KR950012542A - 마이크로파 증강 플라즈마 스퍼터링 장치 - Google Patents

마이크로파 증강 플라즈마 스퍼터링 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950012542A
KR950012542A KR1019940027670A KR19940027670A KR950012542A KR 950012542 A KR950012542 A KR 950012542A KR 1019940027670 A KR1019940027670 A KR 1019940027670A KR 19940027670 A KR19940027670 A KR 19940027670A KR 950012542 A KR950012542 A KR 950012542A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma sputtering
microwave
sputtering apparatus
plasma
target
Prior art date
Application number
KR1019940027670A
Other languages
English (en)
Inventor
라츠 루돌프
Original Assignee
페터 좀머캄프 · 에릭 투테
라이볼트 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 페터 좀머캄프 · 에릭 투테, 라이볼트 악티엔게젤샤프트 filed Critical 페터 좀머캄프 · 에릭 투테
Publication of KR950012542A publication Critical patent/KR950012542A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32211Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32247Resonators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

이 발명은 마이크로파 증강 플라즈마 스프터링 장치에 관한 것이다. 여기에서 마이크로파는 마이크로파 공명기로부터 스퍼터링 전극 앞의 플라즈마 볼륨으로 들어가며, 특히 스퍼터링 전극의 암공간을 통하여 그 파들이 연장되지 않는다.

Description

마이크로파 증강 플라즈마 스퍼터링 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 마이크로파 조사(irradiation)에서의 마그네트론(magnetron)음극을 구비한 플라즈마실(plasma chamber)의 단면도.
제2도는 플라즈마실로 조사되는 마이크로파의 조사 영역을 나타내는 투시도이다.

Claims (10)

  1. a) 전기 전위에 있는 표적, b) 상기 표적 앞의 플라즈마 볼륨, c) 상기 표적 앞의 상기 플라즈마 볼륨으로 공급되는 마이크로파의 마이크로파원(microwave source)을 구비한 마이크로파 증강 플라즈마 스퍼터링 장치에 있어서, d) 상기 표적을 둘러싸고 있는 최소한 하나의 마이크로파 고리 공명기, e) 상기 마이크로파 공명기로부터 상기 플라즈마 볼륨으로 공급되는 마이크로파가 통과하는 슬릿 시스템을 포함함을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  2. 제1항에서, 상기 고리 공명기는 유전체로 차 있음을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  3. 제2항에서, 상기 유전체는 테플론, 트롤론 또는 폴리스티렌임을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  4. 제1항에서, 상기 슬릿 시스템은 마이크로파가 암공간을 통과하지 않도록 설치됨을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  5. 제1항에서, 상기 표적은 마그네트론 음극의 요소임을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  6. 제1항에서, 상기 마이크로파는 2.45GHz 정도의 주파수를 가짐을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  7. 제1항에서, 상기 마이크로파 고리 공명기는 바닥 전위임을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  8. 제1항에서, 상기 마이크로파 고리 공명기와 음극 사이에 절연체가 마련되어 있음을 특지으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 볼륨은 반사판(23,24)에 의하여 측면으로 경계지어짐을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  10. 제1항에 있어서, 전자석(27,28)이 놓여 있는 음극 차폐 상자(25,26)를 더 포함함을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940027670A 1993-10-28 1994-10-27 마이크로파 증강 플라즈마 스퍼터링 장치 KR950012542A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4336830.1 1993-10-28
DE4336830A DE4336830A1 (de) 1993-10-28 1993-10-28 Plasma-Zerstäubungsanlage mit Mikrowellenunterstützung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950012542A true KR950012542A (ko) 1995-05-16

Family

ID=6501257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940027670A KR950012542A (ko) 1993-10-28 1994-10-27 마이크로파 증강 플라즈마 스퍼터링 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5478459A (ko)
JP (1) JPH07183098A (ko)
KR (1) KR950012542A (ko)
DE (1) DE4336830A1 (ko)
NL (1) NL9401598A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100301819B1 (ko) * 1999-06-30 2001-11-01 김영환 반도체 소자의 마스크 형성 방법
US8178777B2 (en) 2003-10-08 2012-05-15 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing solar cell and solar cell manufactured thereby

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004089046A1 (ja) * 1991-11-05 2004-10-14 Nobumasa Suzuki 無端環状導波管を有するマイクロ波導入装置及び該装置を備えたプラズマ処理装置
DE19510736A1 (de) * 1995-03-24 1996-09-26 Leybold Ag Vorrichtung zum Verhindern von Überschlägen in Hochfrequenz-Sputteranlagen
US5616224A (en) * 1995-05-09 1997-04-01 Deposition Sciences, Inc. Apparatus for reducing the intensity and frequency of arcs which occur during a sputtering process
SG50732A1 (en) * 1995-05-19 1998-07-20 Hitachi Ltd Method and apparatus for plasma processing apparatus
DE19532435C2 (de) * 1995-09-02 2001-07-19 Ver Foerderung Inst Kunststoff Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Plasmas
JPH09180898A (ja) * 1995-12-06 1997-07-11 Applied Materials Inc プラズマ発生器及び発生方法
DE19609249A1 (de) * 1996-02-23 1997-08-28 Balzers Prozes Systeme Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mittels Kathodenzerstäubung mit einem Hohltarget
DE19609248A1 (de) * 1996-02-23 1997-08-28 Balzers Prozes Systeme Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mittels Kathodenzerstäubung mit einem Hohltarget
JPH09228038A (ja) * 1996-02-23 1997-09-02 Balzers Prozes Syst Gmbh 中空のターゲットを備えた、陰極スパッタによりサブストレートを被覆するための装置
US5716505A (en) * 1996-02-23 1998-02-10 Balzers Prozess-Systems Gmbh Apparatus for coating substrates by cathode sputtering with a hollow target
JP4355036B2 (ja) * 1997-03-18 2009-10-28 キヤノンアネルバ株式会社 イオン化スパッタリング装置
JPH111770A (ja) * 1997-06-06 1999-01-06 Anelva Corp スパッタリング装置及びスパッタリング方法
DE19905125A1 (de) * 1998-10-29 2000-05-11 Fraunhofer Ges Forschung Elektrisch leitfähiges und optisch transparentes Material, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung desselben
EP0997927A3 (en) * 1998-10-29 2003-06-25 Canon Kabushiki Kaisha Microwave applicator with annular waveguide, plasma processing apparatus having the same, and plasma processing method
US6870123B2 (en) 1998-10-29 2005-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Microwave applicator, plasma processing apparatus having same, and plasma processing method
DE19928876A1 (de) * 1999-06-24 2000-12-28 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer Behandlungskammer durch Mikrowellenanregung
US20110104381A1 (en) * 2004-01-15 2011-05-05 Stefan Laure Plasma Treatment of Large-Scale Components
US20070077364A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-05 Aba Con International Limited Method to coat insulation film on aluminum body of electrolytic capacitor
JP4967784B2 (ja) * 2007-04-25 2012-07-04 凸版印刷株式会社 マイクロ波プラズマ発生装置
DE102008023027B4 (de) * 2008-05-09 2012-06-28 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Elektrodenanordnung für magnetfeldgeführte plasmagestützte Prozesse im Vakuum
TWI419988B (zh) * 2009-09-18 2013-12-21 羅門哈斯電子材料有限公司 製造耐用物件之方法
US9605341B2 (en) * 2013-03-06 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition RF plasma shield deposit control
US20230395356A1 (en) * 2022-06-07 2023-12-07 Applied Materials, Inc. Plasma chamber with gas cross-flow, microwave resonators and a rotatable pedestal for multiphase cyclic deposition

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0627323B2 (ja) * 1983-12-26 1994-04-13 株式会社日立製作所 スパツタリング方法及びその装置
DE3566194D1 (en) * 1984-08-31 1988-12-15 Hitachi Ltd Microwave assisting sputtering
JPS62170475A (ja) * 1986-01-24 1987-07-27 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH062941B2 (ja) * 1987-05-29 1994-01-12 日本電信電話株式会社 スパッタ装置
DD263648B5 (de) * 1987-08-31 1996-01-25 Buck Werke Gmbh Einrichtung zur erzeugungs eines Mikrowellenplasmas mit grosser Ausdehnung und Homogenitaet
DE3920834A1 (de) * 1989-06-24 1991-02-21 Leybold Ag Mikrowellen-kathodenzerstaeubungseinrichtung
JP2936276B2 (ja) * 1990-02-27 1999-08-23 日本真空技術株式会社 透明導電膜の製造方法およびその製造装置
JPH0436465A (ja) * 1990-06-01 1992-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波プラズマ発生装置
US5359177A (en) * 1990-11-14 1994-10-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Microwave plasma apparatus for generating a uniform plasma
DE4113142A1 (de) * 1991-03-14 1992-09-17 Leybold Ag Vorrichtung zur erzeugung von glimmentladungen
DE4210284A1 (de) * 1992-03-28 1993-09-30 Leybold Ag Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung und Mikrowelleneinstrahlung
FR2689717B1 (fr) * 1992-04-03 1994-05-13 Commissariat A Energie Atomique Dispositif d'application de micro-ondes et reacteur a plasma utilisant ce dispositif.
DE4230291C2 (de) * 1992-09-10 1999-11-04 Leybold Ag Mikrowellenunterstützte Zerstäubungsanordnung
DE4230290A1 (de) * 1992-09-10 1994-03-17 Leybold Ag Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung und Mikrowelleneinstrahlung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100301819B1 (ko) * 1999-06-30 2001-11-01 김영환 반도체 소자의 마스크 형성 방법
US8178777B2 (en) 2003-10-08 2012-05-15 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing solar cell and solar cell manufactured thereby

Also Published As

Publication number Publication date
NL9401598A (nl) 1995-05-16
DE4336830A1 (de) 1995-05-04
US5478459A (en) 1995-12-26
JPH07183098A (ja) 1995-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950012542A (ko) 마이크로파 증강 플라즈마 스퍼터링 장치
KR890013820A (ko) 막막 형성 장치 및 이온원
US5216330A (en) Ion beam gun
KR950016458A (ko) 고주파 마그네트론 플라즈마 장치
KR910008871A (ko) 성막장치
KR940010220A (ko) 2개의 평행판 전극 형태의 건식 에칭 장치
US4804838A (en) Inductively-coupled radio frequency plasma mass spectrometer
KR890005916A (ko) 박막 형성 장치
KR940007215A (ko) 마이크로파가 강화된 스퍼터링 장치
GB1465106A (en) Microwave heating apparatus
KR940007214A (ko) 음극 스퍼터링 및 마이크로파 조사를 이용한 플라즈마 발생 장치
US3023380A (en) Microwave switch
KR910010753A (ko) 전자사이클로트론 공명을 사용한 플라즈마처리방법 및 장치
KR970078797A (ko) 고주파수의 전자기 광선을 차단하기 위한 장치
KR970003443A (ko) 플라스마 처리장치
US2997675A (en) Apparatus for electromagnetic wave guidance and control by electrical discharge plasmas
US4639642A (en) Sphericon
KR930020565A (ko) 음극 스퍼터링 및 마이크로파 조사에 의한 플라즈마 발생장치
US5070278A (en) Discharge tube arrangement
Leprince et al. Surface wave in a plasma column: dipolar wave
US4797597A (en) Microwave ion source
US2776409A (en) Combined t.-r. and low power switching gas discharge device
US4745336A (en) Microwave generation by virtual cathode with phase velocity matching
RU2034657C1 (ru) Электроимпульсное дробильное устройство
EP1063678A2 (de) Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas in einer Kammer durch Mikrowellenanregung

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee