JP2000223299A - プラズマ源 - Google Patents
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放出プラズマ中に高エネルギー電子が含まれ
ることを防止する。 【解決手段】 このプラズマ源２ａは、電子サイクロト
ロン共鳴を起こさせる磁界Ｂを、プラズマ室容器４内に
おいて、プラズマ放出孔８からのプラズマ放出方向２２
に交差する方向に発生させる電磁石４０（磁界発生手
段）を備えている。
ることを防止する。 【解決手段】 このプラズマ源２ａは、電子サイクロト
ロン共鳴を起こさせる磁界Ｂを、プラズマ室容器４内に
おいて、プラズマ放出孔８からのプラズマ放出方向２２
に交差する方向に発生させる電磁石４０（磁界発生手
段）を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、ターゲ
ットにイオンビームを照射するイオンビーム照射装置
（例えばイオン注入装置）において、イオンビームにプ
ラズマを供給して当該プラズマ中の電子によってイオン
ビームの中性化を図ってターゲットの帯電を防止するこ
と等に用いられるプラズマ源に関し、より具体的には、
放出プラズマ中に高エネルギー電子が含まれることを防
止する手段に関する。
ットにイオンビームを照射するイオンビーム照射装置
（例えばイオン注入装置）において、イオンビームにプ
ラズマを供給して当該プラズマ中の電子によってイオン
ビームの中性化を図ってターゲットの帯電を防止するこ
と等に用いられるプラズマ源に関し、より具体的には、
放出プラズマ中に高エネルギー電子が含まれることを防
止する手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体ウェーハのようなターゲッ
トにイオンビームを照射してイオン注入等の処理を施す
場合に、イオンビームの正電荷によってターゲットが正
に帯電（チャージアップ）するという問題が生じる。
トにイオンビームを照射してイオン注入等の処理を施す
場合に、イオンビームの正電荷によってターゲットが正
に帯電（チャージアップ）するという問題が生じる。
【０００３】この帯電の問題を解決するために、例えば
特開平５−２３４５６２号公報および特開平５−４７３
３８号公報に記載されているように、ターゲットの近く
にプラズマ源を設けて、イオンビームにプラズマを供給
して、当該プラズマ中の電子によって、イオンビームの
中性化を図ってターゲットの帯電を防止する技術が提案
されている。なお、このような目的で使用されるプラズ
マ源は、イオンビーム中性化装置とも呼ばれる。
特開平５−２３４５６２号公報および特開平５−４７３
３８号公報に記載されているように、ターゲットの近く
にプラズマ源を設けて、イオンビームにプラズマを供給
して、当該プラズマ中の電子によって、イオンビームの
中性化を図ってターゲットの帯電を防止する技術が提案
されている。なお、このような目的で使用されるプラズ
マ源は、イオンビーム中性化装置とも呼ばれる。
【０００４】これを図面を参照して説明すると、図６
に、従来のプラズマ源をイオンビーム照射装置に取り付
けた一例を示す。
に、従来のプラズマ源をイオンビーム照射装置に取り付
けた一例を示す。
【０００５】この装置は、真空容器３２内において、ホ
ルダ３８に保持されたターゲット３６にイオンビーム３
４を照射して、当該ターゲット３６に、イオン注入、イ
オンビームエッチング等の処理を施すよう構成されてい
る。ターゲット３６は、例えば、半導体ウェーハ、その
他の基板等である。
ルダ３８に保持されたターゲット３６にイオンビーム３
４を照射して、当該ターゲット３６に、イオン注入、イ
オンビームエッチング等の処理を施すよう構成されてい
る。ターゲット３６は、例えば、半導体ウェーハ、その
他の基板等である。
【０００６】ターゲット３６の近くの真空容器３２の側
壁部に開口部３３を設けており、その外側近傍に、絶縁
物３０を介して、プラズマ源２を取り付けている。
壁部に開口部３３を設けており、その外側近傍に、絶縁
物３０を介して、プラズマ源２を取り付けている。
【０００７】このプラズマ源２は、ＥＣＲ（電子サイク
ロトロン共鳴）型のものであり、プラズマ２０を生成す
るための金属製のプラズマ室容器４と、このプラズマ室
容器４内に例えばアルゴン、キセノン等のプラズマ生成
用のガス１２を導入するガス導入管１０（ガス導入手
段）と、プラズマ室容器４内に例えば２．４５ＧＨｚの
周波数のマイクロ波１５を導入する金属製のアンテナ１
４（マイクロ波導入手段）と、プラズマ室容器４内に、
電子サイクロトロン共鳴を起こさせる強さ（例えばマイ
クロ波１５が２．４５ＧＨｚの場合は約８７．５ｍＴ）
の磁界Ｂをプラズマ放出方向２２に沿って発生する磁気
コイル１８とを備えている。１６はコネクタである。
ロトロン共鳴）型のものであり、プラズマ２０を生成す
るための金属製のプラズマ室容器４と、このプラズマ室
容器４内に例えばアルゴン、キセノン等のプラズマ生成
用のガス１２を導入するガス導入管１０（ガス導入手
段）と、プラズマ室容器４内に例えば２．４５ＧＨｚの
周波数のマイクロ波１５を導入する金属製のアンテナ１
４（マイクロ波導入手段）と、プラズマ室容器４内に、
電子サイクロトロン共鳴を起こさせる強さ（例えばマイ
クロ波１５が２．４５ＧＨｚの場合は約８７．５ｍＴ）
の磁界Ｂをプラズマ放出方向２２に沿って発生する磁気
コイル１８とを備えている。１６はコネクタである。
【０００８】プラズマ室容器４と真空容器３２との間に
は、真空容器３２内へのプラズマ２０の引き出しを容易
にするために、この例のように、直流の引出し電源２８
から真空容器３２側を正極にして直流電圧（引出し電
圧）を印加できるようにしておくのが好ましい。
は、真空容器３２内へのプラズマ２０の引き出しを容易
にするために、この例のように、直流の引出し電源２８
から真空容器３２側を正極にして直流電圧（引出し電
圧）を印加できるようにしておくのが好ましい。
【０００９】プラズマ室容器４の前面部は、この例で
は、プラズマ放出孔８を有する前面板６で構成されてお
り、プラズマ室容器４内でマイクロ波放電および電子サ
イクロトロン共鳴によって効率良く生成されたプラズマ
２０は、このプラズマ放出孔８から真空容器３２内に放
出され、イオンビーム３４に供給される（これはプラズ
マブリッジとも呼ばれる）。それによって、プラズマ２
０中の電子によってイオンビーム３４の中性化を図っ
て、イオンビーム照射に伴うターゲット３６の正帯電を
抑制することができる。
は、プラズマ放出孔８を有する前面板６で構成されてお
り、プラズマ室容器４内でマイクロ波放電および電子サ
イクロトロン共鳴によって効率良く生成されたプラズマ
２０は、このプラズマ放出孔８から真空容器３２内に放
出され、イオンビーム３４に供給される（これはプラズ
マブリッジとも呼ばれる）。それによって、プラズマ２
０中の電子によってイオンビーム３４の中性化を図っ
て、イオンビーム照射に伴うターゲット３６の正帯電を
抑制することができる。
【００１０】また、このプラズマ源２では、プラズマ２
０の生成にマイクロ波１５を用いていて、フィラメント
を用いていないので、フィラメント構成物質がプラズマ
放出孔８から放出されてターゲット３６を汚染すること
を防止することができる。
０の生成にマイクロ波１５を用いていて、フィラメント
を用いていないので、フィラメント構成物質がプラズマ
放出孔８から放出されてターゲット３６を汚染すること
を防止することができる。
【００１１】更に、このプラズマ源２では、特開平９−
２４５９９７号公報に記載の技術と同様に、プラズマ室
容器４の内壁およびアンテナ１４を絶縁物製のカバー２
４および２６で覆っているので、金属製のプラズマ室容
器４、その前面板６およびアンテナ１４がプラズマ２０
によってスパッタされ、金属スパッタ粒子がプラズマ放
出孔８から放出されてターゲット３６を汚染することを
防止することができる。
２４５９９７号公報に記載の技術と同様に、プラズマ室
容器４の内壁およびアンテナ１４を絶縁物製のカバー２
４および２６で覆っているので、金属製のプラズマ室容
器４、その前面板６およびアンテナ１４がプラズマ２０
によってスパッタされ、金属スパッタ粒子がプラズマ放
出孔８から放出されてターゲット３６を汚染することを
防止することができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなプラズマ
源２から放出されるプラズマ２０中に含まれる電子のエ
ネルギーが高いと、この高エネルギーの電子がターゲッ
ト３６に到達して、当該電子のエネルギーに相当する電
圧まで、ターゲット３６が負に帯電（チャージアップ）
する可能性がある。このターゲット３６の負帯電の問題
は、看過することができない。
源２から放出されるプラズマ２０中に含まれる電子のエ
ネルギーが高いと、この高エネルギーの電子がターゲッ
ト３６に到達して、当該電子のエネルギーに相当する電
圧まで、ターゲット３６が負に帯電（チャージアップ）
する可能性がある。このターゲット３６の負帯電の問題
は、看過することができない。
【００１３】例えば、近年は、ターゲットウェーハの表
面に形成するトランジスタ（ＦＥＴ）のサイズが微細化
（例えば一辺が０．１８μｍ程度）しており、かつその
ゲート酸化膜の膜厚が極薄化（例えば５ｎｍ程度）して
いるので、処理中のチャージアップ電圧を非常に低く
（例えば５Ｖ程度以下に）抑える必要がある。そうしな
いと、このチャージアップによって絶縁破壊が生じて、
トランジスタの歩留まり低下や信頼性低下が起こる。
面に形成するトランジスタ（ＦＥＴ）のサイズが微細化
（例えば一辺が０．１８μｍ程度）しており、かつその
ゲート酸化膜の膜厚が極薄化（例えば５ｎｍ程度）して
いるので、処理中のチャージアップ電圧を非常に低く
（例えば５Ｖ程度以下に）抑える必要がある。そうしな
いと、このチャージアップによって絶縁破壊が生じて、
トランジスタの歩留まり低下や信頼性低下が起こる。
【００１４】ところが、上記従来のプラズマ源２では、
プラズマ室容器４内において電子サイクロトロン共鳴用
の磁界Ｂを、プラズマ放出孔８からのプラズマ放出方向
２２に沿って発生させており、プラズマ室容器４内のプ
ラズマ２０中の電子は電子サイクロトロン共鳴によって
この磁界Ｂに沿って加速され、この電子の加速方向にプ
ラズマ放出孔８が存在するため、高速（即ち高エネルギ
ー）の電子がプラズマ放出孔８から放出され、これがイ
オンビーム３４に供給され、ひいてはターゲット３６に
到達してターゲット３６のチャージアップ電圧が高くな
るという課題がある。
プラズマ室容器４内において電子サイクロトロン共鳴用
の磁界Ｂを、プラズマ放出孔８からのプラズマ放出方向
２２に沿って発生させており、プラズマ室容器４内のプ
ラズマ２０中の電子は電子サイクロトロン共鳴によって
この磁界Ｂに沿って加速され、この電子の加速方向にプ
ラズマ放出孔８が存在するため、高速（即ち高エネルギ
ー）の電子がプラズマ放出孔８から放出され、これがイ
オンビーム３４に供給され、ひいてはターゲット３６に
到達してターゲット３６のチャージアップ電圧が高くな
るという課題がある。
【００１５】例えば、詳細は図４を参照して後述するけ
れども、従来のプラズマ源２から放出されるプラズマ２
０中の電子のエネルギーは、数ｅＶ〜１００ｅＶ程度に
まで広く分布している。従って、ターゲット３６のチャ
ージアップ電圧は、最大で１００Ｖ近くにまで上昇し得
ることになる。
れども、従来のプラズマ源２から放出されるプラズマ２
０中の電子のエネルギーは、数ｅＶ〜１００ｅＶ程度に
まで広く分布している。従って、ターゲット３６のチャ
ージアップ電圧は、最大で１００Ｖ近くにまで上昇し得
ることになる。
【００１６】そこでこの発明は、放出プラズマ中に高エ
ネルギー電子が含まれることを防止することを主たる目
的とする。
ネルギー電子が含まれることを防止することを主たる目
的とする。
【００１７】この発明のプラズマ源は、前記電子サイク
ロトロン共鳴を起こさせる磁界を、前記プラズマ室容器
内において、前記プラズマ放出孔からのプラズマ放出方
向に交差する方向に発生させる磁界発生手段を備えるこ
とを特徴としている。
ロトロン共鳴を起こさせる磁界を、前記プラズマ室容器
内において、前記プラズマ放出孔からのプラズマ放出方
向に交差する方向に発生させる磁界発生手段を備えるこ
とを特徴としている。
【００１８】上記構成によれば、プラズマ室容器内にお
いて電子サイクロトロン共鳴によって加速される電子
は、プラズマ放出方向に交差する方向の磁界に沿って運
動するので、プラズマ室容器の内壁部に衝突して消滅す
ることになる。従って、プラズマ放出孔から放出される
電子は、当該プラズマ放出孔付近に拡散したプラズマ中
の低速の電子のみになる。その結果、放出プラズマ中に
高エネルギー電子が含まれることを防止することができ
る。
いて電子サイクロトロン共鳴によって加速される電子
は、プラズマ放出方向に交差する方向の磁界に沿って運
動するので、プラズマ室容器の内壁部に衝突して消滅す
ることになる。従って、プラズマ放出孔から放出される
電子は、当該プラズマ放出孔付近に拡散したプラズマ中
の低速の電子のみになる。その結果、放出プラズマ中に
高エネルギー電子が含まれることを防止することができ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るプラズマ
源をイオンビーム照射装置に取り付けた例を示す縦断面
図である。図２は、図１の線Ａ−Ａに沿う拡大横断面図
である。図６に示した従来例と同一または相当する部分
には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相
違点を主に説明する。
源をイオンビーム照射装置に取り付けた例を示す縦断面
図である。図２は、図１の線Ａ−Ａに沿う拡大横断面図
である。図６に示した従来例と同一または相当する部分
には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相
違点を主に説明する。
【００２０】このプラズマ源２ａは、従来のプラズマ源
２と同様にＥＣＲ型のものであり、前述した磁界発生手
段の一例として、前記プラズマ室容器４内において、前
記プラズマ放出孔８からのプラズマ放出方向２２に交差
（例えば直交またはほぼ直交）する方向に、前記電子サ
イクロトロン共鳴を起こさせる磁界Ｂを発生させる電磁
石４０を備えている。
２と同様にＥＣＲ型のものであり、前述した磁界発生手
段の一例として、前記プラズマ室容器４内において、前
記プラズマ放出孔８からのプラズマ放出方向２２に交差
（例えば直交またはほぼ直交）する方向に、前記電子サ
イクロトロン共鳴を起こさせる磁界Ｂを発生させる電磁
石４０を備えている。
【００２１】前記アンテナ１４は、この例ではプラズマ
放出方向２２に平行に配置されているので、上記磁界Ｂ
は、換言すれば、アンテナ１４に交差（例えば直交また
はほぼ直交）する方向に発生させられる。
放出方向２２に平行に配置されているので、上記磁界Ｂ
は、換言すれば、アンテナ１４に交差（例えば直交また
はほぼ直交）する方向に発生させられる。
【００２２】プラズマ室容器４内における上記磁界Ｂの
強さは、前述したように、例えば、マイクロ波１５の周
波数が２．４５ＧＨｚの場合、約８７．５ｍＴ（８７５
ガウス）である。磁界Ｂの向きは、図示例とは逆方向で
も良い（図３の例の場合も同様）。
強さは、前述したように、例えば、マイクロ波１５の周
波数が２．４５ＧＨｚの場合、約８７．５ｍＴ（８７５
ガウス）である。磁界Ｂの向きは、図示例とは逆方向で
も良い（図３の例の場合も同様）。
【００２３】電磁石４０は、この例では、プラズマ室容
器４を挟んで横方向に相対向する一対の磁極４２と、各
磁極４２にそれぞれ巻かれたコイル４６と、両磁極４２
間を接続するヨーク４４とを備えている。両コイル４６
は、図示しない直流電源によって駆動（励磁）される。
器４を挟んで横方向に相対向する一対の磁極４２と、各
磁極４２にそれぞれ巻かれたコイル４６と、両磁極４２
間を接続するヨーク４４とを備えている。両コイル４６
は、図示しない直流電源によって駆動（励磁）される。
【００２４】このプラズマ源２ａによれば、プラズマ室
容器４内で生成されるプラズマ２０中の電子は、電子サ
イクロトロン共鳴によって加速されるけれども、当該電
子は、プラズマ放出方向２２に交差する方向の磁界Ｂに
沿って運動するので、プラズマ室容器４の内壁（または
当該内壁を覆うカバー２４）に衝突して消滅することに
なる。従って、プラズマ放出孔８から放出される電子
は、当該プラズマ放出孔８付近に拡散したプラズマ２０
中の低速の電子のみになる。その結果、このプラズマ源
２ａから放出するプラズマ２０中に高エネルギー電子が
含まれることを防止することができる。
容器４内で生成されるプラズマ２０中の電子は、電子サ
イクロトロン共鳴によって加速されるけれども、当該電
子は、プラズマ放出方向２２に交差する方向の磁界Ｂに
沿って運動するので、プラズマ室容器４の内壁（または
当該内壁を覆うカバー２４）に衝突して消滅することに
なる。従って、プラズマ放出孔８から放出される電子
は、当該プラズマ放出孔８付近に拡散したプラズマ２０
中の低速の電子のみになる。その結果、このプラズマ源
２ａから放出するプラズマ２０中に高エネルギー電子が
含まれることを防止することができる。
【００２５】従って、このプラズマ源２ａを、この例の
ようにイオンビーム３４の中性化に（換言すればイオン
ビーム中性化装置として）用いた場合に、ターゲット３
６の負のチャージアップ電圧を小さく抑えることができ
る。これによって例えば、ターゲットウェーハの表面に
形成するトランジスタの歩留まり向上および信頼性向上
等を図ることができる。
ようにイオンビーム３４の中性化に（換言すればイオン
ビーム中性化装置として）用いた場合に、ターゲット３
６の負のチャージアップ電圧を小さく抑えることができ
る。これによって例えば、ターゲットウェーハの表面に
形成するトランジスタの歩留まり向上および信頼性向上
等を図ることができる。
【００２６】上記のような磁界Ｂを発生させる磁界発生
手段は、永久磁石で構成しても良い。そのようにした例
を図３に示す。この例では、プラズマ室容器４を挟んで
横方向に相対向する一対の永久磁石５０を備えており、
これによって上記のような磁界Ｂを発生させるようにし
ている。
手段は、永久磁石で構成しても良い。そのようにした例
を図３に示す。この例では、プラズマ室容器４を挟んで
横方向に相対向する一対の永久磁石５０を備えており、
これによって上記のような磁界Ｂを発生させるようにし
ている。
【００２７】なお、上記前面板６は、鉄、磁性ステンレ
ス鋼等の磁性体で形成するのが好ましい。そのようにす
れば、上記電磁石４０または永久磁石５０からの漏れ磁
界がプラズマ放出孔８の外側へ広がるのを前面板６によ
って抑制することができるので、プラズマ放出孔８から
放出されるプラズマ２０中の電子が上記漏れ磁界によっ
て曲げられたり、漏れ磁界に捕捉されたりすることを防
止することができ、電子の引出し効率が向上する。この
効果は、プラズマ放出孔８から放出される電子のエネル
ギーが低エネルギーの場合により顕著になる。
ス鋼等の磁性体で形成するのが好ましい。そのようにす
れば、上記電磁石４０または永久磁石５０からの漏れ磁
界がプラズマ放出孔８の外側へ広がるのを前面板６によ
って抑制することができるので、プラズマ放出孔８から
放出されるプラズマ２０中の電子が上記漏れ磁界によっ
て曲げられたり、漏れ磁界に捕捉されたりすることを防
止することができ、電子の引出し効率が向上する。この
効果は、プラズマ放出孔８から放出される電子のエネル
ギーが低エネルギーの場合により顕著になる。
【００２８】プラズマ室容器４の内壁およびアンテナ１
４を覆う上記カバー２４、２６は、例えばアルミナ、窒
化ホウ素等の不純物放出の少ないセラミックス、または
重金属汚染の問題のないシリコンまたはカーボン等で形
成するのが好ましい。
４を覆う上記カバー２４、２６は、例えばアルミナ、窒
化ホウ素等の不純物放出の少ないセラミックス、または
重金属汚染の問題のないシリコンまたはカーボン等で形
成するのが好ましい。
【００２９】しかし、前面板６の内壁を含めたプラズマ
室容器４の内壁の全てを絶縁物で覆うと、電子が流れな
くなって電子の放出が困難になるので、これを防止する
ためには、プラズマ室容器４の内壁のカバーの少なくと
も一部を、導電性材料で形成するのが好ましい。図１の
例では、プラズマ放出孔８付近を覆うカバー２７を、シ
リコンまたはカーボン等の導電性材料で形成している。
室容器４の内壁の全てを絶縁物で覆うと、電子が流れな
くなって電子の放出が困難になるので、これを防止する
ためには、プラズマ室容器４の内壁のカバーの少なくと
も一部を、導電性材料で形成するのが好ましい。図１の
例では、プラズマ放出孔８付近を覆うカバー２７を、シ
リコンまたはカーボン等の導電性材料で形成している。
【００３０】プラズマ室容器４内へマイクロ波１５を導
入するマイクロ波導入手段は、アンテナ１４以外のも
の、例えばマイクロ波１５の導波管および導入窓で構成
しても良い。
入するマイクロ波導入手段は、アンテナ１４以外のも
の、例えばマイクロ波１５の導波管および導入窓で構成
しても良い。
【００３１】
【実施例】下記の実験条件で、図６に示した従来のプラ
ズマ源２から放出したプラズマ２０中の電子のエネルギ
ー分布の測定結果の一例を図４に示し、図１に示したこ
の発明に係るプラズマ源２ａから放出したプラズマ２０
中の電子のエネルギー分布の測定結果の一例を図５に示
す。測定は、静電型のエネルギー分析器で行った。
ズマ源２から放出したプラズマ２０中の電子のエネルギ
ー分布の測定結果の一例を図４に示し、図１に示したこ
の発明に係るプラズマ源２ａから放出したプラズマ２０
中の電子のエネルギー分布の測定結果の一例を図５に示
す。測定は、静電型のエネルギー分析器で行った。
【００３２】 導入ガス：キセノン、０．２ｃｃｍ 投入マイクロ波電力：１００Ｗ 引出し電圧：３０Ｖ
【００３３】図４に示すように、従来のプラズマ源２か
ら放出されたプラズマ２０中の電子のエネルギーは、数
ｅＶ〜１００ｅＶ程度にまで広く分布しており、高エネ
ルギーの電子が多量に放出されていることが分かる。
ら放出されたプラズマ２０中の電子のエネルギーは、数
ｅＶ〜１００ｅＶ程度にまで広く分布しており、高エネ
ルギーの電子が多量に放出されていることが分かる。
【００３４】これに対して、図５に示すように、図１の
プラズマ源２ａから放出されたプラズマ２０中の電子
は、その殆ど全てが５ｅＶ前後のエネルギーのものであ
り、高エネルギー電子がプラズマ２０中に含まれるのを
防止することができていることが分かる。
プラズマ源２ａから放出されたプラズマ２０中の電子
は、その殆ど全てが５ｅＶ前後のエネルギーのものであ
り、高エネルギー電子がプラズマ２０中に含まれるのを
防止することができていることが分かる。
【００３５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、プラズ
マ放出孔からのプラズマ放出方向に交差する方向に磁界
を発生させる磁界発生手段を備えているので、プラズマ
放出孔から放出される電子は、当該プラズマ放出孔付近
に拡散したプラズマ中の低速の電子のみになり、従って
放出プラズマ中に高エネルギー電子が含まれることを防
止することができる。
マ放出孔からのプラズマ放出方向に交差する方向に磁界
を発生させる磁界発生手段を備えているので、プラズマ
放出孔から放出される電子は、当該プラズマ放出孔付近
に拡散したプラズマ中の低速の電子のみになり、従って
放出プラズマ中に高エネルギー電子が含まれることを防
止することができる。
【図１】この発明に係るプラズマ源をイオンビーム照射
装置に取り付けた例を示す縦断面図である。
装置に取り付けた例を示す縦断面図である。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿う拡大横断面図である。
【図３】磁界発生手段に永久磁石を用いた例を示す横断
面図であり、図２の例に対応している。
面図であり、図２の例に対応している。
【図４】図６に示す従来のプラズマ源から放出されたプ
ラズマ中の電子のエネルギー分布の測定結果の一例を示
す図である。
ラズマ中の電子のエネルギー分布の測定結果の一例を示
す図である。
【図５】図１のプラズマ源から放出されたプラズマ中の
電子のエネルギー分布の測定結果の一例を示す図であ
る。
電子のエネルギー分布の測定結果の一例を示す図であ
る。
【図６】従来のプラズマ源をイオンビーム照射装置に取
り付けた例を示す縦断面図である。
り付けた例を示す縦断面図である。
２ａ プラズマ源 ４ プラズマ室容器 ８ プラズマ放出孔 １４ アンテナ １５ マイクロ波 ２０ プラズマ ２２ プラズマ放出方向 ４０ 電磁石（磁界発生手段） ５０ 永久磁石（磁界発生手段） Ｂ 磁界
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波が導入されるプラズマ室容器
内において電子サイクロトロン共鳴を利用してプラズマ
を生成し、このプラズマをプラズマ室容器の前面部に設
けたプラズマ放出孔から放出させる構成のプラズマ源に
おいて、前記電子サイクロトロン共鳴を起こさせる磁界
を、前記プラズマ室容器内において、前記プラズマ放出
孔からのプラズマ放出方向に交差する方向に発生させる
磁界発生手段を備えることを特徴とするプラズマ源。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02502499A JP3608416B2 (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | プラズマ源 |
| US09/495,455 US6297594B1 (en) | 1999-02-02 | 2000-02-01 | Plasma source ion implanting apparatus using the same |
| TW089101713A TW463533B (en) | 1999-02-02 | 2000-02-01 | Plasma source for ion implanting apparatus |
| KR1020000004798A KR100582787B1 (ko) | 1999-02-02 | 2000-02-01 | 플라즈마 원 및 이것을 이용한 이온주입장치 |
| CNB001045334A CN1191741C (zh) | 1999-02-02 | 2000-02-02 | 等离子体源及使用该等离子体源的离子注入装置 |
| GB0002297A GB2348738B (en) | 1999-02-02 | 2000-02-02 | Plasma source and ion implanting apparatus using the same |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02502499A JP3608416B2 (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | プラズマ源 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223299A true JP2000223299A (ja) | 2000-08-11 |
| JP3608416B2 JP3608416B2 (ja) | 2005-01-12 |
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ID=12154356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02502499A Expired - Lifetime JP3608416B2 (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | プラズマ源 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3608416B2 (ja) |
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| CN (1) | CN1191741C (ja) |
| GB (1) | GB2348738B (ja) |
| TW (1) | TW463533B (ja) |
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| KR100454457B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-10-28 | 닛신덴키 가부시키 가이샤 | 이온빔 조사장치 및 이 장치용 플라즈마 점화방법 |
| KR100497192B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2005-06-28 | 동부아남반도체 주식회사 | 이온주입장비의 플라즈마 플러드 건 |
| US7455030B2 (en) | 2007-03-06 | 2008-11-25 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Plasma generating apparatus |
| JP2010123467A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | プラズマ発生装置 |
| JP2012069509A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-04-05 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | プラズマ発生装置 |
| JP2014532978A (ja) * | 2011-11-09 | 2014-12-08 | イー／ジー エレクトログラフ インコーポレーテッドＥ／Ｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｇｒａｐｈ Ｉｎｃ． | イオンビーム処理のための磁場低減装置及び磁気プラズマ供給システム |
| JPWO2015114992A1 (ja) * | 2014-01-30 | 2017-03-23 | ノベリオンシステムズ株式会社 | プラズマ発生装置 |
| WO2019103083A1 (ja) * | 2017-11-24 | 2019-05-31 | 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 | マイクロ波プラズマ源 |
| KR20210093090A (ko) * | 2020-01-17 | 2021-07-27 | 심승술 | Ecr 플라즈마 발생기 및 이를 포함하는 중성입자 생성장치 |
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| US6414329B1 (en) | 2000-07-25 | 2002-07-02 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and system for microwave excitation of plasma in an ion beam guide |
| US6545419B2 (en) * | 2001-03-07 | 2003-04-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Double chamber ion implantation system |
| JP2003173757A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビーム照射装置 |
| KR20030057178A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 마이크로웨이브를 이용한 이온중성화 장치 |
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| WO2011025143A2 (ko) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | 한국기초과학지원연구원 | 플라즈마 발생용 마이크로웨이브 안테나 |
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| RU2578192C2 (ru) * | 2014-10-06 | 2016-03-27 | Геннадий Леонидович Багич | Способ излучения энергии и устройство для его осуществления (плазменный излучатель) |
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| RU2639140C2 (ru) * | 2016-06-14 | 2017-12-20 | Геннадий Леонидович Багич | Плазмотрон, излучатель и способ изготовления излучателя |
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1999
- 1999-02-02 JP JP02502499A patent/JP3608416B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-02-01 KR KR1020000004798A patent/KR100582787B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 2000-02-02 GB GB0002297A patent/GB2348738B/en not_active Expired - Fee Related
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