RU2219618C2 - Способ получения ионного луча - Google Patents

Способ получения ионного луча Download PDF

Info

Publication number
RU2219618C2
RU2219618C2 RU2001133770A RU2001133770A RU2219618C2 RU 2219618 C2 RU2219618 C2 RU 2219618C2 RU 2001133770 A RU2001133770 A RU 2001133770A RU 2001133770 A RU2001133770 A RU 2001133770A RU 2219618 C2 RU2219618 C2 RU 2219618C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ion beam
target
probe
substrate
magnetic
Prior art date
Application number
RU2001133770A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2001133770A (ru
Inventor
Е.Н. Ивашов
Б.Г. Львов
С.В. Степанчиков
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)
Priority to RU2001133770A priority Critical patent/RU2219618C2/ru
Publication of RU2001133770A publication Critical patent/RU2001133770A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2219618C2 publication Critical patent/RU2219618C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронике, а более конкретно к способам получения ионного луча. Технический результат - повышение сфокусированности луча при малой интенсивности ионного луча прямолинейной направленности. Поток электронов и первичный ионный луч создают от мишени к зонду путем последовательного воздействия прямым электрическим, магнитным и обратным электрическим полями, затем между мишенью и зондом устанавливают подложку и вновь воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень и подложку предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч. 2 ил.

Description

Изобретение относится к области электроники, а более конкретно к способам получения ионного луча.
Известен способ получения ионного луча путем термоионной эмиссии [Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник для вузов - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1987, - 464 с., стр.303, рис. 13.8(9)].
Недостатком аналога является отсутствие сфокусированности луча при большой интенсивности и невозможности получения ионного луча прямолинейной направленности.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ получения ионного луча, включающий ионизацию инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировку ионизированным газом мишени [Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник для вузов - 2-е изд. , перераб. и доп. - М. : Радио и связь, 1987, - 464 с., стр.310, рис. 13.11(12)].
Недостатком прототипа является также отсутствие сфокусированности луча при большой интенсивности и невозможности получения ионного луча прямолинейной направленности.
В основу изобретения положена техническая задача обеспечить высокую сфокусированность луча при малой интенсивности ионного луча прямолинейной направленности.
Поставленная задача решается тем, что поток электронов и первичный ионный луч создают от мишени к зонду путем последовательного воздействия прямым электрическим, магнитным и обратным электрическим полями, затем между мишенью и зондом устанавливают подложку и вновь воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень и подложку предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч.
Введение в способ получения ионного луча последовательного воздействия прямым электрическим, затем магнитным и обратным электрическим полями на поток электронов и первичный ионный луч от мишени к зонду, затем вновь воздействия прямым электрическим полем на вторичный ионный луч от зонда к подложке обеспечивает высокую сфокусированность луча при малой интенсивности прямолинейной направленности.
Сущность изобретения поясняется фиг.1, и фиг.2. На фиг.1 показана схема электронно-ионной системы прямого воздействия. На фиг.2 показана схема электронно-ионной системы обратного воздействия.
Электронно-ионная система (фиг.1 и фиг.2), реализующая способ, содержит зонд 1, мишень 2, источник электрического поля 3 и магнитного 4. Вектор напряженности электрического поля и вектор индукции магнитного взаимно перпендикулярны. Блок управления 5 электрически связан с источниками электрического и магнитного полей. Между зондом 1 и мишенью 2 расположена подложка 6 с возможностью вращения посредством привода 7.
Способ реализуется следующим образом.
На источник 3 электрического поля из блока управления 5 подают сигнал, зонд 1 заряжают положительно, а мишень 2 - отрицательно (фиг.1), тем самым создают поток электронов от мишени 2. Затем отключают источник 3 электрического поля, включают источник 4 магнитного поля и воздействуют на электроны лоренцевой силой, посредством которой, в результате столкновения электронов с атомами инертного газа, осуществляют их ионизацию и бомбардировку ионизированным газом мишени 2. Далее отключают источник 4 магнитного поля и включают, через блок управления 5, источник 3 электрического поля, но с противоположной полярностью, т.е. зонд 1 заряжают отрицательно, а мишень 2 - положительно. Затем между мишенью 2 и зондом 1 устанавливают подложку 6 посредством привода 7 и вновь через блок управления 5 воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень 2 и подложку 6 предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч от зонда 1 к подложке 6. Вторичный ионный луч состоит из ионов, образованных бомбардировкой мишени 2 инертным газом.
Применение предложенного способа получения ионного луча обеспечивает высокую сфокусированность луча при малой интенсивности ионного луча прямолинейной направленности, что имеет большое значение для применения таких лучей в нанотехнологии.

Claims (1)

  1. Способ получения ионного луча, включающий ионизацию инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировку ионизированным газом мишени, отличающийся тем, что поток электронов и первичный ионный луч создают от мишени к зонду путем последовательного воздействия прямым электрическим, магнитным и обратным электрическим полями, затем между мишенью и зондом устанавливают подложку и вновь воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень и подложку предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч.
RU2001133770A 2001-12-17 2001-12-17 Способ получения ионного луча RU2219618C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2001133770A RU2219618C2 (ru) 2001-12-17 2001-12-17 Способ получения ионного луча

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2001133770A RU2219618C2 (ru) 2001-12-17 2001-12-17 Способ получения ионного луча

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2001133770A RU2001133770A (ru) 2003-07-20
RU2219618C2 true RU2219618C2 (ru) 2003-12-20

Family

ID=32065738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2001133770A RU2219618C2 (ru) 2001-12-17 2001-12-17 Способ получения ионного луча

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2219618C2 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ЧЕРНЯЕВ В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987, с.310. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4757208A (en) Masked ion beam lithography system and method
US6768120B2 (en) Focused electron and ion beam systems
US6924493B1 (en) Ion beam lithography system
RU2007115079A (ru) Ракетный двигатель малой тяги для космического летательного аппарата
JPS63108646A (ja) イオン源装置
US20120256564A1 (en) High current single-ended dc accelerator
WO2004114358A3 (en) Thin magnetron structures for plasma generation in ion implantation systems
US4542321A (en) Inverted magnetron ion source
EP0639939B1 (en) Fast atom beam source
EP0094473B1 (en) Apparatus and method for producing a stream of ions
JP4073173B2 (ja) 中性粒子ビーム処理装置
RU2219618C2 (ru) Способ получения ионного луча
US5545257A (en) Magnetic filter apparatus and method for generating cold plasma in semicoductor processing
JP3064214B2 (ja) 高速原子線源
US5432342A (en) Method of and apparatus for generating low-energy neutral particle beam
JPS63248978A (ja) カスプ磁場型イオンエンジン
CN107447195B (zh) 磁控管及磁控溅射系统
JP3213135B2 (ja) 高速原子線源
JPH0636734A (ja) イオン注入法による基板製造方法
EP0095879B1 (en) Apparatus and method for working surfaces with a low energy high intensity ion beam
JP3417176B2 (ja) イオン照射装置
JP3067784B2 (ja) 静電加速器
JPH06252096A (ja) 半導体加工装置
JP2834147B2 (ja) 荷電粒子ビームの形成方法
JP3099905B2 (ja) 荷電粒子発生装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20071218