KR20010014462A - 플라즈마 원 및 이것을 이용한 이온주입장치 - Google Patents

플라즈마 원 및 이것을 이용한 이온주입장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20010014462A
KR20010014462A KR1020000004798A KR20000004798A KR20010014462A KR 20010014462 A KR20010014462 A KR 20010014462A KR 1020000004798 A KR1020000004798 A KR 1020000004798A KR 20000004798 A KR20000004798 A KR 20000004798A KR 20010014462 A KR20010014462 A KR 20010014462A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
magnetic field
plasma source
source
electrons
Prior art date
Application number
KR1020000004798A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100582787B1 (ko
Inventor
사카이시게키
타카하시마사토
Original Assignee
가와하라 하지메
닛신덴키 가부시키 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가와하라 하지메, 닛신덴키 가부시키 가이샤 filed Critical 가와하라 하지메
Publication of KR20010014462A publication Critical patent/KR20010014462A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100582787B1 publication Critical patent/KR100582787B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32678—Electron cyclotron resonance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

본 발명의 플라즈마 원(2a)에 따르면 전자 싸이크로트론 공명을 야기하는 자계B를 플라즈마실용기(4) 내에서 플라즈마 방출공(8)으로부터의 플라즈마 방출방향(22)과 직교하는 방향으로 발생시키는 전자석(40)(자계발생수단)을 구비한다.
이에 따라 방출플라즈마 속에 높은 에너지전자가 포함되는 것을 방지할 수 있다.

Description

플라즈마 원 및 이것을 이용한 이온주입장치{PLASMA SOURCE AND ION IMPLANTATION APPARATUS HAVING IT}
본 발명은 예를들면 타겟에 이온빔을 조사하는 이온빔 조사장치(예를들면 이온주입장치)에 있어서, 이온빔에 플라즈마를 공급하여 이 플라즈마 속의 전자에 의해 이온빔의 중성화를 도모하여 타겟의 대전을 방지하는 것 등에 이용되는 플라즈마 원에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 방출 플라즈마 속에 높은 에너지 전자가 포함되는 것을 방지하는 수단에 관한 것이다.
종래, 예를들면, 반도체 웨이퍼와 같은 타겟에 이온빔을 조사하여 이온주입 등의 처리를 행하는 경우에, 이온빔의 플러스 전하에 의해 타겟이 플러스로 대전(차지-업 :charge-up)하는 문제가 발생한다.
이 대전의 문제를 해결하기 위해 예를들면 특개평5-234562호 공보 및 특개평5-47338호 공보에 기재된 바와같이 타겟 부근에 플라즈마 원을 설치하고, 이온빔에 플라즈마를 공급하여 이 플라즈마 속의 전자에 의해 이온빔의 중성화를 도모하여 타겟의 대전을 방지하는 기술이 제안되어 있다. 이와같은 목적으로 사용되는 플라즈마원을 이온빔 중성화장치라고도 칭한다.
이것에 대해 도면을 참조하여 설명하자면, 도 6에 종래 플라즈마 원을 이온빔 조사장치에 부착한 것을 예로 들 수 있다.
이 장치는 진공용기(32) 내에서, 홀더(38)에 유지되는 타겟(36)에 이온빔(34)을 조사하고, 이 타겟(36)에 이온주입, 이온빔 에칭 등의 처리를 시행하도록 구성되어 있다. 타겟(36)으로는 예를들면 반도체 웨이퍼, 그 밖의 기판 등을 예로 들 수 있다.
타겟(36) 부근의 진공용기(32)의 측벽부에 개구부(33)를 설치하고, 그 외측 부근에 절연물(30)을 통해서 플라즈마 원(2)을 부착하고 있다.
