程,这使得镀膜设备和沉积方法等广泛应用于液晶显示器与有机电致发光显示器的镀膜制程中。例如,采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)工艺对铜、钼、铝等进行沉积并形成金属导线和金属电极,对氧化铟锡、氧化铟镓锌等金属氧化物进行沉积形成半导体层和金属电极等。
物理气相沉积是在真空条件下,采用物理方法,将材料源—固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。在成膜过程中,材料源成分并不会完全沉积在目标基板表面,还会沉积在不该沉积的基板或者设备腔体上,从而影响设备及后续成膜质量。因此,需要在物理气相沉积设备中加入防着板以防止在不该附着的基板或者设备腔体上沉积,如靶材四周及玻璃基板四周区域。如图1所示,物理气相沉积设备包括防着板100和基板支撑部300,基板支撑部300用于承载基板200,防着板100远离基板支撑部300的一面为防着面,当进行物理气相沉积时,防着板100的防着面起阻挡作用,能够防止在基板300或者其他不该附着的区域形成镀膜层。在PVD设备连续工作的过程中,防着板100上面会积累出厚厚的镀膜层,当镀膜层达到一定的厚度,其附着力就会变差,随之掉落在基板表面造成颗粒,从而导致器件失效或者出现表面缺陷。
磁控溅射是物理气相沉积的一种,电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和二次电子;Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射,二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛伦兹力的影响,被束缚子靠近靶材的等离子体区域,该区域内等离子体密度很高,如图1所示,防着板100上对应该区域会沉积更厚的膜层。因此,磁控溅射设备中防着板上对应等离子体密度高的区域的沉积膜层更厚,严重制约着防着板的使用寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防着板,采用两面可翻转结构,当一面沉积膜层较厚时可以翻转使用另一面,防止沉积膜层过厚造成脱落或颗粒污染,保证沉积效果,提高使用寿命。
本发明的另一目的在于提供一种物理气相沉积设备,包括防着板,该防着板采用两面可翻转结构,当一面沉积膜层较厚时可以翻转使用另一面,防止沉积膜层过厚造成脱落或颗粒污染,保证沉积效果,同时可提高防着板使用寿命和设备的稼动率。
为实现上述目的,本发明首先提供一种防着板,用于物理气相沉积设备,包括支撑架及能转动设于支撑架上的多条防着条,所述多条防着条能组合形成一个防着面,所述多条防着条转动后能组合形成另一个防着面。
每一防着条包括条状本体及固定于条状本体两端的两旋转部,所述旋转部能转动设于所述支撑架上。
所述旋转部位于所述条状本体的中心轴线上,每一防着条具有相对设置的第一面和第二面,每一防着条能够沿中心轴线旋转以实现第一面和第二面的翻转,所述多条防着条的第一面组合形成一个防着面,所述多条防着条的第二面组合形成另一个防着面。
所述防着板还包括伺服马达,所述伺服马达能驱动所述旋转部旋转进而带动每一防着条旋转。
所述条状本体的宽度大于相邻两个条状本体的中心轴线之间的距离。
本发明还提供一种物理气相沉积设备,包括:真空腔室,设于所述真空腔室内的蒸发源和基板支撑部,以及设于所述基板支撑部朝向蒸发源一侧且位于基板支撑部周围的防着板;
所述防着板包括支撑架及能转动设于支撑架上的多条防着条,所述多条防着条能组合形成一个防着面,所述多条防着条转动后能组合形成另一个防着面。
每一防着条包括条状本体及固定于条状本体两端的旋转部,所述旋转部能转动设于所述支撑架上。
所述旋转部位于所述条状本体的中心轴线上,每一防着条具有相对设置的第一面和第二面,每一防着条能够沿中心轴线旋转以实现第一面和第二面的翻转,所述多条防着条的第一面组合形成一个防着面,所述多条防着条的第二面组合形成另一个防着面。
所述防着板还包括设于所述真空腔室外的伺服马达,所述伺服马达能驱动所述旋转部旋转进而带动防着条旋转。
所述条状本体的宽度大于相邻两个条状本体的中心轴线之间的距离。
本发明的有益效果:本发明提供的一种防着板,包括支撑架及能转动设于支撑架上的多条防着条,所述多条防着条能组合形成一个防着面,所述多条防着条转动后能组合形成另一个防着面,当一个防着面沉积膜层较厚时可以翻转使用另一个防着面,防止沉积膜层过厚造成脱落或颗粒污染,保证沉积效果,可提高防着板使用寿命,应用于物理气相沉积设备还可提高设备的稼动率。本发明的物理气相沉积设备,真空腔室内的防着板包括支撑架及能转动设于支撑架上的多条防着条,所述多条防着条能组合形成一个防着面,所述多条防着条转动后能组合形成另一个防着面,当一个防着面沉积膜层较厚时可以翻转使用另一个防着面,防止沉积膜层过厚造成脱落或颗粒污染,保证沉积效果,可提高防着板使用寿命和设备的稼动率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图中,
图1为现有的磁控溅射镀膜原理示意图;
图2为本发明的防着条的结构示意图;
图3为本发明的防着条的旋转示意图;
图4为本发明的物理气相沉积设备的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2,本发明提供一种防着板10,该防着板10包括支撑架30及能转动设于支撑架30上的多条防着条20,所述多条防着条20能组合形成一个防着面,所述多条防着条20转动后能组合形成另一个防着面。
每一防着条20包括条状本体22及固定于条状本体22两端的旋转部23,所述旋转部23能转动设于支撑架30上,从而每一防着条20能够旋转。
具体地,所述旋转部23位于所述条状本体22的中心轴线21上,每一防着条20能够沿着该中心轴线21旋转。
如图3所示,每一防着条20具有相对设置的第一面24和第二面25,每一防着条20能够沿中心轴线21旋转以实现第一面24和第二面25的翻转,所述多条防着条20的第一面24组合形成一个防着面,所述多条防着条20的第二面25组合形成另一个防着面。也即,应用于物理气相沉积设备时,第一面24和第二面25可分别用于沉积过程中对不需要附着沉积膜层区域的遮挡。
所述支撑架30设于防着条20的两端,每一防着条20的旋转部23能转动安装于支撑架30上。
优选地,所述防着板10还包括伺服马达40,所述伺服马达40能驱动所述旋转部23旋转进而带动防着条20旋转。伺服马达40连接至支撑架30进而连接至每一防着条20。可选地,所述多条防着条20连接在同一伺服马达40上,即一个伺服马达40同时控制多条防着条20旋转;或者,每一防着条20各自单独连接在不同的伺服马达40上,即每个伺服马达40仅控制一条防着条20旋转。
优选地,由于依次拼接的防着条20用于遮挡不需要沉积膜层的区域,因此防着条20之间的间隙应将至最低,以防止源材料的成分透过防着条20之间的间隙而到达其下方。因此,在本发明中,每一条状本体22的宽度大于相邻两个条状本体22的中心轴线21之间的距离。那么,防着板10的防着面将不会是平面状的,而是在相邻两条防着条20的条状本体22之间存在一块交叠区域50,如图3所示。
当将每一防着条20翻转后,另一面成为向上的状态。并且相邻两条防着条20的条状本体22之间仍有一块交叠区域50,阻挡效果好。
优选地,所述防着条20的条状本体22之间的交叠区域50的宽度为0.1cm~1.0cm。
优选地,所述防着条20的材料为铝合金材料,当然也可以为其他合适的材料,本发明在此不作限制。
在上述防着板的基础上,本发明还提供一种应用上述防着板的物理气相沉积设备60,如图4所示,该物理气相沉积设备60包括:真空腔室61,设于真空腔室61内一侧的蒸发源62和设于真空腔室61另一侧的基板支撑部63,以及设于基板支撑部63朝向蒸发源62一侧且位于基板支撑部63边缘区域的防着板10。
请结合参阅上述的图2和图3,防着板10包括支撑架30及能转动设于支撑架30上的多条防着条20,所述多条防着条20能组合形成一个防着面,所述多条防着条20转动后能组合形成另一个防着面。
每一防着条20包括条状本体22及固定于条状本体22两端的旋转部23,所述旋转部23能转动设于支撑架30上,从而每一防着条20能够旋转。
具体地,所述旋转部23位于所述条状本体22的中心轴线21上,每一防着条20能够沿着该中心轴线21旋转。
每一防着条20具有相对设置的第一面24和第二面25,每一防着条20能够沿中心轴线21旋转以实现第一面24和第二面25的翻转,所述多条防着条20的第一面24组合形成一个防着面,所述多条防着条20的第二面25组合形成另一个防着面。也即,应用于物理气相沉积设备时,第一面24和第二面25可分别用于沉积过程中对不需要附着沉积膜层区域的遮挡。
所述支撑架30设于防着条20的两端,每一防着条20的旋转部23能转动安装于支撑架30上。
优选地,所述防着板10还包括设于所述真空腔室61外的伺服马达40,所述伺服马达40能驱动所述旋转部23旋转进而带动防着条20旋转。伺服马达40连接至支撑架30进而连接至每一防着条20。可选地,所述多条防着条20连接在同一伺服马达40上,即一个伺服马达40同时控制多条防着条20旋转;或者,每一防着条20各自单独连接在不同的伺服马达40上,即每个伺服马达40仅控制一条防着条20旋转。在本发明的物理气相沉积设备60中,伺服马达40设于真空腔室61之外,以在不中断沉积过程的前提下控制防着条20的旋转。
优选地,由于依次拼接的防着条20用于遮挡不需要沉积膜层的区域,因此防着条20之间的间隙应将至最低,以防止源材料的成分透过防着条20之间的间隙而到达其下方。因此,在本发明中,每一条状本体22的宽度大于相邻两个条状本体22的中心轴线21之间的距离。那么,防着板10的防着面将不会是平面状的,而是在相邻两条防着条20的条状本体22之间存在一块交叠区域50,如图3所示。
当将每一防着条20翻转后,另一面成为向上的状态。并且相邻两条防着条20的条状本体22之间仍有一块交叠区域50,阻挡效果好。
优选地,所述防着条20的条状本体22之间的交叠区域50的宽度为0.1cm~1.0cm。
优选地,所述防着条20的材料为铝合金材料,当然也可以为其他合适的材料,本发明在此不作限制。
基板支撑部63用于支撑待沉积膜层的基板64,防着板10设于基板64的周围。对于磁控溅射设备,视其真空腔室内膜厚沉积不均匀情况而定,可在基板周围均设置本申请的防着条,也可仅在对应等离子体密度较高的两侧设置本发明的防着板,其他区域设置普通的平板状防着板以降低成本。对于其他不存在因磁场而导致膜厚明显不均匀的沉积设备而言,可在基板周围均设置本申请的防着条以提高防着条的使用寿命,降低更换和清洗成本。对于蒸发源周围,也可根据需要设置本申请的防着板或者是普通的平板状防着板。本发明在此不作限制。
综上所述,本发明的防着板包括支撑架及能转动设于支撑架上的多条防着条,所述多条防着条能组合形成一个防着面,所述多条防着条转动后能组合形成另一个防着面,当一个防着面沉积膜层较厚时可以翻转使用另一个防着面,防止沉积膜层过厚造成脱落或颗粒污染,保证沉积效果,可提高防着板使用寿命,应用于物理气相沉积设备还可提高设备的稼动率。本发明的物理气相沉积设备,其真空腔室内的防着板包括支撑架及能转动设于支撑架上的多条防着条,所述多条防着条能组合形成一个防着面,所述多条防着条转动后能组合形成另一个防着面,当一个防着面沉积膜层较厚时可以翻转使用另一个防着面,防止沉积膜层过厚造成脱落或颗粒污染,保证沉积效果,可提高防着板使用寿命和设备的稼动率。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种防着板(10),其特征在于,包括支撑架(30)及能转动设于支撑架(30)上的多条防着条(20),所述多条防着条(20)能组合形成一个防着面,所述多条防着条(20)转动后能组合形成另一个防着面。
2.如权利要求1所述的防着板(10),其特征在于,每一防着条(20)包括条状本体(22)及固定于条状本体(22)两端的两旋转部(23),所述旋转部(23)能转动设于所述支撑架(30)上。
3.如权利要求2所述的防着板(10),其特征在于,所述旋转部(23)位于所述条状本体(22)的中心轴线(21)上,每一防着条(20)具有相对设置的第一面(24)和第二面(25),每一防着条(20)能够沿中心轴线(21)旋转以实现第一面(24)和第二面(25)的翻转,所述多条防着条(20)的第一面(24)组合形成一个防着面,所述多条防着条(20)的第二面(25)组合形成另一个防着面。
4.如权利要求2所述的防着板(10),其特征在于,还包括伺服马达(40),所述伺服马达(40)能驱动所述旋转部(23)旋转进而带动防着条(20)旋转。
5.如权利要求3所述的防着板(10),其特征在于,所述条状本体(22)的宽度大于相邻两个条状本体(22)的中心轴线(21)之间的距离。
6.一种物理气相沉积设备(60),其特征在于,包括:真空腔室(61),设于所述真空腔室(61)内的蒸发源(62)和基板支撑部(63),以及设于所述基板支撑部(63)朝向蒸发源(62)一侧且位于基板支撑部(63)周围的防着板(10);
所述防着板(10)包括支撑架(30)及能转动设于支撑架(30)上的多条防着条(20),所述多条防着条(20)能组合形成一个防着面,所述多条防着条(20)转动后能组合形成另一个防着面。
7.如权利要求6所述的物理气相沉积设备(60),其特征在于,每一防着条(20)包括条状本体(22)及固定于条状本体(22)两端的两旋转部(23),所述旋转部(23)能转动设于所述支撑架(30)上。
8.如权利要求7所述的物理气相沉积设备(60),其特征在于,所述旋转部(23)位于所述条状本体(22)的中心轴线(21)上,每一防着条(20)具有相对设置的第一面(24)和第二面(25),每一防着条(20)能够沿中心轴线(21)旋转以实现第一面(24)和第二面(25)的翻转,所述多条防着条(20)的第一面(24)组合形成一个防着面,所述多条防着条(20)的第二面(25)组合形成另一个防着面。
9.如权利要求7所述的物理气相沉积设备(60),其特征在于,所述防着板(10)还包括设于所述真空腔室(61)外的伺服马达(40),所述伺服马达(40)能驱动所述旋转部(23)旋转进而带动防着条(20)旋转。
10.如权利要求8所述的物理气相沉积设备(60),其特征在于,所述条状本体(22)的宽度大于相邻两个条状本体(22)的中心轴线(21)之间的距离。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810463698.9A CN108588642A (zh) | 2018-05-15 | 2018-05-15 | 防着板及物理气相沉积设备 |
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Publications (1)
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---|---|
CN108588642A true CN108588642A (zh) | 2018-09-28 |
Family
ID=63631095
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CN201810463698.9A Pending CN108588642A (zh) | 2018-05-15 | 2018-05-15 | 防着板及物理气相沉积设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN108588642A (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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