DD263648B5 - Einrichtung zur erzeugungs eines Mikrowellenplasmas mit grosser Ausdehnung und Homogenitaet - Google Patents

Description

Hierzu 5 Seiten Zeichnungen

Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasma nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1

Nichtthermische Mikrowellenplasmen fur die chemische und/oder physikalische Stoffwandlung weisen gegenüber auf andere Weise erzeugten Entladungsplasmen eine um etwa eine Größenordnung höhere Stoffumsatzrate unter sonst gleichen Bedingungen auf Sie eignen sich damit besonders fur den industriellen Einsatz bei der Bearbeitung von Massenartikeln, vor allem von großflächigen und/oder kontinuierlich zu beschichtenden Gegenstanden Voraussetzung dafür ist das Vorhandensein einfach aufgebauter, ausgedehnter Plasmaquellen Entsprechend den physikalischen Eigenschaften der Mikrowellen (Ausbreitungsfahigkeit auf räumlich exakt begrenzbaren Wellenleitern) bietet sich hier besonders die Nutzung langgestreckter, linienformiger, seitwärts zuganglicher und bei Bedarf mehrfach parallel zueinander installierbarer Plasmaquellen mit variabler Lange an Die Plasmaeigenschaften müssen dabei längs der Quellen möglichst homogen sein Außerdem sollten in gewissen Grenzen Abweichungen der Linienführung von der Geraden möglich sein, um auch gekrümmte Objekte bearbeiten zu konnen

Die bekannten Losungen zur Erzeugung von nichtthermischen Mikrowellenplasmen mit Neutralgas-Druckbereich zwischen 10' und 10³ Pa lassen sich nach der Art der Einkopplung der Mikrowellenenergie in das Plasma klassifizieren Eine Gruppe von Losungsvarianten ist durch die Anordnung von dielektrischen Entladungsgefaßen in Resonatoren bzw die Nutzung von Resonatoren als Entladungsgefäß gekennzeichnet (z B Fehsenfeid, F C et a I, Rev Sei Instrum 36(1965] 294, DE-OS 3 117 252, DE-OS 2 606 937) Die hierbei entstehenden Plasmen sind, bedingt durch den Resonanzeffekt und die dementsprechenden Modenstrukturen der Resonatoren sehr inhomogen, wenn sie nicht auf kleine Volumen in der Größenordnung von wenigen cm³ bis zu einigen zehn cm³ beschrankt werden Bei großen Volumen tritt unter Umstanden Modenkonkurrenz und damit Instationaritat der Plasmen auf Änderungen der Plasmaparameter verschieben die Arbeitspunkte der Resonatoren und bringen Anpassungsprobleme mit sich Vorteilhaft an auf diese Weise erzeugten Plasmen sind die relativ hohen erreichbaren Elektronendichten (10¹³ cm³) und die durch die Resonanzeffekte erleichterte Zundbarkeit der Plasmen Eine weitere Gruppe von Losungsvarianten enthalt die verschiedenen Möglichkeiten der Anordnung von Entladungsgefaßen in geschlossenen Wellenleitern (z B Fehsenfeid F C et al, Rev Sei Instrum 36 [1965] 294, Gilgenbach, R M, Am J Phys 52 [1984] 710, Zakrzewski Z , Czech J Phys B 34 [1984] 105, Mejia, S R et al, Rev Sei Instrum 57 [1986] 493) Hierbei sind die Plasmen in ihren Abmessungen durch die Wellenleiterabmessungen beschrankt (bei der Industriefrequenz 2,4 GHz sind die üblichen Querschnitte von H^-Mode-Rechteckhohlleitern ca 5x10 cm), entsprechend dem Modenbild der Wellenleiter inhomogen und bei größeren Abmessungen tritt wiederum Modenkonkurrenz auf

Die elektrische Leitfähigkeit der Plasmen ermöglicht es auch, diese selbst als Wellenleiter zu verwenden Bei den Surfatron oder Surfaguide genannten Vorrichtungen laufen die Mikrowellen als Oberflachenwellen auf von ihnen selbst erzeugten Plasmasaulen in dielektrischen Rohren mit Durchmessern im cm-Bereich (z B Moisan, M et al, Rev Phys Appl 1711982] 707) Die Vorteile dieser Vorrichtungen sind die im Vergleich zur Lange der erzeugten Plasmasaule geringen Abmessungen der Kopplungsvorrichtungen, die die Umwandlung der Hohlleitungs- oder Lecherwellen in die Plasmaoberflachenwellen bewirken, die großen Langen (bis zu 2 m) und die fast vollständige Umsetzung der Mikrowellenenergie in Plasmaenergie Nachteilig sind die prinzipbedingte Ortsabhangigkeit der Plasmaparameter längs der Säulen Damit lassen sich diese Plasmen kaum fur technologische Prozesse, bei denen die zu bearbeitenden Substrate langsseits der Plasmen angeordnet werden, nutzen Eine dem Surfatron ähnliche Kopplungsvorrichtung wird von Kato und Mitarbeitern angegeben (Kato, I et al, J Appl Phys 51 [1980], 5312) Dabei bildet das durch ein Quarzrohr gehalterte Plasma (Durchmesser 0,2 bis 2 cm) den Innenleiter eines Koaxialleiters Die beiden letzt genannten Vorrichtungen sind gut geeignet zur Erzeugung reaktiver flowing-afterglow-Plasmen Als vierte Gruppe von Losungsvarianten ist die Anordnung von Entladungsgefaßen im Feld oder Streufeld von Antennen oder offenen Wellenleiterstrukturen US-PS 3 663 858 und US-PS 3 814 983 oder sonstigen strahlenden Elementen, ζ B Koppellochern, Koppelschlitzen und -stiften in Hohlleitern, zu nennen

Bei der Vorrichtung nach der US-PS 3 814 983 ist ein langgestrecktes Entladungsgefäß mit dielektrischen Wanden im Feld einer leiterformigen, offenen, mit einem angepaßten Absorber abgeschlossenen Verzögerungsleitung angeordnet Eine geringfügige Neigung der Leitung und des Gefäßes zueinander bewirkt die Kompensation der längs des Plasma absinkenden Leistung der fortschreitenden Mikrowellen durch verstärkte Kopplung zwischen Wellenleiter und Plasma Die DE-OS 3 147 986 verbesserte diese Anordnung durch Nutzung zweier nebeneinander hegender, gegenläufig gespeister Verzögerungsleitungen, die leicht um ihre Achsen gedreht sind, so daß sie ein gemeinsames, noch homogeneres Plasma erzeugen Durch gegeneinander versetzte Anordnung der Sprossen der beiden Leitungen wird der in den Plasmen der Einzelleitungen sich abbildende Einfluß der Leiterstruktur verringert Mk diesen Anordnungen werden die derzeit ausgedehntesten nichtthermischen Mikrowellenplasmen fur Stoffwandlungszwecke realisiert

Nach dem genannten Stand der Technik ist allen Verfahren und Einrichtungen gemeinsam, daß eine großraumige Plasmazone nur bedingt homogenisiert werden kann und daß die einmal konstruktiv festgelegte Plasmaverteilung nicht mehr variiert werden kann. Ein paralleles Anordnen mehrerer Plasmazonen ist nur bedingt möglich, da die offenen Strukturen sich dann unkontrolliert beeinflussen. Auch ist das Anpassen einer homogenen Plasmazone an nicht ebene Substrate nur schwer möglich

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung anzugeben, bei der eine Mikrowellenenergiestromung unter Anwendung von Wellenleitern und Koppelelementen zur Erzeugung eines in der Bearbeitungszone gleichmäßigen und großraumigen Plasmas ausgenutzt wird Hiermit wird das Ziel verfolgt, ein hochreaktives, nichtthermisches und großraumig homogenes Plasma zu erzeugen, mit dem vorteilhaft physikalische und/oder chemische Stoffumwandlungsprozesse realisiert werden können

Erfindungsgemaß wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Kennzeichens des Patentanspruches 1 gelost Die Unteranspruche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung

Die Erfindung dient der vorteilhaften Nutzung des nichtthermischen Mikrowellenplasmas, mit seinen hohen chemischen und/oder physikalischen Stoffumwandlungsraten, fur Plasmabearbeitungsverfahren mit großraumigen Substraten und großer Plasmahomogenitat in der Plasma-Bearbeitungszone Besonders geeignete Anwendungsgebiete sind die Abscheidung von Schichten, ζ B Plasmapolymerschichten, Hartstoffschichten oder Halbleiterschichten, das Plasmaatzen und die physikalische Oberflachenaktivierung Hervorzuheben ist auch die Eignung der Erfindung zur Erzeugung von Laserplasmen Mittels der Einrichtung nach der Erfindung laßt sich ein Verfahren zur Erzeugung eines Mikrowellenplasma mit großer Ausdehnung und Homogenitat in der zu nutzenden Plasmazone, bei dem die Mikrowellenenergie mittels Wellenleiter und Koppelelementen in den Plasmaraum geleitet wird, durchfuhren, bei dem die Mikrowellenenergie aus einem ersten Wellenleiter, der die Mikrowellenenergie heranfuhrt, mit bekannten Koppelelementen in einen zweiten Wellenleiter derart definiert variabel ausgekoppelt wird, daß der Energieeintrag von dem zweiten Wellenleiter in den Plasmaraum in der Längsrichtung der Plasmazone ein Plasma mit dem gewünschten Homogenitatsverlauf in der zu nutzenden Plasmazone ausbildet Dabei kann die Einkopplung von Mikrowellenenergie in den Plasmaraum mehrfach parallel erfolgen, und zwar derart, daß sich die mehrfach ausbildenden Plasmazonen im wesentlichen zu einer gemeinsamen flächigen Plasmazone vereinigen Mit der erfindungsgemaßen Losung ist es möglich, die Energiemenge, die in der Plasmazone eingetragen wird, derart zu variieren, daß innerhalb der konkreten Bearbeitungszone ein weitgehend homogenes Plasma vorhanden ist Dieses ist Voraussetzung fur ausgeglichene chemische und/oder physikalische Plasmaprozesse, ζ B einer gleichmäßigen Schichtbildung Die Substratoberflache und damit die Bearbeitungszone kann dabei eine ebene Flache sein oder auch andere Oberflachenformen, wie Biegungen, aufweisen

Bei größeren Substraten kann verfahrensgemaß eine Vielzahl derartiger variabler Energieeinkopplungen in den Plasmaraum parallel erfolgen

Zur Realisierung dieses Verfahrens wird erfindungsgemaß eine Einrichtung vorgeschlagen, bei der die Wellenenergie von einer Quelle über einen ersten Wellenleiter herangeführt wird, an diesen parallel ein zweiter Wellenleiter angekoppelt ist, wobei an der Koppelstelle ein oder mehrere variabel einstellbare Koppelelemente vorhanden sind und der Plasmaraum an den zweiten Wellenleiter angekoppelt ist Der erste und der zweite Wellenleiter weisen vorteil hafterweise die gleiche Leitungswellenlange auf, da anderenfalls unerwünschte Wellenuberlagerungen auftreten Bei Anwendung von Rechteckwellenleitern kann sehr vorteilhaft die Kopplungswand als eine konstruktiv gemeinsame Wandung ausgebildet sein Eine vorteilhafte Ankopplung des zweiten Wellenleiters an den Plasmaraum ist die über die Schmalseite des Rechteckwellenleiters Mit dieser Losung können die Plasmaeigenschaften in der Querausdehnung gunstig beeinflußt werden Eine weitere Ausfuhrung kann derart ausgebildet sein, daß der zweite Wellenleiter den ersten umschließt und der Plasmaraum außen angekoppelt ist Die Wellenleiter können in bekannter Weise als Hohlleiter, als dielektrischer Wellenleiter oder als mit Dielektrikum ausgefüllter Wellenleiter ausgebildet sein Es ist auch möglich, den zweiten Wellenleiter unmittelbar als Mikrowelleneintrittsfenster in das Plasma einzusetzen In diesem Fall muß dieser zweite Wellenleiter ein Dielektrikum enthalten

Die wesentlichsten Vorteile der erfindungsgemaßen Losungen bestehen in einem räumlich konzentrierten, kompakten Aufbau der Quelle und in einer besseren Plasmahomogenitat längs und quer zur Quelle Weiterhin laßt sich die Lange der Plasmazone wahrend des Betriebes variieren und es lassen sich gezielt Inhomogenitäten im Plasma erzeugen Der konzentrierte Aufbau erleichtert die parallele Anordnung mehrerer Quellen zur Erzeugung von Plasmen mit großer Querausdehnung

Ausführungsbeispiele

Nachfolgend soll die Erfindung an fünf Ausfuhrungsbeispielen naher erläutert werden Die zugehörigen Zeichnungen zeigen in

Fig 1 das Prmzipschaltbild des Verfahrens

Fig 2 eine Einrichtung mit T-formigerRechteckhohlleiter-Anordnung

Fig 3 eine Einrichtung mit Rechteckhohlleitern, die mit der Breitseite aneinanderliegen

Fig 4 eine Einrichtung mit zwei angekoppelten Rechteckhohlleitern

Fig 5 eine Einrichtung, bei der der zweite Wellenleiter gleichzeitig das Mikrowellenfenster ist und

Fig 6 eine koaxiale Ausfuhrungsform

In Fig 1 ist schematisch das Prmzipschaltbild des Verfahrens dargestellt

Langs eines Mikrowellenleiters 1, der Mikrowellenenergie in einer oder mehreren stabilen Moden (vom Lecher- oder Hohlleitungs- oder Oberflachenwellentyp) von einem Generator 3 zu einem angepaßten Absorber 4 transportiert, wird Mikrowellenenergie mittels geeignet verteilter einstellbarer Koppelelemente in einen zweiten parallelen Wellenleiter eingekoppelt, der so aufgebaut ist, daß in ihm mindestens eine ausbreitungsfahige Mode besteht, die durch das einen Teil seiner Berandung bildende Plasma gedampft wird Dieser zweite Wellenleiter ist an seinen beiden Enden durch angepaßte Absorber 5 und 6 abgeschlossen Dabei sind der vorzugsweise konstante Abstand der Koppelelemente untereinander und deren Kopplungsgrad so gewählt, daß sich im gesamten zweiten Wellenleiter durch Überlagerung der Wellenanteile jeweils mehrerer Koppelelemente eine sehr gleichmäßige Energiedichte einstellt Auf diese Weise wird sowohl der Einfluß der durch die Auskopplung abnehmenden Energieflußdichte im ersten Wellenleiter als auch der Einfluß der diskreten Verteilung der Koppelelemente kompensiert und es entsteht ein über die Lange sehr homogenes Plasma Neben diskreten Koppelelementen können auch kontinuierlich verteilte Koppelelemente, wie ζ B bei Hohlleitern lange Schlitze mit in Richtung Absorber zunehmender Breite Verwendung finden Damit geht aber der Vorteil der Variabilität der Anordnung, ihrer Anpaßbarkeit an veränderte Plasmaparameter mittels veränderter Einstellung einer begrenzten Zahl von Koppelelementen verloren bzw gestaltet sich komplizierter

Ausführungsbeispiel I

Die Einrichtung nach Fig 2 besteht aus zwei H₁₀-Mode Rechteckhohlleitern mit gleichen Hohlleiterwellenlangen, die T-formig aufeinanderstehen Das Plasma bildet sich an der einen Schmalseite des koppelnden Wellenleiters 2 aus, in der sich ein vakuumdichtes Fenster aus mikrowellendurchlassigem Material 14 befindet Durch die spezielle Wahl der Breite dieses Fensters lassen sich die Querausdehnung des Plasmas und die elektrische Feldstarke im Plasma beeinflussen Die Kopplung zwischen den Ε-Feldern der beiden Wellenleiter erfolgt über Koppellocher 8, in deren Mitte sich metallische Kopplungshaken 9 befinden Die Haken sind an durch die Deckflache des die Mikrowellen heranführenden Wellenleiters 1 geführten dünnen, isolierenden Aufhangungen 10 befestigt, mit deren Hilfe sie zwecks Einstellung der Koppeldampfung in der Hohe verstellt oder gedreht werden können Die absoluten Werte der Koppeldampfung, zwischen denen variiert werden kann, werden durch die Abmessungen der Koppelhaken (Lange und Durchmesser) und die Durchmesser der Koppellocher bestimmt Durch die Verwendung von Hohlleitern, die Anbringung von Schirmhulsen 11 an den Durchfuhrungen der Hakenaufhangungen und die Möglichkeit, die Hohlleiterwande unmittelbar mit den Wanden eines Metallrezipienten zu verbinden, kann eine hohe Sicherheit vor gesundheitsgefahrdender Mikrowellenleckstrahlung erreicht werden Die wesentlichen Besonderheiten dieser Ausfuhrungsform sind die in den fensternahen Bereichen sehr hohe Homogenitat des Plasmas auch in der Querausdehnung und die zeitunabhangige, eindeutige Polarisation des elektrischen Feldes im Plasma (entsprechend dem Modenbild der Stromverteilung auf den Hohlleiterwanden)

Ausführungsbeispiel Il

Die Einrichtung nach Fig 3 besteht aus zwei H₁₀-Mode-Rechteckhohlleitern gleicher Abmessungen, die eine gemeinsame Breitseite besitzen Die verteilte Kopplung wird durch Koppellocher realisiert, in deren Mitte sich metallisch leitende Gewindestifte befinden Wie im Ausfuhrungsbeispiel I wird der Kopplungsgrad durch den Durchmesser der Koppellocher, die Lange und den Durchmesser der Kopplungsstifte und durch deren Eintauchtiefe bestimmt Die Variation des Kopplungsgrades erfolgt über die Änderung der Eintauchtiefe der in dielektrischen, mikrowellendurchlassigen Scheiben 12 sitzenden Gewindestifte Auf der zweiten Breitseite des koppelnden Wellenleiters 2 befindet sich wieder ein Mikrowellenfenster 14 zur Einkopplung in das Plasma

Mit dieser Anordnung können auf einfachste Weise breitere Plasmen erzeugt werden Dabei ist aber die elektrische Feldstarke und damit das Plasma in der Querausdehnung dem Modenbild der Hohlleiter entsprechend inhomogen Bei Verwendung von Flachhohlleitern lassen sich besonders gunstig gekrümmte Plasmen erzeugen

-A-

Ausfiihrungsbeispiel III

Bei der Einrichtung nach Fig 4 sind zwei koppelnde H^-Mode-Rechteckhohlleiter 2, die eine gemeinsame Trennwand 13 haben, gleichphasig an die Breitseite des die Mikrowellen heranführenden Hohlleiters 1 angekoppelt Die Art der Kopplung ist dieselbe wie im Ausfuhrungsbeispiel I Alle drei Hohlleiter haben die gleichen Abmessungen Die beiden koppelnden Hohlleiter 2 besitzen ein gemeinsames mikrowellendurchlassiges Fenster 14, hinter dem sich zwei Phasen ausbilden, die sich schon in geringem Abstand vom Fenster zu einem gemeinsamen, in der Querrichtung ebenfalls homogenen Plasma überlagern Diese Ausfuhrungsform ist ein besonders geeigneter Grundbaustein fur die Erzeugung von flachenhaften, weitgehend homogenen Plasmen

Ausführungsbeispiel IV

Bei der Einrichtung nach Fig 5 ist der die Mikrowellen heranführende Wellenleiter 1 wiederum ein Rechteckhohlleiter, an dessen einer Breitseite der mit einem verlustarmen Dielektrikum (z B Teflon oder Quarzglas) gefüllte zweite Hohlleiter 2 ebenfalls mit der Breitseite angekoppelt ist Das Dielektrikum dient gleichzeitig als vakuumdichtes Mikrowellenfenster fur den Metallrezipienten, in dem das Plasma hinter einem Langsschlitz in der zweiten Breitseite des zweiten Wellenleiters entsteht Zur Gewährleistung gleicher Wellenlangen in beiden Hohlleitern ist der zweite Wellenleiter entsprechend dem Wert des relativen Dielektrizitätskonstanten des Dielektrikums in der Breite reduziert Durch die hier dargestellte Verwendung von Flachhohlleitern, von denen der zweite Hohlleiter in die Wand eines Metallrezipienten 15 eingearbeitet ist, kann diese Ausfuhrungsform äußerst einfach und kompakt aufgebaut werden und gut an gekrümmte Linienführungen des Plasmas (ζ Β Rezipienten-Wande) angepaßt werden Die verteilte Kopplung der Hohlleiter wird ähnlich wie im Ausfuhrungsbeispiel Il durch Locher in der gemeinsamen Trennwand der Hohlleiter realisiert In der Mitte dieser Locher befinden sich metallische Gewindestifte 7, die in Gewindesacklochern im Dielektrikum stehen Die Variation der Kopplung wird durch Hinein- oder Herausdrehen der Stifte vorgenommen Dazu befinden sich in der gegenüberliegenden Seite des heranführenden Hohlleiters 1 zylindrische kleine, mikrowellendichte Kanäle zum Durchfuhren entsprechender Werkzeuge oder auch nur Locher 16, die wahrend des Betriebes mit metallischen Stopfen verschlossen werden können Nachteilig an dieser Ausfuhrungsform ist die etwas verringerte Leistungsbelastbarkeit

Ausführungsbeispiel V

Diese Ausfuhrungsform nach Fig 6 besteht aus zwei konzentrischen Koaxialleitern, von denen die innere Koaxialleitung der die Mikrowellen heranführende Wellenleiter 1 ist Die Hohlräume der Wellenleiter sind mit einem Dielektrikum ausgefüllt Die verteilte Kopplung wird durch Locher 8 im mittleren Leitungsrohr 17 realisiert, in deren Zentrum metallische Gewindestifte 7 in im Dielektrikum befindlichen, vom Außenrohr 18 bis in die Nahe des Innenleiters 19 reichenden Gewindelochern sitzen Durch Verstellung der Position dieser Gewindestifte wird der Kopplungsgrad eingestellt Die dazu notwendigen Locher im Außenleiter können bei Bedarf durch einen Gewindebolzen aus dielektrischem Material mit metallischem Kopf verschlossen werden Das Plasma entsteht an einem Langsschlitz 20 auf der den Koppelstellen gegenüberliegenden Seite des Außenleiters Durch diese Lage des Plasmas wird eine zusatzliche Verschiebung des Einflusses der diskreten Koppelstellen auf die Plasmalangshomogenitat erreicht Durch die Verwendung der Koaxialtechnik kann diese Ausfuhrungsform in den Abmessungen besonders klein gehalten werden Außerdem ist dadurch ein flexibler Aufbau dieser Ausfuhrungsform zur Erzeugung beliebig gekrümmter Plasmen möglich, wobei aber dann die geringere elektrische und thermische Belastbarkeit zu beachten ist Ebenso ist in gewissen Grenzen eine krummlinige Anordnung des Plasmas auf dem Außenmantel möglich

Claims (8)

1. Einrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasma mit großer Ausdehnung und Homogenitat in der zu nutzenden Plasmazone, dadurch gekennzeichnet, daß an einen ersten Wellenleiter (1), der die Wellenenergie heranfuhrt, ein zweiter Wellenleiter (2) parallel angekoppelt ist, daß an der Koppelstelle ein oder mehrere variabel einstellbare Koppelelemente (7) und (8) vorhanden sind, und daß der Plasmaraum an den zweiten Wellenleiter (2) angekoppelt ist.

2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Wellenleiter die gleiche Leitungswellenlange aufweist.

3. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Wellenleiter Rechteckwellenleiter sind, die eine gemeinsame Wandung aufweisen.

4. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Wellenleiter Rechteckleiter sind und der Plasmaraum an die Schmalseite des zweiten Wellenleiters angekoppelt ist.

5. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Wellenleiter den ersten umschließt und der Plasmaraum außen angekoppelt ist.

6. Einrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Wellenleiter ein dielektrischer Wellenleiter oder ein mit Dielektrikum ausgefüllter Wellenleiter ist.

7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Wellenleiter gleichzeitig als Mikrowelleneintrittsfenster in das Plasma dient.

8. Einrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere derartige Einrichtungen parallel angeordnet sind, derart, daß sich die einzelnen erzeugten Plasmazonen in der zu nutzenden Zone zu einem weitgehend homogenen Plasma vereinigen.