KR920006537A - 마이크로파플라즈마 발생장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 마이크로파플라즈마 발생장치의 정면단면도,
제2도는 동축면단면도,
제3도는 동실시예의 동작을 설명하기 위한 도면.
Claims (16)
- 마이크로파발진기와, 일단부에 마이크로파 발진기가 설치된 공동공진기(空洞共振器)와, 상기 공동공진기의 마이크로파발진기가 설치된 쪽과는 반대의 끝에 설치되고, 종단부가 개구되어있는 도어손잡이형인 동축관과, 상기 동축관의 중심도체는 공동공진기의 내부중간까지 전계방향과 평행하게 삽입된 구조로서, 상기 동축관의 중간에 배치된 마이크로파가 통과하고 진공밀봉을 할 수 있는 유리판과, 도어손잡이부와 가스도입구와 배기구가 장착된 진공챔버와, 상기 중심도체의 평탄부에 대항하여 진공챔버내에 설치된 플라즈마제어판을 구비하고, 상기 중심도체에 묻히고 개구부직경의 1/3 내지2/3 의 직경을 가진 원주형의 영구자석과, 상기 플라즈마제어판에 묻히고 중심도체에 묻힌 영구자석의 직경보다도 큰 직경을 가진 원주형(원주형)의 영구자석이 서로 반대의 자극으로 되어 있는 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 제1항에 있어서, 공동공진기는 가동단락판을 가진 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 제1항에 있어서, 동축관은 도어손잡이부의 밑부분이 45°로 벌어져있는 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 제1항에 있어서, 플라즈마 제어판은 상하로 이동시키므로서 자기갭의 거리를 변화시킬 수 있는 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 제4항에 있어서, 자기갭은 20㎜~80㎜ 이고 중앙의 자장이 0.1~2 킬로가우스인 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 제1항에 있어서, 마이크로파는 2.45GHz 인 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 제1항에 있어서, 공동공진기의 내부에 삽입된 중심도체의 선단부가 T자형으로 되어있고 공동공진기의 측면에 돌출하고 있는 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 마이크로파발진기와, 일단부에 마이크로파 발진기가 설치된 공동공진기와, 상기 공동공진기의 마이크로파 발진기가 설치된 쪽과는 반대의 끝에 설치되고, 종단부가 개구되어있는 도어 손잡이형인 동축관과, 상기 도어손잡이형의 중심도체의 평탄한 부분에 설치된 전극과, 상기 동축관의 중심도체는 공동공진기의 내부의 중간까지. 전계방향과 평행하게 삽입되고 선단부가 T 자형으로 되어있고 공동공진기의 측면에 돌출한 형상이고, 상기 동축 관의 중간에 배치된 마이크로파가 통과하는 진공밀봉을 할 수 있는 유리판과, 도어 손잡이부와 가스도입구와 배기구가 장착된 진동챔버와, 상기 중심도체의 평탄부에 대항하여 진공챔버내에 설치된 플라즈마제어판과, 상기중심도체에 묻힌 원주형 영구자석이 상반되는 자극을 구비하고, 전극과 플라즈마제어판에 마이너스의 전위를 인가할 수 있는 수단을 가진 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 제8항에 있어서, 중심도체는 공동(共洞)이고 그속에 송전선과 냉각파이프통해 있는 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 마이크로파 발진기와, 일단부에 마이크로파 발진기가 설치된 공동공진기와, 상기 공동공진기의 마이크로파 발진기가 설치된 쪽과는 반대의 끝에 설치되고 종단부가 개구되어 잇는 도어손잡이형인 동축관과, 상기 동축관의 중심도체는 공동공진기 내부의 중간까지. 전계방향과 평행하게 삽입되어있고, 상기 개구부에 끼워넣어져 중심도체의 평탄부에 접촉한 저면을 가지고 마이크로파가 통과하는 진공밀봉을 할 수 있는 유리벨자아와, 상기 유리벨자아의 개구와 가스도입구와 배기구가 장착된 진공챔버와, 상기 중심도체의 평탄부에 대항하고 영구자석과, 상기 시료대에 묻힌 원주형의 영구자석이 서로 반대의 자극으로 되어있는 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 제10항에 있어서, 공동공진기는 가동단락판을 가진 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 제10항에 있어서, 동축관은 도어손잡이부의 밑부분이 45°로 벌어져있는 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 제10항에 있어서, 시묘대는 상하로 이동시키므로서 자기갭의 거리를 변화시킬수 있는 마이크로파플라즈마 발생장치.
- 제13항에 있어서, 자기갭은 20㎜~80㎜이고 중앙의 자장이 0.4~1 킬로가우스인 마이크로파플라즈마 발생 장치.
- 제10항에 있어서, 마이크로파는 2.45GHz 인 마이크로파플라즈마 발생장치
- 제10항에 있어서, 중심도체는 공동공진기의 내부에 마이크로파의 파장의 1/4의 길이만큼 삽입된 마이크로파플라즈마 발생장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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FR2702119B1 (fr) * | 1993-02-25 | 1995-07-13 | Metal Process | Dispositif d'excitation d'un plasma à la résonance cyclotronique électronique par l'intermédiaire d'un applicateur filaire d'un champ micro-onde et d'un champ magnétique statique. |
US5611864A (en) * | 1994-03-24 | 1997-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave plasma processing apparatus and processing method using the same |
US5523652A (en) * | 1994-09-26 | 1996-06-04 | Eaton Corporation | Microwave energized ion source for ion implantation |
FR2840451B1 (fr) * | 2002-06-04 | 2004-08-13 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de production d'une nappe de plasma |
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JPS5673539A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-18 | Toshiba Corp | Surface treating apparatus of microwave plasma |
JPS6037129A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-26 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
US4581100A (en) * | 1984-10-29 | 1986-04-08 | International Business Machines Corporation | Mixed excitation plasma etching system |
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US5024716A (en) * | 1988-01-20 | 1991-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus for etching, ashing and film-formation |
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