KR950012542A - 마이크로파 증강 플라즈마 스퍼터링 장치 - Google Patents

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KR950012542A
KR950012542A KR1019940027670A KR19940027670A KR950012542A KR 950012542 A KR950012542 A KR 950012542A KR 1019940027670 A KR1019940027670 A KR 1019940027670A KR 19940027670 A KR19940027670 A KR 19940027670A KR 950012542 A KR950012542 A KR 950012542A
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plasma
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라츠 루돌프
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페터 좀머캄프 · 에릭 투테
라이볼트 악티엔게젤샤프트
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    • H01J37/32247Resonators

Abstract

이 발명은 마이크로파 증강 플라즈마 스프터링 장치에 관한 것이다. 여기에서 마이크로파는 마이크로파 공명기로부터 스퍼터링 전극 앞의 플라즈마 볼륨으로 들어가며, 특히 스퍼터링 전극의 암공간을 통하여 그 파들이 연장되지 않는다.

Description

마이크로파 증강 플라즈마 스퍼터링 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 마이크로파 조사(irradiation)에서의 마그네트론(magnetron)음극을 구비한 플라즈마실(plasma chamber)의 단면도.
제2도는 플라즈마실로 조사되는 마이크로파의 조사 영역을 나타내는 투시도이다.

Claims (10)

  1. a) 전기 전위에 있는 표적, b) 상기 표적 앞의 플라즈마 볼륨, c) 상기 표적 앞의 상기 플라즈마 볼륨으로 공급되는 마이크로파의 마이크로파원(microwave source)을 구비한 마이크로파 증강 플라즈마 스퍼터링 장치에 있어서, d) 상기 표적을 둘러싸고 있는 최소한 하나의 마이크로파 고리 공명기, e) 상기 마이크로파 공명기로부터 상기 플라즈마 볼륨으로 공급되는 마이크로파가 통과하는 슬릿 시스템을 포함함을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  2. 제1항에서, 상기 고리 공명기는 유전체로 차 있음을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  3. 제2항에서, 상기 유전체는 테플론, 트롤론 또는 폴리스티렌임을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  4. 제1항에서, 상기 슬릿 시스템은 마이크로파가 암공간을 통과하지 않도록 설치됨을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  5. 제1항에서, 상기 표적은 마그네트론 음극의 요소임을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  6. 제1항에서, 상기 마이크로파는 2.45GHz 정도의 주파수를 가짐을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  7. 제1항에서, 상기 마이크로파 고리 공명기는 바닥 전위임을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  8. 제1항에서, 상기 마이크로파 고리 공명기와 음극 사이에 절연체가 마련되어 있음을 특지으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 볼륨은 반사판(23,24)에 의하여 측면으로 경계지어짐을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
  10. 제1항에 있어서, 전자석(27,28)이 놓여 있는 음극 차폐 상자(25,26)를 더 포함함을 특징으로 하는 플라즈마 스퍼터링 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940027670A 1993-10-28 1994-10-27 마이크로파 증강 플라즈마 스퍼터링 장치 KR950012542A (ko)

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