KR960039136A - 이온비임 처리장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 히다치 세사쿠쇼
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Abstract

본 발명의 목적은 대전류화, 대구경화의 이온비임을 실현하는데 있다.
중화 플라즈마가 생성되면, 직류전원(18)에 의하여 통형상의 전극(8)이 처리실(23)에 대하여 마이너스 전극으로 설정되어 있으므로, 중화플라즈마중의 이온(23)을 통형상의 전극(8)으로 보집할 수 있다. 그리고, 보집한 이온전하와 동량의 전자(24)가 이온비임(25)를 향하여 균일하게 공급될 수 있다. 따라서, 통형상의 전극에 이온을 보집시킴으로써, 이온의 보집면적을 넓게 할 수 있고, 그 때문에 저밀도의 중화 플라즈마를 생성하는 것만으로 상기 플라즈마로부터 충분한 양의 이온을 확실하게 보집할 수 있음과 동시에 충분한 양의 전자를 이온비임(25)측으로 공급할 수 있다.

Description

이온비임 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 이온비임을 처리장치의 제1실시예를 나타낸 전체 구성의 종단면도이다.

Claims (8)

  1. 플라즈마를 생성하고 상기 플라즈마로부터 이온을 인출하는 이온인출전극을 가지는 이온원과, 상기 이온원에 접속되며 인출된 이온비임에 의하여 피처리물을 처리하는 처리실과, 상기 처리실내의 이온비임을 전기적으로 중화하는 중화수단을 구비하고, 상기 중화수단은 상기 이온원과 처리실 사이에서 축방향을 따라 끼워져 설치되고, 상기 이온인출전극에 의하여 이온비임을 에워싸는 공간실을 형성하는 통형상의 전극과, 상기 통형상의 전극 공간실에 마이크로파 플라즈마를 발생시키는 발생수단과, 상기 처리실에 대하여 통형상의 전극이 마이너스 전위로 되게하는 수단으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 이온비임 처리장치.
  2. 플라즈마를 생성하고 상기 플라즈마로부터 이온을 인출하는 이온인출전극을 가지는 이온원과, 상기 이온원에 접속되며 인출된 이온비임에 의하여 피처리물을 처리하는 처리실과, 상기 처리실내의 이온비임을 전기적으로 중화하는 중화수단을 구비하고, 상기 중화수단은 상기 이온원과 처리실 사이에서 축방향을 따라 끼워져 설치되고, 상기 이온인출전극에 의하여 인출된 이온비임을 에워싸는 공간실을 형성하는 통형상의 전극과, 상기 통형상의 전극 공간실에 마이크로파 플라즈마를 발생시키는 발생수단과, 상기 처리실에 대하여 통형상의 전극이 마이너스 전위로 되게하는 수단으로 구성되며, 상기 통형상의 전극 공간실에 마이크로파 플라즈마를 발생시키는 발생수단은 상기 통형상의 전극 공간실에 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입부와, 멀티링커프스 자장을 형성하고, 마이크로파 도입부로부터의 마이크로파 주파수에 대응하는 전자 사이클로트론 공조자장을 발생시키는 정적 자장 발생부를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온비임 처리장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이온인출전극의 통형상 전극의 공간실측에 인접하고, 처리실 혹은 통형상의 전극에 대하여 주위방향으로 전기적으로 접촉하며, 동리한 전위로 설정된 보호전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 이온비임 처리장치.
  4. 플라즈마를 생성하고 상기 플라즈마로부터 이온을 인출하는 이온인출전극을 가지는 이온원과, 상기 이온원에 접속되며 인출된 이온비임에 의하여 피처리물을 처리하는 처리실과, 상기 처리실내의 이온비임을 전기적으로 중화하는 중화수단을 구비하고, 상기 중화수단은 상기 처리실내의 이온인출전극 근방의 위치에 설치되고 상기 이온인출전극에 의하여 인출된 이온비임을 에워싸는 공간실을 형성하는 통형상의 전극과, 상기 통형상의 전극 공간실에 마이크로파 플라즈마를 발생시키는 발생수단과, 상기 처리실에 대하여 통형상의 전극이 마이너스 전위로 되게하는 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이온비임 처리장치.
  5. 플라즈마를 생성하고 상기 플라즈마로부터 이온을 인출하는 이온 인출전극을 가지는 이온원과, 상기 이온원에 접속되며 인출된 이온비임에 의허여 피처리물을 처리하는 처리실과, 상기 처리실내의 이온비임을 전기적으로 중화하는 중화수단을 구비하고, 상기 중화수단은 상기 처리실내벽의 이온인출전극 근방의 위치에 설치되고 상기 이온인출전극에 의하여 인출된 이온비임을 에워싸는 공간실을 형성하는 통형상의 전극과, 상기 통형상의 전극 공간실에 마이크로파 플라즈마를 발생시키는 발생수단과, 상기 처리실에 대하여 통형상의 전극이 마이너스 전위로 되게하는 수단으로 구성되고, 통형상의 전극 공간실에 마이크로파 플라즈마를 발생시키는 발생수단은 상기 통형상의 전극 공간실에 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입부와, 멀티링커스프자장을 형성하며 마이크로파 도입부로부터의 마이크로파 주파수에 대응하는 전자 사이클로트론 공조자장을 발생시키는 정적 자장 발생부를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온비임 처리장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 이온인출전극의 통형상의 전극 공간실측에 인접하고, 처리실 혹은 통형상의 전극에 대하여 주위방향으로 전기적으로 접촉하며, 동일한 전위로 설정된 보호전극을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 이온비임 처리장치.
  7. 제1, 2, 4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정적 자장발생부는 상기 통형상의 전극 외주부 혹은 내주부에 설치된 영구자석임을 특징으로 하는 이온비임 처리장치.
  8. 제1, 2, 4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마이크로파 도입부는 상기 정적자장 발생부의 멀티링커스프자장의 인접하는 자극사이로부터 마이크로파를 도입하는 것을 특징으로 하는 이온비임 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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