JPH0547338A - イオンビーム中性化装置 - Google Patents
イオンビーム中性化装置Info
- Publication number
- JPH0547338A JPH0547338A JP20604791A JP20604791A JPH0547338A JP H0547338 A JPH0547338 A JP H0547338A JP 20604791 A JP20604791 A JP 20604791A JP 20604791 A JP20604791 A JP 20604791A JP H0547338 A JPH0547338 A JP H0547338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- discharge chamber
- plasma
- gas
- microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸素ガス等の活性ガス雰囲気中でも長時間安
定して作動する信頼性の高いイオンビーム中性化装置を
提供する。 【構成】 ガス導入口３５及び電子放出用開口３６を有
するマイクロ波放電室３０と、マイクロ波放電室３０に
マイクロ波電力を導入するためのアンテナ３３と、マイ
クロ波放電室３０に生成されるマイクロ波プラズマ３７
から電子を放出させるためのバイアス電源３８とを備え
たイオンビーム中性化装置。
定して作動する信頼性の高いイオンビーム中性化装置を
提供する。 【構成】 ガス導入口３５及び電子放出用開口３６を有
するマイクロ波放電室３０と、マイクロ波放電室３０に
マイクロ波電力を導入するためのアンテナ３３と、マイ
クロ波放電室３０に生成されるマイクロ波プラズマ３７
から電子を放出させるためのバイアス電源３８とを備え
たイオンビーム中性化装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオンビームスパッタリ
ング装置、イオンビームエッチング装置等に採用される
イオンビーム中性化装置に関する。
ング装置、イオンビームエッチング装置等に採用される
イオンビーム中性化装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス、液晶表示装置、ＥＬ表
示装置、太陽電池等の各種薄膜デバイスの製造、機械部
品等の表面への耐摩耗性薄膜、耐食性薄膜等の形成など
に、イオンビームスパッタリング装置、イオンビームエ
ッチング装置等が広く使用されている。
示装置、太陽電池等の各種薄膜デバイスの製造、機械部
品等の表面への耐摩耗性薄膜、耐食性薄膜等の形成など
に、イオンビームスパッタリング装置、イオンビームエ
ッチング装置等が広く使用されている。
【０００３】例えば、イオンビームスパッタリング装置
では、イオン源からイオンビームをターゲットに照射す
ることで、該ターゲットからスパッタ粒子を基板表面に
向け放射させて、該基板表面に所望の薄膜を形成する。
この場合、薄膜の密着性向上等の目的で、同時に、サイ
ドイオン源からイオンビームを基板へ向け、さらに照射
することもある。
では、イオン源からイオンビームをターゲットに照射す
ることで、該ターゲットからスパッタ粒子を基板表面に
向け放射させて、該基板表面に所望の薄膜を形成する。
この場合、薄膜の密着性向上等の目的で、同時に、サイ
ドイオン源からイオンビームを基板へ向け、さらに照射
することもある。
【０００４】また、イオンビームエッチング装置におい
ては、イオン源からイオンビームをエッチング対象物面
に照射して該面をエッチングする。このようにイオン源
からイオンビームを照射されるターゲット、基板、エッ
チング対象物が絶縁性のときには、イオンビームの電荷
によりそれらが帯電し、ついには放電によりそれらが損
傷する恐れがある。
ては、イオン源からイオンビームをエッチング対象物面
に照射して該面をエッチングする。このようにイオン源
からイオンビームを照射されるターゲット、基板、エッ
チング対象物が絶縁性のときには、イオンビームの電荷
によりそれらが帯電し、ついには放電によりそれらが損
傷する恐れがある。
【０００５】そこで、イオンビームスパッタリング装
置、イオンビームエッチング装置等では、通常、イオン
ビーム中性化装置が備えられる。図４及び図５はその代
表的な例を示している。図４のイオンビーム中性化装置
は、熱フィラメント式中性化装置であり、イオン源１と
基板等におけるイオンビーム照射面２の間にイオンビー
ム６を横切るように熱フィラメント３が配置され、該フ
ィラメントの両端に加熱電源４が接続され、さらに、加
熱電源４が、バイアス電源５により照射面２に対し負電
位とされている。この装置によると、フィラメント３の
通電加熱により、熱電子が放出され、ここに正の電荷を
もったイオンビーム６を通過させることにより、放出さ
れた熱電子がイオンとともに照射面２に到達し、イオン
ビームが中性化される。
置、イオンビームエッチング装置等では、通常、イオン
ビーム中性化装置が備えられる。図４及び図５はその代
表的な例を示している。図４のイオンビーム中性化装置
は、熱フィラメント式中性化装置であり、イオン源１と
基板等におけるイオンビーム照射面２の間にイオンビー
ム６を横切るように熱フィラメント３が配置され、該フ
ィラメントの両端に加熱電源４が接続され、さらに、加
熱電源４が、バイアス電源５により照射面２に対し負電
位とされている。この装置によると、フィラメント３の
通電加熱により、熱電子が放出され、ここに正の電荷を
もったイオンビーム６を通過させることにより、放出さ
れた熱電子がイオンとともに照射面２に到達し、イオン
ビームが中性化される。
【０００６】図５のイオンビーム中性化装置は、プラズ
マブリッジ式中性化装置であり、図５の（Ａ）に示すよ
うな位置に配置される電子放出源７を中心とするもので
ある。電子放出源７は、通常、図５の（Ｂ）に示すホロ
ーカソードタイプのものであり、一端にガス導入口１５
を、他端にオリフィス１６を有する筒状のホローカソー
ド１０を有し、その内部には、ランタンヘキサボライト
（ＬａＢ6 ）、タングステン（Ｗ）等の電子放出材１４
が配置され、また、その外部には加熱のためのヒータ１
２が配置されている。カソード１０にはこれと中心軸線
を一致させたキーパ１３が絶縁体１１を介して外嵌さ
れ、該キーパの端部開口１７がオリフィス１６の前方に
配置されている。ヒータ１２の一端はカソード１０に接
続され、該ヒータの他端とカソード１０間に加熱電源１
８が接続され、さらに、カソード１０とキーパ１３の間
にはキーパ１３が正電位となるように放電電源１９が接
続されている。以上の構成の電子放出源７は、図５の
（Ａ）に示すように、バイアス電源８により、照射面２
に対し負電位とされる。
マブリッジ式中性化装置であり、図５の（Ａ）に示すよ
うな位置に配置される電子放出源７を中心とするもので
ある。電子放出源７は、通常、図５の（Ｂ）に示すホロ
ーカソードタイプのものであり、一端にガス導入口１５
を、他端にオリフィス１６を有する筒状のホローカソー
ド１０を有し、その内部には、ランタンヘキサボライト
（ＬａＢ6 ）、タングステン（Ｗ）等の電子放出材１４
が配置され、また、その外部には加熱のためのヒータ１
２が配置されている。カソード１０にはこれと中心軸線
を一致させたキーパ１３が絶縁体１１を介して外嵌さ
れ、該キーパの端部開口１７がオリフィス１６の前方に
配置されている。ヒータ１２の一端はカソード１０に接
続され、該ヒータの他端とカソード１０間に加熱電源１
８が接続され、さらに、カソード１０とキーパ１３の間
にはキーパ１３が正電位となるように放電電源１９が接
続されている。以上の構成の電子放出源７は、図５の
（Ａ）に示すように、バイアス電源８により、照射面２
に対し負電位とされる。
【０００７】この装置によると、ヒータ１２により電子
放出材１４を加熱すると、カソード１０内に、多量の熱
電子が発生する。このとき、ガス導入口よりＡｒガス等
の不活性ガスを導入し、放電電源１９により、カソード
−キーパ間に電圧を印加すると、いわゆる、ホロー放電
によってプラズマ２０が生成される。さらに、バイアス
電源８により、負にバイアスすることで、プラズマ２０
と、イオンビーム６の間でプラズマブリッジ９が形成さ
れ、イオンビーム内に電子が供給される。
放出材１４を加熱すると、カソード１０内に、多量の熱
電子が発生する。このとき、ガス導入口よりＡｒガス等
の不活性ガスを導入し、放電電源１９により、カソード
−キーパ間に電圧を印加すると、いわゆる、ホロー放電
によってプラズマ２０が生成される。さらに、バイアス
電源８により、負にバイアスすることで、プラズマ２０
と、イオンビーム６の間でプラズマブリッジ９が形成さ
れ、イオンビーム内に電子が供給される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示す装置では、熱フィラメントが直接イオンビーム中に
曝されるため、短時間でフィラメントが劣化し、３０〜
４０時間程度の運転が限度である。図５に示すプラズマ
ブリッジ式中性化装置は、電子放出材が直接イオンビー
ムに曝されることに起因して発生する問題はないもの
の、酸素等の活性ガス中で使用すると、カソード１０内
へ活性ガスが混入し、電子放出材１５の消耗、変化が激
しく、その特性の劣化を招いたり、延いては運転不能と
なる問題がある。
示す装置では、熱フィラメントが直接イオンビーム中に
曝されるため、短時間でフィラメントが劣化し、３０〜
４０時間程度の運転が限度である。図５に示すプラズマ
ブリッジ式中性化装置は、電子放出材が直接イオンビー
ムに曝されることに起因して発生する問題はないもの
の、酸素等の活性ガス中で使用すると、カソード１０内
へ活性ガスが混入し、電子放出材１５の消耗、変化が激
しく、その特性の劣化を招いたり、延いては運転不能と
なる問題がある。
【０００９】そこで本発明は、酸素ガス等の活性ガス雰
囲気中でも長時間安定して動作する信頼性の高いイオン
ビーム中性化装置を提供することを目的とする。
囲気中でも長時間安定して動作する信頼性の高いイオン
ビーム中性化装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的に従
い、ガス導入口及び電子放出用開口を有するマイクロ波
放電室と、前記マイクロ波放電室にマイクロ波電力を導
入するための手段と、前記マイクロ波放電室に生成され
るマイクロ波プラズマからの電子放出を制御する電圧印
加手段とを備えたことを特徴とするイオンビーム中性化
装置を提供するものである。
い、ガス導入口及び電子放出用開口を有するマイクロ波
放電室と、前記マイクロ波放電室にマイクロ波電力を導
入するための手段と、前記マイクロ波放電室に生成され
るマイクロ波プラズマからの電子放出を制御する電圧印
加手段とを備えたことを特徴とするイオンビーム中性化
装置を提供するものである。
【００１１】前記電圧印加手段としては、普通には、プ
ラズマに負極性のバイアス電圧を印加する手段が考えら
れる。前記マイクロ波電力導入手段は、各種考えられる
が、簡易なものとして、マイクロ波導入アンテナを挙げ
ることができる。前記マイクロ波放電室の周囲には、必
要に応じ、磁石を配置して磁場を形成できるようにして
もよい。
ラズマに負極性のバイアス電圧を印加する手段が考えら
れる。前記マイクロ波電力導入手段は、各種考えられる
が、簡易なものとして、マイクロ波導入アンテナを挙げ
ることができる。前記マイクロ波放電室の周囲には、必
要に応じ、磁石を配置して磁場を形成できるようにして
もよい。
【００１２】前記マイクロ波放電室の電子放出用開口の
前方には電極を配置し、前記電圧印加手段を該電極と前
記放電室間に直流電圧を印加する手段とし、該直流電圧
印加による直流放電を重畳できるようにしてもよい。こ
の場合、該電極を、前記放電室外壁を覆うように形成し
て、該放電室をイオンビームによるスパッタから保護す
るとともに、放電室の電位によるイオンビームへの影響
を少なくしてもよい。
前方には電極を配置し、前記電圧印加手段を該電極と前
記放電室間に直流電圧を印加する手段とし、該直流電圧
印加による直流放電を重畳できるようにしてもよい。こ
の場合、該電極を、前記放電室外壁を覆うように形成し
て、該放電室をイオンビームによるスパッタから保護す
るとともに、放電室の電位によるイオンビームへの影響
を少なくしてもよい。
【００１３】
【作用】本発明イオンビーム中性化装置によると、プラ
ズマ放電室にガス導入口から動作ガスが導入されるとと
もに、マイクロ波電力導入手段にてマイクロ波電力が供
給され、該電力供給によるマイクロ波放電のもとに導入
ガスがプラズマ化される。生成されたマイクロ波プラズ
マに電子放出制御用の電圧が印加されることで、プラズ
マ中の電子が、放電室の電子供給用開口から放出され、
イオンビームに供給され、これが電気的に中性化され
る。
ズマ放電室にガス導入口から動作ガスが導入されるとと
もに、マイクロ波電力導入手段にてマイクロ波電力が供
給され、該電力供給によるマイクロ波放電のもとに導入
ガスがプラズマ化される。生成されたマイクロ波プラズ
マに電子放出制御用の電圧が印加されることで、プラズ
マ中の電子が、放電室の電子供給用開口から放出され、
イオンビームに供給され、これが電気的に中性化され
る。
【００１４】前記マイクロ波放電室の電子放出用開口の
前方に電極を配置し、該電極と前記放電室間に直流電圧
を印加する手段を設けるときは、該手段による直流電圧
印加により直流放電を重畳することができ、これによっ
て電子放出効率を上げることができる。この電極が、前
記放電室壁を覆うように形成してあるときは、放電室壁
がイオンビームから保護されるるとともに、放電室の電
位によるイオンビームへの影響を少なくできる。
前方に電極を配置し、該電極と前記放電室間に直流電圧
を印加する手段を設けるときは、該手段による直流電圧
印加により直流放電を重畳することができ、これによっ
て電子放出効率を上げることができる。この電極が、前
記放電室壁を覆うように形成してあるときは、放電室壁
がイオンビームから保護されるるとともに、放電室の電
位によるイオンビームへの影響を少なくできる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は一実施例の概略断面を示している。この装
置は、マイクロ波放電室３０を提供する円筒形の本体３
１を備えている。この本体３１は前端に電子放出用開口
３６を有するとともに後端部にガス導入口３５を有す
る。この導入口３５は動作ガス源３５０に接続されてい
る。本体３１の後端部には、本体と中心軸線を一致させ
たマイクロ波導入用アンテナ３３が挿入されており、そ
の先端部は放電室３０に達している。アンテナ３３と本
体３１の間は絶縁体３４により隔てられている。また、
本体３１のマイクロ波放電室３０の周囲には磁石３２が
配置されており、この磁石により電子サイクロトロン共
鳴（ＥＣＲ）条件以上の磁場（本例では８７５ガウス）
が形成されている。さらに、放電室３０には負極性のバ
イアスを印加するための電源３８が接続されている。
する。図１は一実施例の概略断面を示している。この装
置は、マイクロ波放電室３０を提供する円筒形の本体３
１を備えている。この本体３１は前端に電子放出用開口
３６を有するとともに後端部にガス導入口３５を有す
る。この導入口３５は動作ガス源３５０に接続されてい
る。本体３１の後端部には、本体と中心軸線を一致させ
たマイクロ波導入用アンテナ３３が挿入されており、そ
の先端部は放電室３０に達している。アンテナ３３と本
体３１の間は絶縁体３４により隔てられている。また、
本体３１のマイクロ波放電室３０の周囲には磁石３２が
配置されており、この磁石により電子サイクロトロン共
鳴（ＥＣＲ）条件以上の磁場（本例では８７５ガウス）
が形成されている。さらに、放電室３０には負極性のバ
イアスを印加するための電源３８が接続されている。
【００１６】この装置は、図５に示す従来の電子放出源
７と同様の位置に配置され、放電室３０にガス導入口３
５より動作ガスが導入されるとともにアンテナ３３から
マイクロ波電力（本例では２．４５ＧＨｚ）が供給され
る。かくして、導入ガスがマイクロ波放電によりプラズ
マ化され、生成されたプラズマに電源３８により負極性
のバイアスが印加されることで、該プラズマから電子放
出用開口３６を経てイオンビーム６（図５参照）中へ電
子ｅが供給され、イオンビーム６の中性化がなされる。
７と同様の位置に配置され、放電室３０にガス導入口３
５より動作ガスが導入されるとともにアンテナ３３から
マイクロ波電力（本例では２．４５ＧＨｚ）が供給され
る。かくして、導入ガスがマイクロ波放電によりプラズ
マ化され、生成されたプラズマに電源３８により負極性
のバイアスが印加されることで、該プラズマから電子放
出用開口３６を経てイオンビーム６（図５参照）中へ電
子ｅが供給され、イオンビーム６の中性化がなされる。
【００１７】図２は本発明の他の実施例の概略断面を示
している。この中性化装置は、図１の装置の変形例であ
り、図１の装置において、その放電室３０の前方に絶縁
体４１を介して電極３９を配置し、この電極に直流電源
４２の正極を、放電室３０に該電源４２の負極を接続し
たものである。電極３９は、放電室の開口３６と同軸配
置の開口４０を有するリング状電極である。電源４２の
電圧は３０〜１００Ｖ程度の範囲から選択さる。なお、
図示例では、電極４０に負極性のバイアス電源３８を接
続してあるが、これは無くてもかまわない。
している。この中性化装置は、図１の装置の変形例であ
り、図１の装置において、その放電室３０の前方に絶縁
体４１を介して電極３９を配置し、この電極に直流電源
４２の正極を、放電室３０に該電源４２の負極を接続し
たものである。電極３９は、放電室の開口３６と同軸配
置の開口４０を有するリング状電極である。電源４２の
電圧は３０〜１００Ｖ程度の範囲から選択さる。なお、
図示例では、電極４０に負極性のバイアス電源３８を接
続してあるが、これは無くてもかまわない。
【００１８】この装置によると、放電室３０においてマ
イクロ波放電によりプラズマを生成する点は図１の装置
と同様であるが、電源４２により３０〜１００Ｖ程度の
直流電圧を電極３９と放電室３０の間に印加すること
で、直流放電が重畳され、これによって電子放出性能及
び制御性が向上している。図３は本発明のさらに他の実
施例を示すもので、図２に示す装置の改良であり、図２
に示す装置中の電極３９を本体３１を覆うように形成し
て、本体３１をイオンビームによるスパッタから保護す
るとともに、本体の電位によるイオンビームへの影響を
少なくしたものである。
イクロ波放電によりプラズマを生成する点は図１の装置
と同様であるが、電源４２により３０〜１００Ｖ程度の
直流電圧を電極３９と放電室３０の間に印加すること
で、直流放電が重畳され、これによって電子放出性能及
び制御性が向上している。図３は本発明のさらに他の実
施例を示すもので、図２に示す装置の改良であり、図２
に示す装置中の電極３９を本体３１を覆うように形成し
て、本体３１をイオンビームによるスパッタから保護す
るとともに、本体の電位によるイオンビームへの影響を
少なくしたものである。
【００１９】なお、前記各実施例において放電室３０に
導入する動作ガスは通常Ａｒガスのような不活性ガスで
あるが、必ずしもこれに限定されない。イオンビームス
パッタリング装置の成膜室等のプロセス室の雰囲気ガス
と同じガスを動作ガスとして採用してもよい。いずれの
装置でも、マイクロ波によりプラズマを生成するため、
マイクロ波放電室内にプロセス室の活性ガス（酸素等）
が混入しても、特性の劣化がなく、長時間にわたり安定
して運転できる。また、マイクロ波放電室内にプロセス
室のガスと同種のガスを導入しても問題ないため、プロ
セス室への異種ガスの混入を防ぐことも可能である。
導入する動作ガスは通常Ａｒガスのような不活性ガスで
あるが、必ずしもこれに限定されない。イオンビームス
パッタリング装置の成膜室等のプロセス室の雰囲気ガス
と同じガスを動作ガスとして採用してもよい。いずれの
装置でも、マイクロ波によりプラズマを生成するため、
マイクロ波放電室内にプロセス室の活性ガス（酸素等）
が混入しても、特性の劣化がなく、長時間にわたり安定
して運転できる。また、マイクロ波放電室内にプロセス
室のガスと同種のガスを導入しても問題ないため、プロ
セス室への異種ガスの混入を防ぐことも可能である。
【００２０】以上説明したように、前記いずれの実施例
においても、従来の中性化装置のように熱フィラメント
や電子放出材を使用していないので、基本的に消耗材料
がなく、酸素等の活性ガス中で使用しても、長期にわた
り、安定作動する。
においても、従来の中性化装置のように熱フィラメント
や電子放出材を使用していないので、基本的に消耗材料
がなく、酸素等の活性ガス中で使用しても、長期にわた
り、安定作動する。
【００２１】
【発明の効果】本発明によると、酸素ガス等の活性ガス
雰囲気中でも長時間安定して作動する信頼性の高いイオ
ンビーム中性化装置を提供することができる。前記マイ
クロ波放電室の電子放出用開口の前方に電極を配置し、
該電極と前記放電室間に直流電圧を印加する手段を設け
るときは、該手段による直流電圧印加により直流放電を
重畳することができ、これによって電子放出性能及び制
御性が向上する。
雰囲気中でも長時間安定して作動する信頼性の高いイオ
ンビーム中性化装置を提供することができる。前記マイ
クロ波放電室の電子放出用開口の前方に電極を配置し、
該電極と前記放電室間に直流電圧を印加する手段を設け
るときは、該手段による直流電圧印加により直流放電を
重畳することができ、これによって電子放出性能及び制
御性が向上する。
【００２２】この電極が、前記放電室壁を覆うように形
成してあるときは、放電室壁がイオンビームによるスパ
ッタから保護されるるとともに、放電室の電位によるイ
オンビームへの影響を少なくできる。
成してあるときは、放電室壁がイオンビームによるスパ
ッタから保護されるるとともに、放電室の電位によるイ
オンビームへの影響を少なくできる。
【図１】本発明の一実施例の概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の概略断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施例の概略断面図であ
る。
る。
【図４】従来例の説明図である。
【図５】他の従来例の説明図であり、図（Ａ）はイオン
ビームエッチング装置等における使用状態の説明図、図
（Ｂ）は電子放出源の詳細説明図である。
ビームエッチング装置等における使用状態の説明図、図
（Ｂ）は電子放出源の詳細説明図である。
３０ プラズマ放電室 ３１ 本体 ３２ 磁石 ３３ アンテナ ３４ 絶縁体 ３５ ガス導入口 ３５０ 動作ガス源 ３６ 電子放出用開口 ３７ プラズマ ｅ 電子 ３８ バイアス電源 ３９ 電極 ４０ 電子放出用開口 ４１ 絶縁体 ４２ 直流電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265
Claims (3)
- 【請求項１】 ガス導入口及び電子放出用開口を有する
マイクロ波放電室と、前記マイクロ波放電室にマイクロ
波電力を導入するための手段と、前記マイクロ波放電室
に生成されるマイクロ波プラズマからの電子放出を制御
するための電圧印加手段とを備えたことを特徴とするイ
オンビーム中性化装置。 - 【請求項２】 前記マイクロ波放電室の電子放出用開口
の前方に電極を配置し、前記電圧印加手段を、該電極と
前記放電室間に直流電圧を印加する手段とした請求項１
記載のイオンビーム中性化装置。 - 【請求項３】前記電極を、前記放電室壁を覆うように形
成してある請求項２記載のイオンビーム中性化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20604791A JPH0547338A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | イオンビーム中性化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20604791A JPH0547338A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | イオンビーム中性化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547338A true JPH0547338A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16517003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20604791A Withdrawn JPH0547338A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | イオンビーム中性化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547338A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0740327A2 (en) * | 1995-04-28 | 1996-10-30 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus |
| US6297594B1 (en) | 1999-02-02 | 2001-10-02 | Nissin Electric Co., Ltd | Plasma source ion implanting apparatus using the same |
| JP2010225410A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Ulvac Japan Ltd | 電子源及び処理装置 |
| JP2010248548A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Shinmaywa Industries Ltd | ホローカソード型放電管 |
| JP2012069509A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-04-05 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | プラズマ発生装置 |
| CN106229248A (zh) * | 2015-08-26 | 2016-12-14 | 成都森蓝光学仪器有限公司 | 水冷环形热阴极离子源中和器 |
| JP2019500741A (ja) * | 2015-10-29 | 2019-01-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 原子精密エッチングのためにプラズマ密度、ラジカル組成、及びイオンエネルギーに対する独立した制御を有する低電子温度エッチングチェンバ |
-
1991
- 1991-08-16 JP JP20604791A patent/JPH0547338A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0740327A2 (en) * | 1995-04-28 | 1996-10-30 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus |
| EP0740327A3 (en) * | 1995-04-28 | 1998-03-04 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus |
| EP1132946A1 (en) * | 1995-04-28 | 2001-09-12 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus |
| US6297594B1 (en) | 1999-02-02 | 2001-10-02 | Nissin Electric Co., Ltd | Plasma source ion implanting apparatus using the same |
| JP2010225410A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Ulvac Japan Ltd | 電子源及び処理装置 |
| JP2010248548A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Shinmaywa Industries Ltd | ホローカソード型放電管 |
| JP2012069509A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-04-05 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | プラズマ発生装置 |
| CN106229248A (zh) * | 2015-08-26 | 2016-12-14 | 成都森蓝光学仪器有限公司 | 水冷环形热阴极离子源中和器 |
| JP2019500741A (ja) * | 2015-10-29 | 2019-01-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 原子精密エッチングのためにプラズマ密度、ラジカル組成、及びイオンエネルギーに対する独立した制御を有する低電子温度エッチングチェンバ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4581118A (en) | Shaped field magnetron electrode | |
| EP0396398B1 (en) | Plasma etching apparatus with surface magnetic fields | |
| KR101464484B1 (ko) | 이온 비임 임플란터를 위한 플라즈마 전자 플러드 | |
| TW463533B (en) | Plasma source for ion implanting apparatus | |
| EP0379828A2 (en) | Radio frequency induction/multipole plasma processing tool | |
| US4800281A (en) | Compact penning-discharge plasma source | |
| EP0200035B1 (en) | Electron beam source | |
| US6987364B2 (en) | Floating mode ion source | |
| US4937456A (en) | Dielectric coated ion thruster | |
| US20060225998A1 (en) | Direct ion beam deposition method and system | |
| US4608513A (en) | Dual filament ion source with improved beam characteristics | |
| US7038389B2 (en) | Magnetron plasma source | |
| JPH0547338A (ja) | イオンビーム中性化装置 | |
| EP0911861A1 (en) | Filament for ion implanter plasma shower | |
| JP4408987B2 (ja) | スパッタ処理応用のプラズマ処理装置 | |
| JP2849771B2 (ja) | スパッタ型イオン源 | |
| JPH0770512B2 (ja) | 低エネルギイオン化粒子照射装置 | |
| JPH0752635B2 (ja) | イオン源装置 | |
| KR102288388B1 (ko) | High Flux 플라즈마 소스 | |
| JP2586836B2 (ja) | イオン源装置 | |
| US5256930A (en) | Cooled plasma source | |
| KR20020004934A (ko) | 선형이온빔의 플라즈마소스 | |
| Fusellier et al. | A microwave plasma cathode electron gun for ion beam neutralization | |
| JP2620474B2 (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JP2571894Y2 (ja) | イオン源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |