JPH08296069A - イオンビーム処理装置 - Google Patents
イオンビーム処理装置Info
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- JPH08296069A JPH08296069A JP7105884A JP10588495A JPH08296069A JP H08296069 A JPH08296069 A JP H08296069A JP 7105884 A JP7105884 A JP 7105884A JP 10588495 A JP10588495 A JP 10588495A JP H08296069 A JPH08296069 A JP H08296069A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大電流化，大口径化のイオンビームを実現す
ること。 【構成】 中和プラズマが生成されると、直流電源１８
により帯状電極８が処理室２３に対し負電位に設定され
ているので、中和プラズマ中のイオン２３を帯状電極８
に捕集することができる。そして、捕集したイオン電荷
と同量の電子２４がイオンビーム２５に向かって均一に
供給することができる。従って、帯状電極にイオンを捕
集させることにより、イオンの捕集面積を広くでき、そ
のため、低密度の中和プラズマを生成するのみで、該プ
ラズマから十分な量のイオンを確実に捕集できると共に
十分な量の電子をイオンビーム２５側に供給できる。
ること。 【構成】 中和プラズマが生成されると、直流電源１８
により帯状電極８が処理室２３に対し負電位に設定され
ているので、中和プラズマ中のイオン２３を帯状電極８
に捕集することができる。そして、捕集したイオン電荷
と同量の電子２４がイオンビーム２５に向かって均一に
供給することができる。従って、帯状電極にイオンを捕
集させることにより、イオンの捕集面積を広くでき、そ
のため、低密度の中和プラズマを生成するのみで、該プ
ラズマから十分な量のイオンを確実に捕集できると共に
十分な量の電子をイオンビーム２５側に供給できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンビームエッチン
グ等に利用されるイオンビーム処理装置に係り、特に、
イオンビームの中和性能を向上させ、大電流化，大口径
化を図るのに好適なイオンビーム処理装置の改良に関す
るものである。
グ等に利用されるイオンビーム処理装置に係り、特に、
イオンビームの中和性能を向上させ、大電流化，大口径
化を図るのに好適なイオンビーム処理装置の改良に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のイオンビーム処理装置の従来技
術としては、例えば、特開昭６３−１５７８８７号公報
に示されるように、エッチング装置として開示された技
術のものがある。この従来技術は、イオンビームの近く
に配置された中和器内で、マイクロ波放電によってプラ
ズマを生成し、このプラズマから電子が微小孔を通して
イオンビームに供給されることによりイオンビームを中
和させるようにしている。そのため、熱電子を放出する
フィラメントを内蔵したホローカソードを用いてイオン
ビームを中和するものに比較し、特に反応性ガス使用時
において長時間の動作が可能となり、反応性イオンビー
ムを中和するのに適している。また、フィラメントを用
いていないので、タングステン等の重金属が被処理物を
汚染することがなく、クリーンなイオンビーム処理も可
能となる。
術としては、例えば、特開昭６３−１５７８８７号公報
に示されるように、エッチング装置として開示された技
術のものがある。この従来技術は、イオンビームの近く
に配置された中和器内で、マイクロ波放電によってプラ
ズマを生成し、このプラズマから電子が微小孔を通して
イオンビームに供給されることによりイオンビームを中
和させるようにしている。そのため、熱電子を放出する
フィラメントを内蔵したホローカソードを用いてイオン
ビームを中和するものに比較し、特に反応性ガス使用時
において長時間の動作が可能となり、反応性イオンビー
ムを中和するのに適している。また、フィラメントを用
いていないので、タングステン等の重金属が被処理物を
汚染することがなく、クリーンなイオンビーム処理も可
能となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、イオンビー
ム処理装置においては処理すべき被処理物を大型化し、
かつ処理時間の短縮化を図ることから、イオンビーム処
理装置を大電流化，大口径化することが要請されてい
る。しかしながら、上記に示す従来技術のものは以下に
述べる理由から、大電流化，大口径化するのに限界があ
る。
ム処理装置においては処理すべき被処理物を大型化し、
かつ処理時間の短縮化を図ることから、イオンビーム処
理装置を大電流化，大口径化することが要請されてい
る。しかしながら、上記に示す従来技術のものは以下に
述べる理由から、大電流化，大口径化するのに限界があ
る。
【０００４】即ち、従来技術は、イオンビームを大電流
化すると、それを中和するため、中和器から供給する電
子電流も増やす必要がある。これは中和器内のプラズマ
から電子を供給する中和方式では、供給する電子電流と
同量のイオン電流を中和器内面で補集する必要がある
が、供給する電子電流量の増大は、中和器内面で補集す
るイオン電流の増大を意味する。また、中和器内でいっ
そう高密度なプラズマを生成するためには、投入マイク
ロ波電力の増大を要するので、電子温度が高くなって中
和器内のプラズマ電位が上昇する。これは中和器内面で
補修するイオンの衝突エネルギーの増大を意味する。こ
のように、中和器内面に衝突するイオン電流量及びイオ
ンエネルギーが増大すると、中和器内面からイオン衝撃
によってスパッタされた導電性粒子がマイクロ波導入窓
に付着する結果、マイクロ波の供給が良好にできなくな
るばかりでなく、プラズマの生成にも悪影響を与え、処
理時間も長くなると云う問題がある。
化すると、それを中和するため、中和器から供給する電
子電流も増やす必要がある。これは中和器内のプラズマ
から電子を供給する中和方式では、供給する電子電流と
同量のイオン電流を中和器内面で補集する必要がある
が、供給する電子電流量の増大は、中和器内面で補集す
るイオン電流の増大を意味する。また、中和器内でいっ
そう高密度なプラズマを生成するためには、投入マイク
ロ波電力の増大を要するので、電子温度が高くなって中
和器内のプラズマ電位が上昇する。これは中和器内面で
補修するイオンの衝突エネルギーの増大を意味する。こ
のように、中和器内面に衝突するイオン電流量及びイオ
ンエネルギーが増大すると、中和器内面からイオン衝撃
によってスパッタされた導電性粒子がマイクロ波導入窓
に付着する結果、マイクロ波の供給が良好にできなくな
るばかりでなく、プラズマの生成にも悪影響を与え、処
理時間も長くなると云う問題がある。
【０００５】また、多量の電子を処理室に引出すため、
処理室に対し中和器を大きな負電位に落とす必要があ
り、そのため、中和器から引出された後の電子のエネル
ギーが大きくなるので、ビームプラズマ電位が乱されて
イオンビームが発散すると云う問題がある。
処理室に対し中和器を大きな負電位に落とす必要があ
り、そのため、中和器から引出された後の電子のエネル
ギーが大きくなるので、ビームプラズマ電位が乱されて
イオンビームが発散すると云う問題がある。
【０００６】さらに、イオンビームへ電子を供給する場
所（引出し口）が局所的であるため、イオンビームの大
口径化につれ、中和の均一性が悪くなると云う問題もあ
る。そのため、従来技術の中和方式では、イオンビーム
大電流値で３００ｍＡ以上、イオンビーム径でφ２００
ｍｍ以上の大電流，大口径のイオンビームを均一に得る
ことと、長時間安定して中和することと、発散の少ない
イオンビームを得ることとの夫々が困難であった。
所（引出し口）が局所的であるため、イオンビームの大
口径化につれ、中和の均一性が悪くなると云う問題もあ
る。そのため、従来技術の中和方式では、イオンビーム
大電流値で３００ｍＡ以上、イオンビーム径でφ２００
ｍｍ以上の大電流，大口径のイオンビームを均一に得る
ことと、長時間安定して中和することと、発散の少ない
イオンビームを得ることとの夫々が困難であった。
【０００７】本発明の目的は、前記従来技術の問題点に
鑑み、大電流，大口径のイオンビームを均一に中和し、
発散の少ないイオンビーム処理を実現し得るイオンビー
ム処理装置を提供することにあり、また他の目的は、イ
オン引出し電極の損耗を低減し、かつマイクロ波の漏れ
をも防止し得るイオンビーム処理装置を提供することに
ある。
鑑み、大電流，大口径のイオンビームを均一に中和し、
発散の少ないイオンビーム処理を実現し得るイオンビー
