JP2602336B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 81
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 42
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 173
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100264195 Caenorhabditis elegans app-1 gene Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000000763 evoking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L21/205—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
- H01J37/32706—Polarising the substrate
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/0203—Protection arrangements
- H01J2237/0206—Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマを用いた処理方法及び装置に係り、
特にプラズマ中のイオンを基板に入射させながら処理す
る成膜や強異方性エツチング，表面改質あるいはプラズ
マドーピングを行なうのに好適なプラズマ処理方法及び
装置に関する。
特にプラズマ中のイオンを基板に入射させながら処理す
る成膜や強異方性エツチング，表面改質あるいはプラズ
マドーピングを行なうのに好適なプラズマ処理方法及び
装置に関する。
従来のプラズマ処理装置において、特にイオン処理効
率を高めるために考案された装置としては、特開昭56−
13480号公報，特開昭63−197327号公報に記載のよう
に、プラズマを生成する手段をすでに有した装置を用い
て、基板にイオンが追随できる高周波を印加し、イオン
を高周波電界により基板へ入射されることで基板を処理
するようになつていた。
率を高めるために考案された装置としては、特開昭56−
13480号公報，特開昭63−197327号公報に記載のよう
に、プラズマを生成する手段をすでに有した装置を用い
て、基板にイオンが追随できる高周波を印加し、イオン
を高周波電界により基板へ入射されることで基板を処理
するようになつていた。
上記従来技術は、イオンを基板に入射させるために基
板に印加する高周波をイオンが追随できる周波数とする
ことで、プラズマ処理装置や処理効率及び均一性の向上
を図つていた。しかし基板印加高周波による放電や、プ
ラズマ中の電子とイオンの易動度の差が基づく誘起直流
電位の発生等の制御については配慮されておらず、如何
に基板印加高周波をイオンが追随できる周波数を用いた
としても、基板には過剰の直流電位が誘起されていた。
その結果、この過剰の誘起電位により、基板とプラズマ
の間に局所放電が発生して基板を著しく損傷させたり、
半導体装置製造過程においては誘起電位による電荷の蓄
積のため素子特性が劣下するといつた問題があつた。ま
たプラズマ処理効率の向上を図るために基板印加パワを
高くすると、上記誘起電位も高くなるために、処理効率
の向上が図れないといつた問題があつた。
板に印加する高周波をイオンが追随できる周波数とする
ことで、プラズマ処理装置や処理効率及び均一性の向上
を図つていた。しかし基板印加高周波による放電や、プ
ラズマ中の電子とイオンの易動度の差が基づく誘起直流
電位の発生等の制御については配慮されておらず、如何
に基板印加高周波をイオンが追随できる周波数を用いた
としても、基板には過剰の直流電位が誘起されていた。
その結果、この過剰の誘起電位により、基板とプラズマ
の間に局所放電が発生して基板を著しく損傷させたり、
半導体装置製造過程においては誘起電位による電荷の蓄
積のため素子特性が劣下するといつた問題があつた。ま
たプラズマ処理効率の向上を図るために基板印加パワを
高くすると、上記誘起電位も高くなるために、処理効率
の向上が図れないといつた問題があつた。
また、基板印加されている高周波によりプラズマ中に
放電が生じている時には、処理基板と高周波が印加され
る基板ホルダの間隙はこの周波数領域において大きなイ
ンピーダンス成分となつている。このため、基板内ある
いは基板間のプラズマ処理の均一性が悪いといつた問題
があつた。
放電が生じている時には、処理基板と高周波が印加され
る基板ホルダの間隙はこの周波数領域において大きなイ
ンピーダンス成分となつている。このため、基板内ある
いは基板間のプラズマ処理の均一性が悪いといつた問題
があつた。
本発明の目的は、上記不都合を解決することにある。
本発明の目的は、被処理物の損傷を低減しつつ、高品
質のプラズマ処理をすることにある。
質のプラズマ処理をすることにある。
上記目的を達成するために、本発明はプラズマと被処
理物である基板での電位差を最小限度に制御、あるいは
被処理物に印加する高周波により新たに放電が生じない
ように制御するものである。また、上記制御により、基
板に印加される交流電界を強めることで処理効率の向上
と、基板に印加される電界の均一性と再現性を高めたも
のである。さらに、上記制御による効果を利用して、半
導体装置製造等における高特性の高効率の膜形成，表面
改質，エツチング等を実現させたものである。
理物である基板での電位差を最小限度に制御、あるいは
被処理物に印加する高周波により新たに放電が生じない
ように制御するものである。また、上記制御により、基
板に印加される交流電界を強めることで処理効率の向上
と、基板に印加される電界の均一性と再現性を高めたも
のである。さらに、上記制御による効果を利用して、半
導体装置製造等における高特性の高効率の膜形成，表面
改質，エツチング等を実現させたものである。
すなわち、本発明の特徴は、プラズマ処理装置とし
て、処理中に被処理物が自己バイアスを生じない構造と
することである。また、プラズマ処理方法として、処理
中に、被処理物が自己バイアスを生じない条件下で処理
を行うことである。
て、処理中に被処理物が自己バイアスを生じない構造と
することである。また、プラズマ処理方法として、処理
中に、被処理物が自己バイアスを生じない条件下で処理
を行うことである。
本発明の上記特徴及びその他の特徴は、以下の記載に
より、一層明確とされる。
より、一層明確とされる。
基板に高周波が印加されると、プラズマ中の電子とイ
オンは高周波電界により、ほぼ基板垂線方向に運動する
が、周知のように質量に基づく易動度の差、及び粒子直
径に基づく衝突頻度の差から電子とイオンの基板入射量
には差が生じる。
オンは高周波電界により、ほぼ基板垂線方向に運動する
が、周知のように質量に基づく易動度の差、及び粒子直
径に基づく衝突頻度の差から電子とイオンの基板入射量
には差が生じる。
その差異は、イオンが追随できるような周波数域（Ｎ
＋,O＋では1MHz以下）が印加される時には小さくなるも
のの、この入射量の差により基板にはプラズマ電位に対
し20V以下の直流電位が誘起される。一方、電子やイオ
ンは高周波電界により運動を強制され、他の粒子と衝突
している。基板への印加パワが大きいときには、その加
速度も大きく衝突した粒子を電離させ瞬時の放電を生じ
させる。その際、電子やイオンがプラズマから他へ流
出、例えば、プラズマがアース電位となつている真空容
器内壁に接触しているような時には、該内壁を通してア
ースに流れ込み、電子なだれを発生させて高周波放電が
接続されるようになる。電子なだれが発生すると、上記
入射量の比はほとんど変化しないものの、入射量の差の
絶対値が指数関数的に増加するため、基板に誘起される
直流電位は102〜103Vに達するようになる。また、放電
が生じると、基板に印加された電力は、放電を維持する
ため、すなわち、プラズマを介して基板と真空容器内壁
へ流れる電流として消費される。このため、消費される
電力程、プラズマ密度は上昇せず、また、基板に誘起さ
れる直流電位は高くなるものの、印加される高周波電位
は放電により消費される電力に比例して減少する。以上
述べたように、基板に印加した高周波により放電が新た
に発生する状況になると、基板には後に述べるような基
板損傷等を招く高い誘起直流電位が発生し、また、高周
波電界により基板へのイオン入射効率を高めようとした
当初の目的も喪失することになる。基板に誘起される直
流電位が高くなると、プラズマと基板の間に、いわゆる
落雷である局所放電が発生し基板を著しく損傷したり、
直流電位に基づく基板のチヤージアツプにより、基板上
に形成していた素子の損傷や特性劣化を招くといつた問
題が発生する。
＋,O＋では1MHz以下）が印加される時には小さくなるも
のの、この入射量の差により基板にはプラズマ電位に対
し20V以下の直流電位が誘起される。一方、電子やイオ
ンは高周波電界により運動を強制され、他の粒子と衝突
している。基板への印加パワが大きいときには、その加
速度も大きく衝突した粒子を電離させ瞬時の放電を生じ
させる。その際、電子やイオンがプラズマから他へ流
出、例えば、プラズマがアース電位となつている真空容
器内壁に接触しているような時には、該内壁を通してア
ースに流れ込み、電子なだれを発生させて高周波放電が
接続されるようになる。電子なだれが発生すると、上記
入射量の比はほとんど変化しないものの、入射量の差の
絶対値が指数関数的に増加するため、基板に誘起される
直流電位は102〜103Vに達するようになる。また、放電
が生じると、基板に印加された電力は、放電を維持する
ため、すなわち、プラズマを介して基板と真空容器内壁
へ流れる電流として消費される。このため、消費される
電力程、プラズマ密度は上昇せず、また、基板に誘起さ
れる直流電位は高くなるものの、印加される高周波電位
は放電により消費される電力に比例して減少する。以上
述べたように、基板に印加した高周波により放電が新た
に発生する状況になると、基板には後に述べるような基
板損傷等を招く高い誘起直流電位が発生し、また、高周
波電界により基板へのイオン入射効率を高めようとした
当初の目的も喪失することになる。基板に誘起される直
流電位が高くなると、プラズマと基板の間に、いわゆる
落雷である局所放電が発生し基板を著しく損傷したり、
直流電位に基づく基板のチヤージアツプにより、基板上
に形成していた素子の損傷や特性劣化を招くといつた問
題が発生する。
従つて、プラズマを発生させる手段を有した装置にお
いて基板に高周波を印加し、かかる高周波電位により基
板へイオン入射させて基板を処理する方法及び装置で
は、イオンが追随できる周波数を印加するのはもちろん
のことであるが、基板印加高周波により新たなる放電を
生じさせないことが重要となる。このためには、 １）電離が生じさせるような強い加速を与えないために
高電力の高周波を印加しない、少なくともプラズマを発
生させる手段を停止させた時にプラズマが消滅する電力
以上とする。
いて基板に高周波を印加し、かかる高周波電位により基
板へイオン入射させて基板を処理する方法及び装置で
は、イオンが追随できる周波数を印加するのはもちろん
のことであるが、基板印加高周波により新たなる放電を
生じさせないことが重要となる。このためには、 １）電離が生じさせるような強い加速を与えないために
高電力の高周波を印加しない、少なくともプラズマを発
生させる手段を停止させた時にプラズマが消滅する電力
以上とする。
２）放電が瞬時にせよ接続しないようにプラズマとプラ
ズマが接する真空容器内部あるいは基板ホルダ等に大電
流、少なくとも直流電流が流れないように該容器やホル
ダ等を絶縁物で被覆する。あるいは浮遊電位等にする。
すなわち、プラズマを介して、印加高周波電流が流れ難
い高インピーダンス状態を形成する。
ズマが接する真空容器内部あるいは基板ホルダ等に大電
流、少なくとも直流電流が流れないように該容器やホル
ダ等を絶縁物で被覆する。あるいは浮遊電位等にする。
すなわち、プラズマを介して、印加高周波電流が流れ難
い高インピーダンス状態を形成する。
ことが必要である。
また、放電防止も含めて、素子特性劣化を招く誘起直
流電位をさらに低減するには、 ３）高周波を基板に印加する基板ホルダをアース電位と
はしない、さらに高周波の基準電位を浮かせる、あるい
はプラズマ電位と等しくする。
流電位をさらに低減するには、 ３）高周波を基板に印加する基板ホルダをアース電位と
はしない、さらに高周波の基準電位を浮かせる、あるい
はプラズマ電位と等しくする。
ことが効果がある。また、誘起電位そのものを、さらに
低減するには、 ４）電子とイオンの基板入射量の差を緩和するために主
たるプラズマ生成位置と基板との距離を縮小させ、少な
くともイオンの平均自由行程距離内、（例えば、真空容
器内圧力が0.1Paでは200mm,10Paでは2mm）とする。
低減するには、 ４）電子とイオンの基板入射量の差を緩和するために主
たるプラズマ生成位置と基板との距離を縮小させ、少な
くともイオンの平均自由行程距離内、（例えば、真空容
器内圧力が0.1Paでは200mm,10Paでは2mm）とする。
ことが必要である。
上記方策を実施した場合、少なくとも上記方策の１つ
でも実施した場合、放電の発生が抑制されるあるいは基
板誘起直流電位が著しく低減され、しかも印加される高
周波電界は高くイオン処理効率が高いといつた状況が実
現されるため、基板損傷がなく素子特性の影響も著しく
低減された処理が高効率でなされるようになる。また高
周波放電時には基板とホルダ間の間隙が大きなインピー
ダンス成分となり、基板内あるいは処理ロツド間に不均
一性を与えていたが、上記方策を実施すると放電が防止
されるため、処理の均一性も向上する。
でも実施した場合、放電の発生が抑制されるあるいは基
板誘起直流電位が著しく低減され、しかも印加される高
周波電界は高くイオン処理効率が高いといつた状況が実
現されるため、基板損傷がなく素子特性の影響も著しく
低減された処理が高効率でなされるようになる。また高
周波放電時には基板とホルダ間の間隙が大きなインピー
ダンス成分となり、基板内あるいは処理ロツド間に不均
一性を与えていたが、上記方策を実施すると放電が防止
されるため、処理の均一性も向上する。
さらに、酸化膜やチツ化膜形成においては、基板へ入
射する励起イオン量が多い程、膜質が向上することが知
られている（例えばJpn.J,App1.Phys27（1988）L1962,2
8（1989）1035）。従つて上記４）の方策を実施した際
には、主たるプラズマ生成位置で生成した励起イオンを
直接、基板に入射させることが出来るため、特に高品質
の酸化膜やチツ化膜が得られることになる。
射する励起イオン量が多い程、膜質が向上することが知
られている（例えばJpn.J,App1.Phys27（1988）L1962,2
8（1989）1035）。従つて上記４）の方策を実施した際
には、主たるプラズマ生成位置で生成した励起イオンを
直接、基板に入射させることが出来るため、特に高品質
の酸化膜やチツ化膜が得られることになる。
処理効率アツプのための、第１の電界の周波数として
は、1MHz以下が、10Hz以上が適切である。イオン種が、
O2のArの場合、それぞれ、イオン発生地点と被処理基板
との距離がイオンの平均自由行程以内（O2が0.1Paで20c
m以内、Arが0.1Paで12cm以内）のとき、O2では300KHz以
上500KHz以下で、最適は400KHzであり、Arの場合50KHz
以上200KHz以下で、最適は150KHzである。
は、1MHz以下が、10Hz以上が適切である。イオン種が、
O2のArの場合、それぞれ、イオン発生地点と被処理基板
との距離がイオンの平均自由行程以内（O2が0.1Paで20c
m以内、Arが0.1Paで12cm以内）のとき、O2では300KHz以
上500KHz以下で、最適は400KHzであり、Arの場合50KHz
以上200KHz以下で、最適は150KHzである。
絶縁物としては、石英又はアルミナセラミツクス等種
々の物を用いうるが、その膜厚としては、13.6MHzの高
周波に対して絶縁性を持たせるためには、0.1mm以上必
要であり、ワレを防ぐために3mm以下とすることが望ま
しい。
々の物を用いうるが、その膜厚としては、13.6MHzの高
周波に対して絶縁性を持たせるためには、0.1mm以上必
要であり、ワレを防ぐために3mm以下とすることが望ま
しい。
第１の交流電界に対して絶縁性を持たせるためには、
0.1/13.6mm以上必要である。
0.1/13.6mm以上必要である。
〔実施例〕 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明す
る。
る。
実施例１ 第１図は本発明の一形態であるマイクロ波プ
ラズマ処理装置の主要部の模式図である。本装置は基板
１に高周波をつたえる基板ホルダ2,高周波電源3,高周波
の基準電位を与えるアース部4,マグネトロンから放電管
７へマイクロ波を導くマイクロ波導波管6,その頂部がマ
イクロ波導入窓となつている石英製の放電管7,Al製の真
空容器であるプラズマ処理室8,ECR用の主磁界コイル
９、及び制御磁界コイル10,反応ガス噴き出し管12,プラ
ズマガス吹き出し管11,排気口13（排気ポンプ等の排気
系は図省略），処理室内壁を絶縁するための石英壁14,1
5,16よりなる。主磁界コイル９及び制御磁界コイル10は
放電管７及び処理室８の周囲に設置され、放電管内の最
大磁束密度は2.6［KGauss］であり、それぞれのコイル
に流す電流値により磁束密度分布を制御できる。処理室
８は直径370［mm］φで、基板ホルダ２は直径120［mm］
φのアルミナコーテイングしたAl製で、基板を設置する
面を除いては石英カバ17により複覆されている。第２図
は装置中心軸方向の磁束密度の分布を、横軸にマイクロ
波導入窓先端からの距離に対して示す。主磁界及び制御
磁界コイルの電流値を調整することにより曲線19から20
まで変化させる。すなわち電子サイクロトロン共鳴（以
下ECRと略す）位置を基板前方300［mm］から０［mm］ま
で変化させることができる。
ラズマ処理装置の主要部の模式図である。本装置は基板
１に高周波をつたえる基板ホルダ2,高周波電源3,高周波
の基準電位を与えるアース部4,マグネトロンから放電管
７へマイクロ波を導くマイクロ波導波管6,その頂部がマ
イクロ波導入窓となつている石英製の放電管7,Al製の真
空容器であるプラズマ処理室8,ECR用の主磁界コイル
９、及び制御磁界コイル10,反応ガス噴き出し管12,プラ
ズマガス吹き出し管11,排気口13（排気ポンプ等の排気
系は図省略），処理室内壁を絶縁するための石英壁14,1
5,16よりなる。主磁界コイル９及び制御磁界コイル10は
放電管７及び処理室８の周囲に設置され、放電管内の最
大磁束密度は2.6［KGauss］であり、それぞれのコイル
に流す電流値により磁束密度分布を制御できる。処理室
８は直径370［mm］φで、基板ホルダ２は直径120［mm］
φのアルミナコーテイングしたAl製で、基板を設置する
面を除いては石英カバ17により複覆されている。第２図
は装置中心軸方向の磁束密度の分布を、横軸にマイクロ
波導入窓先端からの距離に対して示す。主磁界及び制御
磁界コイルの電流値を調整することにより曲線19から20
まで変化させる。すなわち電子サイクロトロン共鳴（以
下ECRと略す）位置を基板前方300［mm］から０［mm］ま
で変化させることができる。
被処理基板１として、シリコンウエハ（直径100［m
m］φ）上に厚さ0.5［μｍ］の熱酸化SiO2膜を形成した
基板を用いて、ガスノズル11よりArガスを100［ml/mi
n］導入し、処理室内の圧力を0.2［Pa］とし、2.45［GH
z］の600［Ｗ］のマイクロ波５を放電管７に導入し、か
つ、磁界コイル９と10により875［Gauss］以上の磁界を
発生させて、SiO2膜のスパツタリングを行なつた。この
時の基板とECRの距離は150［mm］，基板に印加する周波
数は400KHzとした。第３図は基板に印加される基準電位
からピーク電位までの高周波電位の印加パワ依存性を示
した図である。図中Ｂの曲線は絶縁壁14〜16がある時、
Ａの曲線は絶縁壁14がない時の値を示す。また第４図は
この時の基板に誘起される直流電位を示している。第５
図は基板位置における電子密度をブローブ法にて測定し
た値を示す。これらの図より、基板上面の絶縁壁14がな
い時には、印加される高周波電位はパワの増大とともに
増加はしているものの飽和する傾向をし、誘起される直
流電位は印加パワが100［Ｗ］を超えたあたりから増大
している。また、基板に高周波が印加され、パワが増大
するにつけて電子密度が増大している。このことより印
加した高周波が100［Ｗ］を超えたあたりから放電が生
じていることがわかる。また誘起電位が250［Ｖ］を超
えたあたりから基板とプラズマの間に局所放電が発生し
基板が損傷されるようになつた。またこのＡの場合、高
周波印加パワが100［Ｗ］以上の時にはマイクロ波の導
入を停止しても放電は接続され基板への高周波の印加を
停止して初めて放電が停止する状態であつた。一方、処
理室内部が充分に絶縁されているＢの場合は、印加パワ
が600［Ｗ］までは、印加パワに比例して高周波電位は
増大し、また、誘起直流電位は約−15［Ｖ］に一定で、
電子密度も一定である。すなわち基板に印加した高周波
による放電は発生していないことがわかる。しかし600
［Ｖ］を過ぎたあたりから電子密度が増大することから
高周波放電が起きていることがわかる。600［Ｖ］以上
では、高周波電位は飽和し始め、誘起直流電位も著しく
増大し、印加パワが850［Ｗ］では基板に局所放電が発
生するようになつた。第６図はこの時のSiO2膜のスパツ
タ速度を示してある。放電が発生していないＢの場合に
は、基板に印加される高周波電位を有効に利用できるた
めにＡの場合に比してスパツタ速度が大きいことがわか
る。これらの結果より、イオンが追随できる周波数を基
板に印加した際にも、印加パワをある程度以上導入する
と高周波放電が発生し、その結果、高周波電位は飽和
し、誘起直流電位が大きくなること、誘起される直流電
位が大きくなると局所放電により基板が損傷されるこ
と、また、イオン処理効率も低下することがわかる。一
方プラズマが触れる、例えば処理室内を、絶縁材で被覆
すると放電発生を抑制することができ、比較的高パワの
高周波を、放電を生じさせないで印加することができ
る。このため、基板に高い直流電位を誘起させることが
なくまた高い高周波電位を利用できるので、基板に損傷
を与えることなく高効率のイオン処理ができる。
m］φ）上に厚さ0.5［μｍ］の熱酸化SiO2膜を形成した
基板を用いて、ガスノズル11よりArガスを100［ml/mi
n］導入し、処理室内の圧力を0.2［Pa］とし、2.45［GH
z］の600［Ｗ］のマイクロ波５を放電管７に導入し、か
つ、磁界コイル９と10により875［Gauss］以上の磁界を
発生させて、SiO2膜のスパツタリングを行なつた。この
時の基板とECRの距離は150［mm］，基板に印加する周波
数は400KHzとした。第３図は基板に印加される基準電位
からピーク電位までの高周波電位の印加パワ依存性を示
した図である。図中Ｂの曲線は絶縁壁14〜16がある時、
Ａの曲線は絶縁壁14がない時の値を示す。また第４図は
この時の基板に誘起される直流電位を示している。第５
図は基板位置における電子密度をブローブ法にて測定し
た値を示す。これらの図より、基板上面の絶縁壁14がな
い時には、印加される高周波電位はパワの増大とともに
増加はしているものの飽和する傾向をし、誘起される直
流電位は印加パワが100［Ｗ］を超えたあたりから増大
している。また、基板に高周波が印加され、パワが増大
するにつけて電子密度が増大している。このことより印
加した高周波が100［Ｗ］を超えたあたりから放電が生
じていることがわかる。また誘起電位が250［Ｖ］を超
えたあたりから基板とプラズマの間に局所放電が発生し
基板が損傷されるようになつた。またこのＡの場合、高
周波印加パワが100［Ｗ］以上の時にはマイクロ波の導
入を停止しても放電は接続され基板への高周波の印加を
停止して初めて放電が停止する状態であつた。一方、処
理室内部が充分に絶縁されているＢの場合は、印加パワ
が600［Ｗ］までは、印加パワに比例して高周波電位は
増大し、また、誘起直流電位は約−15［Ｖ］に一定で、
電子密度も一定である。すなわち基板に印加した高周波
による放電は発生していないことがわかる。しかし600
［Ｖ］を過ぎたあたりから電子密度が増大することから
高周波放電が起きていることがわかる。600［Ｖ］以上
では、高周波電位は飽和し始め、誘起直流電位も著しく
増大し、印加パワが850［Ｗ］では基板に局所放電が発
生するようになつた。第６図はこの時のSiO2膜のスパツ
タ速度を示してある。放電が発生していないＢの場合に
は、基板に印加される高周波電位を有効に利用できるた
めにＡの場合に比してスパツタ速度が大きいことがわか
る。これらの結果より、イオンが追随できる周波数を基
板に印加した際にも、印加パワをある程度以上導入する
と高周波放電が発生し、その結果、高周波電位は飽和
し、誘起直流電位が大きくなること、誘起される直流電
位が大きくなると局所放電により基板が損傷されるこ
と、また、イオン処理効率も低下することがわかる。一
方プラズマが触れる、例えば処理室内を、絶縁材で被覆
すると放電発生を抑制することができ、比較的高パワの
高周波を、放電を生じさせないで印加することができ
る。このため、基板に高い直流電位を誘起させることが
なくまた高い高周波電位を利用できるので、基板に損傷
を与えることなく高効率のイオン処理ができる。
実施例２ プラズマガス供給ノズル11より酸素100［ml/
min］、反応ガスノズル12よりモノシラン,SiH4スを20
［ml/min］を導入してＰ型シリコン基板上に0.3［μ
ｍ］厚さのSiO2膜を形成した。他の条件は実施例１のＢ
と同じである。第７図は基板に誘起される直流電位の印
加高周波パワ依存性を示す。印加パワが600［Ｗ］あた
りから急減に増加している。第８図は堆積させたSiO2膜
上に0.8［μｍ］のAl電極を形成し、Al電極とSi基板の
Ｃ−Ｖ特性評価より求めた界面固定電荷の周波数シフト
値Δqssの値〔Δqss≡qss（ａ＋10MHz）−qss（ａ＋10M
Hz）〕を印加パワに対して示した図である。印加高周波
パワが600［Ｗ］をこえた所、すなわち、誘起直流電位
が増加し始めた所から急激に上昇しており、膜中には著
しい電荷が蓄積されていることがわかる。第８図より印
加パワが600［Ｗ］と800［Ｗ］では誘起電位が18［Ｖ］
と38［Ｖ］で、倍になつただけであるが、この時の電荷
蓄積量は900倍以上にもなつていることがわかる。この
ことから、形成膜に電気的特性劣下を招かないために
は、基板に誘起される直流電位を低減させる必要がある
ことがわかる。このためにも、高周波放電の発生を抑制
する必要がある。
min］、反応ガスノズル12よりモノシラン,SiH4スを20
［ml/min］を導入してＰ型シリコン基板上に0.3［μ
ｍ］厚さのSiO2膜を形成した。他の条件は実施例１のＢ
と同じである。第７図は基板に誘起される直流電位の印
加高周波パワ依存性を示す。印加パワが600［Ｗ］あた
りから急減に増加している。第８図は堆積させたSiO2膜
上に0.8［μｍ］のAl電極を形成し、Al電極とSi基板の
Ｃ−Ｖ特性評価より求めた界面固定電荷の周波数シフト
値Δqssの値〔Δqss≡qss（ａ＋10MHz）−qss（ａ＋10M
Hz）〕を印加パワに対して示した図である。印加高周波
パワが600［Ｗ］をこえた所、すなわち、誘起直流電位
が増加し始めた所から急激に上昇しており、膜中には著
しい電荷が蓄積されていることがわかる。第８図より印
加パワが600［Ｗ］と800［Ｗ］では誘起電位が18［Ｖ］
と38［Ｖ］で、倍になつただけであるが、この時の電荷
蓄積量は900倍以上にもなつていることがわかる。この
ことから、形成膜に電気的特性劣下を招かないために
は、基板に誘起される直流電位を低減させる必要がある
ことがわかる。このためにも、高周波放電の発生を抑制
する必要がある。
実施例３ 主磁界コイル９と付加磁界コイル10の電流値
を調整して、基板からECRまでの距離を20〜300［mm］と
し、基板に印加する高周波パワは400［Ｗ］に固定して
実施例２と同じ条件でSiO2膜を形成した。基板に誘起さ
れる直流電位、及び実施例２で評価したΔqssの基板か
らECRまでの距離依存性を第9,10図に示す。図中Ｂの曲
線は印加高周波の基準電位がアース電位の場合を、Ｃの
曲線は高周波電源３とアース電位４の間にコンデンサー
を介することで高周波の基準電位を浮遊電位とした場合
を示す。第９図よりECR位置を基板に近づけると誘起電
位が著しく低下すること、また、酸素イオンの平均自在
行程は0.15［Pa］では約150［mm］となるが、この平均
自由行程距離内では特に誘起電位が低下していること、
及び基板を浮遊電位とした時には、基板をアース電位と
した時に比して、さらに誘起電位が低下することがわか
る。
を調整して、基板からECRまでの距離を20〜300［mm］と
し、基板に印加する高周波パワは400［Ｗ］に固定して
実施例２と同じ条件でSiO2膜を形成した。基板に誘起さ
れる直流電位、及び実施例２で評価したΔqssの基板か
らECRまでの距離依存性を第9,10図に示す。図中Ｂの曲
線は印加高周波の基準電位がアース電位の場合を、Ｃの
曲線は高周波電源３とアース電位４の間にコンデンサー
を介することで高周波の基準電位を浮遊電位とした場合
を示す。第９図よりECR位置を基板に近づけると誘起電
位が著しく低下すること、また、酸素イオンの平均自在
行程は0.15［Pa］では約150［mm］となるが、この平均
自由行程距離内では特に誘起電位が低下していること、
及び基板を浮遊電位とした時には、基板をアース電位と
した時に比して、さらに誘起電位が低下することがわか
る。
また第10図より、ECRが基板に近い程、基板を浮遊電
位とした時の方が、すなわち、基板に誘起される直流電
位が低い程、膜中の電荷蓄積量が減少することがわか
る。これらのことより、マイクロ波プラズマの主プラズ
マ生成位置であるECRを基板に近づけすくなくともイオ
ンの平均自由行程距離内にすると、電子とイオンの基板
入射量の差が著しく低減され、その結果、誘起直流電位
が減少すること、また、基板を浮遊電位とすると、プラ
ズマと基板の電位差そのものが低減されることがわか
る。このように基板での誘起直流電位を低減させると電
気的特性を劣化させずに膜形成ができることがわかる。
位とした時の方が、すなわち、基板に誘起される直流電
位が低い程、膜中の電荷蓄積量が減少することがわか
る。これらのことより、マイクロ波プラズマの主プラズ
マ生成位置であるECRを基板に近づけすくなくともイオ
ンの平均自由行程距離内にすると、電子とイオンの基板
入射量の差が著しく低減され、その結果、誘起直流電位
が減少すること、また、基板を浮遊電位とすると、プラ
ズマと基板の電位差そのものが低減されることがわか
る。このように基板での誘起直流電位を低減させると電
気的特性を劣化させずに膜形成ができることがわかる。
実施例４ 第11図は本発明の一形態を示す共振型のマイ
クロ波プラズマ装置の主要部の断面を示す。マイクロ波
５は導波管６により、石英窓22を通して共振箱21に導入
される。共振により電界強度を高めたマイクロ波はスリ
ツトを有したマイクロ波導入窓７′により処理室８に導
入されプラズマを生成するようになつている。また基板
ホルダは上下方向に移動可能となつている。図中の他の
数字は第１図同一機能をはたす部分を示す。この装置特
性を酸素ガスを用いて調べた。実験はガスノズル11より
酸素ガスを200［ml/min］導入し処理室８内は0.5［Pa］
に減圧し、導入マイクロ波パワは300［Ｗ］で行なつ
た。第11図は基板がマイクロ波導入窓より100［mm］離
れた時の処理室内の基板上方にある絶縁板14がない時
（Ａ）とある時（Ｂ）における誘起直流電位の基板への
印加高周波パワ依存性を示す。絶縁板がない時（Ａ）に
は印加パワ50［Ｗ］程度から高周波放電が発生し誘起電
位は著しく増加することがわかる。この時には、マイク
ロ波５の導入を停止しても高周波放電ほ消滅しなかつ
た。一方、処理室内が絶縁された場合（Ｂ）には、印加
パワが500［Ｗ］までは放電が見られなかつた。第12図
はＢの状況において高周波印加パワが400［Ｗ］の時
の、マイクロ波導入窓と基板までの距離に対する誘起電
位を示している。酸素イオンの平均自由行程距離は0.5
［Pa］で約40［mm］であり、本装置の主プラズマ生成位
置はマイクロ波導入窓部となるが、先の実施例結果と同
じく、基板を少なくとも酸素イオンの平均自由行程距離
内まで近づけた時には誘起直流電位を低減できることが
わかる。次にガスノズルによりSiH4を20［ml/min］導入
してSiO2膜を形成し、Δqssを調べた。基板がマイクロ
波導入窓より100［mm］離れた時のＡ及びＢの場合に
は、放電が発生していない時、すなわち、Ａでは印加高
周波パワが50［Ｗ］以下、Ｂでは500［Ｗ］以下ではΔq
ssは８×109/cm2未満であつたが、上記印加パワ以上で
は１×1010/cm2以上となつた。また、Ｂの場合で基板を
マイクロ波導入窓まで40［mm］に位置させた時には、Δ
qss４×109/cm2であつた。これらのことより、共振型
マイクロ波プラズマ装置においても、すくなくとも高周
波放電を発生させず、しかも基板への誘起直流電位を低
下させることが重要であることがわかる。
クロ波プラズマ装置の主要部の断面を示す。マイクロ波
５は導波管６により、石英窓22を通して共振箱21に導入
される。共振により電界強度を高めたマイクロ波はスリ
ツトを有したマイクロ波導入窓７′により処理室８に導
入されプラズマを生成するようになつている。また基板
ホルダは上下方向に移動可能となつている。図中の他の
数字は第１図同一機能をはたす部分を示す。この装置特
性を酸素ガスを用いて調べた。実験はガスノズル11より
酸素ガスを200［ml/min］導入し処理室８内は0.5［Pa］
に減圧し、導入マイクロ波パワは300［Ｗ］で行なつ
た。第11図は基板がマイクロ波導入窓より100［mm］離
れた時の処理室内の基板上方にある絶縁板14がない時
（Ａ）とある時（Ｂ）における誘起直流電位の基板への
印加高周波パワ依存性を示す。絶縁板がない時（Ａ）に
は印加パワ50［Ｗ］程度から高周波放電が発生し誘起電
位は著しく増加することがわかる。この時には、マイク
ロ波５の導入を停止しても高周波放電ほ消滅しなかつ
た。一方、処理室内が絶縁された場合（Ｂ）には、印加
パワが500［Ｗ］までは放電が見られなかつた。第12図
はＢの状況において高周波印加パワが400［Ｗ］の時
の、マイクロ波導入窓と基板までの距離に対する誘起電
位を示している。酸素イオンの平均自由行程距離は0.5
［Pa］で約40［mm］であり、本装置の主プラズマ生成位
置はマイクロ波導入窓部となるが、先の実施例結果と同
じく、基板を少なくとも酸素イオンの平均自由行程距離
内まで近づけた時には誘起直流電位を低減できることが
わかる。次にガスノズルによりSiH4を20［ml/min］導入
してSiO2膜を形成し、Δqssを調べた。基板がマイクロ
波導入窓より100［mm］離れた時のＡ及びＢの場合に
は、放電が発生していない時、すなわち、Ａでは印加高
周波パワが50［Ｗ］以下、Ｂでは500［Ｗ］以下ではΔq
ssは８×109/cm2未満であつたが、上記印加パワ以上で
は１×1010/cm2以上となつた。また、Ｂの場合で基板を
マイクロ波導入窓まで40［mm］に位置させた時には、Δ
qss４×109/cm2であつた。これらのことより、共振型
マイクロ波プラズマ装置においても、すくなくとも高周
波放電を発生させず、しかも基板への誘起直流電位を低
下させることが重要であることがわかる。
実施例５ 第14図は本発明の一形態であるRFプラズマ処
理装置の主要部の断面を示す。この装置は平行平板式の
枚葉処理装置で、プラズマは基板１を設置した電極２に
対向した電極23に13.6MHz高周波電源24よりRF波が印加
され生成される。処理室はRF印加側にアース電位とした
SuS部と基板設置側の石英部より形成されている。この
装置を用いArガスにより銅膜をスパツタ（ミリング）し
た。Arガスはガスノズル11より20［ml/min］導入し、処
理室は、10［Pa］に減圧した。RF波は400［Ｗ］，基板
印加高周波は150KHz,100［Ｗ］として電極２と23の距離
を変化させて実験した。この時に基板に誘起された直流
電位の電極間隔依存性を第15図に示す。図中Ｂの曲線は
基板に印加する高周波の基準電位をアース電位とした
時、Ｄは電極を浮遊電位とした時である。さらに、Ｅ
は、第14図のように、高周波電源の一端すなわち高周波
電位を基板ホルダ２に印加し、他端すなわち基準電位を
探針25に接続して、この探針25を処理室内のプラズマに
接触させた時の値である。この時、探針25の電位は、プ
ラズマの電位すなわち探針25と接触するプラズマが有す
る電位となるので、探針25に接続される高周波電源３の
基準電位はプラズマの電位となる。上記、高周波印加パ
ワにおいては基板に印加した高周波に基づく放電は認め
られなかつた。
理装置の主要部の断面を示す。この装置は平行平板式の
枚葉処理装置で、プラズマは基板１を設置した電極２に
対向した電極23に13.6MHz高周波電源24よりRF波が印加
され生成される。処理室はRF印加側にアース電位とした
SuS部と基板設置側の石英部より形成されている。この
装置を用いArガスにより銅膜をスパツタ（ミリング）し
た。Arガスはガスノズル11より20［ml/min］導入し、処
理室は、10［Pa］に減圧した。RF波は400［Ｗ］，基板
印加高周波は150KHz,100［Ｗ］として電極２と23の距離
を変化させて実験した。この時に基板に誘起された直流
電位の電極間隔依存性を第15図に示す。図中Ｂの曲線は
基板に印加する高周波の基準電位をアース電位とした
時、Ｄは電極を浮遊電位とした時である。さらに、Ｅ
は、第14図のように、高周波電源の一端すなわち高周波
電位を基板ホルダ２に印加し、他端すなわち基準電位を
探針25に接続して、この探針25を処理室内のプラズマに
接触させた時の値である。この時、探針25の電位は、プ
ラズマの電位すなわち探針25と接触するプラズマが有す
る電位となるので、探針25に接続される高周波電源３の
基準電位はプラズマの電位となる。上記、高周波印加パ
ワにおいては基板に印加した高周波に基づく放電は認め
られなかつた。
Arイオンの10［Pa］での平均自由行程距離は約２［m
m］であり、本方式のRFプラズマ生成の最大位置はほぼ
両極板の中央にあるが、第15図から基板を上記中央部ま
で少なくとも平均自由行程距離内に近づけると誘起直流
電位が著しく低下することがわかる。また、誘起電位
は、基板印加高周波の基準電位がアース電位であるよ
り、浮遊電位の方が、さらにプラズマ電位とした時の方
が低下させることができることがわかる。またミリング
により形成された銅パターンの電導度を測定した所、誘
起電位が低い状況でミリングしたもの程、電導度は高い
ことがわかつた。このようにスパツタ（ミリング）にお
いても、高周波放電を引き起こさないことはもちろんの
こと、ダメージ的にも、基板への誘起直流電位は極力抑
えることが望まれる。
m］であり、本方式のRFプラズマ生成の最大位置はほぼ
両極板の中央にあるが、第15図から基板を上記中央部ま
で少なくとも平均自由行程距離内に近づけると誘起直流
電位が著しく低下することがわかる。また、誘起電位
は、基板印加高周波の基準電位がアース電位であるよ
り、浮遊電位の方が、さらにプラズマ電位とした時の方
が低下させることができることがわかる。またミリング
により形成された銅パターンの電導度を測定した所、誘
起電位が低い状況でミリングしたもの程、電導度は高い
ことがわかつた。このようにスパツタ（ミリング）にお
いても、高周波放電を引き起こさないことはもちろんの
こと、ダメージ的にも、基板への誘起直流電位は極力抑
えることが望まれる。
実施例６ 第16図は本発明の一形態であるマイクロ波プ
ラズマ処理装置主要部の断面を示す。特徴は、処理室内
にマイクロ波の絶縁筒27を有した発散防止筒26を設置し
たことにあり、また磁力線方向も防止筒接線方向にした
ことにある。これによりECRを処理室８内に位置させて
もECRを防止筒26内に制限でき、プラズマをほぼ基板面
にのみ照射できる。実施例１と同一条件で、印加高周波
パワに対する基板誘起直流電流を測定した結果を第17図
に示す。図中はＡ′は上部絶縁板14がない時を、Ｂ′は
絶縁板がある時を示す。参考のため、マイクロ波発散防
止筒26がない時の値、すなわち、実施例１のＡとＢの曲
線も示してある。第17図より、プラズマの流れる領域を
限定すると（Ａ′,B′）高周波放電の発生を抑制できる
ことがわかる。また、プラズマ流れの径方向が縮小さ
れ、プラズマの発散がなくなり、その分処理効率は向上
した。このように、プラズマの流れを制御すると高周波
放電の抑制ができ、またイオン処理効率も向上すること
がわかる。
ラズマ処理装置主要部の断面を示す。特徴は、処理室内
にマイクロ波の絶縁筒27を有した発散防止筒26を設置し
たことにあり、また磁力線方向も防止筒接線方向にした
ことにある。これによりECRを処理室８内に位置させて
もECRを防止筒26内に制限でき、プラズマをほぼ基板面
にのみ照射できる。実施例１と同一条件で、印加高周波
パワに対する基板誘起直流電流を測定した結果を第17図
に示す。図中はＡ′は上部絶縁板14がない時を、Ｂ′は
絶縁板がある時を示す。参考のため、マイクロ波発散防
止筒26がない時の値、すなわち、実施例１のＡとＢの曲
線も示してある。第17図より、プラズマの流れる領域を
限定すると（Ａ′,B′）高周波放電の発生を抑制できる
ことがわかる。また、プラズマ流れの径方向が縮小さ
れ、プラズマの発散がなくなり、その分処理効率は向上
した。このように、プラズマの流れを制御すると高周波
放電の抑制ができ、またイオン処理効率も向上すること
がわかる。
実施例７ 実施例６の装置を用いガス導入ノズル11より
酸素を300［ml/min］、ノズルによりSiH4を１〜60［ml/
min］導入し処理室内を0.3［Pa］に減圧してSiO2膜を形
成した。導入したマイクロ波パワは600［Ｗ］で基板か
らECRまでの距離は100［mm］とした。堆積させたSiO2膜
の緩衝フツ酸液によるエツチレートを、SiO2膜堆積速度
に対して第18図に示す。図中Ａ′は実施例７の条件にお
いて、印加高周波パワを300［Ｗ］とした時の値を、Ｆ
は高周波を印加しない時の値を示す。高周波が印加され
ない時では、堆積速度が増加するに伴い、エツチレート
も大きく、すなわち、膜が著しく粗になることがわか
る。一方、高周波が印加された時には、堆積速度が大き
くとも、膜は熱酸化膜の緻密性を有することがわかる。
第19図は堆積速度が1000［nm/min］となる状況におけ
る、エツチレートの印加高周波パワ依存性を示す。印加
パワが100［Ｗ］と低パワでも堆積膜は著しく密緻性が
向上することがわかる。第20図は高周波パワが300
［Ｗ］とした時のエツチレートの印加高周波依存性を示
す。周波数がほぼ106［Hz］以上では高周波放電が発生
しプラズマ密度が増加するような状況となつているが、
堆積膜の緻密性はむしろ低下していることがわかる。基
板に比較的低い周波数を用いた場合には、主プラズマ生
成部で生成した励起度の高いイオン種を、その周波数周
期内に基板までとりこめる確率が高くなるので、高励起
イオンを利用して膜形成を行なう際には、ほぼ106［H
z］以下の周波数を用いることが良いことがをわかる。
第21図は周波数が400［KHz］の場合のエツチレートの基
板からECRまでの距離依存性を示す。
酸素を300［ml/min］、ノズルによりSiH4を１〜60［ml/
min］導入し処理室内を0.3［Pa］に減圧してSiO2膜を形
成した。導入したマイクロ波パワは600［Ｗ］で基板か
らECRまでの距離は100［mm］とした。堆積させたSiO2膜
の緩衝フツ酸液によるエツチレートを、SiO2膜堆積速度
に対して第18図に示す。図中Ａ′は実施例７の条件にお
いて、印加高周波パワを300［Ｗ］とした時の値を、Ｆ
は高周波を印加しない時の値を示す。高周波が印加され
ない時では、堆積速度が増加するに伴い、エツチレート
も大きく、すなわち、膜が著しく粗になることがわか
る。一方、高周波が印加された時には、堆積速度が大き
くとも、膜は熱酸化膜の緻密性を有することがわかる。
第19図は堆積速度が1000［nm/min］となる状況におけ
る、エツチレートの印加高周波パワ依存性を示す。印加
パワが100［Ｗ］と低パワでも堆積膜は著しく密緻性が
向上することがわかる。第20図は高周波パワが300
［Ｗ］とした時のエツチレートの印加高周波依存性を示
す。周波数がほぼ106［Hz］以上では高周波放電が発生
しプラズマ密度が増加するような状況となつているが、
堆積膜の緻密性はむしろ低下していることがわかる。基
板に比較的低い周波数を用いた場合には、主プラズマ生
成部で生成した励起度の高いイオン種を、その周波数周
期内に基板までとりこめる確率が高くなるので、高励起
イオンを利用して膜形成を行なう際には、ほぼ106［H
z］以下の周波数を用いることが良いことがをわかる。
第21図は周波数が400［KHz］の場合のエツチレートの基
板からECRまでの距離依存性を示す。
この結果より、基板がECR位置に近づける程、高励起
イオンの入射量を増やすことができ、より高品質の膜形
成ができることがわかる。以上述べたように、イオンが
追随できる周波数を基板に印加しながら基板処理を行な
うプラズマ処理は、特に膜形成に大きな効果を与えるこ
とがわかる。尚、この際、損傷や特性劣下を防ぐため
に、高周波放電を発生させないことは言うまでもない。
イオンの入射量を増やすことができ、より高品質の膜形
成ができることがわかる。以上述べたように、イオンが
追随できる周波数を基板に印加しながら基板処理を行な
うプラズマ処理は、特に膜形成に大きな効果を与えるこ
とがわかる。尚、この際、損傷や特性劣下を防ぐため
に、高周波放電を発生させないことは言うまでもない。
実施例８ 被処理基板として、1.0［μｍ］幅の大Al配
線を有し、Si基板上に形成された半導体素子に第16図に
記載の装置を用いて平坦化SiO2膜を形成した、平坦化の
ためのスパツタイオンは酸素イオンである。印加周波数
は400［KHz］，導入マイクロ波パワ600［Ｗ］，印加高
周波パワ600［Ｗ］，基板からECRまでの距離100［mm］
として、他は実施例７のＡ′とＢ′と同じくし100枚を
処理した。放電が生じる場合（Ａ′）での平均の平坦化
速度は200［nm/min］で、基板内での最大誤差23
［％］、基板間での最大誤差は１枚目と100枚目の間で
発生し33［％］にもなつた。素子形成の歩留りは３
［％］であつた。一方、放電が生じない場合（Ｂ′）で
は、平均平坦化速度は310［nm/min］で、基板内及び基
板間での最大誤差は５％内であつた。また、素子の歩留
りは88［％］であつた。これらの結果より、高周波放電
を生じさせない時には、処理特性が著しく優れ、均一
性、再現性及び損傷がほとんどなく、しかも高処理効率
が達成されることがわかる。
線を有し、Si基板上に形成された半導体素子に第16図に
記載の装置を用いて平坦化SiO2膜を形成した、平坦化の
ためのスパツタイオンは酸素イオンである。印加周波数
は400［KHz］，導入マイクロ波パワ600［Ｗ］，印加高
周波パワ600［Ｗ］，基板からECRまでの距離100［mm］
として、他は実施例７のＡ′とＢ′と同じくし100枚を
処理した。放電が生じる場合（Ａ′）での平均の平坦化
速度は200［nm/min］で、基板内での最大誤差23
［％］、基板間での最大誤差は１枚目と100枚目の間で
発生し33［％］にもなつた。素子形成の歩留りは３
［％］であつた。一方、放電が生じない場合（Ｂ′）で
は、平均平坦化速度は310［nm/min］で、基板内及び基
板間での最大誤差は５％内であつた。また、素子の歩留
りは88［％］であつた。これらの結果より、高周波放電
を生じさせない時には、処理特性が著しく優れ、均一
性、再現性及び損傷がほとんどなく、しかも高処理効率
が達成されることがわかる。
実施例９ 被処理基板としてCr配線を施した100［mm］
角のガラス基板を用い、第１図に記載の装置を用いてガ
スノズル11から酸素のかわりにチツ素ガスを流すことで
SiN膜を形成した。基板印加高周波パワは200［Ｗ］と
し、処理枚数は50枚で他は実施例８のＡ′とＢ′と同じ
くした。スパツタ効果は、Cr配線側壁の膜質を向上させ
るためである。この後、ノンドープSi,リンドープSi膜
を他の装置により連続形成し、しかる後に所定の処理を
施して走査線が1000×1000［本］の液晶デイスプレを作
製してデイスプレの歩留りと走査線の歩留りを調べた。
高周波放電が生じた場合には、走査線の歩留りが30
［％］で、デイスプレの歩留りは２％であつたが、放電
を生じさせない場合には、走査線歩留り86［％］，デイ
スプレの歩留りは60％となつた。このようにTFT作製に
おいても、高周波放電を防止すると、歩留りの著しい向
上が図れる。
角のガラス基板を用い、第１図に記載の装置を用いてガ
スノズル11から酸素のかわりにチツ素ガスを流すことで
SiN膜を形成した。基板印加高周波パワは200［Ｗ］と
し、処理枚数は50枚で他は実施例８のＡ′とＢ′と同じ
くした。スパツタ効果は、Cr配線側壁の膜質を向上させ
るためである。この後、ノンドープSi,リンドープSi膜
を他の装置により連続形成し、しかる後に所定の処理を
施して走査線が1000×1000［本］の液晶デイスプレを作
製してデイスプレの歩留りと走査線の歩留りを調べた。
高周波放電が生じた場合には、走査線の歩留りが30
［％］で、デイスプレの歩留りは２％であつたが、放電
を生じさせない場合には、走査線歩留り86［％］，デイ
スプレの歩留りは60％となつた。このようにTFT作製に
おいても、高周波放電を防止すると、歩留りの著しい向
上が図れる。
実施例10 被処理基板として、シリコンウエハ上に厚さ
100［nm］の熱酸化膜を形成した後にレジストでパター
ニングしたものを用い、第16図に記載した装置で酸化膜
のエツチングを行なつた。反応ガスにCHF3を用い、ガス
ノズル11から30［ml/min］導入した。基板印加高周波パ
ワは200［Ｗ］とし、他は実施例８のＡ′とＢ′と同じ
くした。高周波放電が生じた（Ａ′）場合には、エツチ
ング速度は120［nm/min］で下地Si基板に対する選択性
は８であつたが、高周波放電が生じない（Ｂ′）場合に
は、エツチング速度は200［nm/min］で下地Si基板に対
する選択性は15となつた。この結果から、放電が生じ
て、高周波電位が低下したり、放電により直流電位が誘
起された場合には、エツチング速度が低下し、また基板
のチヤージアツプにより選択性が低下することがわか
る。これらのことより、高周波放電の防止と、基板誘起
電位の低減化はエツチングにも大きな効果を与えること
がわかる。
100［nm］の熱酸化膜を形成した後にレジストでパター
ニングしたものを用い、第16図に記載した装置で酸化膜
のエツチングを行なつた。反応ガスにCHF3を用い、ガス
ノズル11から30［ml/min］導入した。基板印加高周波パ
ワは200［Ｗ］とし、他は実施例８のＡ′とＢ′と同じ
くした。高周波放電が生じた（Ａ′）場合には、エツチ
ング速度は120［nm/min］で下地Si基板に対する選択性
は８であつたが、高周波放電が生じない（Ｂ′）場合に
は、エツチング速度は200［nm/min］で下地Si基板に対
する選択性は15となつた。この結果から、放電が生じ
て、高周波電位が低下したり、放電により直流電位が誘
起された場合には、エツチング速度が低下し、また基板
のチヤージアツプにより選択性が低下することがわか
る。これらのことより、高周波放電の防止と、基板誘起
電位の低減化はエツチングにも大きな効果を与えること
がわかる。
実施例11 被処理基板としてシリコンウエハを用い、第
16図に記載した装置で、ガスノズル11よりボスフイン,p
H3を10［ml/min］導入して、リン、Ｐのドーピングを10
分間行なつた。他は実施例10と同じくし、そのドーズ量
を調べた。放電が生じた（Ａ′）場合のドーズ量は３×
1013［cm-2］であつたが、放電が生じない（Ｂ′）場合
には１×1015［cm-2］にもなつた。この結果より、放電
を生じさせずに、基板印加の高周波電位を有効利用する
とドーピング速度の著しい向上が図れることがわかる。
16図に記載した装置で、ガスノズル11よりボスフイン,p
H3を10［ml/min］導入して、リン、Ｐのドーピングを10
分間行なつた。他は実施例10と同じくし、そのドーズ量
を調べた。放電が生じた（Ａ′）場合のドーズ量は３×
1013［cm-2］であつたが、放電が生じない（Ｂ′）場合
には１×1015［cm-2］にもなつた。この結果より、放電
を生じさせずに、基板印加の高周波電位を有効利用する
とドーピング速度の著しい向上が図れることがわかる。
実施例12 被処理基板として直径100［mm］φ，厚さ１
［mm］のポリカーボネイト板を用い、ガスノズル11から
アンモニアNH3を50［ml/min］導入し、基板をアンモニ
ア処理１分後、続けてガスノズル12からSiH4を５［ml/m
in］導入し、アンモニア処理後の基板にチツ化ケイ素膜
を100［nm］堆積させ、ポリカーボネイト材とチツ化ケ
イ素膜の密着力を調べた。他の条件は実施例11と同じく
した。密着力の評価は膜堆積後のウエハを60［℃］,90
［％］RH雰囲気の中で加速劣下テスト（6000［ｈ］）を
し、その時のはがれを目視観測した。参考のため基板に
高周波を印加しない条件も（Ｆ）を付け加えた。基板高
周波印加がない場合には200［ｈ］で膜はがれが生じ、
基板高周波印加があり、放電が生じた場合（Ａ′）で
は、1000［ｈ］まで膜はがれは生じなかつた。さらに高
周波印加があり、放電を生じさせない場合（Ｂ′）で
は、5000［ｈ］まで膜はがれが生じなかつた。これらの
ことより、基板に高周波を印加して有機基板を処理する
と密着性が向上し、しかも、高周波放電が生じないよう
にした場合には、さらに密着性が向上することがわか
る。尚、シリコン基板にポリイミド樹脂を塗布形成し
て、ポリイミド上に、銅,Cuを蒸着させる実験において
も、基板に高周波を印加しながらチツ素ガスにより表面
処理した方が、また、基板印加高周波による放電が生じ
ない時の方が、Cuとの密着性は強まることもわかつた。
このように、有機上への膜形成あるいは有機材表面の改
質においても、高周波印加を加えながら処理する、及び
該高周波による放電を防止しながら処理することは著し
い効果をもたらすことがわかる。
［mm］のポリカーボネイト板を用い、ガスノズル11から
アンモニアNH3を50［ml/min］導入し、基板をアンモニ
ア処理１分後、続けてガスノズル12からSiH4を５［ml/m
in］導入し、アンモニア処理後の基板にチツ化ケイ素膜
を100［nm］堆積させ、ポリカーボネイト材とチツ化ケ
イ素膜の密着力を調べた。他の条件は実施例11と同じく
した。密着力の評価は膜堆積後のウエハを60［℃］,90
［％］RH雰囲気の中で加速劣下テスト（6000［ｈ］）を
し、その時のはがれを目視観測した。参考のため基板に
高周波を印加しない条件も（Ｆ）を付け加えた。基板高
周波印加がない場合には200［ｈ］で膜はがれが生じ、
基板高周波印加があり、放電が生じた場合（Ａ′）で
は、1000［ｈ］まで膜はがれは生じなかつた。さらに高
周波印加があり、放電を生じさせない場合（Ｂ′）で
は、5000［ｈ］まで膜はがれが生じなかつた。これらの
ことより、基板に高周波を印加して有機基板を処理する
と密着性が向上し、しかも、高周波放電が生じないよう
にした場合には、さらに密着性が向上することがわか
る。尚、シリコン基板にポリイミド樹脂を塗布形成し
て、ポリイミド上に、銅,Cuを蒸着させる実験において
も、基板に高周波を印加しながらチツ素ガスにより表面
処理した方が、また、基板印加高周波による放電が生じ
ない時の方が、Cuとの密着性は強まることもわかつた。
このように、有機上への膜形成あるいは有機材表面の改
質においても、高周波印加を加えながら処理する、及び
該高周波による放電を防止しながら処理することは著し
い効果をもたらすことがわかる。
実施例13 第22図は本発明の一形態であるマイクロ波プ
ラズマ処理装置主要部の断面を示す。第16図との違い
は、処理室の発散放止筒26′に被スパツタターゲツト28
を設置してあることにある。これに高周波（高周波電源
は29）が印加でき、イオンによりこのターゲット28をス
パツタなど、基板上に膜堆積ができる。
ラズマ処理装置主要部の断面を示す。第16図との違い
は、処理室の発散放止筒26′に被スパツタターゲツト28
を設置してあることにある。これに高周波（高周波電源
は29）が印加でき、イオンによりこのターゲット28をス
パツタなど、基板上に膜堆積ができる。
被処理基板として、熱酸化膜を20［nm］厚さ形成した
シリコンウエハを用い、ターゲツトとしてはチタン酸バ
リウムBi4Ti3O12の焼結体を用いて、チタン酸バリウム
膜の膜形成を行なつた。この際基板は300［℃］に加熱
した。形成にはガスノズル11より酸素100［ml/min］導
入し、圧力は0.3［Pa］，μ波導入パワは600［Ｗ］,ECR
位置はターゲツト位置よりも20［mm］程μ波導入側とし
た。ターゲツトへは300［KHz］の高周波を400［Ｗ］印
加した。上記条件において、基板への高周波印加がない
時（Ｇ）、絶縁筒27′をはずし基板へ400KHzの高周波20
0［Ｗ］を印加した時（Ａ″）、絶縁筒27′を設置し
て、高周波印加した時（Ｂ″）の３通りで膜形成を行な
つた。Ａ″の場合には基板印加高周波による放電が認め
られ、基板には直流電位が300［Ｖ］誘起された。Ｂ″
の場合には高周波放電は認められなかつた。Ｇの場合に
は形成された膜は非晶質であつたが、Ａ″とＢ″の場合
には、（001）配向を示した。Ａ″の場合には完全な単
結晶性を示さないが、Ｂ″の場合には完全な単結性とな
り、そのＣ軸の格子定数は32.9［nm］で、完全な強誘電
膜が得られた。このように、強誘電膜を形成する時に
も、基板に高周波を印加することは効果があり、さら
に、高周波放電が生じない系とすると、さらに著しい効
果があることがわかる。また、基板にイオンが追随でき
ない周波数である13.6MHzをＡ″の条件で同一パワ導入
した時には、非晶質な膜しか得られなかつたので、強誘
電体膜形成には、イオンが追随できる周波数の印加が効
果をもたらすことがわかる。
シリコンウエハを用い、ターゲツトとしてはチタン酸バ
リウムBi4Ti3O12の焼結体を用いて、チタン酸バリウム
膜の膜形成を行なつた。この際基板は300［℃］に加熱
した。形成にはガスノズル11より酸素100［ml/min］導
入し、圧力は0.3［Pa］，μ波導入パワは600［Ｗ］,ECR
位置はターゲツト位置よりも20［mm］程μ波導入側とし
た。ターゲツトへは300［KHz］の高周波を400［Ｗ］印
加した。上記条件において、基板への高周波印加がない
時（Ｇ）、絶縁筒27′をはずし基板へ400KHzの高周波20
0［Ｗ］を印加した時（Ａ″）、絶縁筒27′を設置し
て、高周波印加した時（Ｂ″）の３通りで膜形成を行な
つた。Ａ″の場合には基板印加高周波による放電が認め
られ、基板には直流電位が300［Ｖ］誘起された。Ｂ″
の場合には高周波放電は認められなかつた。Ｇの場合に
は形成された膜は非晶質であつたが、Ａ″とＢ″の場合
には、（001）配向を示した。Ａ″の場合には完全な単
結晶性を示さないが、Ｂ″の場合には完全な単結性とな
り、そのＣ軸の格子定数は32.9［nm］で、完全な強誘電
膜が得られた。このように、強誘電膜を形成する時に
も、基板に高周波を印加することは効果があり、さら
に、高周波放電が生じない系とすると、さらに著しい効
果があることがわかる。また、基板にイオンが追随でき
ない周波数である13.6MHzをＡ″の条件で同一パワ導入
した時には、非晶質な膜しか得られなかつたので、強誘
電体膜形成には、イオンが追随できる周波数の印加が効
果をもたらすことがわかる。
実施例14 被ターゲットとして、BiPbSrCaCuの焼結体を
用い、基板にMgOを用いて超電導膜形成を行なつた。他
の条件は実施例13と同じである。Ｇの場合には非晶質で
あり、Ａ″の場合には単相の膜とはならず、Ｂ″の場合
にはＣ軸の格子定数が37.4［Ａ″］の単相で高Tcが得ら
れた。また、13.6MHzを基板に印加した時には非晶質で
あつた。このことより、超電導膜形成においても、イオ
ンが追随できる周波数を基板に印加することは効果があ
り、さらに基板印加高周波による放電を生じさせないシ
ステムとすると、高Tcの超電導膜が形成できることがわ
かる。
用い、基板にMgOを用いて超電導膜形成を行なつた。他
の条件は実施例13と同じである。Ｇの場合には非晶質で
あり、Ａ″の場合には単相の膜とはならず、Ｂ″の場合
にはＣ軸の格子定数が37.4［Ａ″］の単相で高Tcが得ら
れた。また、13.6MHzを基板に印加した時には非晶質で
あつた。このことより、超電導膜形成においても、イオ
ンが追随できる周波数を基板に印加することは効果があ
り、さらに基板印加高周波による放電を生じさせないシ
ステムとすると、高Tcの超電導膜が形成できることがわ
かる。
プラズマ発生手段としては、マイクロ波（例えば、2.
45GHz）を用いるもの、高い周波数（例えば13.6MHz）の
電界を用いるもの又は、光励起によつて、プラズマを発
生させるものなど種々のものが考えられる。
45GHz）を用いるもの、高い周波数（例えば13.6MHz）の
電界を用いるもの又は、光励起によつて、プラズマを発
生させるものなど種々のものが考えられる。
本発明によれば、基板に印加した高周波により放電が
発生するのが著しく抑制するので、基板損傷を与えず、
素子特性劣下を招くことなく基板を処理できるので、LS
IやTFT等の半導体装置製造や有機基板を用いたデイスク
等の製造において高特性の再現性の高い処理ができる効
果がある。また、放電を抑制してあるために、基板に印
加された高周波電位を有効に利用できるので、処理効率
の著しい向上や処理特性の向上が図れる効果がある。さ
らに、高励起のイオンの基板入射量を増加させることが
できるので、強誘電体や超電導膜を含めた、酸化膜やチ
ツ化膜の品質の向上が図れる効果もある。
発生するのが著しく抑制するので、基板損傷を与えず、
素子特性劣下を招くことなく基板を処理できるので、LS
IやTFT等の半導体装置製造や有機基板を用いたデイスク
等の製造において高特性の再現性の高い処理ができる効
果がある。また、放電を抑制してあるために、基板に印
加された高周波電位を有効に利用できるので、処理効率
の著しい向上や処理特性の向上が図れる効果がある。さ
らに、高励起のイオンの基板入射量を増加させることが
できるので、強誘電体や超電導膜を含めた、酸化膜やチ
ツ化膜の品質の向上が図れる効果もある。
第１図は本発明の一形態であるマイクロ波プラズマ装置
の模式図、第２図は磁束密度のマイクロ波導入窓先端か
らの距離依存性を示す。第３図ないし第６図は、それぞ
れ、高周波電位，直流誘起電位，電子密度及びArにより
SiO2膜スパツタ速度の印加高周波パワ依存性を示す。第
７図，第８図は、それぞれSiO2膜形成時の誘起直流電位
と固定電界密度の周波数シフト値Δqssの印加高周波パ
ワ依存性を示す。第９図，第10図は、それぞれSiO2膜形
成時の誘起直流電位とΔqssの基板からECRまでの距離依
存性を示す。第11図は本発明の一形態であるマイクロ波
プラズマ装置の模式図、第12図，第13図は、それぞれ酸
素ガスプラズマの誘起直流電位の印加高周波パワ依存性
とマイクロ波導入窓と基板の距離依存性を示す。第14図
は本発明の一形態であるRFプラズマ処理装置の模式図、
第15図はArによるスパツタエツチング時の誘起直流電位
の電極間距離依存性を示す。第16図は本発明の一形態で
あるマイクロ波プラズマ処理装置の模式図、第17図は、
誘起直流電流の印加高周波パワ依存性を示す。第18図な
いし第21図はそれぞれ、堆積SiO2膜のエツチレートの堆
積速度依存性，印加高周波パワ依存性，印加周波数依存
性及び基板からECRまでの距離依存性を示す。第22図
は、本発明の一形態であるマイクロ波プラズマ装置の模
式図である。 １……基板、３……高周波電源、５……マイクロ波、７
……放電管、７′……マイクロ波導入窓、８……処理
室、9,10……磁界コイル、14……絶縁板、18……ECR位
置、21……共振箱、23……RF印加電極、26……マイクロ
波発散防止筒、A,A′……絶縁板なし、B,B′……絶縁板
あり、C,D……基板が浮遊電位、Ｅ……基板がプラズマ
電位、Ｆ……高周波印加なし、27,27′……絶縁筒、28
……ターゲツト、29……ターゲツト印加用高周波電源。
の模式図、第２図は磁束密度のマイクロ波導入窓先端か
らの距離依存性を示す。第３図ないし第６図は、それぞ
れ、高周波電位，直流誘起電位，電子密度及びArにより
SiO2膜スパツタ速度の印加高周波パワ依存性を示す。第
７図，第８図は、それぞれSiO2膜形成時の誘起直流電位
と固定電界密度の周波数シフト値Δqssの印加高周波パ
ワ依存性を示す。第９図，第10図は、それぞれSiO2膜形
成時の誘起直流電位とΔqssの基板からECRまでの距離依
存性を示す。第11図は本発明の一形態であるマイクロ波
プラズマ装置の模式図、第12図，第13図は、それぞれ酸
素ガスプラズマの誘起直流電位の印加高周波パワ依存性
とマイクロ波導入窓と基板の距離依存性を示す。第14図
は本発明の一形態であるRFプラズマ処理装置の模式図、
第15図はArによるスパツタエツチング時の誘起直流電位
の電極間距離依存性を示す。第16図は本発明の一形態で
あるマイクロ波プラズマ処理装置の模式図、第17図は、
誘起直流電流の印加高周波パワ依存性を示す。第18図な
いし第21図はそれぞれ、堆積SiO2膜のエツチレートの堆
積速度依存性，印加高周波パワ依存性，印加周波数依存
性及び基板からECRまでの距離依存性を示す。第22図
は、本発明の一形態であるマイクロ波プラズマ装置の模
式図である。 １……基板、３……高周波電源、５……マイクロ波、７
……放電管、７′……マイクロ波導入窓、８……処理
室、9,10……磁界コイル、14……絶縁板、18……ECR位
置、21……共振箱、23……RF印加電極、26……マイクロ
波発散防止筒、A,A′……絶縁板なし、B,B′……絶縁板
あり、C,D……基板が浮遊電位、Ｅ……基板がプラズマ
電位、Ｆ……高周波印加なし、27,27′……絶縁筒、28
……ターゲツト、29……ターゲツト印加用高周波電源。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ 21/31 21/302 Ｂ (56)参考文献 特開 昭62−109986（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−13480（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−197327（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−100263（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】少なくとも一部が導電性材料で作られ、被
処理物を納める容器と、 容器内に電子サイクロトロン共鳴によって所定成分のプ
ラズマを生成する手段と、 容器内のプラズマの領域の少なくとも一部にプラズマ中
のイオンが追随できる周波数の第１の交流電界を印加す
る手段と、 被処理物の被処理面を除いた容器内のプラズマに対向す
る面を、第１の交流電界に対して少なくとも絶縁性を示
す物質により被覆する手段と、 を具備し、 被処理物に誘起する電位が絶対値で15V以下であること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】少なくとも一部が導電性材料で作られ、被
処理物を支持するホルダを有するプラズマ処理容器と、 プラズマ処理容器内へマイクロ波を案内する手段と、 プラズマ処理容器内へプラズマ生成用ガスを案内する手
段と、 プラズマ処理容器の外側に配置され、マイクロ波と共に
電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ生成用ガスか
らプラズマを生成するための磁界を発生する手段と、 被処理物を支持するホルダにプラズマ中のイオンが追随
できる周波数の高周波電界を与える高周波電源と、 プラズマ処理容器の内面及びホルダのプラズマに対向す
る面をプラズマから絶縁する手段と、 を具備し、 高周波電源は10Hz以上1MHz以下で、基準電位が接地電位
であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】少なくとも一部が導電性材料で作られ、被
処理物を支持するホルダを有するプラズマ処理容器と、 プラズマ処理容器内へマイクロ波を案内する手段と、 プラズマ処理容器内へプラズマ生成用ガスを案内する手
段と、 プラズマ処理容器の外側に配置され、マイクロ波と共に
電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ生成用ガスか
らプラズマを生成するための磁界を発生する手段と、 被処理物を支持するホルダにプラズマ中のイオンが追随
できる周波数の高周波電界を与える高周波電源と、 プラズマ処理容器の内面及びホルダのプラズマに対向す
る面をプラズマから絶縁する手段と、 を具備し、 高周波電源は10Hz以上1MHz以下で、基準電位が接地電位
からフローティング状態にあることを特徴とするプラズ
マ処理装置。 - 【請求項４】少なくとも一部が導電性材料で作られ、被
処理物を支持するホルダを有するプラズマ処理容器と、 プラズマ処理容器内へマイクロ波を案内する手段と、 プラズマ処理容器内へプラズマ生成用ガスを案内する手
段と、 プラズマ処理容器の外側に配置され、マイクロ波と共に
電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ生成用ガスか
らプラズマを生成するための磁界を発生する手段と、 被処理物を支持するホルダにプラズマ中のイオンが追随
できる周波数の高周波電界を与える高周波電源と、 プラズマ処理容器の内面及びホルダのプラズマに対向す
る面をプラズマから絶縁する手段と、 を具備し、 高周波電源は10Hz以上1MHz以下で、基準電位がプラズマ
の電位であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】少なくとも一部が導電性材料で作られ、被
処理物を支持するホルダを有するプラズマ処理容器と、 プラズマ処理容器内へマイクロ波を案内する手段と、 プラズマ処理容器内へプラズマ生成用ガスを案内する手
段と、 プラズマ処理容器の外側に配置され、マイクロ波と共に
電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ生成用ガスか
らプラズマを生成するための磁界を発生する手段と、 被処理物を支持するホルダにプラズマ中のイオンが追随
できる周波数の高周波電界を与える高周波電源と、 プラズマ処理容器の内面及びホルダのプラズマに対向す
る面をプラズマから絶縁する手段と、 を具備し、 被処理物に誘起する電位が絶対値で15V以下であること
を特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1307718A JP2602336B2 (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | プラズマ処理装置 |
| KR1019900018766A KR970008333B1 (ko) | 1989-11-29 | 1990-11-20 | 전자 사이클로트론 공명을 사용한 플라즈마 처리방법 및 장치 |
| US07/619,338 US5182495A (en) | 1989-11-29 | 1990-11-29 | Plasma processing method and apparatus using electron cyclotron resonance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1307718A JP2602336B2 (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03170666A JPH03170666A (ja) | 1991-07-24 |
| JP2602336B2 true JP2602336B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=17972411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1307718A Expired - Lifetime JP2602336B2 (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5182495A (ja) |
| JP (1) | JP2602336B2 (ja) |
| KR (1) | KR970008333B1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5372958A (en) * | 1990-11-16 | 1994-12-13 | Seiko Epson Corporation | Process for fabricating a thin film semiconductor device |
| JPH0653170A (ja) * | 1992-03-18 | 1994-02-25 | Nec Corp | Ｅｃｒプラズマエッチング装置 |
| JP3158715B2 (ja) * | 1992-03-30 | 2001-04-23 | 株式会社ダイヘン | プラズマ処理装置 |
| US5759922A (en) * | 1993-08-25 | 1998-06-02 | Micron Technology, Inc. | Control of etch profiles during extended overetch |
| JP3171222B2 (ja) * | 1994-06-14 | 2001-05-28 | 日本電気株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| US5569363A (en) * | 1994-10-25 | 1996-10-29 | Sony Corporation | Inductively coupled plasma sputter chamber with conductive material sputtering capabilities |
| US5849373A (en) * | 1996-02-05 | 1998-12-15 | Sandia Corporation | Process for the synthesis of nanophase dispersion-strengthened aluminum alloy |
| JP3432997B2 (ja) * | 1996-04-23 | 2003-08-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置に使用する絶縁膜 |
| JP3225855B2 (ja) * | 1996-06-06 | 2001-11-05 | 株式会社島津製作所 | 薄膜形成装置 |
| JP4507303B2 (ja) * | 1999-08-23 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 基板の剥離帯電防止方法 |
| US7056416B2 (en) * | 2002-02-15 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Atmospheric pressure plasma processing method and apparatus |
| JP5717888B2 (ja) * | 2013-02-25 | 2015-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN113823546A (zh) * | 2020-06-19 | 2021-12-21 | 拓荆科技股份有限公司 | 一种反应腔体及其处理方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613480A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-09 | Hitachi Ltd | Dry etching apparatus |
| JPS5813627B2 (ja) * | 1982-02-26 | 1983-03-15 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマエッチング装置 |
| JPS6240386A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-21 | Ulvac Corp | Ｅｃｒプラズマ処理装置 |
| US4673456A (en) * | 1985-09-17 | 1987-06-16 | Machine Technology, Inc. | Microwave apparatus for generating plasma afterglows |
| EP0264913B1 (en) * | 1986-10-20 | 1994-06-22 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| KR960015609B1 (ko) * | 1987-01-19 | 1996-11-18 | 미쓰다 가쓰시게 | 플라즈마 처리장치 및 방법 |
| JP2661906B2 (ja) * | 1987-02-12 | 1997-10-08 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR920002864B1 (ko) * | 1987-07-20 | 1992-04-06 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플라즈마 처리방법 및 그 장치 |
| JPH0362517A (ja) * | 1989-03-27 | 1991-03-18 | Anelva Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
-
1989
- 1989-11-29 JP JP1307718A patent/JP2602336B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-11-20 KR KR1019900018766A patent/KR970008333B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-11-29 US US07/619,338 patent/US5182495A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910010753A (ko) | 1991-06-29 |
| US5182495A (en) | 1993-01-26 |
| KR970008333B1 (ko) | 1997-05-23 |
| JPH03170666A (ja) | 1991-07-24 |
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