CN114171632A - 异质结太阳能电池及光伏组件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及异质结太阳能电池中的第一透明导电膜层包括附于所述n型掺杂非晶层表面的第一TCO膜以及附于所述第一TCO膜表面的第二TCO膜，所述第一TCO膜中掺杂氧化物的质量占比大于所述第二TCO膜中掺杂氧化物的质量占比；本发明中，一TCO膜由于高掺杂能确保第一透明导电膜层与n型掺杂非晶层之间具有较好的接触，进而降低接触电阻，可以提升异质结太阳能电池的填充因子；而第二TCO膜由于低掺杂能从整体上增大第一透明导电膜层的透光性，可以提升异质结太阳能电池的短路电流。
Description
技术领域
本发明涉及光伏制造领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及光伏组件。
背景技术
异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图，其自上至下依次包括第一集电极51＇、第一透明导电膜层41＇、第一掺杂非晶硅31＇、第一本征非晶层21＇、单晶硅衬底10＇、第二本征非晶层22＇、第二掺杂非晶层32＇、第二透明导电膜层42＇、第二集电极52＇。
在现有技术异质结太阳能电池具体制作过程中，通常先通过PECVD工艺完成单晶硅衬底10＇两表面第一本征非晶层21＇、第二本征非晶层22＇、第一掺杂非晶硅31＇、第二掺杂非晶层32＇共四层非晶层的制作；继而PVD工艺进行两层透明导电膜层(即第一透明导电膜层41＇与第二透明导电膜层42＇)的制作；最后通过丝网印刷工艺进行电极(即第一集电极51＇与第二集电极52＇)的制作。
异质结太阳能电池中透明导电膜层的电学性能与光学性能对异质结太阳能电池的效率有较大影响。其中，高掺杂透明导电膜层具有较优电学性能、电导率高，并且与掺杂非晶层接触良好，但透光率较差，会影响异质结太阳能电池的Isc；而低掺杂透明导电膜层具有较优的光学性能，但电导率不如高掺杂透明导电膜层，也会限制异质结太阳能电池电学性能进一步提升；另外，低掺杂透明导电膜层与电极的浆料之间匹配性较差，导致透明导电膜层与电极之间的接触电阻率偏高。
有鉴于此，有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一，为实现上述发明目的，本发明提供了一种异质结太阳能电池，其具体设计方式如下。
一种异质结太阳能电池，包括：n型半导体衬底，依次层叠设置于所述n型半导体衬底正面的第一本征非晶层、n型掺杂非晶层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述n型半导体衬底背面的第二本征非晶层、p型掺杂非晶层、第二透明导电膜层、第二集电极；所述第一透明导电膜层包括附于所述n型掺杂非晶层表面的第一TCO膜以及附于所述第一TCO膜表面的第二TCO膜，所述第一TCO膜中掺杂氧化物的质量占比大于所述第二TCO膜中掺杂氧化物的质量占比。
进一步，所述第一TCO膜中掺杂氧化物的质量占比为5％-20％，所述第二TCO膜中掺杂氧化物的质量占比为0.5％-5％。
进一步，所述第一TCO膜的载流子浓度为3e20-1e21/cm3，所述第二TCO膜的载流子浓度为5e19-4e20/cm3。
进一步，所述第一TCO膜的厚度为5-15nm，所述第二TCO膜的厚度为40-90nm。
进一步，所述第一透明导电膜层还包括附于所述第二TCO膜表面的第三TCO膜，所述第三TCO膜中掺杂氧化物的质量占比大于所述第二TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比。
进一步，所述第一TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比为5％-20％，所述第二TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比为0.5％-5％，所述第三TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比为5％-20％。
进一步，所述第一TCO膜的厚度为5-15nm，所述第二TCO膜的厚度为35-75nm，所述第三TCO膜的厚度为5-15nm。
进一步，所述第一TCO膜、所述第二TCO膜与所述第三TCO膜均由掺杂氧化物掺杂在氧化铟或氧化锌中形成，所述掺杂氧化物为Al2O3、Ga2O3、In2O3、SnO2、WO3、TiO2、ZrO2及MoO2的一种或几种。
进一步，所述第二透明导电膜层包括附于所述p型掺杂非晶层表面的第四TCO膜以及附于所述第四TCO膜表面的第五TCO膜，所述第四TCO膜中掺杂氧化物的质量占比小于所述第五TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比。
进一步，所述第四TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比为0.5％-5％，所述第五TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比为5％-20％。
进一步，所述第四TCO膜的载流子浓度为5e19-4e20cm3，所述第五TCO膜的载流子浓度为3e20-1e21/cm3。
进一步，所述第四TCO膜的厚度为5-15nm，所述第五TCO膜的厚度为40-90nm。
进一步，所述第四TCO膜与所述第五TCO膜均由掺杂氧化物掺杂在氧化铟或氧化锌中形成，所述掺杂氧化物为Al2O3、Ga2O3、In2O3、SnO2、WO3、TiO2、ZrO2及MoO2的一种或几种。
进一步，所述第一透明导电膜层的厚度小于或等于所述第二透明导电膜层的厚度。
进一步，所述第一本征非晶层与所述n型掺杂非晶层厚度之和小于或等于所述第二本征非晶层与所述p型掺杂非晶层厚度之和。
本发明还提供了一种光伏组件，其具有以上所述的异质结太阳能电池。
本发明的有益效果是：在本发明所提供的异质结太阳能电池结构中，基于其具体设计结构，第一TCO膜由于高掺杂能确保第一透明导电膜层与n型掺杂非晶层之间具有较好的接触，进而降低接触电阻，可以提升异质结太阳能电池的填充因子；而第二TCO膜由于低掺杂能从整体上增大第一透明导电膜层的透光性，可以提升异质结太阳电池的短路电流。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。文中所指的正面和背面，仅是针对实施例附图中的位置关系进行的限定，即正面相当于附图的上表面，背面相当于附图中的下表面。
图1所示为现有技术异质结太阳能电池的结构示意图；
图2所示为本发明异质结太阳能电池的第一种实施结构示意图；
图3所示为本发明异质结太阳能电池的第二种实施结构示意图；
图4所示为本发明异质结太阳能电池的第三种实施结构示意图。
图中，10为n型半导体衬底，21为第一本征非晶层，31为n型掺杂非晶层，41为第一透明导电膜层，411为第一TCO膜，412为第二TCO膜，413为第三TCO膜，51为第一集电极，22为第二本征非晶层，32为p型掺杂非晶层，42为第二透明导电膜层，421为第四TCO膜，422为第五TCO膜，52为第二集电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参考图2所示，本发明所涉及的异质结太阳能电池包括：n型半导体衬底10，依次层叠设置于n型半导体衬底10正面的第一本征非晶层21、n型掺杂非晶层31、第一透明导电膜层41以及第一集电极51，依次层叠设置于n型半导体衬底10背面的第二本征非晶层22、p型掺杂非晶层32、第二透明导电膜层42以及第二集电极52。
在具体实施过程中，所涉及的n型半导体衬底10通常为单晶硅衬底，其正面与异质结太阳能电池的受光面相对应，背面与异质结太阳能电池的背光面相对应；第一本征非晶层21与第二本征非晶层22均为本征非晶硅；n型掺杂非晶层31为磷掺杂的非晶硅或非晶氧化硅，p型掺杂非晶层32为硼掺杂的非晶硅或非晶氧化硅。
本发明中，第一透明导电膜层41包括附于n型掺杂非晶层31表面的第一TCO膜411以及附于第一TCO膜411表面的第二TCO膜412，其中，第一TCO膜411中掺杂氧化物的质量占比大于第二TCO膜412中掺杂氧化物的质量占比。
在本发明所提供的异质结太阳能电池结构中，基于其具体设计结构，第一TCO膜411由于高掺杂能确保第一透明导电膜层41与n型掺杂非晶层31之间具有较好的接触，进而降低接触电阻，可以提升异质结太阳能电池的填充因子；而第二TCO膜412由于低掺杂能从整体上增大第一透明导电膜层41的透光性，可以提升异质结太阳能电池的短路电流。
优选地，本发明具体实施过程中，第一TCO膜411中掺杂氧化物的质量占比为5％-20％，第二TCO膜412中掺杂氧化物的质量占比为0.5％-5％。
进一步，第一TCO膜411的载流子浓度为3e20-1e21/cm3，第二TCO膜412的载流子浓度为5e19-4e20/cm3。在具体实施过程中，第一TCO膜411与第二TCO膜412中的载流子浓度与相应膜层中掺杂氧化物的质量占比呈正相关关系，但在具体制作过程中，通过控制第一TCO膜411与第二TCO膜412的成膜气氛(例如调节氧气浓度)可以在一定程度上进一步调节载流子浓度。
作为本发明一种优选，第一TCO膜411的厚度小于第二TCO膜412的厚度。更为具体地，参考图2所示，第一TCO膜411的厚度为5-15nm，5-10nm为最佳；第二TCO膜412的厚度为40-90nm，60-80nm为最佳。
第一TCO膜411的设置目的主要在于使第一透明导电膜层41与n型掺杂非晶层31之间形成较好的接触，相对较薄的厚度即可以满足该要求，而且由于第一TCO膜411设置的厚度相对较薄，可以极大程度的减小其由于高掺杂带来透光性不好的问题。第二TCO膜412由于掺杂浓度低，具有较好的透光性，将其设置为相对较厚厚度在保证第一透明导电膜层41具有足够厚度的同时，还能够确保具有优异的透光性，进而使得异质结太阳能电池具有较高的短路电流。
进一步参考图3所示，在本发明的另一些实施例中，第一透明导电膜层41还包括附于第二TCO膜412表面的第三TCO膜413，第三TCO膜413中掺杂氧化物的质量占比大于第二TCO膜412中掺杂氧化物的质量占比。具体实施时，第三TCO膜413中掺杂氧化物的质量占比为5％-20％。
由于第三TCO膜413的掺杂浓度也具有相对较高值，其能确保第一透明导电膜层41与第一集电极51之间具有较好的接触，也可以降低两者之间的接触电阻，进而进一步提升异质结太阳能电池的填充因子。
在具体实施过程中，第三TCO膜413的厚度小于第二TCO膜412的厚度。在图3所示实施例中，第一TCO膜411的厚度为5-15nm，第二TCO膜412的厚度为35-75nm，第三TCO膜413的厚度为5-15nm。其中，第三TCO膜413厚度设置为相对较小值的考虑因素可参考第一TCO膜411厚度设置的考虑因素，在此不做进一步展开描述。
在本发明的具体实施过程中，第一TCO膜411、第二TCO膜412与第三TCO膜413均由掺杂氧化物掺杂在氧化铟或氧化锌中形成，掺杂氧化物为Al2O3、Ga2O3、In2O3、SnO2、WO3、TiO2、ZrO2及MoO2的一种或几种。其中，掺杂氧化物优选SnO2，可靠性更好。可以理解，相应TCO膜中掺杂氧化物的质量占比指的是掺杂氧化物质量与相应TCO膜总质量的比值。
参考图2、图3所示，在这些实施例中，第二透明导电膜层42包括附于p型掺杂非晶层32表面的第四TCO膜421以及附于第四TCO膜421表面的第五TCO膜422，其中，第四TCO膜421中掺杂氧化物的质量占比小于第五TCO膜422中掺杂氧化物的质量占比。
由于第四TCO膜421是与p型掺杂非晶层32直接接触，当第四TCO膜421具有较低浓度掺杂时，两者之间的肖特基接触势垒降低，进而可使两者之间具有最佳接触，提高异质结太阳能电池的填充因子。另外，第五TCO膜422由于具有较高掺杂浓度，具有较好的导电性，而且与第二集电极之间具有较好的电性接触，也可以提升异质结太阳能电池的填充因子。可以知晓，由于第二透明导电膜层42位于异质结太阳能电池的背光面，在具体应用时，透过第二透明导电膜层42照射至异质结太阳能电池内部的太阳光比例非常低，其透光率对异质结太阳能电池的整体性能影响不大。
在具体实施过程中，第四TCO膜421中掺杂氧化物的质量占比为0.5％-5％，第五TCO膜422中掺杂氧化物的质量占比为5％-20％。
相应的，第四TCO膜421的载流子浓度为5e19-4e20/cm3，第五TCO膜422的载流子浓度为3e20-1e21/cm3。
作为优选，本发明中，第四TCO膜421的厚度通常小于第五TCO膜422的厚度。其中，第四TCO膜421设置为相对较小值即可满足与p型掺杂非晶层32之间的优异接触，而第五TCO膜422设置为相对较大致既可以满足第二透明导电膜层42的总厚度要求，还能提高第二透明导电膜层42的电学性能。
在一些具体实施例，第四TCO膜421的厚度为5-15nm，第五TCO膜422的厚度为40-90nm。
本发明中的第四TCO膜421与第五TCO膜422也均由掺杂氧化物掺杂在氧化铟或氧化锌中形成，掺杂氧化物为Al2O3、Ga2O3、In2O3、SnO2、WO3、TiO2、ZrO2及MoO2的一种或几种。其中，掺杂氧化物优选SnO2，可靠性更好。
在本发明中，第一透明导电膜层41的厚度小于或等于第二透明导电膜层42的厚度。其中，作为优选，第一透明导电膜层41的厚度小于第二透明导电膜层42的厚度。第一透明导电膜层41总厚度为60-120nm，优选为60-90nm。
对于异质结太阳能电池而言，其受光面吸光效果对电池片的光电转化效率影响远大于背光面吸光效果对电池片的光电转化效率影响，由于第一透明导电膜层41的厚度小，可以有效降低受光面的太阳光在经过第一透明导电膜层41时的损耗，进而可使得异质结太阳能电池具有较好的光电转化效率。
进一步地，本发明中，第一本征非晶层21与n型掺杂非晶层31厚度之和小于或等于第二本征非晶层22与p型掺杂非晶层32厚度之和。其中，作为优选，第一本征非晶层21与n型掺杂非晶层31厚度之和小于第二本征非晶层22与p型掺杂非晶层32厚度之和。
同理，对于异质结太阳能电池而言，由于第一本征非晶层21与n型掺杂非晶层31厚度之和小，可以有效降低受光面的太阳光在经过第一本征非晶层21与n型掺杂非晶层31时的损耗，进而可使得异质结太阳能电池具有较好的光电转化效率。
具体实施过程中，第一本征非晶层21与n型掺杂非晶层31厚度之和为6-21nm，第二本征非晶层22与p型掺杂非晶层32厚度之和为8-30nm。
可以理解，在本发明的另一些实施例中，参考图4所示，其所涉及的第二透明导电膜层42也可以设置为单层结构，即仅将第一透明导电膜层41设置为双层膜或三层膜结构。
为更好的理解本发明，本发明提供有图1、图2、图3所示三种不同实施结构的测试参数，在这些测试的异质结太阳能电池结构中，所涉及的n型半导体衬底、第一本征非晶层、第二本征非晶层、n型掺杂非晶层、p型掺杂非晶层、第一集电极以及第二集电极均采用相同工艺制成(具有相同的厚度及特性)。第一透明导电膜层与第二透明导电膜层的各构成膜层均采用ITO膜(即由SnO2掺杂氧化铟形成)。具体差异如下：
对比例：参考图1所示，第一透明导电膜层41＇与第二透明导电膜层42＇均为单层结构，其中，第一透明导电膜层41＇组分为ITO(97:3)，膜厚为70～75nm；第二透明导电膜层42＇组分为ITO(90:10)，膜厚为70～75nm。
实施例1：参考图2所示，受光面的第一透明导电膜层41包含两层TCO层，第一TCO膜411组分为ITO(90:10)，膜厚为5～10nm，第二TCO膜412组分为ITO(97:3)，膜厚为65～70nm；第四TCO膜421组分为ITO(97:3)，膜厚为5～10nm，第五TCO膜422组分为ITO(90:10)，膜厚为65～70nm。
实施例2：参考图3所示，背光面的第二透明导电膜层42包含三层TCO层，第一TCO膜411组分为ITO(90:10)，膜厚为5～10nm，第二TCO膜412组分为ITO(97:3)膜厚为55～60nm，第三TCO膜413组分为(90:10),膜厚为5～10nm；第四TCO膜421组分为ITO(97:3)，膜厚为5～10nm，第五TCO膜422组分为ITO(90:10)，膜厚为65～70nm。
应当理解，以上所涉及的ITO(97:3)指的是ITO膜中氧化铟与SnO2的质量比值为97:3，相应的，即掺杂氧化物(SnO2)的质量占比为3％；ITO(90:10)指的是ITO膜中氧化铟与SnO2的质量比值为90:10，相应的，即掺杂氧化物(SnO2)的质量占比为10％。
相应性能参数结果如下：
根据结果较为容易知晓，由于第一TCO膜411为高掺杂膜，实施例1与实施例2的短路电流Isc相对对比例的短路电流Isc均存在一定下降，但相应的，可以有效增大电池效率Eff、开路电压Voc、填充因子FF。即基于对第一透明导电膜层41与第二透明导电膜层42的结构改进，异质结太阳能电池综合性能具有一定的增益。
本发明还提供了一种光伏组件，其具有以上所涉及的异质结太阳能电池。
本发明以下还展示了异质结太阳能电池的一种具体制作方式。
S1、硅片处理：选用n型单晶硅片，利用稀释溶度为5％的HF溶液去除表面氧化层，采用KOH或NaOH或四甲基氢氧化氨(TMAH)加醇的方法，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成较浅的金字塔结构，进而形成n型半导体衬底10。
S2、非晶硅薄膜制作：将SiH4(硅烷)气体引入真空室，通过PECVD工艺在n型单晶硅衬底的正面形成第一本征非晶层21；然后将SiH4气体、H2气体和PH3(磷化氢)气体引入真空室，并通过PECVD工艺在第一本征非晶层21上形成n型掺杂非晶层31；将SiH4(硅烷)气体引入真空室，通过PECVD工艺在n型单晶硅衬底的背面形成第二本征非晶层22；将SiH4气体、H2气体和B2H6(乙硼烷)气体引入真空室，并通过PECVD工艺在第二本征非晶层22上形成p型掺杂非晶层32。
S3、透明导电膜层制作：将完成非晶硅薄膜制作的n型半导体衬底10两表面分别采用PVD沉积、RPD沉积或磁控溅射沉积工艺制作相应膜层。在具体实施过程中，不同掺杂浓度的膜层对应设置有不同的镀膜靶位，不同的靶位上配置有相应的靶材。通过合理配置靶材及镀膜顺序即可获得本发明中所涉及侧第一透明导电膜层41与第二透明导电膜层42。具体镀膜过程中，还可以通过控制O2气氛来调节不同膜层中的载流子浓度。
S4、集电极制作：用丝网印刷的方法在第一透明导电膜层41与第二透明导电膜层42上再分别印刷一层低温导电银浆，然后在150～300℃的低温下进行烧结形成良好的欧姆接触，进而形成第一集电极51以及第二集电极52。
可以理解，第一本征非晶层21、n型掺杂非晶层31、第二本征非晶层22及p型掺杂非晶层32分别在不同镀膜腔室内制作成型。此外，四层非晶层镀制过程中，在相应非晶层镀制前，所涉及镀膜腔室的温度及压强需要到达预定值，通常温度为180℃，压力控制在30-200pa。
为优化第一本征非晶层21、第二本征非晶层22对n型半导体衬底10的钝化效果，第一本征非晶层21、第二本征非晶层22的具体制作过程中，在通入经H2稀释的SiH4时，可调节H2/SiH4的稀释比，进而使得第一本征非晶层21、第二本征非晶层22具有多层不同特性的本征膜，通常H2/SiH4的稀释比范围为5-250。
以上仅展示第一本征非晶层21、第二本征非晶层22全部由本征非晶硅构成的制备方式，可以理解，在本发明的另一些实施例中，第一本征非晶层21、第二本征非晶层22的本征膜也可以为本征非晶氧化硅或本征非晶碳化硅。具体在此不做进一步展开描述。
在制作n型掺杂非晶层31与p型掺杂非晶层32时，也可以往相应镀膜腔室内引入CO2，进而将使得n型掺杂非晶层31与p型掺杂非晶层32的构成材质为氧化非晶硅。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (16)
1.一种异质结太阳能电池，包括：n型半导体衬底，依次层叠设置于所述n型半导体衬底正面的第一本征非晶层、n型掺杂非晶层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述n型半导体衬底背面的第二本征非晶层、p型掺杂非晶层、第二透明导电膜层、第二集电极；其特征在于，所述第一透明导电膜层包括附于所述n型掺杂非晶层表面的第一TCO膜以及附于所述第一TCO膜表面的第二TCO膜，所述第一TCO膜中掺杂氧化物的质量占比大于所述第二TCO膜中掺杂氧化物的质量占比。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一TCO膜中掺杂氧化物的质量占比为5％-20％，所述第二TCO膜中掺杂氧化物的质量占比为0.5％-5％。
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一TCO膜的载流子浓度为3e20-1e21/cm3，所述第二TCO膜的载流子浓度为5e19-4e20/cm3。
4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一TCO膜的厚度为5-15nm，所述第二TCO膜的厚度为40-90nm。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层还包括附于所述第二TCO膜表面的第三TCO膜，所述第三TCO膜中掺杂氧化物的质量占比大于所述第二TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比。
6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比为5％-20％，所述第二TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比为0.5％-5％，所述第三TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比为5％-20％。
7.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一TCO膜的厚度为5-15nm，所述第二TCO膜的厚度为35-75nm，所述第三TCO膜的厚度为5-15nm。
8.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一TCO膜、所述第二TCO膜与所述第三TCO膜均由掺杂氧化物掺杂在氧化铟或氧化锌中形成，所述掺杂氧化物为Al2O3、Ga2O3、In2O3、SnO2、WO3、TiO2、ZrO2及MoO2的一种或几种。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二透明导电膜层包括附于所述p型掺杂非晶层表面的第四TCO膜以及附于所述第四TCO膜表面的第五TCO膜，所述第四TCO膜中掺杂氧化物的质量占比小于所述第五TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比。
10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第四TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比为0.5％-5％，所述第五TCO膜中所述掺杂氧化物的质量占比为5％-20％。
11.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第四TCO膜的载流子浓度为5e19-4e20cm3，所述第五TCO膜的载流子浓度为3e20-1e21。
12.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第四TCO膜的厚度为5-15nm，所述第五TCO膜的厚度为40-90nm。
13.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第四TCO膜与所述第五TCO膜均由掺杂氧化物掺杂在氧化铟或氧化锌中形成，所述掺杂氧化物为Al2O3、Ga2O3、In2O3、SnO2、WO3、TiO2、ZrO2及MoO2的一种或几种。
14.根据权利要求1-8任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层的厚度小于或等于所述第二透明导电膜层的厚度。
15.根据权利要求1-8任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述n型掺杂非晶层厚度之和小于或等于所述第二本征非晶层与所述p型掺杂非晶层厚度之和。
16.一种光伏组件，其特征在于，具有权利要求1-15任意一项所述的异质结太阳能电池。
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|---|---|---|---|---|
| WO2023202016A1 (zh) * | 2022-04-18 | 2023-10-26 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 导电层、太阳能电池及其制备方法 |
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2020
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