이 플라즈마 원(2)은 ECR(전자 싸이클로트론 공명)형으로서, 플라즈마(20)를 생성하기 위한 금속제의 플라즈마실용기(4)와, 이 플라즈마실용기(4) 내에 예를들면 아르곤, 크세논 등의 플라즈마 생성용 가스(12)를 도입하는 가스도입관(10)(가스도입수단)과, 플라즈마실용기(4) 내에 예를들면 2.45GHz 주파수의 마이크로파(15)를 도입하는 금속제의 안테나(14)(마이크로파 도입수단)와, 플라즈마실용기(4) 내에 전자싸이크로트론 공명을 야기하는 강한(예를들면 마이크로파 15가 2.45GHz인 경우 약 87.5mT) 자계B를 플라즈마 방출방향(22)을 따라 발생하는 자기코일(18)을 구비하고 있다. 여기서 부호 "16"은 코넥터를 나타낸다.
플라즈마실용기(4)와 진공용기(32) 사이에는 진공용기(32) 속으로 플라즈마를 인출시키는 것을 용이하게 하기 위해 이 예와같이 직류의 인출전원(28)으로부터 진공용기(32) 측을 플러스 극으로 하여 직류전압(인출전압)을 인가할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
플라즈마실용기(4)의 앞면부는 이 예에서는 플라즈마 방출공(8)을 갖는 앞면판(6)으로 구성되고, 플라즈마실용기(4) 내에서 마이크로파방전 및 전자싸이크론공명에 의해 효율성 높게 생성된 플라즈마(20)는 이 플라즈마방출공(8)으로부터 진공용기(32) 내로 방출되고, 이온빔(34)에 공급된다(이것을 플라즈마 브릿지라고도 칭한다). 이에따라 플라즈마(20) 속의 전자에 의해 이온빔(34)의 중성화를 도모하고, 이온빔 조사에 따른 타겟(36)의 플러스 대전을 억제할 수 있다.
또, 이 플라즈마 원(2)에서는 플라즈마(20)의 생성에 마이크로 파(15)를 이용하고, 필라멘트를 이용하지 않으므로 필라멘트 구성물질이 플라즈마방출공(8)으로부터 방출되어 타겟(36)을 오염하는 것을 방지할 수 있다.
또, 이 플라즈마원(2)에는 특개평9-245997호 공보 기재의 기술과 같이 플라즈마실용기(4) 내벽 및 안테타(14)를 절열물제의 커버(24)(26)로 덮혀 있으므로 금속제의 플라즈마실용기(4), 그 앞면판(6) 및 안테나(14)가 플라즈마(20)에 의해 스패터되고, 금속스패터입자가 플라즈마방출공(8)으로부터 방출되어 타겟트(36)를 오염하는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같은 플라즈마 원(2)으로부터 방출되는 플라즈마(20) 속에 포함되는 전자 에너지가 높으면 이 높은 에너지의 전자가 타겟(36)에 도달하고, 이 전자 에너지에 상당하는 전압까지 타겟(36)이 마이너스로 대전(차지-업)할 가능성이 있다. 이 타겟(36)의 마이너스 대전 문제는 간과할 수 없는 사항이다.
예를들어 최근에는 타겟 웨이퍼의 표면에 형성되는 트랜지스터(FET)의 치수가 미세화(예를들면 한변이 0.18㎛정도)되고, 또, 타겟 산화막의 막두께가 극단적으로 얇게되므로(예를들면 약 5nm 정도), 처리중의 차지-업 전압을 아주 낮게(예를들면 5V정도 이하로) 억제할 필요가 있다. 그러지 않으면 이 차지-업에 의해 절연파괴가 발생하고, 트랜지스터의 원료-제품간 생산효율의 저하 또는 신뢰성 저하가 야기된다.
그렇지만 상기 종래 플라즈마 원(2)에서는 플라즈마실용기(4) 내에서 전자싸이크로트론 공명용 자계B를 플라즈마방출공(8)으로부터의 플라즈마 방출방향(22)을 따라 발생시키고, 플라즈마실용기(4) 내의 플라즈마(20) 속 전자는 전자싸이크로트론 공명에 의해 이 자계B를 따라 가속되며, 이 전자가속방향으로 플라즈마방출공(8)이 존재하므로 고속(즉, 높은 에너지) 전자가 플라즈마 방출공(8)으로부터 방출되고, 이 것이 이온빔(34)에 공급된다. 이 전자가 더욱 진행하면 타겟(36)에 도달하여 타겟(36)의 차지-업 전압이 높아지게 되는 문제가 있다.
상세한 것은 제4도를 참조하여 후술하겠지만, 예를들면, 종래 플라즈마 원(2)으로부터 방출되는 플라즈마(20) 속의 전자 에너지는 수 eV ∼ 100eV 정도 까지 확대 분포된다. 따라서, 타겟(36)의 차지-업 전압은 최대로 100V 정도로 상승할 수 있다.
따라서, 본 발명은 방출플라즈마 속에 높은 에너지전자가 포함되는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 원을 이온빔조사장치에 부착한 예를 나타내는 종단면도.
도 2는 도 1의 선A-A를 따른 확대 횡단면도.
도 3은 자계발생수단에 영구자석을 이용한 예를 나타내는 횡단면도로서, 도 2의 예에 대응하는 도면.
도 4는 도 6에 나타낸 종래 플라즈마 원으로부터 방출된 플라즈마 속의 전자 에너지 분포의 측정결과를 일예로 나타내는 도면.
도 5는 도 1의 플라즈마 원으로부터 방출된 플라즈마 속의 전자 에너지 분포의 측정결과의 일예를 나타내는 도면.
도 6은 종래 플라즈마 원을 이온빔 조사장치에 부착한 예를 나타내는 종단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
2a : 플라즈마 원 4 : 플라즈마실용기
8 : 플라즈마 방출공 14 : 안테나
15 : 마이크로파 20 : 플라즈마
22 : 플라즈마 방출방향 40 : 전자석(자계발생수단)
50 : 영구자석(자계발생수단) B : 자계
본 발명의 플라즈마 원은 상기 전자 싸이크로트론 공명을 야기시키는 자계를 상기 플라즈마실용기 내에서 상기 플라즈마 방출공으로부터의 플라즈마 방출방향과 교차하는 방향으로 발생시키는 자계발생수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면 플라즈마실용기 내에 있어서 전자 싸이크로트론 공명에 의해 가속되는 전자는 플라즈마 방출방향으로 교차하는 방향의 자계에 따라 운동하므로 플라즈마실용기의 내벽부에 충돌하여 소멸하게 된다. 따라서 플라즈마방출공으로부터 방출되는 전자는 이 플라즈마방출공 부근으로 확산된 플라즈마 속의 저속전자만으로 된다. 그 결과 방출플라즈마 속에 높은 에너지전자가 포함되는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 원을 이온빔 조사장치에 부착한 예를 나타내는 종단면도이다. 도 2는 도 1의 선A-A를 따른 확대단면도이다. 도 6에 나타낸 종래예와 동일 또는 그에 상당하는 부분에는 동일부호를 병기하고 이하에 있어서는 종래예와의 상이점에 대해서만 주로 설명한다.
플라즈마 원(2a)은 종래 플라즈마 원(2)과 같이 ECR형이며, 상기 자계발생수단의 일예로서, 상기 플라즈마실용기(4) 내에 있어서, 상기 플라즈마방출공(8)으로부터의 플라즈마방출방향(22)과 교차(예를들면, 직교 또는 대략 직교)하는 방향으로 상기 전자 싸이크로트론 공명을 야기시키는 자계B를 발생시키는 전자석(40)을 구비한다.
상기 안테나(14)는 본 예에서는 플라즈마방출방향(22)과 평행하게 배치되어 있으므로 상기 자계B는 환언하면 안테나(14)에 교차(예를들면 교차 또는 대략 교차)하는 방향으로 발생한다.
플라즈마실용기(4) 내에 있어서의 상기 자계B의 강도는 전술한 바와같이 예를들면 마이크로파(15)의 주파수가 2.45GHz의 경우, 약 87.5mT(875가우스)이다. 자계B의 방향은 도시한 예와는 역방향이여도 좋다(도 3의 예의 경우도 동일).
전자석(40)은 본 예에서는 플라즈마실용기(4)를 사이에두고 횡방향으로 대향하는 한쌍의 자극(42)과, 각 자극(42)에 각각 감긴 코일(46)과, 양자극(42) 사이를 접속하는 요크(44)를 구비한다. 양코일(46)은 도시하지 않은 직류전원에 의해 구동(여자)된다.
이 플라즈마 원(2a)에 의하면 플라즈마실용기(4) 내에서 생성되는 플라즈마(20) 속의 전자는 전자 싸이크로트론 공명에 의해 가속되지만, 이 전자는 플라즈마방출방향(22)과 교차하는 방향의 자계B를 따라서 운동하므로, 플라즈마실용기(4) 내의 내벽(또는 이 내벽을 덮는 커버24)에 출동하여 소멸하게 된다. 따라서, 플라즈마방출공(8)으로부터 방출되는 전자는 이 플라즈마방출공(8) 부근에 확산된 플라즈마(20) 속의 가속 전자만으로 된다. 그 결과, 이 플라즈마 원(2a)으로부터 방출되는 플라즈마(20) 속에 높은 에너지전자가 포함되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 이 플라즈마 원(2a)을 본 예와같이 이온빔(34)의 중성화로(환언하면 이온빔 중성화장치로서)이용한 경우에, 타겟(36)의 마이너스 차지-업 전압을 낮게 억제할 수 있다. 이것에 의하면 타겟 웨이퍼의 표면에 형성되는 트랜지스터의 원료-제품간 생산성 향상 및 신뢰성향상을 도모할 수 있다.
상기한 자계B 를 발생시키는 자계발생수단은 영구자석으로 구성될 수도 있다. 이와같은 예를 도 3에 도시하였다. 이 예에서는 플라즈마실용기(4)를 사이에두고, 횡방향으로 대향하는 한쌍의 영구자석(50)을 구비하고, 이것에 의해 상기와 같은 자계B를 발생시키게 된다.
또, 상기 앞면판(6)은 철, 자성 스텐레스강 등의 자성체로 형성되는 것이 바람직하다. 이와같이 하면 상기 전자석(40) 또는 영구자석(50)으로부터의 누설자계가 플라즈마 방출공(8)의 외측으로 확대대되는 것을 앞면판(6)에 의해 억제할 수 있으므로 플라즈마방출공(8)으로부터 방출되는 플라즈마(20) 속의 전자가 상기 누설자계에 의해 굴곡되고, 누설자계에 포착되는 것을 방지할 수 있어 전자 인출효율이 향상된다. 이 효과는 플라즈마 방출공(8)으로부터 방출되는 전자 에너지가 낮은 에너지의 경우 현저하게 된다.
플라즈마실용기(4)의 내벽 및 안테나(14)를 덮는 상기 커버(24)(26)는 예를들면 알루미나, 질화붕소 등의 불순물방출이 작은 세라막스, 또는 중금속오염 문제가 없는 실리콘, 또는 카본 등으로 형성하는 것이 바람직하다.
그러나, 앞면판(6)의 내벽을 포함하는 플라즈마실용기(4) 내벽 전체를 절연물로 피복하면 전자가 흐르지 않게되어 전자방출이 곤란하게 되므로 이것을 방지하기 위해서는 플라즈마실용기(4)의 내벽 커버 중에서 최소한 일부를 도전성재료로 형성하는 것이 바람직하다. 도 1의 예에서는 플라즈마 방출공(8) 부근을 덮는 커버(27)를 실리콘 또는 카본 등의 도전성재료로 형성하고 있다.
플라즈마실용기(4) 내로 마이크로파(15)를 도입하는 마이크로파 도입수단은 안테나(14) 이외에도 예를들면 마이크로파(15)의 도파관 및 도입창으로 구성할 수도 있다.
(실예)
하기 실험조건 하에서 도 6에 나타낸 종래 플라즈마 원(2)으로부터 방출된 플라즈마(20) 속의 전자 에너지 분포의 측정결과의 일예를 도 4에 나타내고, 도 1에 나타낸 본 발명에 관한 플라즈마 원(2a)으로부터 방출된 플라즈마(20) 속의 전자 에너지분포의 측정결과의 일예를 도 5에 나타낸다. 측정은 정전형 에너지 분석기로 행하였다.
도입가스 : 크세논, 0.2ccm
투입 마이크로파 전력 : 100W
인출전압 : 30V
도 4에 나타낸 바와같이, 종래 플라즈마 원(2)으로부터 방출된 플라즈마(20) 속의 전자 에너지는 수 eV ∼ 1000eV 정도 까지 확대 분포되고, 높은 에너지 전자가 다량으로 방출되는 것을 알 수 있다.
이에 대하여 도 5에 나타낸 바와같이, 도 1의 플라즈마 원(2a)으로부터 방출된 플라즈마(20) 속의 전자는 그 대부분이 5eV 전후의 에너지이고, 높은 에너지전자가 플라즈마(20) 속에 포함되는 것을 방지할 수 있음을 알 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 플라즈마 방출공으로부터의 플라즈마 방출방향과 교차하는 방향으로 자계를 발생시키는 자계발생수단을 구비하므로, 플라즈마방출공으로부터 방출되는 전자는 이 플라즈마 방출공 부근으로 확산된 플라즈마 속의 저속 전자만으로 되고, 따라서, 방출플라즈마 속에 높은 에너지 전자가 포함되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (7)

  1. 마이크로파가 도입되는 플라즈마실용기 내에 있어서 전자 싸이크로트론 공명을 이용하여 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마를 플라즈마실용기의 앞면부에 설치한 플라즈마 방출공으로부터 방출되는 구성의 플라즈마원에 있어서, 상기 전자싸이크로트론 공명을 야기하는 자계를 상기 플라즈마실용기에서 상기 플라즈마방출공으로부터의 플라즈마방출방향과 교차하는 방향으로 발생시키는 자계발생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원.
  2. 제1항에 있어서,
    플라즈마방출공으로부터의 플라즈마방출방향은 직교하는 방향으로 자계가 발생되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원.
  3. 제1항에 있어서,
    자계발생수단은 전자석인 것을 특징으로 하는 플라즈마 원.
  4. 제1항에 있어서,
    자계발생수단은 영구자석인 것을 특징으로 하는 플라즈마 원.
  5. 제1항에 있어서,
    플라즈마실용기 내벽의 커버 중 최소한 일부는 도전성부재로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 원.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    마이크로파 방사용의 안테나가 절연물로 커버되는 것을 특징으로 하는 플마즈마 원.
  7. 제1항 내지 제6항의 플라즈마 원에 의해 이온빔의 중성화를 행하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
KR1020000004798A 1999-02-02 2000-02-01 플라즈마 원 및 이것을 이용한 이온주입장치 KR100582787B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02502499A JP3608416B2 (ja) 1999-02-02 1999-02-02 プラズマ源
JP99-25024 1999-02-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010014462A true KR20010014462A (ko) 2001-02-26
KR100582787B1 KR100582787B1 (ko) 2006-05-24

Family

ID=12154356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000004798A KR100582787B1 (ko) 1999-02-02 2000-02-01 플라즈마 원 및 이것을 이용한 이온주입장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6297594B1 (ko)
JP (1) JP3608416B2 (ko)
KR (1) KR100582787B1 (ko)
CN (1) CN1191741C (ko)
GB (1) GB2348738B (ko)
TW (1) TW463533B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030057178A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 동부전자 주식회사 마이크로웨이브를 이용한 이온중성화 장치

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6703628B2 (en) 2000-07-25 2004-03-09 Axceliss Technologies, Inc Method and system for ion beam containment in an ion beam guide
US6414329B1 (en) 2000-07-25 2002-07-02 Axcelis Technologies, Inc. Method and system for microwave excitation of plasma in an ion beam guide
US6545419B2 (en) * 2001-03-07 2003-04-08 Advanced Technology Materials, Inc. Double chamber ion implantation system
JP3758520B2 (ja) * 2001-04-26 2006-03-22 日新イオン機器株式会社 イオンビーム照射装置および関連の方法
JP2003173757A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Nissin Electric Co Ltd イオンビーム照射装置
US6837937B2 (en) * 2002-08-27 2005-01-04 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus
KR100497192B1 (ko) * 2002-12-05 2005-06-28 동부아남반도체 주식회사 이온주입장비의 플라즈마 플러드 건
US6891174B2 (en) * 2003-07-31 2005-05-10 Axcelis Technologies, Inc. Method and system for ion beam containment using photoelectrons in an ion beam guide
WO2005117059A1 (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電荷中和装置
US8179050B2 (en) * 2005-06-23 2012-05-15 The Regents Of The University Of California Helicon plasma source with permanent magnets
CN1845292B (zh) * 2006-04-30 2011-07-20 哈尔滨工业大学 磁场辅助的自辉光等离子体离子注入装置
DE102006037144B4 (de) * 2006-08-09 2010-05-20 Roth & Rau Ag ECR-Plasmaquelle
JP4001185B1 (ja) 2007-03-06 2007-10-31 日新イオン機器株式会社 プラズマ発生装置
JP4992885B2 (ja) * 2008-11-21 2012-08-08 日新イオン機器株式会社 プラズマ発生装置
KR20110020702A (ko) * 2009-08-24 2011-03-03 한국기초과학지원연구원 균일한 대면적 마이크로웨이브 플라즈마 발생원을 위한 영구자석 장착형 안테나
WO2011025143A2 (ko) * 2009-08-24 2011-03-03 한국기초과학지원연구원 플라즈마 발생용 마이크로웨이브 안테나
KR101307111B1 (ko) * 2010-08-24 2013-09-11 닛신 이온기기 가부시기가이샤 플라즈마 발생 장치
WO2013071110A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-16 E/G Electrograph Inc. Magnetic field reduction apparatus and magnetic plasma flood system for ion beam processing
RU2548005C2 (ru) * 2013-06-27 2015-04-10 Открытое акционерное общество "НИИЭФА им. Д.В. Ефремова" (ОАО "НИИЭФА") Плазменный источник проникающего излучения
WO2015114992A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 ノベリオン システムズ株式会社 プラズマ発生装置
RU2578192C2 (ru) * 2014-10-06 2016-03-27 Геннадий Леонидович Багич Способ излучения энергии и устройство для его осуществления (плазменный излучатель)
CN106816353B (zh) * 2015-12-02 2018-08-31 中国科学院深圳先进技术研究院 等离子体源单元、等离子体源装置及其应用
RU2639140C2 (ru) * 2016-06-14 2017-12-20 Геннадий Леонидович Багич Плазмотрон, излучатель и способ изготовления излучателя
US10163609B2 (en) * 2016-12-15 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Plasma generation for ion implanter
JP6570144B2 (ja) 2017-11-24 2019-09-04 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 マイクロ波プラズマ源
US11037765B2 (en) * 2018-07-03 2021-06-15 Tokyo Electron Limited Resonant structure for electron cyclotron resonant (ECR) plasma ionization
RU2686099C1 (ru) * 2018-07-30 2019-04-24 Акционерное общество "Концерн воздушно-космической обороны "Алмаз - Антей" Способ генерации проникающего излучения
CN109681399A (zh) * 2018-12-12 2019-04-26 上海航天控制技术研究所 一种小直径高效微波ecr中和器
KR102318915B1 (ko) * 2020-01-17 2021-10-28 심승술 Ecr 플라즈마 발생기 및 이를 포함하는 중성입자 생성장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4727293A (en) * 1984-08-16 1988-02-23 Board Of Trustees Operating Michigan State University Plasma generating apparatus using magnets and method
US4788473A (en) * 1986-06-20 1988-11-29 Fujitsu Limited Plasma generating device with stepped waveguide transition
JP2587924B2 (ja) 1986-10-11 1997-03-05 日本電信電話株式会社 薄膜形成装置
JP2631650B2 (ja) * 1986-12-05 1997-07-16 アネルバ株式会社 真空装置
US4911814A (en) * 1988-02-08 1990-03-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Thin film forming apparatus and ion source utilizing sputtering with microwave plasma
US5107170A (en) * 1988-10-18 1992-04-21 Nissin Electric Co., Ltd. Ion source having auxillary ion chamber
JP2881881B2 (ja) * 1989-12-22 1999-04-12 日新電機株式会社 電子シャワー
ES2078735T3 (es) * 1991-05-21 1995-12-16 Materials Research Corp Modulo de grabado suave mediante util de agrupacion y generador de plasma ecr para el mismo.
JPH0547338A (ja) 1991-08-16 1993-02-26 Nissin Electric Co Ltd イオンビーム中性化装置
JPH05234562A (ja) * 1992-02-21 1993-09-10 Hitachi Ltd イオンビーム中性化装置
JP3054302B2 (ja) 1992-12-02 2000-06-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム
TW249313B (ko) * 1993-03-06 1995-06-11 Tokyo Electron Co
US5430355A (en) * 1993-07-30 1995-07-04 Texas Instruments Incorporated RF induction plasma source for plasma processing
US5545257A (en) 1994-06-13 1996-08-13 Electro-Graph, Inc. Magnetic filter apparatus and method for generating cold plasma in semicoductor processing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030057178A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 동부전자 주식회사 마이크로웨이브를 이용한 이온중성화 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6297594B1 (en) 2001-10-02
JP2000223299A (ja) 2000-08-11
GB0002297D0 (en) 2000-03-22
GB2348738B (en) 2003-10-15
TW463533B (en) 2001-11-11
GB2348738A (en) 2000-10-11
JP3608416B2 (ja) 2005-01-12
CN1269692A (zh) 2000-10-11
KR100582787B1 (ko) 2006-05-24
CN1191741C (zh) 2005-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100582787B1 (ko) 플라즈마 원 및 이것을 이용한 이온주입장치
US6861643B2 (en) Neutral particle beam processing apparatus
EP0286132B1 (en) Plasma generating apparatus
US4657619A (en) Diverter magnet arrangement for plasma processing system
EP0115119A2 (en) Shaped field magnetron electrode
US6819053B2 (en) Hall effect ion source at high current density
US8840844B2 (en) Plasma generating apparatus
SE521904C2 (sv) Anordning för hybridplasmabehandling
EP0476900B1 (en) Microwave-powered plasma-generating apparatus and method
KR910005733B1 (ko) 플라즈마 처리방법 및 장치
US20120187842A1 (en) Microwave plasma electron flood
JP4042817B2 (ja) 中性粒子ビーム処理装置
JP4073173B2 (ja) 中性粒子ビーム処理装置
US20090166555A1 (en) RF electron source for ionizing gas clusters
US20140338835A1 (en) Electron beam plasma source with reduced metal contamination
CN108231514B (zh) 离子植入机以及将离子植入半导体衬底中的方法
JP3045619B2 (ja) プラズマ発生装置
KR101977702B1 (ko) 이온 소스 헤드 및 이를 포함하는 이온 주입 장치
JPH10163173A (ja) 半導体処理装置
JPH04304630A (ja) マイクロ波プラズマ生成装置
JPH0831443B2 (ja) プラズマ処理装置
JPS6292322A (ja) ドライエツチング装置
JPS63318127A (ja) プラズマプロセス装置
JPS6364247A (ja) プラズマ装置
JPH062132A (ja) マグネトロン放電処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120423

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130502

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee