CN103938164A - Ito薄膜溅射工艺方法及ito薄膜溅射设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法和ITO薄膜溅射设备。其中ITO薄膜溅射工艺包括以下步骤：1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。本发明的ITO薄膜溅射工艺可降低启辉时的电压峰值。

Description

ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备。

背景技术

近年来，由于发光二极管(LED)的巨大市场需求，GaN基LED被广泛应用于大功率照明灯、汽车仪表显示、大面积的户外显示屏、信号灯，以及普通照明等不同领域。

在LED芯片制造过程中，由于P型GaN的低掺杂和P型欧姆金属接触的低透光率会引起较高接触电阻和低透光率，严重影响了LED芯片整体性能的提高。为提高出光效率和降低接触电阻，需要开发适用于P型GaN的透明导电薄膜。ITO薄膜（掺锡氧化铟：IndiumTinOxide）作为一种透明导电薄膜具有可见光透过率高、导电性好、抗磨损、耐腐蚀等优点，且ITO薄膜和GaN之间粘附性好，由于这些特性，ITO被广泛的应用于GaN基芯片的电极材料。

ITO薄膜的制备方法包括喷涂法、化学气相沉积、蒸发镀膜、磁控溅射法等。其中磁控溅射方法制备的ITO薄膜具有低的电阻率、较高的可见光透过率以及较高的重复性，因此得到广泛的应用。

现有技术中的直流磁控溅射设备具有反应腔体、真空泵系统、承载晶片的基台、密封在反应腔体上的靶材。溅射时DC电源会施加偏压至靶材，以致反应腔体内工艺气体放电而产生等离子体。当等离子体的能量足够高时，会使金属原子逸出靶材表面并沉积在晶片上。在传统的磁控溅射设备和工艺中，启辉阶段和溅射阶段反应腔体内的工艺气体的压力为2-5mTorr（毫托，1Torr=133Pa），而且在启辉阶段靶材的负偏压非常高，换言之，直流溅射电源在启辉阶段的输出电压高于直流溅射电源的内部默认的额定电压。但是在溅射阶段需要限制直流溅射电源的输出电压低于其额定电压。

现有技术中的磁控溅射设备和工艺中，启辉过程中直流溅射电源输出电压高造成粒子能量较大，对P型GaN膜层的轰击较大，损伤GaN膜层，导致ITO与GaN层较高的接触电阻。高的接触电阻会导致LED芯片高的驱动电压和产生更多的热，并衰减LED器件性能。另外，由于ITO靶材在沉积过程中易发生靶材“中毒”而产生节瘤。

传统溅射工艺中，直流溅射电源在靶材上施加功率并启辉溅射。直流溅射电源为常用的溅射电源，输出功率最大可到2000W，额定电压为800V，额定电流为5A，其中工艺参数为：启辉及溅射气压：2.8mTorr；溅射功率：650W；靶材功率密度：0.5W/cm2。

通过检测可知，溅射电源对靶材输出功率650W进行启辉，启辉瞬间靶材电压约1000V，由于较高的瞬间电压会造成溅射粒子的能量过高，造成GaN膜层的损伤，从而造成LED器件正向电压（VF）值过高，严重时可造成VF值升高至6.5V以上（业界标准一般为2.9-3.5V），导致器件性能严重下降。

为此，现有技术中，提出了在靶材和基台之间设置挡板，通入工艺气体，然后在靶材上施加功率启辉。这时启辉瞬间形成的高能粒子将轰击在挡板上，因此对GaN膜层无损伤。待启辉数秒后，移开挡板进行正常的溅射。但是，增加挡板机构还会降低TIO薄膜的均匀性，而且设备的结构和操作复杂，成本增加。

发明内容

本发明的目的在于提供一种ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备。其能够实现在溅射沉积ITO薄膜过程中大幅减小启辉电压，减小启辉瞬间粒子能量过高对GaN层的轰击，有效的减小对GaN层的损伤。而且，由于不需要增加新的机构，增加了稳定性，同时方便工艺进行调整，薄膜沉积均匀性提高。

本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。

为实现本发明的目的而提出一种启辉电压降低的ITO薄膜溅射工艺方法。

本实现发明的目的而提出一种直流溅射电源在启辉时输出电压减低的ITO薄膜溅射设备。

本发明的ITO薄膜溅射工艺方法，包括以下步骤：1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。

根据本发明的ITO薄膜溅射工艺方法，适用但不限于LED芯片的制造，采用磁控溅射工艺将ITO薄膜沉积在GaN层上，在沉积工艺过程中，具体而言，在启辉前降低直流溅射电源的输出电压，同时提高反应腔内的工艺气体的压力以达到启辉的目的，由于输出电压的降低从而使启辉时的电压峰值得以有效降低，进而大幅度降低溅射出的粒子能量，减小对GaN层的轰击损伤，改善ITO薄膜与GaN层的接触电阻，降低芯片驱动电压，整体提高芯片的性能。而且，由于不需要增加新的机构，增加了稳定性，同时方便工艺进行调整，薄膜沉积均匀性提高。

另外，根据本发明的ITO薄膜溅射工艺方法，还可以具有如下附加技术特征：

在本发明的一个优选实施例中，在步骤3）中解除对所述溅射电源的输出电压的限制。

在本发明的一个优选实施例中，所述额定电压为800V。

在本发明的一个优选实施例中，所述输出电压被限制到300V。通过将输出电压限制在300V，从而降低启辉时的电压峰值，大幅度降低溅射出的粒子能量，减小对GaN层的轰击损伤。

在本发明的一个优选实施例中，所述预定功率为600W。

在本发明的一个优选实施例中，所述溅射功率为大于等于600W且小于等于2000W。

在本发明的一些优选实施例中，所述预定压力大于5毫托。

在本发明的进一步优选实施例中，所述预定压力大于15毫托。

最优地，所述预定压力为20毫托。

本发明的ITO薄膜溅射设备，包括：反应腔，所述反应腔包含顶壁、基片支撑部件和靶材，所述靶材设置于所述顶壁且与设在所述反应腔室底部的基片支撑部件相对，其特征在于，还包括直流溅射电源，所述直流溅射电源耦接于所述靶材，其中在启辉阶段所述直流溅射电源的输出电压被限制到所述直流溅射电源的额定电压以下且对所述靶材施加预定功率，以使所述反应腔内的工艺气体在预定压力下在所述反应腔内启辉，以及在启辉后将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。

根据本发明的ITO薄膜溅射设备，可将ITO薄膜均匀地沉积在GaN层上，通过降低直流溅射电源启辉时的电压峰值，从而大幅度降低溅射出的粒子能量，减小对GaN层的轰击损伤，改善ITO薄膜与GaN层的接触电阻。而且，由于不需要增加新的机构，增加了ITO薄膜溅射设备的稳定性，同时方便工艺进行调整，薄膜沉积均匀性提高。

另外，根据本发明的ITO薄膜溅射设备，还可以具有如下附加技术特征：

在本发明的一个优选实施例中，在启辉后所述直流溅射电源被解除对其输出电压的限制。

在本发明的一个优选实施例中，所述额定电压为800V。

在本发明的一个优选实施例中，所述输出电压被限制到300V。通过将直流溅射电源的电压限制在300V，从而降低启辉时的电压峰值，大幅度降低溅射出的粒子能量，减小对GaN层的轰击损伤。

在本发明的一个优选实施例中，所述预定功率为600W。

在本发明的一个优选实施例中，所述溅射功率为大于等于600W且小于等于2000W。

在本发明的一些优选实施例中，所述预定压力大于5毫托。

在本发明的进一步优选实施例中，所述预定压力大于15毫托。

最优地，所述预定压力为20毫托。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本发明一个实施例的ITO薄膜溅射工艺方法的流程图；

图2是根据本发明另一个实施例的ITO薄膜溅射工艺方法的流程图；

图3是根据本发明另一个实施例的ITO薄膜溅射设备的示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

本发明是基于发明人以下发现提出的：在ITO薄膜溅射中，由于启辉过程中的电压高造成粒子能量较大，对P型GaN膜层的轰击较大，损伤GaN膜层，导致ITO与GaN层较高的接触电阻。因此，只要能够降低启辉过程中的电压就可以解决上述技术问题。发明人发现：通过降低和限制溅射电源的输出电压并且同时提高反应腔体内的工艺气体的压力，就可以实现启辉，同时满足溅射要求。而且，由于启辉过程中溅射电源的输出电压降低，因此，可以避免启辉瞬间粒子能量过高对GaN层的轰击，有效的减小对GaN层的损伤。

下面参照图1-图3详细描述本发明的ITO薄膜溅射工艺方法。

参照图1和图3所示，该ITO薄膜溅射工艺方法包括以下步骤：

1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材2施加预定功率（S1）;

2）向反应腔1内通入工艺气体，所述反应腔1内的工艺气体压力设定为所述反应腔1内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔1内启辉（S2）；和

3）将所述反应腔1内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材2施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率（S3）。

具体而言，参照图1和图3所示，本发明的ITO薄膜溅射工艺方法，首先限制直流溅射电源（图未示出）的输出电压，使该输出电压低于直流溅射电源的额定电压，同时通过直流溅射电源对靶材2施加预定功率。由于降低了输出电压，因此间接地降低了启辉时的电压峰值，从而避免启辉瞬间粒子能量过高对GaN层的轰击，有效地减小对GaN层的损伤。

然后，向反应腔1内通入工艺气体例如氩气（Ar），工艺气体的压力以能够完成启辉操作即可。可以理解的是，由于相对于现有技术降低了直流溅射电源输出电压，那么就需要采用提高溅射电压的方式才能实现启辉操作，即能够完成启辉操作的工艺气体的压力高于传统工艺气体的压力。在本发明实施例中，起辉时的工艺气体的压力高于传统的工艺气体的压力（传统上，起辉时的工艺气体压力为2-5毫托，例如2.8毫托，启辉时输入电压为800V，启辉瞬间该电压达到1000V）以便顺利启辉。

最后，在启辉后，降低反应腔1内的工艺气体压力，同时直流溅射电源对靶材2施加溅射功率以进行溅射沉积工艺，其中预定功率≤溅射功率≤额定功率。

本发明的ITO薄膜溅射工艺，适用但不限于LED芯片的制造，采用磁控溅射工艺将ITO薄膜沉积在GaN层上，在沉积工艺过程中，具体而言，在启辉前降低直流溅射电源的输出电压，同时提高反应腔1内的工艺气体的压力以达到启辉的目的，由于输出电压的降低从而使启辉时的电压峰值得以有效降低，进而大幅度降低溅射出的粒子能量，减小对GaN层的轰击损伤，改善ITO薄膜与GaN层的接触电阻，降低芯片驱动电压，整体提高芯片的性能。而且，由于不需要增加新的机构，增加了稳定性，同时方便工艺进行调整，薄膜沉积均匀性提高。

在本发明的一个优选实施例中，如图2所示，步骤S1中输出电压被限制到300V且预定功率为600W，步骤S2中工艺气体的压力为20毫托，步骤S3中根据工艺要求的溅射功率在600W-2000W之间。

具体地说，参照图2所示，首先，将直流溅射电源的输出电压限制到300V，且通过直流溅射电源对靶材2施加600W功率。

然后，向反应腔1内通入工艺气体例如氩气，使反应腔1内的气体压力达到20毫托，以使工艺气体在反应腔1内启辉。

最后，降低反应腔1内的工艺气体压力（例如，降低至2-5毫托）且根据工艺要求通过直流溅射电源对靶材2施加600W-2000W中任意大小的溅射功率以进行溅射。

进一步地，在该优选实施例中，在步骤S3中解除对直流溅射电源的输出电压的限制，例如优选改为输出额定电压，其中在该优选实施例中，直流溅射电源的额定电压为800V，也就是说，在步骤S3中，降低反应腔1内的工艺气体压力，同时解除直流溅射电源的300V的输出电压，可改为输出800V的额定电压，同时根据工艺要求对靶材2施加600W-2000W中任意大小的溅射功率以进行溅射。

通过多次实际测量，采用该优选实施例的步骤，启辉时电压峰值为380V，远低于现有技术中1000V的电压峰值，从而避免启辉瞬间粒子能量过高对GaN层的轰击，有效的减小对GaN层的损伤。

当然，本发明不限于此，在本发明的其它实施例中，步骤S2中的工艺气体的压力也可为其它压力值，只要能够满足启辉要求即可。

例如，在本发明的另一个实施例中，步骤S2中的工艺气体在启辉时的压力可以大于5毫托，即预定压力大于5毫托，例如为10毫托，对于其它参数，则可均与上述优选实施例的相同，在此不再赘述。

再如，在本发明的再一个实施例中，步骤S2中的工艺气体在启辉时的压力大于15毫托，即预定压力大于15毫托，例如为20毫托，对于其它参数，则可均与上述优选实施例的相同，在此不再赘述。

下面参考图3描述本发明的ITO薄膜溅射设备。

如图3所示，ITO薄膜溅射设备包括反应腔1和直流溅射电源（图未示出）。

其中反应腔1包含顶壁11、腔体12、基片支撑部件13和靶材2，靶材2设置于顶壁11且与设在反应腔1室底部的基片支撑部件13相对。

具体而言，腔体12可为圆筒形腔体，基片支撑部件13例如基台设在腔体12的内底部，用于支撑基片7。靶材2密封在腔体12的顶部，顶壁11设在靶材2上，顶壁11和靶材2之间可设有去离子水3。

如图3所示，腔体12外还设有工艺气体源4，用于向腔体12内供入工艺气体例如氩气，在工艺气体源4与腔体12之间还可设有流量计5，用于检测气体流量。另外，腔体12外还设有真空泵系统6，真空泵系统6可对腔体12内抽气。可以理解的是，关于基片支撑部件13、工艺气体源4、真空泵系统6等均已为现有技术，且为本领域的技术人员所熟知，这里不再详细描述。

直流溅射电源耦接于靶材2，其中在启辉阶段直流溅射电源的输出电压被限制到直流溅射电源的额定电压以下且对靶材2施加预定功率，以使反应腔1内的工艺气体在预定压力下在反应腔1内启辉，以及在启辉后将反应腔1内的工艺气体压力降低到预定压力以下（例如，且直流溅射电源对靶材2施加溅射功率以进行溅射，溅射功率大于等于预定功率且小于等于溅射电源的额定功率。可以理解的是，在本发明实施例中，起辉时的工艺气体的压力高于传统的工艺气体的压力（传统上，起辉时的工艺气体压力为2-5毫托，例如2.8毫托，启辉时输入电压为800V，启辉瞬间该电压达到1000V）以便顺利启辉。

根据本发明实施例的ITO薄膜溅射设备，可将ITO薄膜均匀地沉积在GaN层上，通过降低直流溅射电源启辉时的电压峰值，从而大幅度降低溅射出的粒子能量，减小对GaN层的轰击损伤，改善ITO薄膜与GaN层的接触电阻。而且，由于不需要增加新的机构，增加了ITO薄膜溅射设备的稳定性，同时方便工艺进行调整，薄膜沉积均匀性提高。

在本发明的一个优选实施例中，在启辉前，直流溅射电源输出电压被限制到300V且预定功率为600W，在启辉时控制腔体12内的工艺气体的压力为20毫托，在启辉后根据工艺要求控制直流溅射电源的溅射功率在600W-2000W之间。

具体地说，在该优选实施例中，首先将直流溅射电源的输出电压限制到300V，且控制直流溅射电源对靶材2施加600W功率。

然后，向反应腔1内通入工艺气体例如氩气，使反应腔1内的气体压力达到20毫托，以使工艺气体在反应腔1内启辉。

最后，降低反应腔1内的工艺气体压力（例如降低至2-5毫托）且根据工艺要求控制直流溅射电源对靶材2施加600W-2000W中任意大小的溅射功率以进行溅射。

进一步地，在该优选实施例中，在启辉后直流溅射电源被解除对其输出电压的限制，例如优选改为输出额定电压，其中在该优选实施例中，直流溅射电源的额定电压为800V，也就是说，在启辉后降低反应腔1内的工艺气体压力，同时解除直流溅射电源的300V的输出电压，可改为输出800V的额定电压，同时根据工艺要求对靶材2施加600W-2000W中任意大小的溅射功率以进行溅射。

通过多次实际测量，启辉时电压峰值为380V，远低于现有技术中1000V的电压峰值，从而避免启辉瞬间粒子能量过高对GaN层的轰击，有效地减小对GaN层的损伤。

当然，本发明不限于此，在本发明的其它实施例中，在启辉时工艺气体的压力也可为其它压力值，只要能够满足启辉要求即可。

例如，在本发明的另一个实施例中，在启辉时工艺气体的启辉压力大于5毫托，即预定压力大于5毫托，例如为10毫托，对于其它参数，则可均与上述优选实施例的相同，在此不再赘述。

再如，在本发明的再一个实施例中，在启辉时工艺气体的启辉压力大于15毫托，即预定压力大于15毫托，例如为20毫托，对于其它参数，则可均与上述优选实施例的相同，在此不再赘述。

需要说明的是，本发明的ITO薄膜溅射设备的其它构成例如磁控管等均已为现有技术，且为本领域的技术人员所熟知，这里不再详细说明。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (18)

1.一种ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；

2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和

3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。

2.根据权利要求1所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，在步骤3）中解除对所述溅射电源的输出电压的限制。

3.根据权利要求1或2所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述额定电压为800V。

4.根据权利要求3所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述输出电压被限制到300V。

5.根据权利要求3所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述预定功率为600W。

6.根据权利要求5所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述溅射功率为大于等于600W且小于等于2000W。

7.根据权利要求1所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述预定压力大于5毫托。

8.根据权利要求1所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述预定压力大于15毫托。

9.根据权利要求8所述的ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，所述预定压力为20毫托。

10.一种ITO薄膜溅射设备，其特征在于，包括：反应腔，所述反应腔包含顶壁、基片支撑部件和靶材，所述靶材设置于所述顶壁且与设在所述反应腔室底部的基片支撑部件相对，其特征在于，还包括直流溅射电源，所述直流溅射电源耦接于所述靶材，其中在启辉阶段所述直流溅射电源的输出电压被限制到所述直流溅射电源的额定电压以下且对所述靶材施加预定功率，以使所述反应腔内的工艺气体在预定压力下在所述反应腔内启辉，以及在启辉后将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。

11.根据权利要求10所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，在启辉后所述直流溅射电源被解除对其输出电压的限制。

12.根据权利要求10或11所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述额定电压为800V。

13.根据权利要求12所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述输出电压被限制到300V。

14.根据权利要求12所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述预定功率为600W。

15.根据权利要求14所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述溅射功率为大于等于600W且小于等于2000W。

16.根据权利要求10所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述预定压力大于5毫托。

17.根据权利要求10所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述预定压力大于15毫托。

18.根据权利要求17所述的ITO薄膜溅射设备，其特征在于，所述预定压力为20毫托。