ム処理装置を提供することにあり、また他の目的は、イ
オン引出し電極の損耗を低減し、かつマイクロ波の漏れ
をも防止し得るイオンビーム処理装置を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、プラズマを
生成し、該プラズマからイオンを引出すイオン引出し電
極を有するイオン源と、該イオン源に接続され、引出さ
れたイオンビームによって被処理物を処理する処理室
と、処理室内のイオンビームを電気的に中和する中和手
段とを有している。そして、該中和手段は、イオン源と
処理室との間に軸方向に沿って介設され、イオン引出し
電極によって引き出されたイオンビームを取り囲む空間
室を形成する帯状電極と、該帯状電極の空間室にマイク
ロ波プラズマを発生させる発生手段と、処理室に対し帯
状電極を負電位にする手段とを有していることを特徴と
するものである。
生成し、該プラズマからイオンを引出すイオン引出し電
極を有するイオン源と、該イオン源に接続され、引出さ
れたイオンビームによって被処理物を処理する処理室
と、処理室内のイオンビームを電気的に中和する中和手
段とを有している。そして、該中和手段は、イオン源と
処理室との間に軸方向に沿って介設され、イオン引出し
電極によって引き出されたイオンビームを取り囲む空間
室を形成する帯状電極と、該帯状電極の空間室にマイク
ロ波プラズマを発生させる発生手段と、処理室に対し帯
状電極を負電位にする手段とを有していることを特徴と
するものである。
【０００９】
【作用】本発明では、上述の如く、プラズマを生成し、
該プラズマからイオンを引出すイオン引出し電極を有す
るイオン源と、該イオン源に接続され、引出されたイオ
ンビームによって被処理物を処理する処理室と、処理室
内のイオンビームを電気的に中和する中和手段とを有し
ているので、処理室に対し、イオン源が直流電源の＋極
に接続されることにより正電位に設定され、しかもイオ
ン引出し電極が負電位に設定されると、イオン引出し電
極により、プラズマ生成室で生成されたプラズマからイ
オンがイオンビームとして中和手段及び処理室側へ引き
出される。そして、イオンビームが引出されると、これ
を中和手段により電気的に中和し、中和されたイオンビ
ームが被処理物に照射されることにより、所望の処理を
行う。
該プラズマからイオンを引出すイオン引出し電極を有す
るイオン源と、該イオン源に接続され、引出されたイオ
ンビームによって被処理物を処理する処理室と、処理室
内のイオンビームを電気的に中和する中和手段とを有し
ているので、処理室に対し、イオン源が直流電源の＋極
に接続されることにより正電位に設定され、しかもイオ
ン引出し電極が負電位に設定されると、イオン引出し電
極により、プラズマ生成室で生成されたプラズマからイ
オンがイオンビームとして中和手段及び処理室側へ引き
出される。そして、イオンビームが引出されると、これ
を中和手段により電気的に中和し、中和されたイオンビ
ームが被処理物に照射されることにより、所望の処理を
行う。
【００１０】前記中和手段により中和プラズマが生成さ
れると、帯状電極が処理室に対し負電位に設定されてい
るので、中和プラズマ中のイオンを帯状電極に捕集する
ことができる。そして、捕集したイオン電荷と同量の電
子がイオンビームに向かって均一に供給することができ
る。このように、電子をイオンビームに供給するので、
イオンビームの空間電荷による発散を防止しつつ、イオ
ンビームを電気的に確実に中和することができる。
れると、帯状電極が処理室に対し負電位に設定されてい
るので、中和プラズマ中のイオンを帯状電極に捕集する
ことができる。そして、捕集したイオン電荷と同量の電
子がイオンビームに向かって均一に供給することができ
る。このように、電子をイオンビームに供給するので、
イオンビームの空間電荷による発散を防止しつつ、イオ
ンビームを電気的に確実に中和することができる。
【００１１】その際、帯状電極にイオンを捕集させてい
るので、イオンの捕集面積を容易に広くすることがで
き、そのため、低密度の中和プラズマを生成するのみ
で、該プラズマから十分な量のイオンを確実に捕集でき
ると共に、十分な量の電子をイオンビーム側に供給する
ことができる。この場合、低密度の中和プラズマを生成
するには、導入するマイクロ波電力が少なくて済むの
で、前記中和プラズマが電子温度の低い静かなプラズマ
となり、そのため、ここから供給される電子のエネルギ
ーが小さく、かつビームが発散するのを極力抑制するこ
とができる。
るので、イオンの捕集面積を容易に広くすることがで
き、そのため、低密度の中和プラズマを生成するのみ
で、該プラズマから十分な量のイオンを確実に捕集でき
ると共に、十分な量の電子をイオンビーム側に供給する
ことができる。この場合、低密度の中和プラズマを生成
するには、導入するマイクロ波電力が少なくて済むの
で、前記中和プラズマが電子温度の低い静かなプラズマ
となり、そのため、ここから供給される電子のエネルギ
ーが小さく、かつビームが発散するのを極力抑制するこ
とができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１乃至図４により
説明する。図１は本発明によるイオンビーム処理装置の
第１の実施例を示す全体構成の縦断面図、図２は図１の
Ｉ−Ｉ線断面図、図３は図１の要部の断面図である。
説明する。図１は本発明によるイオンビーム処理装置の
第１の実施例を示す全体構成の縦断面図、図２は図１の
Ｉ−Ｉ線断面図、図３は図１の要部の断面図である。
【００１３】図１に示す実施例のイオンビーム処理装置
は、マイクロ波放電によってプラズマを生成するイオン
源（符示せず）を有している。該イオン源は、プラズマ
生成室１が生成室壁２によって画成され、該生成室壁２
に導波管４及びガス導入管２１が夫々接続されている。
プラズマ生成室１は、図１において横方向である内径が
φ４００ｍｍ、高さ方向である奥行きが２００ｍｍの大
きさをなしており、例えばステンレスのような非磁性材
の生成室壁２によりその下端が開口されている。導波管
４は、プラズマ生成室１の上部中央に接続され、周波数
２．４５ＧＨｚのマイクロ波をプラズマ生成室１に供給
する。導波管４には気密を保つためマイクロ波導入窓２
０が取付けられている。ガス導入管２１はプラズマ生成
に必要な特定のガス、例えば六フッ化硫黄などを室１に
供給するものである。
は、マイクロ波放電によってプラズマを生成するイオン
源（符示せず）を有している。該イオン源は、プラズマ
生成室１が生成室壁２によって画成され、該生成室壁２
に導波管４及びガス導入管２１が夫々接続されている。
プラズマ生成室１は、図１において横方向である内径が
φ４００ｍｍ、高さ方向である奥行きが２００ｍｍの大
きさをなしており、例えばステンレスのような非磁性材
の生成室壁２によりその下端が開口されている。導波管
４は、プラズマ生成室１の上部中央に接続され、周波数
２．４５ＧＨｚのマイクロ波をプラズマ生成室１に供給
する。導波管４には気密を保つためマイクロ波導入窓２
０が取付けられている。ガス導入管２１はプラズマ生成
に必要な特定のガス、例えば六フッ化硫黄などを室１に
供給するものである。
【００１４】また、前記生成室壁２の外周部には永久磁
石列５が配設されている。該永久磁石列５は、生成室壁
２の上面において、導波管４寄りの位置にこれをを取り
囲むように配置された第１の永久磁石部と、該第１の永
久磁石部を取り囲むように配置された第２の永久磁石部
とを有し、生成質壁２の側部周面において、これを取り
囲むように上部側に配置された第３の永久磁石部と、そ
の下方に配置された第４の永久磁石部とを有し、これら
第１〜第４の永久磁石部により、プラズマ生成室１内に
電子サイクロトロン共鳴磁場をもつ静磁場（破線にて示
す）を発生し得るようにしている。
石列５が配設されている。該永久磁石列５は、生成室壁
２の上面において、導波管４寄りの位置にこれをを取り
囲むように配置された第１の永久磁石部と、該第１の永
久磁石部を取り囲むように配置された第２の永久磁石部
とを有し、生成質壁２の側部周面において、これを取り
囲むように上部側に配置された第３の永久磁石部と、そ
の下方に配置された第４の永久磁石部とを有し、これら
第１〜第４の永久磁石部により、プラズマ生成室１内に
電子サイクロトロン共鳴磁場をもつ静磁場（破線にて示
す）を発生し得るようにしている。
【００１５】さらに、前記生成室壁２の開口部には互い
に所定の間隔をもつと共に所定の大きさで形成された複
数の孔を有するスクリーン電極３が取付けられ、しかも
スクリーン電極３の下方位置に該電極３と同様の孔を有
するイオン引出し電極６が取付けられ、該引出し電極６
が、プラズマ生成室１で生成されたプラズマからイオン
のみを下方に引き出すようにしている。なお、イオン引
