JP3416853B2 - スパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリング方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インジウム−スズ
の金属酸化膜（以下、「ＩＴＯ膜」という。）を低比抵
抗率のものとしてガラス基板の板面に成膜するに適用す
るスパッタリング方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】一般に、ＩＴＯ膜は液晶ディスプレイ用
の透明導電膜としてガラス基板の板面に成膜することが
行われている。そのＩＴＯ膜としては、低抵抗，高透過
率，低温成膜等の特性から信頼性の高いものが要請され
ている。 【０００３】また、カラー液晶の需要が高まるのに伴っ
て、有機系の樹脂フィルムをガラス基板の板面に形成す
ることが行なわれている。唯、この有機系樹脂フィルム
を形成する場合、損傷防止から、ガラス基板を２００℃
以上で加熱できないため、その加熱温度から、ＩＴＯ膜
としては比抵抗率３〜４×１０−４Ω・ｃｍ以下に成膜
できない。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、インライン
スパッタリング方式を適用し、フラズマによるガラス基
板の基板温度を低温に抑えることにより、ＩＴＯ膜を３
×１０−４Ω・ｃｍ以下の低比抵抗率のものに成膜可能
なスパッタリング方法を提供することを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタリ
ング方法においては、インジウム−スズの金属酸化膜を
低比抵抗率のものとしてガラス基板の板面に成膜するべ
く、インジウム−スズ酸化物の高燒結密度材をターゲッ
トとし、ガラス基板並びにターゲットが収容される真空
チャンバーの内部圧力を５×１０−４ｐａ以下に排気し
た後、アルゴンガスをターゲットの直上から真空チャン
バーの内部に導入し、該チャンバー内の成膜圧力を０．
０７〜０．２ｐａに調整してから、その真空チャンバー
の内部で２５０〜３５０Ｇの磁場をマグネットより水冷
されたターゲットにかけると共に、１３．５６ＭＨｚの
高周波電圧をターゲット電極に印加させてグロー放電す
るという条件設定の下に、フラズマによるガラス基板の
基板温度を８０℃以下の低温に抑えることから、インジ
ウム−スズの金属酸化膜を３×１０−４Ω・ｃｍ以下の
低比抵抗率のものにガラス基板の板面に成膜するように
されている。 【０００６】 【作用】本発明に係るスパッタリング方法では、インラ
インスパッタリング方式を適用し、所定の条件設定の下
に、高周波電源とマグネトロンスパッタリングとを併用
することから、プラズマによるガラス基板の基板温度を
８０℃以下に抑えられるため、インジウム−スズの金属
酸化膜を３×１０−４Ω・ｃｍ以下の低比抵抗率のもの
に成膜できるばかりでなく、有機系樹脂フィルムの形成
されたガラス基板に対しても、２×１０−４Ω・ｃｍ以
下の低比抵抗率のものに成膜できる。 【０００７】 【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して説明す
ると、図１はインラインスパッタリング装置の内部構造
を真空チャンバーの断面で概略的に示す。同図中、符号
１は真空チャンバー、２はターゲット、３は基板搭載用
トレー、Ｇはガラス基板を示す。 【０００８】真空チャンバー１は、チャンバー内に導入
されるガスの放出が少なくて切削加工が容易なアルミ材
で形成されている。ターゲット２としては、インジウム
−スズの酸化物で純度４〜５Ｎ（ナイン）の高燒結密度
材が真空チャンバー１のスパッタ室内に装備されてい
る。 【０００９】真空チャンバー１の内部には、板面をター
ゲット２に向けてガラス基板Ｇをトレー３で搬送する基
板の搬送系も配設されている。また、ターゲット２の配
置位置から直上に相対させて、アルゴンガスを放電ガス
として真空チャンバー１の内部に導入するガス導入口４
が設けられている。 【００１０】ターゲット２には、水冷を常時施すよう冷
却水の循環系５が近接配置されている。そのターゲット
２には、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加する高周
波電源６がターゲット電極と接続することにより装備さ
れている。 【００１１】そのターゲット２の近傍には、Ｎ，Ｓ極を
交互にターゲット２に向けて配列させることから、複数
個のマグネット７ａ，７ｂ…が２５０〜３５０Ｇの磁場
をターゲット２にかけるよう配置されている。このマグ
ネット７ａ，７ｂ…の装備位置を含めて、ターゲット２
の配置周辺にはチャンバー１をターゲット２から絶縁す
る絶縁用碍子１ａが取り付けられている。 【００１２】図２は、基板の搬送系を概略的に示す。ト
レー３は、ガラス基板の搭載面を横方向に向けてトレー
ホルダー３０で縦に取り付けられている。そのトレーホ
ルダー３０は、真空チャンバー１の内部に配設された上
下のガイドレール３１，３２に沿って移動するよう装備
されている。 【００１３】トレーホルダー３０には、トレー３のふら
つきを防止するべく、各ガイドレール３１，３２を上下
から挟持するロールベアリング３３ａ，３３ｂ、３４
ａ，３４ｂが備え付けられている。このトレーホルダー
３０は、プーリー３５を介して連繋される駆動モータ
（図示せず）を駆動源とし、トレーホルダー３０の下部
側に装備された回転体３６との摺接摩擦で走行移動する
よう装備されている。 【００１４】回転体３６は、磁気シール等で気密に軸受
けすることにより真空チャンバー１の内部に挿通配置さ
れた回転シャフト３７の軸端に取り付けられている。こ
の回転体３６は、円周面をトレーホルダー３０の下部側
に設けられた張出しフランジ部３０ａと当接し、図２の
手前乃至は奥方向に向ってトレーホルダー３０を往復動
させるよう可逆回動可能に装備されている。 【００１５】回転体３６の円周面には、シリコンゴム等
のゴムリング３６ａが嵌着固定されている。また、ゴム
リング３６ａが当接する張出しフランジ部３０ａには、
シリコンゴム等のゴム弾性層３０ｂがトレー３の移動方
向全長に亘って取り付けられている。 【００１６】図３は、真空チャンバー１並びにガス供給
系，ガス排気系を示す。真空チャンバー１の内部は、仕
込室１０，スパッタ室１１，バッファ室１２とに区画さ
れている。そのうち、仕込室１０とスパッタ室１１とは
スパッタ室１１を開閉するゲートバルブ１３で仕切られ
ている。 【００１７】スパッタ室１１には、上述したガス導入口
４を介してアルゴンガスを内部に供給するガス供給系４
０が接続されている。このガス供給系４０には、真空チ
ャンバー１の内部圧力を監視することによりガス圧をフ
ィードバック制御する自動流量弁制御機能型のリークバ
ルブ４１が組み付けられている。 【００１８】そのガス供給系４０の他に、真空チャンバ
ー１には同等の排気量を有するガス排気系８ａ，８ｂが
真空チャンバー１のスパッタ室１１を介し、トレー３が
移動する始端，終端側の仕込み室１０，バッファ室１２
に夫々接続されている。このガス排気系８ａ，８ｂに
は、コントロールゲートバルブ８０，８０を介してクラ
イオポンプ等の排気ポンプ８１，８１が装備されてい
る。また、同等な排気量のアングルバルブ８２，８２を
介し、別のガス排気系８ｃ，８ｄが仕込み室１０，バッ
ファ室１２に並列的に装備されている。 【００１９】各ガス排気系８ａ，８ｂ、８ｃ，８ｄは、
共通のロータリーポンプ８３に接続することにより、全
排気系としては純粋なアルゴンガスのイオンが衝突する
ようスパッタ室１１のガス圧を常時一定に保つと共に、
アルゴンガスがガス導入口４から供給されるスパッタ室
１１を均一なガス圧に保つよう構成されている。 【００２０】このスパッタリング装置においては、ター
ゲット２としてインジウム−スズ酸化物（Ｉｎ２Ｏ３＋
ＳｎＯ２）を装備し、ガラス基板Ｇをトレー３に搭載さ
せて仕込み室１０からスパッタ室１１にトレーホルダー
３０による搬送系で移動することにより、ＩＴＯ膜をガ
ラス基板Ｇの板面に成膜する。 【００２１】その成膜にあたっては、まず、真空チャン
バー１の内部圧力を５×１０−４Ｐａ以下にまで排気す
る。これと共に、真空チャンバー１の内部にはキャリア
ガスとしてアルゴンガスをターゲット２の配置位置直上
のガス導入口４から送り込むことによりガス圧を０．０
７〜０．２Ｐａに調整する。 【００２２】ガラス基板を真空チャンバー１のスパッタ
室１１に送り込む際、ターゲット２には予め水冷処理が
冷却水の循環系５で施され、また、２５０〜３５０Ｇの
磁場がマグネット７ａ，７ｂ…よりかけられている。こ
の雰囲気下のスパッタ室１１に、ガラス基板を送り込む
と共に、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧をターゲット電
極からターゲット２に印加する。 【００２３】その高周波電圧を金属のターゲット２に印
加すると、グロー放電が起き、ターゲット面におけるス
パッタリング，ターゲット２から放出された放電空間の
飛行並びにガラス基板に対するスパッタ粒子の入射と凝
縮を経て、ＩＴＯ膜がガラス基板の板面に形成される。 【００２４】その高周波電圧の印加によると、ターゲッ
ト２が帯電しないことから、電位の上昇を防げると共
に、マグネトロン放電で基板に対する原子等の衝突を抑
えられるので、ガラス基板の基板温度は８０℃以下に抑
えられてＩＴＯ膜を低温基板に形成できる。 【００２５】また、真空チャンバー内の成膜圧力を０．
０７〜０．２Ｐａに調整することにより、図４で示すよ
うにＩＴＯ膜を３×１０−４Ω・ｃｍ以下の低比抵抗率
のものに成膜できるばかりでなく、有機系樹脂フィルム
の形成されたガラス基板にでも、比抵抗率２×１０−４
Ω・ｃｍ以下に成膜できる。なお、成膜圧力を０．０７
Ｐａ以下にすると、グロー放電が安定せず、異常放電が
起き易くなるから好ましくない。 【００２６】このスパッタリング装置においては、ガラ
ス基板をトレー搬送するときには回転体３６のゴムリン
グ３６ａがトレーホルダー３０のゴム弾性層３０ｂと摺
接摩擦することによりトレー３を走行移動するから、パ
ーティクルの発生原因となる金属摩擦による金属粉が発
生するのを防げる。 【００２７】また、同等の排気量を有するガス排気系８
ａ，８ｂがスパッタ室１１の離れた位置に設置されてス
パッタ室１１の圧力が一定に保たれているため、グロー
放電が安定よく起こせて信頼性の高いＩＴＯ膜の成膜を
行える。 【００２８】 【発明の効果】以上の如く、本発明に係るスパッタリン
グ方法に依れば、ＩＴＯ膜を低圧，低温で低比抵抗率に
成膜することから、液晶ディスプレイ用の透明導電膜等
を信頼性の高いものに形成できる。
の金属酸化膜（以下、「ＩＴＯ膜」という。）を低比抵
抗率のものとしてガラス基板の板面に成膜するに適用す
るスパッタリング方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】一般に、ＩＴＯ膜は液晶ディスプレイ用
の透明導電膜としてガラス基板の板面に成膜することが
行われている。そのＩＴＯ膜としては、低抵抗，高透過
率，低温成膜等の特性から信頼性の高いものが要請され
ている。 【０００３】また、カラー液晶の需要が高まるのに伴っ
て、有機系の樹脂フィルムをガラス基板の板面に形成す
ることが行なわれている。唯、この有機系樹脂フィルム
を形成する場合、損傷防止から、ガラス基板を２００℃
以上で加熱できないため、その加熱温度から、ＩＴＯ膜
としては比抵抗率３〜４×１０−４Ω・ｃｍ以下に成膜
できない。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、インライン
スパッタリング方式を適用し、フラズマによるガラス基
板の基板温度を低温に抑えることにより、ＩＴＯ膜を３
×１０−４Ω・ｃｍ以下の低比抵抗率のものに成膜可能
なスパッタリング方法を提供することを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタリ
ング方法においては、インジウム−スズの金属酸化膜を
低比抵抗率のものとしてガラス基板の板面に成膜するべ
く、インジウム−スズ酸化物の高燒結密度材をターゲッ
トとし、ガラス基板並びにターゲットが収容される真空
チャンバーの内部圧力を５×１０−４ｐａ以下に排気し
た後、アルゴンガスをターゲットの直上から真空チャン
バーの内部に導入し、該チャンバー内の成膜圧力を０．
０７〜０．２ｐａに調整してから、その真空チャンバー
の内部で２５０〜３５０Ｇの磁場をマグネットより水冷
されたターゲットにかけると共に、１３．５６ＭＨｚの
高周波電圧をターゲット電極に印加させてグロー放電す
るという条件設定の下に、フラズマによるガラス基板の
基板温度を８０℃以下の低温に抑えることから、インジ
ウム−スズの金属酸化膜を３×１０−４Ω・ｃｍ以下の
低比抵抗率のものにガラス基板の板面に成膜するように
されている。 【０００６】 【作用】本発明に係るスパッタリング方法では、インラ
インスパッタリング方式を適用し、所定の条件設定の下
に、高周波電源とマグネトロンスパッタリングとを併用
することから、プラズマによるガラス基板の基板温度を
８０℃以下に抑えられるため、インジウム−スズの金属
酸化膜を３×１０−４Ω・ｃｍ以下の低比抵抗率のもの
に成膜できるばかりでなく、有機系樹脂フィルムの形成
されたガラス基板に対しても、２×１０−４Ω・ｃｍ以
下の低比抵抗率のものに成膜できる。 【０００７】 【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して説明す
ると、図１はインラインスパッタリング装置の内部構造
を真空チャンバーの断面で概略的に示す。同図中、符号
１は真空チャンバー、２はターゲット、３は基板搭載用
トレー、Ｇはガラス基板を示す。 【０００８】真空チャンバー１は、チャンバー内に導入
されるガスの放出が少なくて切削加工が容易なアルミ材
で形成されている。ターゲット２としては、インジウム
−スズの酸化物で純度４〜５Ｎ（ナイン）の高燒結密度
材が真空チャンバー１のスパッタ室内に装備されてい
る。 【０００９】真空チャンバー１の内部には、板面をター
ゲット２に向けてガラス基板Ｇをトレー３で搬送する基
板の搬送系も配設されている。また、ターゲット２の配
置位置から直上に相対させて、アルゴンガスを放電ガス
として真空チャンバー１の内部に導入するガス導入口４
が設けられている。 【００１０】ターゲット２には、水冷を常時施すよう冷
却水の循環系５が近接配置されている。そのターゲット
２には、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加する高周
波電源６がターゲット電極と接続することにより装備さ
れている。 【００１１】そのターゲット２の近傍には、Ｎ，Ｓ極を
交互にターゲット２に向けて配列させることから、複数
個のマグネット７ａ，７ｂ…が２５０〜３５０Ｇの磁場
をターゲット２にかけるよう配置されている。このマグ
ネット７ａ，７ｂ…の装備位置を含めて、ターゲット２
の配置周辺にはチャンバー１をターゲット２から絶縁す
る絶縁用碍子１ａが取り付けられている。 【００１２】図２は、基板の搬送系を概略的に示す。ト
レー３は、ガラス基板の搭載面を横方向に向けてトレー
ホルダー３０で縦に取り付けられている。そのトレーホ
ルダー３０は、真空チャンバー１の内部に配設された上
下のガイドレール３１，３２に沿って移動するよう装備
されている。 【００１３】トレーホルダー３０には、トレー３のふら
つきを防止するべく、各ガイドレール３１，３２を上下
から挟持するロールベアリング３３ａ，３３ｂ、３４
ａ，３４ｂが備え付けられている。このトレーホルダー
３０は、プーリー３５を介して連繋される駆動モータ
（図示せず）を駆動源とし、トレーホルダー３０の下部
側に装備された回転体３６との摺接摩擦で走行移動する
よう装備されている。 【００１４】回転体３６は、磁気シール等で気密に軸受
けすることにより真空チャンバー１の内部に挿通配置さ
れた回転シャフト３７の軸端に取り付けられている。こ
の回転体３６は、円周面をトレーホルダー３０の下部側
に設けられた張出しフランジ部３０ａと当接し、図２の
手前乃至は奥方向に向ってトレーホルダー３０を往復動
させるよう可逆回動可能に装備されている。 【００１５】回転体３６の円周面には、シリコンゴム等
のゴムリング３６ａが嵌着固定されている。また、ゴム
リング３６ａが当接する張出しフランジ部３０ａには、
シリコンゴム等のゴム弾性層３０ｂがトレー３の移動方
向全長に亘って取り付けられている。 【００１６】図３は、真空チャンバー１並びにガス供給
系，ガス排気系を示す。真空チャンバー１の内部は、仕
込室１０，スパッタ室１１，バッファ室１２とに区画さ
れている。そのうち、仕込室１０とスパッタ室１１とは
スパッタ室１１を開閉するゲートバルブ１３で仕切られ
ている。 【００１７】スパッタ室１１には、上述したガス導入口
４を介してアルゴンガスを内部に供給するガス供給系４
０が接続されている。このガス供給系４０には、真空チ
ャンバー１の内部圧力を監視することによりガス圧をフ
ィードバック制御する自動流量弁制御機能型のリークバ
ルブ４１が組み付けられている。 【００１８】そのガス供給系４０の他に、真空チャンバ
ー１には同等の排気量を有するガス排気系８ａ，８ｂが
真空チャンバー１のスパッタ室１１を介し、トレー３が
移動する始端，終端側の仕込み室１０，バッファ室１２
に夫々接続されている。このガス排気系８ａ，８ｂに
は、コントロールゲートバルブ８０，８０を介してクラ
イオポンプ等の排気ポンプ８１，８１が装備されてい
る。また、同等な排気量のアングルバルブ８２，８２を
介し、別のガス排気系８ｃ，８ｄが仕込み室１０，バッ
ファ室１２に並列的に装備されている。 【００１９】各ガス排気系８ａ，８ｂ、８ｃ，８ｄは、
共通のロータリーポンプ８３に接続することにより、全
排気系としては純粋なアルゴンガスのイオンが衝突する
ようスパッタ室１１のガス圧を常時一定に保つと共に、
アルゴンガスがガス導入口４から供給されるスパッタ室
１１を均一なガス圧に保つよう構成されている。 【００２０】このスパッタリング装置においては、ター
ゲット２としてインジウム−スズ酸化物（Ｉｎ２Ｏ３＋
ＳｎＯ２）を装備し、ガラス基板Ｇをトレー３に搭載さ
せて仕込み室１０からスパッタ室１１にトレーホルダー
３０による搬送系で移動することにより、ＩＴＯ膜をガ
ラス基板Ｇの板面に成膜する。 【００２１】その成膜にあたっては、まず、真空チャン
バー１の内部圧力を５×１０−４Ｐａ以下にまで排気す
る。これと共に、真空チャンバー１の内部にはキャリア
ガスとしてアルゴンガスをターゲット２の配置位置直上
のガス導入口４から送り込むことによりガス圧を０．０
７〜０．２Ｐａに調整する。 【００２２】ガラス基板を真空チャンバー１のスパッタ
室１１に送り込む際、ターゲット２には予め水冷処理が
冷却水の循環系５で施され、また、２５０〜３５０Ｇの
磁場がマグネット７ａ，７ｂ…よりかけられている。こ
の雰囲気下のスパッタ室１１に、ガラス基板を送り込む
と共に、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧をターゲット電
極からターゲット２に印加する。 【００２３】その高周波電圧を金属のターゲット２に印
加すると、グロー放電が起き、ターゲット面におけるス
パッタリング，ターゲット２から放出された放電空間の
飛行並びにガラス基板に対するスパッタ粒子の入射と凝
縮を経て、ＩＴＯ膜がガラス基板の板面に形成される。 【００２４】その高周波電圧の印加によると、ターゲッ
ト２が帯電しないことから、電位の上昇を防げると共
に、マグネトロン放電で基板に対する原子等の衝突を抑
えられるので、ガラス基板の基板温度は８０℃以下に抑
えられてＩＴＯ膜を低温基板に形成できる。 【００２５】また、真空チャンバー内の成膜圧力を０．
０７〜０．２Ｐａに調整することにより、図４で示すよ
うにＩＴＯ膜を３×１０−４Ω・ｃｍ以下の低比抵抗率
のものに成膜できるばかりでなく、有機系樹脂フィルム
の形成されたガラス基板にでも、比抵抗率２×１０−４
Ω・ｃｍ以下に成膜できる。なお、成膜圧力を０．０７
Ｐａ以下にすると、グロー放電が安定せず、異常放電が
起き易くなるから好ましくない。 【００２６】このスパッタリング装置においては、ガラ
ス基板をトレー搬送するときには回転体３６のゴムリン
グ３６ａがトレーホルダー３０のゴム弾性層３０ｂと摺
接摩擦することによりトレー３を走行移動するから、パ
ーティクルの発生原因となる金属摩擦による金属粉が発
生するのを防げる。 【００２７】また、同等の排気量を有するガス排気系８
ａ，８ｂがスパッタ室１１の離れた位置に設置されてス
パッタ室１１の圧力が一定に保たれているため、グロー
放電が安定よく起こせて信頼性の高いＩＴＯ膜の成膜を
行える。 【００２８】 【発明の効果】以上の如く、本発明に係るスパッタリン
グ方法に依れば、ＩＴＯ膜を低圧，低温で低比抵抗率に
成膜することから、液晶ディスプレイ用の透明導電膜等
を信頼性の高いものに形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るスパッタリング方法を適用する真
空チャンバーを概略的に示す説明図である。 【図２】図１のスパッタリング装置に装備する基板トレ
ー搬送系を概略的に示す説明図である。 【図３】図１のスパッタリング装置に装備するガス供
給，排気系を概略的に示す説明図である。 【図４】本発明に係るスパッタリング方法で成膜される
ＩＴＯ膜の比抵抗率と成膜圧力との関係を示すグラフで
ある。 【符号の説明】 Ｇ ガラス基板 １ 真空チャンバー １１ スパッタ室 ２ ターゲット ３ トレー ４ ガス導入口 ５ ターゲット水冷用冷却水の循環
系 ６ 高周波電源 ７ａ，７ｂ… マグネット
空チャンバーを概略的に示す説明図である。 【図２】図１のスパッタリング装置に装備する基板トレ
ー搬送系を概略的に示す説明図である。 【図３】図１のスパッタリング装置に装備するガス供
給，排気系を概略的に示す説明図である。 【図４】本発明に係るスパッタリング方法で成膜される
ＩＴＯ膜の比抵抗率と成膜圧力との関係を示すグラフで
ある。 【符号の説明】 Ｇ ガラス基板 １ 真空チャンバー １１ スパッタ室 ２ ターゲット ３ トレー ４ ガス導入口 ５ ターゲット水冷用冷却水の循環
系 ６ 高周波電源 ７ａ，７ｂ… マグネット
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フロントページの続き
(72)発明者 渡辺 英昭
東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ
ィーディーケイ株式会社内
(56)参考文献 特開 昭61−237423（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−137520（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−125222（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−97862（ＪＰ，Ａ)
実開 昭55−15261（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 14/00 - 14/58
H01B 13/00
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 インジウム−スズの金属酸化膜を低比抵
抗率のものとしてガラス基板の板面に成膜するべく、イ
ンジウム−スズ酸化物の高燒結密度材をターゲットと
し、ガラス基板並びにターゲットが収容される真空チャ
ンバーの内部圧力を５×１０−４ｐａ以下に排気した
後、アルゴンガスをターゲットの直上から真空チャンバ
ーの内部に導入し、該チャンバー内の成膜圧力を０．０
７〜０．２ｐａに調整してから、その真空チャンバーの
内部で２５０〜３５０Ｇの磁場をマグネットより水冷さ
れたターゲットにかけると共に、１３．５６ＭＨｚの高
周波電圧をターゲット電極に印加させてグロー放電する
という条件設定の下に、フラズマによるガラス基板の基
板温度を８０℃以下の低温に抑えることから、インジウ
ム−スズの金属酸化膜を３×１０−４Ω・ｃｍ以下の低
比抵抗率のものにガラス基板の板面に成膜するようにし
たことを特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35712492A JP3416853B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | スパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35712492A JP3416853B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | スパッタリング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06184742A JPH06184742A (ja) | 1994-07-05 |
| JP3416853B2 true JP3416853B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=18452507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35712492A Expired - Fee Related JP3416853B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | スパッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3416853B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5248141B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2013-07-31 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造装置および製造方法 |
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