JPH06184742A - スパッタリング方法及び装置 - Google Patents
スパッタリング方法及び装置Info
- Publication number
- JPH06184742A JPH06184742A JP35712492A JP35712492A JPH06184742A JP H06184742 A JPH06184742 A JP H06184742A JP 35712492 A JP35712492 A JP 35712492A JP 35712492 A JP35712492 A JP 35712492A JP H06184742 A JPH06184742 A JP H06184742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- vacuum chamber
- tray
- sputtering
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低比抵抗率なインジウム−スズの酸化膜をガ
ラス基板に低温で成膜し、パーティクルの発生を防いで
安定したグロー放電を起すことにより信頼性の高い成膜
を行う。 【構成】 高周波電圧を水冷されたターゲット２に真空
チャンバー１の内部で印加すると共にマグネトロン放電
を適用することにより、プラズマによるガラス基板の上
昇温度を８０℃以下に抑えて比抵抗率３×１０-4Ω・ｃ
ｍ以下の酸化膜を成膜し、また、トレー搬送をゴム弾性
層とゴムリングとの摺接摩擦で行って金属粉の発生を防
ぎ、更に、スパッタ室を介して同等な排気量のガス排気
系を真空チャンバーに装備することによりスパッタ室の
ガス圧を一定に保つ。
ラス基板に低温で成膜し、パーティクルの発生を防いで
安定したグロー放電を起すことにより信頼性の高い成膜
を行う。 【構成】 高周波電圧を水冷されたターゲット２に真空
チャンバー１の内部で印加すると共にマグネトロン放電
を適用することにより、プラズマによるガラス基板の上
昇温度を８０℃以下に抑えて比抵抗率３×１０-4Ω・ｃ
ｍ以下の酸化膜を成膜し、また、トレー搬送をゴム弾性
層とゴムリングとの摺接摩擦で行って金属粉の発生を防
ぎ、更に、スパッタ室を介して同等な排気量のガス排気
系を真空チャンバーに装備することによりスパッタ室の
ガス圧を一定に保つ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、インジウム−スズの金
属酸化膜（以下、「ＩＴＯ膜」という。）をガラス基板
に成膜するのに適用されるスパッタリング方法及び装置
に関するものである。
属酸化膜（以下、「ＩＴＯ膜」という。）をガラス基板
に成膜するのに適用されるスパッタリング方法及び装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＩＴＯ膜は液晶ディスプレイ用
の透明導電膜としてガラス基板に成膜されている。その
特性としては、低抵抗，高透過率，低温成膜等から高信
頼性のものが要請されている。また、カラー液晶の需要
が高まるのに伴って、有機系の樹脂フィルムをガラス基
板上に形成することが行なわれている。唯、この有機系
樹脂フィルムの損傷を防止することからガラス基板を２
００℃以上で加熱できないため、ＩＴＯ膜は比抵抗率３
〜４×１０-4Ω・ｃｍ以下に成膜できない。
の透明導電膜としてガラス基板に成膜されている。その
特性としては、低抵抗，高透過率，低温成膜等から高信
頼性のものが要請されている。また、カラー液晶の需要
が高まるのに伴って、有機系の樹脂フィルムをガラス基
板上に形成することが行なわれている。唯、この有機系
樹脂フィルムの損傷を防止することからガラス基板を２
００℃以上で加熱できないため、ＩＴＯ膜は比抵抗率３
〜４×１０-4Ω・ｃｍ以下に成膜できない。
【０００３】そのＩＴＯ膜のスパッタリングには、イン
ラインスパッタリング装置が用いられている。このイン
ラインスパッタリング装置は、基板が搭載されるトレー
をガイドレールに沿って移動可能に真空チャンバーの内
部に装備し、そのトレーをターゲットの配置位置に向け
て移動することによりスパッタリングを行うよう構成さ
れている。このトレーを移動するには回転体をチャンバ
ーの内部においてトレーの下部側に配設し、その回転体
の円周面をトレー下部に直接当接させてトレー自体の自
重を利用することにより摺接摩擦で走行するようにされ
ている。然し、これでは回転体とトレーとの摩擦による
金属粉が生ずることによりパーティクルが発生するのを
避けられない。
ラインスパッタリング装置が用いられている。このイン
