JP2012069509A - プラズマ発生装置 - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 14
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
- H05H1/4652—Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマ生成容器内で高周波放電によってガスを電離させてプラズマを生成して、電子放出孔を通してプラズマよりの電子を外部に放出する装置であって、プラズマ生成容器内に設けられていて高周波を放射するアンテナとアンテナ全体を覆うものであって絶縁物から成るアンテナカバーとを備えており、前記電子放出孔のあるプラズマ電極材質が導電性材料であるプラズマ発生装置において、プラズマ電極の表面にプラズマによるスパッタリングによって絶縁物がプラズマ電極のプラズマ側に堆積することを防止し、導通を確保する筒状の枠体領域に枠体の内側または内側と外側に厚みの異なる突起部がある枠カバーをもっていることを特徴とするプラズマ発生装置。
【選択図】 図2
Description
12 プラズマ生成容器
16 プラズマ電極
18 電子放出孔
20 プラズマ
24 ガス
26 アンテナ
28 高周波
30 PFG電源
42 アンテナカバー
60 枠カバー
62 突起部
70 リフレクター
71 凹形状の窪み
Claims (5)
- プラズマ生成容器内で高周波放電によってガスを電離させてプラズマを生成して、電子放出孔を通して当該プラズマより電子を外部に放出する装置であって、プラズマ生成容器内に設けられていて高周波を放射するアンテナと前記アンテナ全体を覆うものであって絶縁物から成るアンテナカバーとを備えており、前記電子放出孔のあるプラズマ電極材質が導電性材料であるプラズマ発生装置において、前記プラズマ電極と前記アンテナとの間にあり、筒状の枠体領域に枠体の内側または内側と外側に厚みの異なる突起部がある枠カバーをもっていることを特徴とするプラズマ発生装置。
- 前記枠カバーの材質はカーボン製である請求項1記載のプラズマ発生装置。
- プラズマ生成容器内で高周波放電によってガスを電離させてプラズマを生成して、電子放出孔を通して当該プラズマより電子を外部に放出する装置であって、プラズマ生成容器内に設けられていて高周波を放射するアンテナと前記アンテナ全体を覆うものであって絶縁物から成るアンテナカバーとを備えており、前記電子放出孔のあるプラズマ電極材質が導電性材料であるプラズマ発生装置において、前記プラズマ電極自身が突起付き構造をしていることを特徴とするプラズマ発生装置。
- プラズマ生成容器内で高周波放電によってガスを電離させてプラズマを生成して、電子放出孔を通して当該プラズマより電子を外部に放出する装置であって、プラズマ生成容器内に設けられていて高周波を放射するアンテナと前記アンテナ全体を覆うものであって絶縁物から成るアンテナカバーとを備えており、前記電子放出孔のあるプラズマ電極材質が導電性材料であるプラズマ発生装置において、前記プラズマ電極と前記アンテナとの間にあり、筒状の枠体領域に枠体の内側に凹形状の窪みのある枠カバーをもっていることを特徴とするプラズマ発生装置。
- 前記枠カバーの材質はカーボン製である請求項4記載のプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011155365A JP5327657B2 (ja) | 2010-08-24 | 2011-07-14 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010186824 | 2010-08-24 | ||
JP2010186824 | 2010-08-24 | ||
JP2011155365A JP5327657B2 (ja) | 2010-08-24 | 2011-07-14 | プラズマ発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012069509A true JP2012069509A (ja) | 2012-04-05 |
JP5327657B2 JP5327657B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=45696231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011155365A Expired - Fee Related JP5327657B2 (ja) | 2010-08-24 | 2011-07-14 | プラズマ発生装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8569955B2 (ja) |
JP (1) | JP5327657B2 (ja) |
KR (1) | KR101307111B1 (ja) |
TW (1) | TWI449079B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101488659B1 (ko) * | 2012-03-06 | 2015-02-02 | 코닝정밀소재 주식회사 | 고주파 가열 장치 |
KR101290570B1 (ko) * | 2012-03-06 | 2013-07-31 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 고주파 가열 장치 |
US9053907B2 (en) * | 2012-04-04 | 2015-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method of ion neutralization with multiple-zoned plasma flood gun |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2011
- 2011-06-30 KR KR1020110064532A patent/KR101307111B1/ko active IP Right Grant
- 2011-07-14 JP JP2011155365A patent/JP5327657B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-19 TW TW100125387A patent/TWI449079B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-08-04 US US13/198,429 patent/US8569955B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101307111B1 (ko) | 2013-09-11 |
KR20120022547A (ko) | 2012-03-12 |
US8569955B2 (en) | 2013-10-29 |
JP5327657B2 (ja) | 2013-10-30 |
TW201209878A (en) | 2012-03-01 |
TWI449079B (zh) | 2014-08-11 |
US20120049738A1 (en) | 2012-03-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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