RU2219618C2 - Способ получения ионного луча - Google Patents
Способ получения ионного луча Download PDFInfo
- Publication number
- RU2219618C2 RU2219618C2 RU2001133770A RU2001133770A RU2219618C2 RU 2219618 C2 RU2219618 C2 RU 2219618C2 RU 2001133770 A RU2001133770 A RU 2001133770A RU 2001133770 A RU2001133770 A RU 2001133770A RU 2219618 C2 RU2219618 C2 RU 2219618C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ion beam
- target
- probe
- substrate
- magnetic
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронике, а более конкретно к способам получения ионного луча. Технический результат - повышение сфокусированности луча при малой интенсивности ионного луча прямолинейной направленности. Поток электронов и первичный ионный луч создают от мишени к зонду путем последовательного воздействия прямым электрическим, магнитным и обратным электрическим полями, затем между мишенью и зондом устанавливают подложку и вновь воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень и подложку предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч. 2 ил.
Description
Изобретение относится к области электроники, а более конкретно к способам получения ионного луча.
Известен способ получения ионного луча путем термоионной эмиссии [Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник для вузов - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1987, - 464 с., стр.303, рис. 13.8(9)].
Недостатком аналога является отсутствие сфокусированности луча при большой интенсивности и невозможности получения ионного луча прямолинейной направленности.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ получения ионного луча, включающий ионизацию инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировку ионизированным газом мишени [Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник для вузов - 2-е изд. , перераб. и доп. - М. : Радио и связь, 1987, - 464 с., стр.310, рис. 13.11(12)].
Недостатком прототипа является также отсутствие сфокусированности луча при большой интенсивности и невозможности получения ионного луча прямолинейной направленности.
В основу изобретения положена техническая задача обеспечить высокую сфокусированность луча при малой интенсивности ионного луча прямолинейной направленности.
Поставленная задача решается тем, что поток электронов и первичный ионный луч создают от мишени к зонду путем последовательного воздействия прямым электрическим, магнитным и обратным электрическим полями, затем между мишенью и зондом устанавливают подложку и вновь воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень и подложку предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч.
Введение в способ получения ионного луча последовательного воздействия прямым электрическим, затем магнитным и обратным электрическим полями на поток электронов и первичный ионный луч от мишени к зонду, затем вновь воздействия прямым электрическим полем на вторичный ионный луч от зонда к подложке обеспечивает высокую сфокусированность луча при малой интенсивности прямолинейной направленности.
Сущность изобретения поясняется фиг.1, и фиг.2. На фиг.1 показана схема электронно-ионной системы прямого воздействия. На фиг.2 показана схема электронно-ионной системы обратного воздействия.
Электронно-ионная система (фиг.1 и фиг.2), реализующая способ, содержит зонд 1, мишень 2, источник электрического поля 3 и магнитного 4. Вектор напряженности электрического поля и вектор индукции магнитного взаимно перпендикулярны. Блок управления 5 электрически связан с источниками электрического и магнитного полей. Между зондом 1 и мишенью 2 расположена подложка 6 с возможностью вращения посредством привода 7.
Способ реализуется следующим образом.
На источник 3 электрического поля из блока управления 5 подают сигнал, зонд 1 заряжают положительно, а мишень 2 - отрицательно (фиг.1), тем самым создают поток электронов от мишени 2. Затем отключают источник 3 электрического поля, включают источник 4 магнитного поля и воздействуют на электроны лоренцевой силой, посредством которой, в результате столкновения электронов с атомами инертного газа, осуществляют их ионизацию и бомбардировку ионизированным газом мишени 2. Далее отключают источник 4 магнитного поля и включают, через блок управления 5, источник 3 электрического поля, но с противоположной полярностью, т.е. зонд 1 заряжают отрицательно, а мишень 2 - положительно. Затем между мишенью 2 и зондом 1 устанавливают подложку 6 посредством привода 7 и вновь через блок управления 5 воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень 2 и подложку 6 предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч от зонда 1 к подложке 6. Вторичный ионный луч состоит из ионов, образованных бомбардировкой мишени 2 инертным газом.
Применение предложенного способа получения ионного луча обеспечивает высокую сфокусированность луча при малой интенсивности ионного луча прямолинейной направленности, что имеет большое значение для применения таких лучей в нанотехнологии.
Claims (1)
- Способ получения ионного луча, включающий ионизацию инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировку ионизированным газом мишени, отличающийся тем, что поток электронов и первичный ионный луч создают от мишени к зонду путем последовательного воздействия прямым электрическим, магнитным и обратным электрическим полями, затем между мишенью и зондом устанавливают подложку и вновь воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень и подложку предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2001133770A RU2219618C2 (ru) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | Способ получения ионного луча |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2001133770A RU2219618C2 (ru) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | Способ получения ионного луча |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2001133770A RU2001133770A (ru) | 2003-07-20 |
RU2219618C2 true RU2219618C2 (ru) | 2003-12-20 |
Family
ID=32065738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2001133770A RU2219618C2 (ru) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | Способ получения ионного луча |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2219618C2 (ru) |
-
2001
- 2001-12-17 RU RU2001133770A patent/RU2219618C2/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ЧЕРНЯЕВ В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987, с.310. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4757208A (en) | Masked ion beam lithography system and method | |
US6768120B2 (en) | Focused electron and ion beam systems | |
US6924493B1 (en) | Ion beam lithography system | |
RU2007115079A (ru) | Ракетный двигатель малой тяги для космического летательного аппарата | |
JPS63108646A (ja) | イオン源装置 | |
US20120256564A1 (en) | High current single-ended dc accelerator | |
WO2004114358A3 (en) | Thin magnetron structures for plasma generation in ion implantation systems | |
US4542321A (en) | Inverted magnetron ion source | |
EP0639939B1 (en) | Fast atom beam source | |
EP0094473B1 (en) | Apparatus and method for producing a stream of ions | |
JP4073173B2 (ja) | 中性粒子ビーム処理装置 | |
RU2219618C2 (ru) | Способ получения ионного луча | |
US5545257A (en) | Magnetic filter apparatus and method for generating cold plasma in semicoductor processing | |
JP3064214B2 (ja) | 高速原子線源 | |
US5432342A (en) | Method of and apparatus for generating low-energy neutral particle beam | |
JPS63248978A (ja) | カスプ磁場型イオンエンジン | |
CN107447195B (zh) | 磁控管及磁控溅射系统 | |
JP3213135B2 (ja) | 高速原子線源 | |
JPH0636734A (ja) | イオン注入法による基板製造方法 | |
EP0095879B1 (en) | Apparatus and method for working surfaces with a low energy high intensity ion beam | |
JP3417176B2 (ja) | イオン照射装置 | |
JP3067784B2 (ja) | 静電加速器 | |
JPH06252096A (ja) | 半導体加工装置 | |
JP2834147B2 (ja) | 荷電粒子ビームの形成方法 | |
JP3099905B2 (ja) | 荷電粒子発生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20071218 |