ラインスパッタリング装置は、基板が搭載されるトレー
をガイドレールに沿って移動可能に真空チャンバーの内
部に装備し、そのトレーをターゲットの配置位置に向け
て移動することによりスパッタリングを行うよう構成さ
れている。このトレーを移動するには回転体をチャンバ
ーの内部においてトレーの下部側に配設し、その回転体
の円周面をトレー下部に直接当接させてトレー自体の自
重を利用することにより摺接摩擦で走行するようにされ
ている。然し、これでは回転体とトレーとの摩擦による
金属粉が生ずることによりパーティクルが発生するのを
避けられない。
【０００４】また、そのスパッタリング装置においては
放電ガスとしてアルゴンガスを真空チャンバーの内部に
流しつつ排気することが行なわれている。この排気系に
はグライオポンプ等が装備されているが、その排気系は
真空チャンバーのスパッタ室を介してトレーが移動する
始端側或いは終端側のいずれか一方に接続されている。
然し、これでは真空チャンバーのガス流れが始端側また
は終端側のいずれかに向って生ずるため、スパッタリン
グの有効空間において放電ガスの圧力を一定に保てない
ことによりグロー放電を安定よく起すことができない。
放電ガスとしてアルゴンガスを真空チャンバーの内部に
流しつつ排気することが行なわれている。この排気系に
はグライオポンプ等が装備されているが、その排気系は
真空チャンバーのスパッタ室を介してトレーが移動する
始端側或いは終端側のいずれか一方に接続されている。
然し、これでは真空チャンバーのガス流れが始端側また
は終端側のいずれかに向って生ずるため、スパッタリン
グの有効空間において放電ガスの圧力を一定に保てない
ことによりグロー放電を安定よく起すことができない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、インライン
スパッタリング方式を適用し、フラズマによるガラス基
板の上昇温度を１００℃以下の低温に抑えてＩＴＯ膜を
３×１０-4Ω・ｃｍ以下の低比抵抗率に低圧で成膜可能
にするスパッタリング方法を提供することを目的とす
る。
スパッタリング方式を適用し、フラズマによるガラス基
板の上昇温度を１００℃以下の低温に抑えてＩＴＯ膜を
３×１０-4Ω・ｃｍ以下の低比抵抗率に低圧で成膜可能
にするスパッタリング方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】また、本発明は金属粉によるパーティクル
の発生を防止すると共に、グロー放電を安定よく起せる
よう改良したスパッタリング装置を提供することを目的
とする。
の発生を防止すると共に、グロー放電を安定よく起せる
よう改良したスパッタリング装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
スパッタリング方法においては、ガラス基板，ターゲッ
トが収容される真空チャンバーの内部圧力を５×１０-4
ｐａ以下に排気した後、アルゴンガスをターゲットの直
上から導入させて該真空チャンバー内の成膜圧力を０．
０７〜０．２ｐａに調整し、その真空チャンバーの内部
で２５０〜３５０Ｇの磁場を水冷されたターゲットにマ
グネットから作用すると共に、高周波電圧をターゲット
電極に印加させてグロー放電するようにされている。
スパッタリング方法においては、ガラス基板，ターゲッ
トが収容される真空チャンバーの内部圧力を５×１０-4
ｐａ以下に排気した後、アルゴンガスをターゲットの直
上から導入させて該真空チャンバー内の成膜圧力を０．
０７〜０．２ｐａに調整し、その真空チャンバーの内部
で２５０〜３５０Ｇの磁場を水冷されたターゲットにマ
グネットから作用すると共に、高周波電圧をターゲット
電極に印加させてグロー放電するようにされている。
【０００８】本発明の請求項２に係るスパッタリング装
置においては、トレーを走行移動する回転体の円周面に
シリコンゴム等のゴムリングを嵌着すると共に、このゴ
ムリングと摺接摩擦するシリコンゴム等のゴム弾性層を
トレーの移動方向全長に亘る下部面に取り付けることに
より構成されている。
置においては、トレーを走行移動する回転体の円周面に
シリコンゴム等のゴムリングを嵌着すると共に、このゴ
ムリングと摺接摩擦するシリコンゴム等のゴム弾性層を
トレーの移動方向全長に亘る下部面に取り付けることに
より構成されている。
【０００９】本発明の請求項３に係るスパッタリング装
置においては、スパッタ室を介してトレーが移動する真
空チャンバーの始端，終端側に、同等な排気量のガス排
気系を装備することにより構成されている。
置においては、スパッタ室を介してトレーが移動する真
空チャンバーの始端，終端側に、同等な排気量のガス排
気系を装備することにより構成されている。
【００１０】
【作用】本発明の請求項１に係るスパッタリング方法で
は、インラインスパッタリング方式で高周波電源とマグ
ネトロンスパッタリングとを併用し、プラズマによるガ
ラス基板の上昇温度を８０℃以下に抑えることにより、
２×１０-4Ω・ｃｍ以下の低比抵抗率なＩＴＯ膜を有機
系樹脂フィルムの形成されたガラス基板に対しても成膜
することができる。
は、インラインスパッタリング方式で高周波電源とマグ
ネトロンスパッタリングとを併用し、プラズマによるガ
ラス基板の上昇温度を８０℃以下に抑えることにより、
２×１０-4Ω・ｃｍ以下の低比抵抗率なＩＴＯ膜を有機
系樹脂フィルムの形成されたガラス基板に対しても成膜
することができる。
【００１１】本発明の請求項２に係るスパッタリング装
置では、回転体のゴムリングとトレー下部のゴム弾性層
とによる摺接摩擦でトレーを走行移動するため、金属粉
によるパーティクルの発生を防止することができる。
置では、回転体のゴムリングとトレー下部のゴム弾性層
とによる摺接摩擦でトレーを走行移動するため、金属粉
によるパーティクルの発生を防止することができる。
【００１２】本発明の請求項３に係るスパッタリング装
置では、真空チャンバーの両端側より同等な排気量のガ
ス排気系でチャンバー内の放電ガスを排気することか
ら、スパッタ有効空間のガス圧を一定に保ててグロー放
電を安定よく起こせるようになる。
置では、真空チャンバーの両端側より同等な排気量のガ
ス排気系でチャンバー内の放電ガスを排気することか
ら、スパッタ有効空間のガス圧を一定に保ててグロー放
電を安定よく起こせるようになる。
【００１３】
【実施例】以下、添付図面を参照して説明すれば、図１
はインラインスパッタリング装置の内部構造を概略的に
真空チャンバーの断面で示すものであり、符号１は真空
チャンバー、２はターゲット、３はガラス基板Ｇが搭載
されるトレーを示す。
はインラインスパッタリング装置の内部構造を概略的に
真空チャンバーの断面で示すものであり、符号１は真空
チャンバー、２はターゲット、３はガラス基板Ｇが搭載
されるトレーを示す。
【００１４】真空チャンバー１は、チャンバー内に導入
されるガスの放出が少なくて切削加工が容易なアルミ材
で形成されている。ターゲット２としては、インジウム
−スズの酸化物で純度４〜５Ｎ（ナイン）の高燒結密度
材が装備されている。このターゲット２は真空チャンバ
ー１のスパッタ室内に配置され、その真空チャンバー１
の内部にはガラス基板Ｇの板面をターゲット２に向けて
ガラス基板Ｇをトレー３で搬送する基板搬送系も配設さ
れている。また、ターゲット２の配置位置直上に相対さ
せて、アルゴンガスを放電ガスとして真空チャンバー１
の内部に導入するがス導入口４が設けられている。
されるガスの放出が少なくて切削加工が容易なアルミ材
で形成されている。ターゲット２としては、インジウム
−スズの酸化物で純度４〜５Ｎ（ナイン）の高燒結密度
材が装備されている。このターゲット２は真空チャンバ
ー１のスパッタ室内に配置され、その真空チャンバー１
の内部にはガラス基板Ｇの板面をターゲット２に向けて
ガラス基板Ｇをトレー３で搬送する基板搬送系も配設さ
れている。また、ターゲット２の配置位置直上に相対さ
せて、アルゴンガスを放電ガスとして真空チャンバー１
の内部に導入するがス導入口４が設けられている。
【００１５】ターゲット２には、冷却水の循環系５を近
接配置することにより水冷が常時施されている。また、
ターゲット２には高周波電源６をターゲット電極に接続
することにより１３．５６ＭＨz の高周波電圧が印加さ
れるようになっている。ターゲット２の近傍にはＮ，Ｓ
極を交互にターゲット２に向けて配列させることによ
り、２５０〜３５０Ｇの磁場をターゲット２に作用する
複数個のマグネット７ａ，７ｂ…が配置されている。そ
のマグネット７ａ，７ｂ…の装備位置を含めて、ターゲ
ット２の配置周辺には絶縁用碍子１ａを取り付けること
によりチャンバー１をターゲット２から絶縁することが
行なわれている。
接配置することにより水冷が常時施されている。また、
ターゲット２には高周波電源６をターゲット電極に接続
することにより１３．５６ＭＨz の高周波電圧が印加さ
れるようになっている。ターゲット２の近傍にはＮ，Ｓ
極を交互にターゲット２に向けて配列させることによ
り、２５０〜３５０Ｇの磁場をターゲット２に作用する
複数個のマグネット７ａ，７ｂ…が配置されている。そ
のマグネット７ａ，７ｂ…の装備位置を含めて、ターゲ
ット２の配置周辺には絶縁用碍子１ａを取り付けること
によりチャンバー１をターゲット２から絶縁することが
行なわれている。
【００１６】図２は基板の搬送系を概略的に示すもので
あり、トレー３はガラス基板の搭載面を横方向に向けて
トレーホルダー３０に縦に取り付けられている。そのト
レーホルダー３０は、真空チャンバー１の内部に配設さ
れた上下のガイドレール３１，３２に沿って移動するよ
う装備されている。また、トレーホルダー３０にはトレ
ー３のふらつきを防止するべく、各ガイドレール３１，
３２を上下から挟持するロールベアリング３３ａ，３３
ｂ、３４ａ，３４ｂが備え付けられている。このトレー
ホルダー３０はプーリー３５を介して連繋される駆動モ
ータ（図示せず）を駆動源とし、トレーホルダー３０の
下部側に装備された回転体３６との摺接摩擦で走行移動
するよう装備されている。
あり、トレー３はガラス基板の搭載面を横方向に向けて
トレーホルダー３０に縦に取り付けられている。そのト
レーホルダー３０は、真空チャンバー１の内部に配設さ
れた上下のガイドレール３１，３２に沿って移動するよ
う装備されている。また、トレーホルダー３０にはトレ
ー３のふらつきを防止するべく、各ガイドレール３１，
３２を上下から挟持するロールベアリング３３ａ，３３
ｂ、３４ａ，３４ｂが備え付けられている。このトレー
ホルダー３０はプーリー３５を介して連繋される駆動モ
ータ（図示せず）を駆動源とし、トレーホルダー３０の
下部側に装備された回転体３６との摺接摩擦で走行移動
するよう装備されている。
【００１７】回転体３６は、磁気シール等で気密に軸受
けすることにより真空チャンバー１の内部に挿通配置さ
れた回転シャフト３７の軸端に取り付けられている。こ
の回転体３６は円周面をトレーホルダー３０の下部側に
設けられた張出しフランジ部３０ａと当接することによ
り、トレーホルダー３０を図２の手前乃至は奥方向に向
って往復動させるよう可逆回動可能に装備されている。
その回転体３６の円周面にはシリコンゴム等のゴムリン
グ３６ａが嵌着固定され、また、この回転体３６のゴム
リング３６ａが当接する張出しフランジ部３０ａにはシ
リコンゴム等のゴム弾性層３０ｂがトレー３の移動方向
全長に亘って取り付けられている。
けすることにより真空チャンバー１の内部に挿通配置さ
れた回転シャフト３７の軸端に取り付けられている。こ
の回転体３６は円周面をトレーホルダー３０の下部側に
設けられた張出しフランジ部３０ａと当接することによ
り、トレーホルダー３０を図２の手前乃至は奥方向に向
って往復動させるよう可逆回動可能に装備されている。
その回転体３６の円周面にはシリコンゴム等のゴムリン
グ３６ａが嵌着固定され、また、この回転体３６のゴム
リング３６ａが当接する張出しフランジ部３０ａにはシ
リコンゴム等のゴム弾性層３０ｂがトレー３の移動方向
全長に亘って取り付けられている。
【００１８】図３は真空チャンバー１並びにガス供給
系，ガス排気系を示すものであり、真空チャンバー１の
内部は仕込室１０，スパッタ室１１，バッファ室１２と
に区画されている。そのうち、仕込室１０とスパッタ室
１１とはスパッタ室１１を開閉するゲートバルブ１３で
仕切られている。スパッタ室１１には上述したガス導入
口４を介してアルゴンガスを内部に供給するガス供給系
４０が接続され、このガス供給系４０には真空チャンバ
ー１の内部圧力を監視することによりガス圧をフィード
バック制御する自動流量弁制御機能型のリークバルブ４
１が組み付けられている。
系，ガス排気系を示すものであり、真空チャンバー１の
内部は仕込室１０，スパッタ室１１，バッファ室１２と
に区画されている。そのうち、仕込室１０とスパッタ室
１１とはスパッタ室１１を開閉するゲートバルブ１３で
仕切られている。スパッタ室１１には上述したガス導入
口４を介してアルゴンガスを内部に供給するガス供給系
４０が接続され、このガス供給系４０には真空チャンバ
ー１の内部圧力を監視することによりガス圧をフィード
バック制御する自動流量弁制御機能型のリークバルブ４
１が組み付けられている。
【００１９】そのガス供給系４０の他に、真空チャンバ
ー１にはガス排気系８ａ，８ｂが真空チャンバー１のス
パッタ室１１を介し、トレー３が移動する始端，終端側
の仕込み室１０，バッファ室１２に夫々接続されてい
る。このガス排気系８ａ，８ｂはコントロールゲートバ
ルブ８０，８０を介してクライオポンプ等の排気ポンプ
８１，８１を装備することにより同等の排気量を有する
ものでなり、その対象な各ガス排気系８ａ，８ｂによる
ガス圧の均一化で、スパッタ室１１は純粋なアルゴンガ
スのイオンが衝突するようガス圧が常時一定に保たれて
いる。また、この各排気系８ａ，８ｂと共に、上述した
と同様に同等な排気量のアングルバルブ８２，８２を介
して別のガス排気系８ｃ，８ｄが並列的に装備されてい
る。その各ガス排気系８ａ，８ｂ、８ｃ，８ｄは共通の
ロータリーポンプ８３に接続することにより、アルゴン
ガスがガス導入口４から供給されるスパッタ室１１を均
一なガス圧に保つ全排気系が構成されている。
ー１にはガス排気系８ａ，８ｂが真空チャンバー１のス
パッタ室１１を介し、トレー３が移動する始端，終端側
の仕込み室１０，バッファ室１２に夫々接続されてい
る。このガス排気系８ａ，８ｂはコントロールゲートバ
ルブ８０，８０を介してクライオポンプ等の排気ポンプ
８１，８１を装備することにより同等の排気量を有する
ものでなり、その対象な各ガス排気系８ａ，８ｂによる
ガス圧の均一化で、スパッタ室１１は純粋なアルゴンガ
スのイオンが衝突するようガス圧が常時一定に保たれて
いる。また、この各排気系８ａ，８ｂと共に、上述した
と同様に同等な排気量のアングルバルブ８２，８２を介
して別のガス排気系８ｃ，８ｄが並列的に装備されてい
る。その各ガス排気系８ａ，８ｂ、８ｃ，８ｄは共通の
ロータリーポンプ８３に接続することにより、アルゴン
ガスがガス導入口４から供給されるスパッタ室１１を均
一なガス圧に保つ全排気系が構成されている。
【００２０】このスパッタリング装置においては、ター
ゲット２としてインジウム−スズ酸化物（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋
ＳｎＯ2 ）を装備し、ガラス基板をトレー３に搭載させ
て仕込み室１０からスパッタ室１１にトレーホルダー３
０による搬送系で移動することによりＩＴＯ膜をガラス
基板に成膜することが行なわれる。その成膜にあたって
は、まず、真空チャンバー１の内部圧力を５×１０-4Ｐ
ａ以下にまで排気する。これと共に、真空チャンバー１
の内部にはキャリアガスとしてアルゴンガスをターゲッ
ト２直上のガス導入口４から送り込むことによりガス圧
を０．０７〜０．２Ｐａに調整する。
ゲット２としてインジウム−スズ酸化物（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋
ＳｎＯ2 ）を装備し、ガラス基板をトレー３に搭載させ
て仕込み室１０からスパッタ室１１にトレーホルダー３
０による搬送系で移動することによりＩＴＯ膜をガラス
基板に成膜することが行なわれる。その成膜にあたって
は、まず、真空チャンバー１の内部圧力を５×１０-4Ｐ
ａ以下にまで排気する。これと共に、真空チャンバー１
の内部にはキャリアガスとしてアルゴンガスをターゲッ
ト２直上のガス導入口４から送り込むことによりガス圧
を０．０７〜０．２Ｐａに調整する。
【００２１】ガラス基板を真空チャンバー１のスパッタ
室１１に送り込む際、ターゲット２には予め冷却水の循
環系５で水冷処理され、また、２５０〜３５０Ｇの磁場
がマグネット７ａ，７ｂ…から作用されている。この雰
囲気下にガラス基板を送り込むと共に、１３．５６ＭＨ
Z の高周波電圧をターゲット電極に印加するとグロー放
電が起き、ターゲット面におけるスパッタリング，ター
ゲット２から放出された放電空間の飛行，ガラス基板に
対するスパッタ粒子の入射と凝縮を経てＩＴＯ膜がガラ
ス基板に形成される。その高周波電圧を金属のターゲッ
ト２に印加するとターゲットが帯電しないことから電位
の上昇を防げ、また、マグネトロン放電で基板に対する
原子等の衝突を抑えられるので、ＩＴＯ膜は基板の上昇
温度を８０℃以下に抑えて低温基板で形成できる。
室１１に送り込む際、ターゲット２には予め冷却水の循
環系５で水冷処理され、また、２５０〜３５０Ｇの磁場
がマグネット７ａ，７ｂ…から作用されている。この雰
囲気下にガラス基板を送り込むと共に、１３．５６ＭＨ
Z の高周波電圧をターゲット電極に印加するとグロー放
電が起き、ターゲット面におけるスパッタリング，ター
ゲット２から放出された放電空間の飛行，ガラス基板に
対するスパッタ粒子の入射と凝縮を経てＩＴＯ膜がガラ
ス基板に形成される。その高周波電圧を金属のターゲッ
ト２に印加するとターゲットが帯電しないことから電位
の上昇を防げ、また、マグネトロン放電で基板に対する
原子等の衝突を抑えられるので、ＩＴＯ膜は基板の上昇
温度を８０℃以下に抑えて低温基板で形成できる。
【００２２】また、このインラインスパッタリング方式
においては真空チャンバー内の成膜圧力を０．０７〜
０．２Ｐａに調整することによる低圧，低温で成膜する
ことから、図４で示すように比抵抗率２×１０-4Ω・ｃ
ｍ以下のＩＴＯ膜を有機系樹脂フィルムの形成されたガ
ラス基板にでも成膜するようにできる。但し、その圧力
を０．０７Ｐａ以下にするとグロー放電が安定せず、異
常放電が起き易くなるところから好ましくない。
においては真空チャンバー内の成膜圧力を０．０７〜
０．２Ｐａに調整することによる低圧，低温で成膜する
ことから、図４で示すように比抵抗率２×１０-4Ω・ｃ
ｍ以下のＩＴＯ膜を有機系樹脂フィルムの形成されたガ
ラス基板にでも成膜するようにできる。但し、その圧力
を０．０７Ｐａ以下にするとグロー放電が安定せず、異
常放電が起き易くなるところから好ましくない。
【００２３】このスパッタリングにおいて、ガラス基板
をトレー搬送するときには回転体３６のゴムリング３６
ａがトレーホルダー３０のゴム弾性層３０ｂと摺接摩擦
することによりトレー３を走行移動するから、パーティ
クルの発生原因となる金属摩擦による金属粉が発生する
こともない。また、同等の排気量を有するガス排気系８
ａ，８ｂがスパッタ室１１の離れた位置に設置されてス
パッタ室１１の圧力が一定に保たれているため、グロー
放電が安定よく起こせて信頼性の高いＩＴＯ膜の成膜を
行うことができる。
をトレー搬送するときには回転体３６のゴムリング３６
ａがトレーホルダー３０のゴム弾性層３０ｂと摺接摩擦
することによりトレー３を走行移動するから、パーティ
クルの発生原因となる金属摩擦による金属粉が発生する
こともない。また、同等の排気量を有するガス排気系８
ａ，８ｂがスパッタ室１１の離れた位置に設置されてス
パッタ室１１の圧力が一定に保たれているため、グロー
放電が安定よく起こせて信頼性の高いＩＴＯ膜の成膜を
行うことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上の如く、本発明に係るスパッタリン
グ方法及び装置に依れば、低比抵抗率のＩＴＯ膜を低温
で成膜でき、また、パーティクルの発生も伴わないで安
定したグロー放電を起こせることからも高信頼性のＩＴ
Ｏ膜を生成することができる。
グ方法及び装置に依れば、低比抵抗率のＩＴＯ膜を低温
で成膜でき、また、パーティクルの発生も伴わないで安
定したグロー放電を起こせることからも高信頼性のＩＴ
Ｏ膜を生成することができる。
【図１】本発明に係るスパッタリング装置の真空チャン
バーを概略的に示す説明図である。
バーを概略的に示す説明図である。
【図２】本発明に係るスパッタリング装置の基板トレー
搬送系を概略的に示す説明図である。
搬送系を概略的に示す説明図である。
【図３】本発明に係るスパッタリング装置のガス供給，
排気系を概略的に示す説明図である。
排気系を概略的に示す説明図である。
【図４】本発明に係るスパッタリング方法で成膜される
ＩＴＯ膜の比抵抗率と成膜圧力との関係を示すグラフで
ある。
ＩＴＯ膜の比抵抗率と成膜圧力との関係を示すグラフで
ある。
Ｇ ガラス基板 １ 真空チャンバー １１ スパッタ室 ２ ターゲット ３ トレー ３０ トレーホルダー ３０ａ トレー下部面 ３０ｂ ゴム弾性層 ３１，３２ ガイドレール ３６ 回転体 ３６ａ ゴムリング ４ ガス導入口 ５ ターゲット水冷用冷却水の循環
系 ６ 高周波電源 ７ａ，７ｂ… マグネット ８ａ，８ｂ ガス排気系
系 ６ 高周波電源 ７ａ，７ｂ… マグネット ８ａ，８ｂ ガス排気系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 英昭 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 インジウム−スズの金属酸化膜をガラス
基板に成膜するのに適用されるスパッタリング方法であ
って、ガラス基板，ターゲットが収容される真空チャン
バーの内部圧力を５×１０-4ｐａ以下に排気した後、ア
ルゴンガスをターゲットの直上から導入させて該真空チ
ャンバー内の成膜圧力を０．０７〜０．２ｐａに調整
し、その真空チャンバーの内部で２５０〜３５０Ｇの磁
場を水冷されたターゲットにマグネットから作用すると
共に、高周波電圧をターゲット電極に印加させてグロー
放電するようにしたことを特徴とするスパッタリング方
法。 - 【請求項２】基板が搭載されるトレーを真空チャンバー
の内部でガイドレールに沿って移動可能に装備すると共
に、回転体を該トレーの下部側に配設し、その回転体を
トレーの下部と摺接摩擦することにより、トレーをター
ゲットの配置位置に向けて移動するスパッタリング装置
において、上記回転体の円周面にシリコンゴム等のゴム
リングを嵌着すると共に、このゴムリングと摺接摩擦す
るシリコンゴム等のゴム弾性層をトレーの移動方向全長
に亘る下部面に取り付けたことを特徴とするスパッタリ
ング装置。 - 【請求項３】 スパッタ室を介してトレーが移動する真
空チャンバーの始端，終端側に、同等な排気量のガス排
気系を装備したことを特徴とする請求項２にスパッタリ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35712492A JP3416853B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | スパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35712492A JP3416853B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | スパッタリング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06184742A true JPH06184742A (ja) | 1994-07-05 |
| JP3416853B2 JP3416853B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=18452507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35712492A Expired - Fee Related JP3416853B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | スパッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3416853B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009205733A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造装置および製造方法 |
| JP2009205744A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造装置および製造方法 |
| JP2010192073A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Showa Denko Kk | インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
| CN103938164A (zh) * | 2013-01-22 | 2014-07-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ito薄膜溅射工艺方法及ito薄膜溅射设备 |
| CN110885967A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-03-17 | 天津美泰真空技术有限公司 | 一种高阻抗膜及其制备方法 |
-
1992
- 1992-12-22 JP JP35712492A patent/JP3416853B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009205733A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造装置および製造方法 |
| JP2009205744A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造装置および製造方法 |
| JP2010192073A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Showa Denko Kk | インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
| CN103938164A (zh) * | 2013-01-22 | 2014-07-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ito薄膜溅射工艺方法及ito薄膜溅射设备 |
| WO2014114161A1 (zh) * | 2013-01-22 | 2014-07-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ito薄膜溅射工艺方法及ito薄膜溅射设备 |
| TWI496915B (zh) * | 2013-01-22 | 2015-08-21 | Beijing Nmc Co Ltd | Indium tin oxide thin film sputtering method and indium tin oxide thin film sputtering equipment |
| CN103938164B (zh) * | 2013-01-22 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ito薄膜溅射工艺方法及ito薄膜溅射设备 |
| CN110885967A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-03-17 | 天津美泰真空技术有限公司 | 一种高阻抗膜及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3416853B2 (ja) | 2003-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7347919B2 (en) | Sputter source, sputtering device, and sputtering method | |
| JP4336739B2 (ja) | 成膜装置 | |
| EP0046154B1 (en) | Apparatus for coating substrates by high-rate cathodic sputtering, as well as sputtering cathode for such apparatus | |
| US5458759A (en) | Magnetron sputtering cathode apparatus | |
| TWI427170B (zh) | Film forming method and thin film forming apparatus | |
| US4194962A (en) | Cathode for sputtering | |
| CN101979705B (zh) | 改进的pvd靶 | |
| US20100078309A1 (en) | Sputtering method and sputtering apparatus | |
| JP5059430B2 (ja) | スパッタ方法及びスパッタ装置 | |
| US9721769B2 (en) | In-vacuum rotational device | |
| WO2007032855A2 (en) | Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers | |
| JP4213777B2 (ja) | スパッタリング装置及び方法 | |
| JPH06184742A (ja) | スパッタリング方法及び装置 | |
| US5753089A (en) | Sputter coating station | |
| US5538609A (en) | Cathodic sputtering system | |
| JP7138504B2 (ja) | 成膜装置及び電子デバイスの製造方法 | |
| JPH08232064A (ja) | 反応性マグネトロンスパッタ装置 | |
| KR102123455B1 (ko) | 스퍼터링 장치 및 산화물 반도체 물질의 스퍼터링 방법 | |
| KR101430653B1 (ko) | 박막 증착용 인라인 스퍼터 장치 | |
| CN112391597B (zh) | 半导体工艺设备 | |
| JPH07197254A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3753896B2 (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JP7150364B1 (ja) | スパッタリング成膜源および成膜装置 | |
| JP2002001099A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| CN108588642A (zh) | 防着板及物理气相沉积设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030304 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |