KR910010753A - 전자사이클로트론 공명을 사용한 플라즈마처리방법 및 장치 - Google Patents

전자사이클로트론 공명을 사용한 플라즈마처리방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

전자사이클로트론 공명을 사용한 플라즈마처리방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명을 적용한 마이크로파플라즈마 처리장치의 일실시예를 도시한 개략도.

Claims (17)

  1. 피처리물을 수납하는 용기와 , 상기 용기내에 소정성분의 플라즈마를 생성하는 수단과, 상기 용기내의 상기 플라즈마의 영역의 최소한 일부영역에 제1의 교류전계를 인가하는 수단을 구비하고, 상기 피처리물의 피처리면을 제외한 상기 용기내의 상기 플라즈마가 접하는 노출면이 상기 제1의 교류전계에 대하여 최소한 절연성을 나타내는 물질에 의해 피복된것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마를 생성하는 수단을 마이크로파에 의한 전자 사이클로트론공명을 사용한 플라즈마를 발생하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치
  3. 내부에 피처리물을 지지하는 홀더를 가진 플라즈마처리실과, 플라즈마처리 실내에 마이크로파를 안내하는 수단과, 플라즈마처리실내에 플라즈마생성용 가스를 안내하는 수단과, 플라즈마처리실의 외측에 배치되어서 마이크로파와 함께 전자 사이클로트론공명에 의한 플라즈마를 생성하는 자계를 발생하는 수단과, 피처리물을 지지하는 홀더에 고주파 전르 부여하는 고주파전원과 플라즈마처리실 및 홀더의 플라즈마에 접하는 면을 플라즈마로부터 절연하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 고주파전원은 10Hz이상 1MHz이하고 기준전위가 접지전위인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제3항에 있어서, 고주파전원은 10Hz이상 1MHz이하로 기준전위가 접지전위로부터 플로팅상태에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  6. 제3항에 있어서, 고주파전원은 10Hz이상 1MHz이하로 기준전위가 플라즈마의 전위인 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  7. 내부에 피처리물을 지지하는 홀더를 가진 플라즈마처리실과, 플라즈마처리실내에 마이크로파를 안내하는 수단과, 플라즈마처리실내에 플라즈마생성용 가스를 안내하는 수단과, 플라즈마처리실내에 플라즈마생성용 가스와 반응하는 반응가스를 안내하는 수단과, 플라즈마처리실의 외측에 배치되어서 마치크로파와 함께 전자 사이클로트론공명에 의한 플라즈마를 생성하는 자계를 발생하는 수단과, 피처리물을 지지하는 홀더에 고주파전계를 부여하는 고주파전원과 , 플라즈마처리실 및 홀더의 플라즈마에 접하는 면을 플라즈마로 부터 절연하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 고주파전원은 10Hz이상 1MHz이하로 기준전위가 전지전위인것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제3항에 있어서, 고주파전원은 10Hz이상 1MHz이하로 기준전위가 접지전위로부터 플로팅상태에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치
  10. 제7항에 있어서, 고주파전원은 10Hz이상 1MHz이하로 기준전위가 플로즈마전위 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  11. 플라즈마처리실내에 피처리물을 안내하는 공정과, 플라즈마처리실내에 플라즈마생성용 가스를 안내하여 플라즈마를 생성하는 공정과. 피처리물과 플라즈마상에 발생하지 않는 조건하에 있어서 플라즈마를 피처리물에 접촉시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  12. 플라즈마처리실내에 피처리물을 안내하는 공정과, 플라즈마처리실내에 플라즈마생성용 가스를 안내하고, 이가스에 마이크로파 및 자계를 가함으로써 플라즈마를 생성하는 공정과, 피처리물과 플라즈마사이에 방전이 발생하지 않는 조건하에 있어서, 고주파전계를 인가한 피처리물과 프라즈마를 접촉시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  13. 플라즈마처리실내에 피처리물을 안내하는 공정과 , 플라즈마처리실내에 플로즈마생성용 가스를 안내하고, 이 가스에 마이크로파 및 자계를 가함으로써 플라즈마를 생성하는 공정과, 플라즈마처리실내에 플라즈마생성용가스와 반응하는 반응가스를 안내하는 공정과, 피처리물과 플라즈마사이에 방전이 발생하지 않는 조건하에 있어서, 고주파전계를 인가한 피처리물과 플라즈마를 접촉시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
  14. 내부에 피처리물을 지지하는 홀더를 가진 플라즈마처리실과 ,플라즈마처리실내에 플라즈마생성용 가스를 안내하는 수단과 플라즈마처리실내에 마이크로파를 안내하여 전자사이클로트론 공명에 의한 플라즈마를 생성하는 수단과, 피처리물을 지지하는 홀더에 고주파전계를 부여하는 고주파전원과, 플라즈마처리실 및 홀더의 플라즈마에 접하는 면을 플라즈마로부터 절연하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  15. 제14항에 있어서, 고주파전원은 10Hz이상 1MHz이하로 기준전위가 접지전위인 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  16. 제14항에 있어서, 고주파전원은 10Hz이상 1MHz이하로 기준전위가 플로팅상태에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  17. 제14항에 있어서, 고주파전원은 10Hz이상 1MHz이하로 기준전위가 플라즈마전위인 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
    ※ 참고 사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900018766A 1989-11-29 1990-11-20 전자 사이클로트론 공명을 사용한 플라즈마 처리방법 및 장치 KR970008333B1 (ko)

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