CN110400858A - 一种hjt电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法 - Google Patents
一种hjt电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110400858A CN110400858A CN201910555777.7A CN201910555777A CN110400858A CN 110400858 A CN110400858 A CN 110400858A CN 201910555777 A CN201910555777 A CN 201910555777A CN 110400858 A CN110400858 A CN 110400858A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- oxide film
- conductive oxide
- transparent conductive
- preparation
- film layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical group O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 30
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 74
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 29
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- -1 oxygen ion Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括以下步骤:采用磁控溅射技术于压强为0.8Pa~2Pa下在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一透明导电氧化物薄膜层;采用磁控溅射技术于压强为0.1Pa~0.8Pa下在N型硅片背光面和受光面的第一透明导电氧化物薄膜层上分别沉积第二透明导电氧化物薄膜层,完成对HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备。本发明HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法具有成本低廉、沉积速率高等优点,不仅能够制备得到高质量透明导电氧化物薄膜,同时能够减少衬底损伤,对于提高异质结电池的转换效率和应用范围具有十分重要的意义。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池领域,涉及一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法。
背景技术
异质结电池,又称HJT电池(Hetero-junction with IntrinsicThin-layer),是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池,特点在于制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好。透明导电氧化物(TCO)薄膜由于兼具透明性和导电性两大特性,发展尤为迅速,在太阳能电池的发展过程中,其由于具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等光电特性,已广泛应用于异质结电池中。
目前,TCO薄膜的制备采用的是磁控溅射法,且现有的生产过程中广泛采用磁控溅射法在低压强状态下(0.1-0.8Pa)制备TCO薄膜(如ITO薄膜),然而,溅射过程中产生的高能负离子(如氧负离子O-、O2-)具有很高的能量会轰击衬底表面薄膜,造成衬底表面薄膜的损伤,使得衬底表面薄膜的局部特性变差,这不仅会影响TCO薄膜的质量,也会进一步影响到太阳能电池的性能,造成电池性能的下降,如出现被轰击过的衬底薄膜的界面缺陷增加,轰击造成的PN结损坏使局部区域漏电等问题。此外,只采用磁控溅射法在高压强状态下制备TCO薄膜时,虽然对衬底薄膜造成的损伤很小,但势必会降低TCO薄膜的沉积速率和性能,增加TCO薄膜的制备成本。因此,如何克服现有技术中存在的技术问题,提供一种成本低廉、沉积速率高的高质量透明导电氧化物薄膜的制备方法,对于提高异质结电池的转换效率具有十分重要的意义。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种成本低廉、沉积速率高的HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法,该制备方法不仅能够高质量透明导电氧化物薄膜,同时能够减少衬底损伤,对于提高异质结电池的转换效率具有十分重要的意义。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括以下步骤:
S1、采用磁控溅射技术于压强为0.8Pa~2Pa下在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一透明导电氧化物薄膜层;
S2、采用磁控溅射技术于压强为0.1Pa~0.8Pa下在N型硅片背光面和受光面的第一透明导电氧化物薄膜层上分别沉积第二透明导电氧化物薄膜层,完成对HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备。
上述的制备方法,进一步改进的,所述步骤S1中,所述第一透明导电氧化物薄膜层的厚度为5nm~20nm。
上述的制备方法,进一步改进的,所述步骤S1中,所述第一透明导电氧化物薄膜层为氧化铟锡、氧化铟掺钨、氧化铟掺钼、氧化锌中的其中一种。
上述的制备方法,进一步改进的,所述步骤S2中,所述第二透明导电氧化物薄膜层的厚度为50nm~100nm。
上述的制备方法,进一步改进的,所述步骤S2中,所述第二透明导电氧化物薄膜层为氧化铟锡、氧化铟掺钨、氧化铟掺钼、氧化锌中的其中一种。
上述的制备方法,进一步改进的,所述步骤S1中,所述沉积过程中通过控制氧气和氩气的流量调控反应体系的压强;所述氧气和氩气的流量比为0.5~4∶100;所述氧气的流量为2sccm~25sccm;所述氩气的流量为400sccm~600sccm。
上述的制备方法,进一步改进的,所述步骤S2中,所述沉积过程中通过控制氧气和氩气的流量调控反应体系的压强;所述氧气和氩气的流量比为0.5~4∶100;所述氧气的流量为2sccm~16sccm;所述氩气的流量为300sccm~400sccm。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
(1)本发明提供了一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法,先采用磁控溅射技术于压强为0.8Pa~2Pa下在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一透明导电氧化物薄膜层,然后采用磁控溅射技术于压强为0.1Pa~0.8Pa下在N型硅片背光面和受光面的第一透明导电氧化物薄膜层上分别沉积第二透明导电氧化物薄膜层,完成对HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备。本发明中,先在高压强状态(压强为0.8Pa~2Pa)下沉积第一透明导电氧化物薄膜层,由于高压强能够增加高能粒子的碰撞,从而能够降低高能粒子的能量,减少溅射粒子对衬底薄膜(N型掺杂非晶硅层和P型掺杂非晶硅层)造成的轰击损失,进而避免电池性能下降,且在高压强状态下制得的第一透明导电氧化物薄膜层能够作为保护层,减少后续工艺对衬底薄膜的损伤,起到保护作用;进一步的,在低压强状态(压强为0.1Pa~0.8Pa)下沉积第二透明导电氧化物薄膜层,由于在高压强状态下制得的第一透明导电氧化物薄膜层能够保护衬底薄膜,因而能够避免低压强状态下的高能量溅射粒子对衬底薄膜的轰击损伤,进而可以有效利用低压强状态下的高能量溅射粒子在衬底薄膜上制备高质量的透明导电氧化物薄膜,该透明导电氧化物薄膜的结晶度、迁移率和透光性均得到了显著的改善,从而有利于提高电池的转换效率。若采用先低压后高压的制备顺序,则无法减少制备过程中高能粒子的溅射损伤,难以减少衬底损伤。本发明HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法具有成本低廉、沉积速率高等优点,不仅能够制备得到高质量透明导电氧化物薄膜,同时能够减少衬底损伤,对于提高异质结电池的转换效率和应用范围具有十分重要的意义。
(2)本发明制备方法中,第一透明导电氧化物薄膜层的厚度为5nm~20nm,有利于减少高能粒子对衬底薄膜造成的轰击损伤;第二透明导电氧化物薄膜层的厚度为50nm~100nm,有利于获得更好的光电性能,从而达到更有利于减少衬底损伤以及提高光电性能。
附图说明
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
图1为本发明实施例1中HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备工艺流程图。
图2为本发明实施例1中制得的HJT电池的结构示意图。
图例说明:
1、N型硅片;2、本征非晶硅层;3、P型掺杂非晶硅层;4、N型掺杂非晶硅层;5、第一透明导电氧化物薄膜层;6、第二透明导电氧化物薄膜层;7、金属栅线电极。
具体实施方式
以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本发明作进一步描述,但并不因此而限制本发明的保护范围。
实施例1
一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法,具体为在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一ITO薄膜层和第二ITO薄膜层,其制备工艺流程图如图1所示,包括以下步骤:
S1、采用磁控溅射法于压强为1.2Pa下在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一透明导电氧化物薄膜层,具体为在N型掺杂非晶硅层和P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一ITO薄膜层,该第一ITO薄膜层的厚度为10nm,且沉积条件为:沉积温度为170℃,靶材为ITO(氧化铟锡,TCO中的一种)靶材,通入工艺气体为氩气和氧气,氧气和氩气的流量比为1.5∶100,氧气的流量为8sccm,氩气的流量为600sccm,功率为4kW。该步骤中,在此压强范围(1.2Pa)下制备ITO薄膜时,增加了高能粒子的碰撞,减少了高能粒子的能量,使到达衬底表面薄膜的溅射粒子能量较低,对衬底表面薄膜的损伤较小。因此,制备出的ITO薄膜沉积均匀,同时ITO薄膜与衬底之间形成了良好的界面,降低了界面的缺陷密度,改善了开路电压和填充效果,从而使ITO薄膜与衬底之间形成了良好的电性接触,为进一步制备高质量的ITO薄膜以及提高太阳能电池的转换效率提供了良好的基础。
S2、采用磁控溅射技术于压强为0.2Pa下在N型硅片背光面和受光面的第一透明导电氧化物薄膜层(ITO薄膜)上分别沉积第二透明导电氧化物薄膜层,具体为在步骤S1制得的ITO薄膜上沉积第二ITO薄膜层,该第二ITO薄膜层的厚度为70nm,且沉积条件为:沉积温度为170℃,靶材为ITO靶材,通入工艺气体为氩气和氧气,氧气和氩气的流量比为1.5∶100,氧气的流量为6sccm,氩气的流量为400sccm,该步骤S2中氩气和氧气气量整体小于步骤S1,功率为6kW,完成对HJT电池双层ITO薄膜的制备。该步骤中,由于高压强状态下制备的第一ITO薄膜层对衬底薄膜起到了很好的保护作用,因此,避免了在采用较低压强下制备的第二ITO薄膜层时,溅射粒子对衬底薄膜造成轰击损伤的问题。同时,在第一ITO薄膜层的基础上制备的第二ITO薄膜层的质量更好,ITO薄膜的结晶度、迁移率和透光性都有了很大改善,有利于太阳能电池转换效率的提高。
本发明HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法,先采用磁控溅射技术于压强为0.8Pa~2Pa下在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一透明导电氧化物薄膜层,然后采用磁控溅射技术于压强为0.1Pa~0.8Pa下在N型硅片背光面和受光面的第一透明导电氧化物薄膜层上分别沉积第二透明导电氧化物薄膜层,完成对HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备。本发明中,先在高压强状态(压强为0.8Pa~2Pa)下沉积第一透明导电氧化物薄膜层,由于高压强能够增加高能粒子的碰撞,从而能够降低高能粒子的能量,减少溅射粒子对衬底薄膜(N型掺杂非晶硅层和P型掺杂非晶硅层)造成的轰击损失,进而避免电池性能下降,且在高压强状态下制得的第一透明导电氧化物薄膜层能够作为保护层,减少后续工艺对衬底薄膜的损伤,起到保护作用;进一步的,在低压强状态(压强为0.1Pa~0.8Pa)下沉积第二透明导电氧化物薄膜层,由于在高压强状态下制得的第一透明导电氧化物薄膜层能够保护衬底薄膜,因而能够避免低压强状态下的高能量溅射粒子对衬底薄膜的轰击损伤,进而可以有效利用低压强状态下的高能量溅射粒子在衬底薄膜上制备高质量的透明导电氧化物薄膜,该透明导电氧化物薄膜的结晶度、迁移率和透光性均得到了显著的改善,从而有利于提高电池的转换效率。若采用先低压后高压的制备顺序,则无法减少制备过程中高能粒子的溅射损伤,难以减少衬底损伤。本发明HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法具有成本低廉、沉积速率高等优点,不仅能够制备得到高质量透明导电氧化物薄膜,同时能够减少衬底损伤,对于提高异质结电池的转换效率和应用范围具有十分重要的意义。
本实施例中,步骤S1中背光面设有N型掺杂非晶硅层和受光面设有P型掺杂非晶硅层的N型硅片,由本领域常规工艺制备得到。
本实施例中,步骤S2中沉积有双层ITO薄膜的N型硅片通过丝网印刷和烧制,制成异质结电池(HJT电池)并对该电池的电学性能进行测试。该制得的异质结电池的结构示意图如图2所示。由图2可知,该异质结电池包括N型硅片1,N型硅片1的受光面和背光面上分别设有本征非晶硅层2,N型硅片1受光面的本征非晶硅层2上设有P型掺杂非晶硅层3,N型硅片1背光面的本征非晶硅层2上设有N型掺杂非晶硅层4,N型硅片1受光面的P型掺杂非晶硅层3和背光面的N型掺杂非晶硅层4上依次设有第一透明导电氧化物薄膜层5(具体为第一ITO薄膜层)和第二透明导电氧化物薄膜层6(具体为第二ITO薄膜层),即在N型硅片的受光面和背光面上分别设有双层透明导电氧化物薄膜(双层ITO薄膜),在N型硅片受光面和背光面的双层透明导电氧化物薄膜上分别设有金属栅线电极7(银栅线电极)。
以上实施例仅是本发明的优选实施方式,本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例。凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应该指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下的改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、采用磁控溅射技术于压强为0.8Pa~2Pa下在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一透明导电氧化物薄膜层;
S2、采用磁控溅射技术于压强为0.1Pa~0.8Pa下在N型硅片背光面和受光面的第一透明导电氧化物薄膜层上分别沉积第二透明导电氧化物薄膜层,完成对HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述第一透明导电氧化物薄膜层的厚度为5nm~20nm。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述第一透明导电氧化物薄膜层为氧化铟锡、氧化铟掺钨、氧化铟掺钼、氧化锌中的其中一种。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述第二透明导电氧化物薄膜层的厚度为50nm~100nm。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述第二透明导电氧化物薄膜层为氧化铟锡、氧化铟掺钨、氧化铟掺钼、氧化锌中的其中一种。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述沉积过程中通过控制氧气和氩气的流量调控反应体系的压强;所述氧气和氩气的流量比为0.5~4∶100;所述氧气的流量为2sccm~25sccm;所述氩气的流量为400sccm~600sccm。
7.根据权利要求1~5中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述沉积过程中通过控制氧气和氩气的流量调控反应体系的压强;所述氧气和氩气的流量比为0.5~4∶100;所述氧气的流量为2sccm~16sccm;所述氩气的流量为300sccm~400sccm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910555777.7A CN110400858A (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 一种hjt电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910555777.7A CN110400858A (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 一种hjt电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110400858A true CN110400858A (zh) | 2019-11-01 |
Family
ID=68322643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910555777.7A Pending CN110400858A (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 一种hjt电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110400858A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111560602A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-08-21 | 哈尔滨工业大学 | 一种氧化物薄膜表面复合的优化方法 |
CN112921289A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-06-08 | 浙江上方电子装备有限公司 | 一种异质结太阳能电池前电极及其制备方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10140344A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-26 | Ulvac Japan Ltd | 有機薄膜表面への導電性薄膜形成方法、有機el素子 |
US20030025121A1 (en) * | 1997-08-29 | 2003-02-06 | Edmond John Adam | Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications |
US20070099438A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Applied Materials, Inc. | Thin film deposition |
JP2008097969A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Bridgestone Corp | ZnO系透明導電膜及びその製造方法 |
CN103938164A (zh) * | 2013-01-22 | 2014-07-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ito薄膜溅射工艺方法及ito薄膜溅射设备 |
CN104752561A (zh) * | 2015-03-11 | 2015-07-01 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种异质结太阳能电池及其制备方法 |
US20160329443A1 (en) * | 2015-05-06 | 2016-11-10 | Solarcity Corporation | Solar cell with a low-resistivity transparent conductive oxide layer |
CN106119778A (zh) * | 2016-08-15 | 2016-11-16 | 河南安彩高科股份有限公司 | 室温溅射沉积柔性azo透明导电薄膜的方法 |
CN106340570A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-01-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法 |
-
2019
- 2019-06-25 CN CN201910555777.7A patent/CN110400858A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10140344A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-26 | Ulvac Japan Ltd | 有機薄膜表面への導電性薄膜形成方法、有機el素子 |
US20030025121A1 (en) * | 1997-08-29 | 2003-02-06 | Edmond John Adam | Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications |
US20070099438A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Applied Materials, Inc. | Thin film deposition |
JP2008097969A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Bridgestone Corp | ZnO系透明導電膜及びその製造方法 |
CN103938164A (zh) * | 2013-01-22 | 2014-07-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ito薄膜溅射工艺方法及ito薄膜溅射设备 |
CN104752561A (zh) * | 2015-03-11 | 2015-07-01 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种异质结太阳能电池及其制备方法 |
US20160329443A1 (en) * | 2015-05-06 | 2016-11-10 | Solarcity Corporation | Solar cell with a low-resistivity transparent conductive oxide layer |
CN106119778A (zh) * | 2016-08-15 | 2016-11-16 | 河南安彩高科股份有限公司 | 室温溅射沉积柔性azo透明导电薄膜的方法 |
CN106340570A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-01-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111560602A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-08-21 | 哈尔滨工业大学 | 一种氧化物薄膜表面复合的优化方法 |
CN111560602B (zh) * | 2020-04-13 | 2021-10-26 | 哈尔滨工业大学 | 一种氧化物薄膜表面复合的优化方法 |
CN112921289A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-06-08 | 浙江上方电子装备有限公司 | 一种异质结太阳能电池前电极及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106601855A (zh) | 一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法 | |
CN205863192U (zh) | 一种采用双tco膜层的硅基异质结太阳能电池 | |
CN104733557B (zh) | Hit太阳能电池及提高hit电池的短路电流密度的方法 | |
CN107342333A (zh) | 一种hibc电池及其制备方法 | |
CN109638094A (zh) | 高效异质结电池本征非晶硅钝化层结构及其制备方法 | |
CN104916709A (zh) | 一种结构为氧化物-金属多层膜/硅基太阳电池 | |
EP3503208A1 (en) | Thin film assembly and method of preparing the same, and hetero-junction solar cell including thin film assembly | |
CN110391306A (zh) | 一种太阳能电池及制备方法 | |
CN110416328A (zh) | 一种hjt电池及其制备方法 | |
CN108735828A (zh) | 一种异质结背接触太阳能电池及其制备方法 | |
CN105449018A (zh) | 一种太阳能电池及其制备方法 | |
CN201780976U (zh) | 一种CdTe太阳能电池 | |
CN110400858A (zh) | 一种hjt电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法 | |
CN208655672U (zh) | 异质结太阳能电池 | |
CN209119123U (zh) | 一种异质结双面太阳电池 | |
WO2023040120A1 (zh) | 透明导电氧化物薄膜及异质结太阳能电池 | |
CN116581169A (zh) | 异质结太阳能电池及其制备方法 | |
CN101017860A (zh) | 氢化非晶硅薄膜太阳电池及制备方法 | |
CN216563148U (zh) | 透明导电氧化物薄膜及异质结太阳能电池 | |
CN116314439A (zh) | 太阳电池中的NiOx空穴传输层及其制备方法、应用 | |
CN105895713B (zh) | 一种硅异质结太阳能电池及其制备方法 | |
CN208000925U (zh) | 一种太阳能电池 | |
CN103594630B (zh) | 一种硅基有机太阳电池及其制备方法 | |
CN114171632A (zh) | 异质结太阳能电池及光伏组件 | |
CN110957397A (zh) | 一种异质结电池制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20191101 |