出し電極６及びスクリーン電極３の複数の孔が分布して
いる領域はφ３００ｍｍの大きさをなしている。
に所定の間隔をもつと共に所定の大きさで形成された複
数の孔を有するスクリーン電極３が取付けられ、しかも
スクリーン電極３の下方位置に該電極３と同様の孔を有
するイオン引出し電極６が取付けられ、該引出し電極６
が、プラズマ生成室１で生成されたプラズマからイオン
のみを下方に引き出すようにしている。なお、イオン引
出し電極６及びスクリーン電極３の複数の孔が分布して
いる領域はφ３００ｍｍの大きさをなしている。
【００１６】そして、プラズマ生成室１の下方には、後
述する中和手段を介し処理室２３が接続されている。該
処理室２３は、イオンビームによって被処理物１７を処
理するための空間であり、ステンレスのような非磁性材
からなる処理室壁１５によって画成される。被処理物１
７は支持台１６上に支持されている。
述する中和手段を介し処理室２３が接続されている。該
処理室２３は、イオンビームによって被処理物１７を処
理するための空間であり、ステンレスのような非磁性材
からなる処理室壁１５によって画成される。被処理物１
７は支持台１６上に支持されている。
【００１７】一方、前記中和手段は、生成室壁２と処理
室壁１５との間に接続された帯状電極８と、帯状電極８
の外周部に対し軸方向と直交する方向に取付けられた導
波管１２とを有している。
室壁１５との間に接続された帯状電極８と、帯状電極８
の外周部に対し軸方向と直交する方向に取付けられた導
波管１２とを有している。
【００１８】帯状電極８は、例えば内径が４００ｍｍ，
奥行き（高さ）が１００ｍｍ程度からなる非磁性ステン
レス製の筒体であり、軸方向の一端に形成されたフラン
ジ部８ａが、生成室壁２の下端のフランジ部２ａに絶縁
スペーサ７を介して接続されると共に、軸方向の他端に
形成されたフランジ部８ｂが、絶縁スペーサ１４を介し
て処理室壁１５に接続されている。この帯状電極８は、
プラズマ生成室１内のプラズマからイオン引出し電極６
によって引出されたイオンビームを取り囲むものであ
り、その外周部には軸方向（上下方向）に沿って二組の
永久磁石列９が配設され、極性が互いに異なって配置さ
れている。該永久磁石列９は、帯状電極８としての真空
容器内に電子サイクロトロン共鳴磁場を有するマルチリ
ングカプス磁場１０を形成するためのものである。この
永久磁石列９は、例えばサマリウムコバルト（残留磁束
密度約１１０００Ｇ）製で、厚み幅が６ｍｍ，磁化方向
長さが２０ｍｍであり、本例では各々が一体として示さ
れているが、製作の都合上、周方向に分割されていても
よいのは勿論である。
奥行き（高さ）が１００ｍｍ程度からなる非磁性ステン
レス製の筒体であり、軸方向の一端に形成されたフラン
ジ部８ａが、生成室壁２の下端のフランジ部２ａに絶縁
スペーサ７を介して接続されると共に、軸方向の他端に
形成されたフランジ部８ｂが、絶縁スペーサ１４を介し
て処理室壁１５に接続されている。この帯状電極８は、
プラズマ生成室１内のプラズマからイオン引出し電極６
によって引出されたイオンビームを取り囲むものであ
り、その外周部には軸方向（上下方向）に沿って二組の
永久磁石列９が配設され、極性が互いに異なって配置さ
れている。該永久磁石列９は、帯状電極８としての真空
容器内に電子サイクロトロン共鳴磁場を有するマルチリ
ングカプス磁場１０を形成するためのものである。この
永久磁石列９は、例えばサマリウムコバルト（残留磁束
密度約１１０００Ｇ）製で、厚み幅が６ｍｍ，磁化方向
長さが２０ｍｍであり、本例では各々が一体として示さ
れているが、製作の都合上、周方向に分割されていても
よいのは勿論である。
【００１９】また帯状電極８の外周部には軸方向と直交
する方向に導波管１２が取付けられている。該導波管１
２は、帯状電極８の外周部において二組の永久磁石列９
の間に配置され、帯状電極８内において前記マルチリン
グカプス磁場１０の隣合う磁極間から周波数２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を導入するようにしている。永久磁石
列９はマルチカプス磁場１０を形成すると共に、図３に
示すように、マイクロ波の周波数に対応する電子サイク
ロトロン共鳴磁場１１を発生させるようにしている。こ
の導波管１２には、前記導波管４と同様、マイクロ波を
導入すると共に気密を保持するため、石英やアルミナな
どからなるマイクロ波導入窓１３が設けられている。な
お、導波管１２の大きさは、図１において横幅が２７ｍ
ｍで、奥行きが９６ｍｍのものであり、導波管４と同様
の寸法である。
する方向に導波管１２が取付けられている。該導波管１
２は、帯状電極８の外周部において二組の永久磁石列９
の間に配置され、帯状電極８内において前記マルチリン
グカプス磁場１０の隣合う磁極間から周波数２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を導入するようにしている。永久磁石
列９はマルチカプス磁場１０を形成すると共に、図３に
示すように、マイクロ波の周波数に対応する電子サイク
ロトロン共鳴磁場１１を発生させるようにしている。こ
の導波管１２には、前記導波管４と同様、マイクロ波を
導入すると共に気密を保持するため、石英やアルミナな
どからなるマイクロ波導入窓１３が設けられている。な
お、導波管１２の大きさは、図１において横幅が２７ｍ
ｍで、奥行きが９６ｍｍのものであり、導波管４と同様
の寸法である。
【００２０】さらに、帯状電極８には直流電源１８の−
極が接続されると共に、その＋極が処理室壁１５に接続
され、従って、処理室２３に対し帯状電極８が負電位と
なっている。
極が接続されると共に、その＋極が処理室壁１５に接続
され、従って、処理室２３に対し帯状電極８が負電位と
なっている。
【００２１】即ち、前記中和手段は、イオン引出し電極
６を有するプラズマ生成室１と処理室２３との間に軸方
向に沿って介設され、イオン引出し電極６によって引き
出されたイオンビームを取り囲む空間室を形成する帯状
電極８と、該帯状電極の空間室にマイクロ波プラズマを
発生させる導入管１２及び永久磁石列９からなる発生手
段と、処理室２３に対し帯状電極８を負電位にする直流
電源１８とを有して構成されている。
６を有するプラズマ生成室１と処理室２３との間に軸方
向に沿って介設され、イオン引出し電極６によって引き
出されたイオンビームを取り囲む空間室を形成する帯状
電極８と、該帯状電極の空間室にマイクロ波プラズマを
発生させる導入管１２及び永久磁石列９からなる発生手
段と、処理室２３に対し帯状電極８を負電位にする直流
電源１８とを有して構成されている。
【００２２】なお、直流電源１９の−極が処理室壁１５
に接続されると共に、その＋極が生成室壁２に接続され
ている。前記スペーサ７は厚さ１０ｍｍ程度のアルミナ
製のもの、前記スペーサ１４は圧縮後の厚さが１ｍｍ程
度となるフッ素ゴム製のものである。
に接続されると共に、その＋極が生成室壁２に接続され
ている。前記スペーサ７は厚さ１０ｍｍ程度のアルミナ
製のもの、前記スペーサ１４は圧縮後の厚さが１ｍｍ程
度となるフッ素ゴム製のものである。
【００２３】実施例のイオンビーム処理装置は、上記の
如き構成よりなるので、次にその作用について述べる。
まず、処理室２３に対しては図示していない真空ポンプ
を用い、矢印の如く排気することにより、１×１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下にする。次いで、プラズマ生成室１内にガス
導入管２１から、六フッ化硫黄等の特定ガスを供給し、
プラズマ生成室１の圧力を５×１０-5〜５×１０-4Ｔｏ
ｒｒとしたところで、導波管４により２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を導入する。
如き構成よりなるので、次にその作用について述べる。
まず、処理室２３に対しては図示していない真空ポンプ
を用い、矢印の如く排気することにより、１×１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下にする。次いで、プラズマ生成室１内にガス
導入管２１から、六フッ化硫黄等の特定ガスを供給し、
プラズマ生成室１の圧力を５×１０-5〜５×１０-4Ｔｏ
ｒｒとしたところで、導波管４により２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を導入する。
【００２４】これにより、プラズマ生成室１では供給さ
れたガスがマイクロ波によりプラズマ化されるが、プラ
ズマ中の電子のサイクロトロン共鳴周波数とマイクロ波
の周波数が一致する磁場強度、本例では約８７５Ｇの場
所において、マイクロ波が効率的にプラズマ中の電子に
吸収されることとなり、そのために生じた高エネルギー
電子がガスを電離することにより、高密度のプラズマを
生成することができる。
れたガスがマイクロ波によりプラズマ化されるが、プラ
ズマ中の電子のサイクロトロン共鳴周波数とマイクロ波
の周波数が一致する磁場強度、本例では約８７５Ｇの場
所において、マイクロ波が効率的にプラズマ中の電子に
吸収されることとなり、そのために生じた高エネルギー
電子がガスを電離することにより、高密度のプラズマを
生成することができる。
【００２５】この場合、処理室２３に対し、イオン源の
生成室壁２が直流電源１９の＋極に接続されることによ
り正電位に設定され、しかもイオン引出し電極６が負電
位に設定されると、イオン引出し電極６により、プラズ
マ生成室１内の高密度プラズマからイオンのみがイオン
ビームとして中和手段及び処理室２３側へ引き出され
る。そして、イオンビームが引出されると、これを、帯
状電極８，導入管１２，永久磁石列９，直流電源１８を
有する中和手段により電気的に中和し、中和されたイオ
ンビームが被処理物１７に照射されることにより、所望
の処理を行う。
生成室壁２が直流電源１９の＋極に接続されることによ
り正電位に設定され、しかもイオン引出し電極６が負電
位に設定されると、イオン引出し電極６により、プラズ
マ生成室１内の高密度プラズマからイオンのみがイオン
ビームとして中和手段及び処理室２３側へ引き出され
る。そして、イオンビームが引出されると、これを、帯
状電極８，導入管１２，永久磁石列９，直流電源１８を
有する中和手段により電気的に中和し、中和されたイオ
ンビームが被処理物１７に照射されることにより、所望
の処理を行う。
【００２６】なお、イオン源に印加される電圧は２００
〜５０００Ｖ程度、イオン引出し電極６に印加される電
圧は−５０〜−１０００Ｖ程度である。
〜５０００Ｖ程度、イオン引出し電極６に印加される電
圧は−５０〜−１０００Ｖ程度である。
【００２７】次に、前記中和手段による中和作用につい
て説明する。イオンビームがイオン引出し電極６により
引出されたとき、導波管１２により周波数２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波が導入されているので、また永久磁石列
９によってマルチリングカプス磁場１０が形成され、か
つ電子サイクロトロン共鳴磁場１１が形成されているの
で、帯状電極８の内側である該共鳴磁場１１の位置にお
いて、マイクロ波が電子に共鳴して吸収されてしまうこ
とにより、高エネルギー電子が帯状電極８の周囲に発生
する。
て説明する。イオンビームがイオン引出し電極６により
引出されたとき、導波管１２により周波数２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波が導入されているので、また永久磁石列
９によってマルチリングカプス磁場１０が形成され、か
つ電子サイクロトロン共鳴磁場１１が形成されているの
で、帯状電極８の内側である該共鳴磁場１１の位置にお
いて、マイクロ波が電子に共鳴して吸収されてしまうこ
とにより、高エネルギー電子が帯状電極８の周囲に発生
する。
【００２８】そして、この高エネルギー電子は、帯状電
極８の空間室内でガスを電離するが、その場合図２に示
すように、磁場勾配ドリフト作用によりマルチリングカ
スプ磁場１０の隣合う磁極間を磁力線に沿い周方向に矢
印の如く旋回しながら、ガスを電離するので、帯状電極
８の周囲に沿った均一な中和プラズマを生成することが
できる。
極８の空間室内でガスを電離するが、その場合図２に示
すように、磁場勾配ドリフト作用によりマルチリングカ
スプ磁場１０の隣合う磁極間を磁力線に沿い周方向に矢
印の如く旋回しながら、ガスを電離するので、帯状電極
８の周囲に沿った均一な中和プラズマを生成することが
できる。
【００２９】しかも、中和プラズマは、図３（ａ）にて
陰影を施して示す部分のように濃いものとなり、プラズ
マの閉じ込めが良好となるので、帯状電極８及びイオン
ビームと接して生成される。従って、帯状電極８の空間
室において、導入管１２によって導入されるマイクロ波
の正面に中和プラズマが生成されるので、導入したマイ
クロ波は、その伝搬方向が図３（ａ）に示す如く回折す
るので、電子サイクロトロン共鳴磁場位置に到達しやす
く、効率よくマイクロ波を吸収することができる。
陰影を施して示す部分のように濃いものとなり、プラズ
マの閉じ込めが良好となるので、帯状電極８及びイオン
ビームと接して生成される。従って、帯状電極８の空間
室において、導入管１２によって導入されるマイクロ波
の正面に中和プラズマが生成されるので、導入したマイ
クロ波は、その伝搬方向が図３（ａ）に示す如く回折す
るので、電子サイクロトロン共鳴磁場位置に到達しやす
く、効率よくマイクロ波を吸収することができる。
【００３０】このように、中和プラズマが生成される
と、直流電源１８により帯状電極８が処理室２３に対し
負電位に設定されているので、中和プラズマ中のイオン
２３を帯状電極８に捕集することができる。そして、捕
集したイオン電荷と同量の電子２４がイオンビーム２５
に向かって均一に供給することができる。
と、直流電源１８により帯状電極８が処理室２３に対し
負電位に設定されているので、中和プラズマ中のイオン
２３を帯状電極８に捕集することができる。そして、捕
集したイオン電荷と同量の電子２４がイオンビーム２５
に向かって均一に供給することができる。
【００３１】その結果、引出されたイオン２３を帯状電
極８に捕集し、該捕集したイオン電荷と同量の電子２４
をイオンビーム２５に供給するので、イオンビームの空
間電荷による発散を防止しつつ、イオンビームを電気的
に確実に中和することができる。
極８に捕集し、該捕集したイオン電荷と同量の電子２４
をイオンビーム２５に供給するので、イオンビームの空
間電荷による発散を防止しつつ、イオンビームを電気的
に確実に中和することができる。
【００３２】従って、プラズマ生成室１と処理室２３の
間に帯状電極８を設け、該帯状電極にイオンを捕集させ
ることにより、イオンの捕集面積を広くすることがで
き、そのため、低密度の中和プラズマを生成するのみ
で、該プラズマから十分な量のイオンを確実に捕集でき
ると共に、十分な量の電子をイオンビーム２５側に供給
することができる。この場合、低密度の中和プラズマを
生成するには、導入するマイクロ波電力が少なくて済む
ので、前記中和プラズマが電子温度の低い静かなプラズ
マとなり、そのため、ここから供給される電子のエネル
ギーが小さく、かつビームが発散するのを極力抑制する
ことができる。また、前記低密度プラズマとしては、通
常、カットオフ密度以下のプラズマを生成すればよいの
で、導入管１２のマイクロ波導入窓１３をプラズマから
離すことができ、そのため、処理室１７から飛来してく
る粒子が付着するのを防止することができる。しかも、
図示実施例では導入管１２は帯状電極８の外周部に対し
軸方向と直交する位置に取付けられているので、マイク
ロ波導入窓１３の表面に、処理室２３から飛来してくる
導電性粒子が付着することがなく、被処理物１７が導電
性のものであっても、エッチング等の処理を長時間行う
ことができる。従って、従来技術のように導電性粒子が
マイクロ波導入窓１３に付着することに伴う問題を解消
し得る。
間に帯状電極８を設け、該帯状電極にイオンを捕集させ
ることにより、イオンの捕集面積を広くすることがで
き、そのため、低密度の中和プラズマを生成するのみ
で、該プラズマから十分な量のイオンを確実に捕集でき
ると共に、十分な量の電子をイオンビーム２５側に供給
することができる。この場合、低密度の中和プラズマを
生成するには、導入するマイクロ波電力が少なくて済む
ので、前記中和プラズマが電子温度の低い静かなプラズ
マとなり、そのため、ここから供給される電子のエネル
ギーが小さく、かつビームが発散するのを極力抑制する
ことができる。また、前記低密度プラズマとしては、通
常、カットオフ密度以下のプラズマを生成すればよいの
で、導入管１２のマイクロ波導入窓１３をプラズマから
離すことができ、そのため、処理室１７から飛来してく
る粒子が付着するのを防止することができる。しかも、
図示実施例では導入管１２は帯状電極８の外周部に対し
軸方向と直交する位置に取付けられているので、マイク
ロ波導入窓１３の表面に、処理室２３から飛来してくる
導電性粒子が付着することがなく、被処理物１７が導電
性のものであっても、エッチング等の処理を長時間行う
ことができる。従って、従来技術のように導電性粒子が
マイクロ波導入窓１３に付着することに伴う問題を解消
し得る。
【００３３】さらに、上述の如く、永久磁石列９により
帯状電極８内にマルチリングカスプ磁場１０を形成し、
電離を担う高エネルギー電子が、隣合う磁極間を磁力線
に沿って往復しつつ、磁場勾配ドリフト作用により帯状
電極８の周方向に沿って旋回し、ガスを電離してプラズ
マを生成するので、帯状電極８上の局所的な部分からマ
イクロ波を導入しても、リング状で均一なプラズマを確
実に生成することができ、さらに、電子軌道がクローズ
して端損失がないので、プラズマの生成効率を高めるこ
とができる。しかも、導入管１２によるマイクロ波は、
帯状電極８内に対しマルチリングカスプ磁場１０の磁極
間から導入されるので、伝搬方向が回折することによ
り、電子サイクロトロン共鳴磁場位置に到達しやすくな
り、マイクロ波の吸収効率がいっそう良好となる。
帯状電極８内にマルチリングカスプ磁場１０を形成し、
電離を担う高エネルギー電子が、隣合う磁極間を磁力線
に沿って往復しつつ、磁場勾配ドリフト作用により帯状
電極８の周方向に沿って旋回し、ガスを電離してプラズ
マを生成するので、帯状電極８上の局所的な部分からマ
イクロ波を導入しても、リング状で均一なプラズマを確
実に生成することができ、さらに、電子軌道がクローズ
して端損失がないので、プラズマの生成効率を高めるこ
とができる。しかも、導入管１２によるマイクロ波は、
帯状電極８内に対しマルチリングカスプ磁場１０の磁極
間から導入されるので、伝搬方向が回折することによ
り、電子サイクロトロン共鳴磁場位置に到達しやすくな
り、マイクロ波の吸収効率がいっそう良好となる。
【００３４】またさらに、実施例では、以下の作用効果
もある。即ち、帯状電極８，永久磁石列９，導波管１２
がイオンビームの引出し方向において、イオン引出し電
極６によって引出されたビーム引出し直後の位置に配置
されているので、それより下流側、例えば被処理物１７
の近傍に配置する場合に比較し、１）ビームの発散を抑
制しやすい、２）被処理物１７が中和プラズマに曝され
ない、３）被処理物付近の排気がしやすく、排気コンダ
クタンスを大きくとれる、という効果がある。なお、図
３（ａ）には中和プラズマの濃い部分にピークをもった
空間電位が形成されることを示し、この空間電位は処理
室２３の電位を基準にしたものである。この空間電位
は、イオンビーム２５が通過する領域で、帯状電極８の
半径方向に向かって下降しており、イオンビームに対し
収束性の静電レンズ効果が働いていることが理解できよ
う。この空間電位分布の計上は投入マイクロ波電力や、
印加電圧の大きさを変えることで制御することができ、
従って、ビームの収束，発散効率を容易に制御すること
ができる。
もある。即ち、帯状電極８，永久磁石列９，導波管１２
がイオンビームの引出し方向において、イオン引出し電
極６によって引出されたビーム引出し直後の位置に配置
されているので、それより下流側、例えば被処理物１７
の近傍に配置する場合に比較し、１）ビームの発散を抑
制しやすい、２）被処理物１７が中和プラズマに曝され
ない、３）被処理物付近の排気がしやすく、排気コンダ
クタンスを大きくとれる、という効果がある。なお、図
３（ａ）には中和プラズマの濃い部分にピークをもった
空間電位が形成されることを示し、この空間電位は処理
室２３の電位を基準にしたものである。この空間電位
は、イオンビーム２５が通過する領域で、帯状電極８の
半径方向に向かって下降しており、イオンビームに対し
収束性の静電レンズ効果が働いていることが理解できよ
う。この空間電位分布の計上は投入マイクロ波電力や、
印加電圧の大きさを変えることで制御することができ、
従って、ビームの収束，発散効率を容易に制御すること
ができる。
【００３５】図４は本発明によるイオンビーム処理装置
の他の実施例を示している。前記第１の実施例では、イ
オン引出し電極６を処理室２３に対しマイナス数百Ｖの
負電位に設定することにより、中和プラズマ中の電子が
イオン源に逆流するするのを防止するようにしている
が、そのような大きな負電位に設定した場合、中和プラ
ズマ中のイオンが、スパッタしきい値を超えたエネルギ
ーでイオン引出し電極６に衝突し、該電極６が損耗する
おそれがある。また、中和プラズマを生成する際、導入
管１２がイオン源に近い位置でマイクロ波を導入するた
め、該マイクロ波が、イオン源と帯状電極８との間を電
気的に絶縁している絶縁スペーサ７を通って外部に漏れ
るおそれがある。但しこの場合、絶縁スペーサ１４を通
ってもマイクロ波は漏れるが、絶縁スペーサ１４の厚さ
は絶縁スペーサ７の厚さに比較して十分薄いため、漏れ
の程度は遙かに少ない。本実施例では、上記二つの問題
点を解消し得たものである。
の他の実施例を示している。前記第１の実施例では、イ
オン引出し電極６を処理室２３に対しマイナス数百Ｖの
負電位に設定することにより、中和プラズマ中の電子が
イオン源に逆流するするのを防止するようにしている
が、そのような大きな負電位に設定した場合、中和プラ
ズマ中のイオンが、スパッタしきい値を超えたエネルギ
ーでイオン引出し電極６に衝突し、該電極６が損耗する
おそれがある。また、中和プラズマを生成する際、導入
管１２がイオン源に近い位置でマイクロ波を導入するた
め、該マイクロ波が、イオン源と帯状電極８との間を電
気的に絶縁している絶縁スペーサ７を通って外部に漏れ
るおそれがある。但しこの場合、絶縁スペーサ１４を通
ってもマイクロ波は漏れるが、絶縁スペーサ１４の厚さ
は絶縁スペーサ７の厚さに比較して十分薄いため、漏れ
の程度は遙かに少ない。本実施例では、上記二つの問題
点を解消し得たものである。
【００３６】即ち、本実施例において前記第１の実施例
と異なるのは、帯状電極８が処理室壁１５の内側に配置
された点にある。具体的に述べると、この場合の処理室
壁１５は、その上端部のフランジ部１５ａが絶縁スペー
サ７を介し、生成室壁２のフランジ部２ａに接続されて
いる。そして、処理室壁１５のフランジ部１５ａ寄りの
内周部に帯状電極８が設けられることにより、該帯状電
極８がイオン源と処理室２３間に介設される。帯状電極
８には直流電源１８の−極が接続され、処理室２３に対
し負電位に設定されている。処理室壁１５のフランジ部
１５ａ寄りの外周部には導波管１２が取付けられ、帯状
電極８内にマイクロ波を導入するようにしている。処理
室壁１５の外周部の導波管１２を挟む位置には互いに磁
極が異なるように永久磁石列９が軸方向に沿って配設さ
れている。
と異なるのは、帯状電極８が処理室壁１５の内側に配置
された点にある。具体的に述べると、この場合の処理室
壁１５は、その上端部のフランジ部１５ａが絶縁スペー
サ７を介し、生成室壁２のフランジ部２ａに接続されて
いる。そして、処理室壁１５のフランジ部１５ａ寄りの
内周部に帯状電極８が設けられることにより、該帯状電
極８がイオン源と処理室２３間に介設される。帯状電極
８には直流電源１８の−極が接続され、処理室２３に対
し負電位に設定されている。処理室壁１５のフランジ部
１５ａ寄りの外周部には導波管１２が取付けられ、帯状
電極８内にマイクロ波を導入するようにしている。処理
室壁１５の外周部の導波管１２を挟む位置には互いに磁
極が異なるように永久磁石列９が軸方向に沿って配設さ
れている。
【００３７】また、本実施例では、イオン引出し電極６
に隣接し、かつ帯状電極８内に配置された保護電極２２
が設けられている。該保護電極２２は、イオン引出し電
極６と同様に複数の孔を有し、処理室壁１５のフランジ
部１５ａの内部に支持材２３を介し取付けられ、処理室
壁１５に対し周方向で電気的に密に接触している。ここ
で、電気的に密に接触することの意味は、導入管１２か
ら導入されるマイクロ波波長に比較し、十分短い距離で
あってかつ電気的に接触している状態のことである。
に隣接し、かつ帯状電極８内に配置された保護電極２２
が設けられている。該保護電極２２は、イオン引出し電
極６と同様に複数の孔を有し、処理室壁１５のフランジ
部１５ａの内部に支持材２３を介し取付けられ、処理室
壁１５に対し周方向で電気的に密に接触している。ここ
で、電気的に密に接触することの意味は、導入管１２か
ら導入されるマイクロ波波長に比較し、十分短い距離で
あってかつ電気的に接触している状態のことである。
【００３８】この実施例によれば、保護電極２２がイオ
ン引出し電極６に隣接し、かつ帯状電極８内に配置され
ているので、中和プラズマのイオンがイオン引出し電極
６へ衝突するしようとするが、その前に、保護電極２２
に衝突するので、イオン引出し電極６が損耗するのを確
実に抑制することができる。また、保護電極２２は処理
室１５と同電位であるから、ここにイオンが衝突して
も、ほとんどスパッタされることがない。そして、この
保護電極２２は、処理室２３に周方向で電気的に密に接
触しているので、イオン源と処理室２３との間からマイ
クロ波が外部に漏れるのを防止することができる。
ン引出し電極６に隣接し、かつ帯状電極８内に配置され
ているので、中和プラズマのイオンがイオン引出し電極
６へ衝突するしようとするが、その前に、保護電極２２
に衝突するので、イオン引出し電極６が損耗するのを確
実に抑制することができる。また、保護電極２２は処理
室１５と同電位であるから、ここにイオンが衝突して
も、ほとんどスパッタされることがない。そして、この
保護電極２２は、処理室２３に周方向で電気的に密に接
触しているので、イオン源と処理室２３との間からマイ
クロ波が外部に漏れるのを防止することができる。
【００３９】なお本例の場合、保護電極２２が処理室２
３に対し周方向で電気的に密に接触するようにしたが、
前記第１の実施例に示した帯状電極８に対し、電気的に
密に接触させても、イオン引出し電極６の損耗を抑制す
ることができ、イオン源と帯状電極８との間からマイク
ロ波が外部に漏れるのを同様に防止することができる。
３に対し周方向で電気的に密に接触するようにしたが、
前記第１の実施例に示した帯状電極８に対し、電気的に
密に接触させても、イオン引出し電極６の損耗を抑制す
ることができ、イオン源と帯状電極８との間からマイク
ロ波が外部に漏れるのを同様に防止することができる。
【００４０】なお図１〜図４に示す何れの実施例とも、
帯状電極８に一個の導波管１２を取付けた例を示した
が、複数の導波管を取付けることにより、大口径，大電
流のイオンビームを中和することもでき、よりいっそう
の大口径化，大電流化を実現することができる。また、
帯状電極８内で発生する手段として、永久磁石列９，導
波管１２を用いた例を示したが、アンテナ等を帯状電極
８に沿わすことにより、プラズマを生成することも可能
であるので、アンテナ等の手段で代用することができ
る。さらに、帯状電極８の内側にマルチリングカスプ磁
場を形成するため、永久磁石列９を帯状電極８の外周に
配置した例を示したが、内周に配置しても、前述の実施
例と同様の作用効果があり、特に、内周に配置すると、
マルチリングカスプ磁場を比較的強磁場に形成できるの
で、プラズマの閉じ込めが良く、それだけ中和プラズマ
の生成が容易になる利点もある。
帯状電極８に一個の導波管１２を取付けた例を示した
が、複数の導波管を取付けることにより、大口径，大電
流のイオンビームを中和することもでき、よりいっそう
の大口径化，大電流化を実現することができる。また、
帯状電極８内で発生する手段として、永久磁石列９，導
波管１２を用いた例を示したが、アンテナ等を帯状電極
８に沿わすことにより、プラズマを生成することも可能
であるので、アンテナ等の手段で代用することができ
る。さらに、帯状電極８の内側にマルチリングカスプ磁
場を形成するため、永久磁石列９を帯状電極８の外周に
配置した例を示したが、内周に配置しても、前述の実施
例と同様の作用効果があり、特に、内周に配置すると、
マルチリングカスプ磁場を比較的強磁場に形成できるの
で、プラズマの閉じ込めが良く、それだけ中和プラズマ
の生成が容易になる利点もある。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項１〜
６によれば、帯状電極にイオンを捕集させることによ
り、イオンの捕集面積を広くすることができるように構
成したので、低密度の中和プラズマを生成するのみで、
該プラズマから十分な量のイオンを確実に捕集できると
共に、十分な量の電子をイオンビーム側に供給すること
ができ、しかも導入するマイクロ波電力が少なくて済
み、それだけ電子のエネルギーが小さいので、ビームが
発散するのを極力抑制することができ、さらには中和プ
ラズマをイオンビームを取り囲んでリング状に生成し、
そこから電子を周方向に均一に供給することができる結
果、大電流化，大口径化に容易にかつ確実に対処するこ
とができる効果がある。
６によれば、帯状電極にイオンを捕集させることによ
り、イオンの捕集面積を広くすることができるように構
成したので、低密度の中和プラズマを生成するのみで、
該プラズマから十分な量のイオンを確実に捕集できると
共に、十分な量の電子をイオンビーム側に供給すること
ができ、しかも導入するマイクロ波電力が少なくて済
み、それだけ電子のエネルギーが小さいので、ビームが
発散するのを極力抑制することができ、さらには中和プ
ラズマをイオンビームを取り囲んでリング状に生成し、
そこから電子を周方向に均一に供給することができる結
果、大電流化，大口径化に容易にかつ確実に対処するこ
とができる効果がある。
【００４２】特に、請求項３及び６によれば、イオン引
出し電極寄りの位置に保護電極を設け、中和プラズマ中
のイオンがビーム引出し電極に衝突する前に保護電極で
捕集するように構成したので、イオン引出し電極が損耗
するのを確実に抑制できる効果がある。さらに、周方向
に電気的に密に支持しているので、処理室とイオン源と
の間からマイクロ波が漏れるのを防止することができる
効果がある。
出し電極寄りの位置に保護電極を設け、中和プラズマ中
のイオンがビーム引出し電極に衝突する前に保護電極で
捕集するように構成したので、イオン引出し電極が損耗
するのを確実に抑制できる効果がある。さらに、周方向
に電気的に密に支持しているので、処理室とイオン源と
の間からマイクロ波が漏れるのを防止することができる
効果がある。
【図１】本発明によるイオンビーム処理装置の第１の実
施例を示す全体構成の縦断面図。
施例を示す全体構成の縦断面図。
【図２】図１のＩ−Ｉ線断面図。
【図３】図１の要部の説明用拡大断面図（ａ），空間電
位分布を示す説明図（ｂ）。
位分布を示す説明図（ｂ）。
【図４】本発明によるイオンビーム処理装置の他の実施
例を示す縦断面図。
例を示す縦断面図。
１…プラズマ生成室、２…生成室壁、４…導波管、５…
永久磁石列、６…イオン引出し電極、８…帯状電極、９
…永久磁石列、１０…マルチリングカスプ磁場、１２…
導入管、１５…処理室壁、１８，１９…直流電源、１７
…被処理物、２２…保護電極、２４…処理室。
永久磁石列、６…イオン引出し電極、８…帯状電極、９
…永久磁石列、１０…マルチリングカスプ磁場、１２…
導入管、１５…処理室壁、１８，１９…直流電源、１７
…被処理物、２２…保護電極、２４…処理室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/30 9508−2Ｇ Ｈ０１Ｊ 37/30 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/3065 9216−2Ｇ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｃ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｄ (72)発明者 大石 鉦太郎 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内 (72)発明者 大貫 久生 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内
Claims (8)
- 【請求項１】 プラズマを生成し、該プラズマからイオ
ンを引出すイオン引出し電極を有するイオン源と、該イ
オン源に接続され、引出されたイオンビームによって被
処理物を処理する処理室と、処理室内のイオンビームを
電気的に中和する中和手段とを有し、該中和手段は、イ
オン源と処理室との間に軸方向に沿って介設され、イオ
ン引出し電極によって引き出されたイオンビームを取り
囲む空間室を形成する帯状電極と、該帯状電極の空間室
にマイクロ波プラズマを発生させる発生手段と、処理室
に対し帯状電極を負電位にする手段とを有していること
を特徴とするイオンビーム処理装置。 - 【請求項２】 プラズマを生成し、該プラズマからイオ
ンを引出すイオン引出し電極を有するイオン源と、該イ
オン源に接続され、引出されたイオンビームによって被
処理物を処理する処理室と、処理室内のイオンビームを
電気的に中和する中和手段とを有し、該中和手段は、イ
オン源と処理室との間に軸方向に沿って介設され、イオ
ン引出し電極によって引き出されたイオンビームを取り
囲む空間室を形成する帯状電極と、該帯状電極の空間室
にマイクロ波プラズマを発生させる発生手段と、処理室
に対し帯状電極を負電位にする手段とを有し、前記発生
手段は、帯状電極の空間室にマイクロ波を導入するマイ
クロ波導入部と、マルチリングカスプ磁場を形成し、か
つマイクロ波導入部からのマイクロ波の周波数に対応す
る電子サイクロトロン共鳴磁場を発生させる静磁場発生
部とを有することを特徴とするイオンビーム処理装置。 - 【請求項３】 帯状電極内の空間室にイオン引出し電極
に隣接し、かつ帯状電極に対し、周方向に電気的に密に
接触すると共に、同電位に設定された保護電極を有する
ことを特徴とする請求項１または２のイオンビーム処理
装置。 - 【請求項４】 プラズマを生成し、該プラズマからイオ
ンを引出すイオン引出し電極を有するイオン源と、該イ
オン源に接続され、引出されたイオンビームによって被
処理物を処理する処理室と、処理室内のイオンビームを
電気的に中和する中和手段とを有し、該中和手段は、処
理室内のイオン引出し電極寄りの位置に取付けられ、イ
オン引出し電極によって引き出されたイオンビームを取
り囲む空間室を形成する帯状電極と、該帯状電極の空間
室にマイクロ波プラズマを発生させる発生手段と、処理
室に対し帯状電極を負電位にする手段とを有しているこ
とを特徴とするイオンビーム処理装置。 - 【請求項５】 プラズマを生成し、該プラズマからイオ
ンを引出すイオン引出し電極を有するイオン源と、該イ
オン源に接続され、引出されたイオンビームによって被
処理物を処理する処理室と、処理室内のイオンビームを
電気的に中和する中和手段とを有し、該中和手段は、処
理室内のイオン引出し電極寄りの位置に取付けられ、イ
オン引出し電極によって引き出されたイオンビームを取
り囲む空間室を形成する帯状電極と、該帯状電極の空間
室にマイクロ波プラズマを発生させる発生手段と、処理
室に対し帯状電極を負電位にする手段とを有し、前記発
生手段は、帯状電極の空間室にマイクロ波を導入するマ
イクロ波導入部と、マルチリングカスプ磁場を形成し、
かつマイクロ波導入部からのマイクロ波の周波数に対応
する電子サイクロトロン共鳴磁場を発生させる静磁場発
生部とを有していることを特徴とするイオンビーム処理
装置 - 【請求項６】 帯状電極内の空間室にイオン引出し電極
に隣接し、かつ処理室に対し、周方向に電気的に密に接
触すると共に、同電位に設定された保護電極を有するこ
とを特徴とする請求項４または５に記載のイオンビーム
処理装置。 - 【請求項７】 前記静磁場発生部は、帯状電極の外周部
または内周部に配設された永久磁石であることを特徴と
する請求項１，２，４，５の何れか一項に記載のイオン
ビーム処理装置。 - 【請求項８】 前記マイクロ波導入部は、静磁場発生部
のマルチリングカスプ磁場の隣合う磁極間からマイクロ
波を導入することを特徴とする請求項１，２，４，５の
何れか一項に記載のイオンビーム処理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07105884A JP3123735B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | イオンビーム処理装置 |
| US08/636,974 US5750987A (en) | 1995-04-28 | 1996-04-24 | Ion beam processing apparatus |
| EP01109050A EP1132946A1 (en) | 1995-04-28 | 1996-04-26 | Ion beam processing apparatus |
| DE69622463T DE69622463T2 (de) | 1995-04-28 | 1996-04-26 | Ionenstrahl-Bearbeitungsapparat |
| KR1019960013051A KR100388594B1 (ko) | 1995-04-28 | 1996-04-26 | 이온빔처리장치 |
| EP96106688A EP0740327B1 (en) | 1995-04-28 | 1996-04-26 | Ion beam processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07105884A JP3123735B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | イオンビーム処理装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08296069A true JPH08296069A (ja) | 1996-11-12 |
| JP3123735B2 JP3123735B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=14419365
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07105884A Expired - Fee Related JP3123735B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | イオンビーム処理装置 |
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| US (1) | US5750987A (ja) |
| EP (2) | EP1132946A1 (ja) |
| JP (1) | JP3123735B2 (ja) |
| KR (1) | KR100388594B1 (ja) |
| DE (1) | DE69622463T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184625B1 (en) | 1998-06-09 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus for processing work piece with ion beam being neutralized uniformly |
| JP2008524811A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-07-10 | パーサー、ケネス、エイチ． | 低エネルギー／高電流リボン・ビーム注入装置におけるビーム中和の改善 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6271529B1 (en) * | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
| US6184532B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-02-06 | Ebara Corporation | Ion source |
| JP4222707B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2009-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、ガス供給リング及び誘電体 |
| US6703628B2 (en) | 2000-07-25 | 2004-03-09 | Axceliss Technologies, Inc | Method and system for ion beam containment in an ion beam guide |
| US6541781B1 (en) * | 2000-07-25 | 2003-04-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Waveguide for microwave excitation of plasma in an ion beam guide |
| KR100382720B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 식각 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 식각 방법 |
| JP4061857B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2008-03-19 | 株式会社日立製作所 | 光学ユニット及びそれを用いた映像表示装置 |
| JP3641716B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2005-04-27 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム加工装置およびその方法 |
| US7298091B2 (en) * | 2002-02-01 | 2007-11-20 | The Regents Of The University Of California | Matching network for RF plasma source |
| US20040227106A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-18 | Halling Alfred M. | System and methods for ion beam containment using localized electrostatic fields in an ion beam passageway |
| US6891174B2 (en) * | 2003-07-31 | 2005-05-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and system for ion beam containment using photoelectrons in an ion beam guide |
| JP4345895B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2009-10-14 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源の運転方法およびイオン注入装置 |
| JP4229145B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2009-02-25 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置 |
| JP2008174777A (ja) | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 薄膜形成装置 |
| WO2010036422A2 (en) * | 2008-06-10 | 2010-04-01 | The Regents Of The University Of California | Plasma driven neutron/gamma generator |
| CN104878392B (zh) * | 2015-06-24 | 2017-05-31 | 安徽纯源镀膜科技有限公司 | 离子束清洗刻蚀设备 |
| RU2624000C2 (ru) * | 2015-10-26 | 2017-06-30 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Генератор высокочастотного излучения на основе разряда с полым катодом |
| KR102446318B1 (ko) * | 2020-07-24 | 2022-09-23 | 박흥균 | 반도체 패키지용 폴리머 경화공정장치 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2581244B1 (fr) * | 1985-04-29 | 1987-07-10 | Centre Nat Rech Scient | Source d'ions du type triode a une seule chambre d'ionisation a excitation haute frequence et a confinement magnetique du type multipolaire |
| JPH0711072B2 (ja) * | 1986-04-04 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | イオン源装置 |
| JPH0610348B2 (ja) * | 1986-07-28 | 1994-02-09 | 三菱電機株式会社 | イオン注入装置 |
| JPH0689465B2 (ja) * | 1986-12-22 | 1994-11-09 | 株式会社日立製作所 | エツチング装置 |
| KR930004115B1 (ko) * | 1988-10-31 | 1993-05-20 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 애싱(ashing)처리방법 및 장치 |
| JP2704438B2 (ja) * | 1989-09-04 | 1998-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン注入装置 |
| KR910016054A (ko) * | 1990-02-23 | 1991-09-30 | 미다 가쓰시게 | 마이크로 전자 장치용 표면 처리 장치 및 그 방법 |
| JPH04351838A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-07 | Hitachi Ltd | イオンビーム装置の中性化器 |
| JPH0547338A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-02-26 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビーム中性化装置 |
| JP3243807B2 (ja) * | 1991-09-20 | 2002-01-07 | 日新電機株式会社 | イオン照射装置 |
| JPH05234562A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | イオンビーム中性化装置 |
| US5466929A (en) * | 1992-02-21 | 1995-11-14 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for suppressing electrification of sample in charged beam irradiation apparatus |
| JP3401801B2 (ja) * | 1992-06-17 | 2003-04-28 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム装置 |
| JP3331542B2 (ja) * | 1992-08-28 | 2002-10-07 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 表面処理装置及び方法 |
| JP3054302B2 (ja) * | 1992-12-02 | 2000-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム |
| JP3460239B2 (ja) * | 1992-12-28 | 2003-10-27 | 日新電機株式会社 | イオン処理装置 |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP07105884A patent/JP3123735B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-24 US US08/636,974 patent/US5750987A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-26 DE DE69622463T patent/DE69622463T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-26 EP EP01109050A patent/EP1132946A1/en not_active Withdrawn
- 1996-04-26 KR KR1019960013051A patent/KR100388594B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-04-26 EP EP96106688A patent/EP0740327B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184625B1 (en) | 1998-06-09 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus for processing work piece with ion beam being neutralized uniformly |
| US6320321B2 (en) | 1998-06-09 | 2001-11-20 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus for processing work piece with ion beam being neutralized uniformly |
| JP2008524811A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-07-10 | パーサー、ケネス、エイチ． | 低エネルギー／高電流リボン・ビーム注入装置におけるビーム中和の改善 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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