CN110234195A - 谐振腔式ecr等离子体源装置以及方法 - Google Patents

谐振腔式ecr等离子体源装置以及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110234195A
CN110234195A CN201910649890.1A CN201910649890A CN110234195A CN 110234195 A CN110234195 A CN 110234195A CN 201910649890 A CN201910649890 A CN 201910649890A CN 110234195 A CN110234195 A CN 110234195A
Authority
CN
China
Prior art keywords
antenna
resonator cavity
vacuum
seal closure
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910649890.1A
Other languages
English (en)
Inventor
刘宇
张仲恺
雷久侯
曹金祥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Science and Technology of China USTC
Original Assignee
University of Science and Technology of China USTC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Science and Technology of China USTC filed Critical University of Science and Technology of China USTC
Priority to CN201910649890.1A priority Critical patent/CN110234195A/zh
Publication of CN110234195A publication Critical patent/CN110234195A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461—Microwave discharges
    • H05H1/463—Microwave discharges using antennas or applicators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明公开了一种谐振腔式ECR等离子体源装置以及方法，本发明技术方案在真空谐振腔内设置以天线密封罩，将辐射微波的天线置于该天线密封罩内，可以避免放电天线对所述真空谐振腔内ECR等离子体污染。可以通过所述ECR控制元件调节电子回旋共振所需磁场大小，进一步增加电子密度。本发明技术方案所述装置具有结构简单、电磁波‑等离子体能量耦合效率高的优点，可以产生电子密度高达1012cm‑3量级的等离子体。

Description

谐振腔式ECR等离子体源装置以及方法
技术领域
本发明涉及等离子体源产生技术领域，更具体的说，涉及一种谐振腔式ECR(电子回旋共振)等离子体源装置以及方法。
背景技术
电子回旋共振(ECR)等离子体是低气压低温放电领域的一个重要技术。ECR等离子体源使用微波能量激励气体放电，具有工作寿命长、性能稳定、无电极、耐腐蚀和能在真空下工作等优点，所以ECR等离子体源被广泛应用于多个方面，例如加速器中的大电流离子源，半导体制造中的离子注入、离子束溅射沉积等工艺，和新概念空间电推进引擎技术等。现有的ECR等离子体源装置位型有很多种，例如典型的高长宽比和低长宽比ECR等离子体源中，微波由波导管传输，透过玻璃窗在线圈磁场的作用下于共振区产生等离子体，或使用微波传输天线输送微波能量，结合永磁体磁场产生电子回旋共振区域。
微波谐振腔可用于等离子体产生，原理是在微波谐振腔内通过电磁场的谐振作用产生强电磁场，激发气体放电产生等离子体，但受制于等离子体振荡频率和谐振腔制作工艺，产生的等离子体电子密度到达109cm-3量级时，对应2.45GHz频率的微波在非磁化的等离子体边界发生截止现象，能量不能进入到等离子体，从而使一般的微波谐振腔等离子体源电子密度较低，很难达到工业应用所需的高密度要求。
发明人研究发现，结合微波谐振腔和ECR放电技术的等离子体源既可以使用谐振腔增强电磁波的能量耦合效率，又可以利用ECR原理使电子回旋共振吸收微波能量，从而结合两种放电方式的优势，在小空间和较低的微波功耗条件下产生高密度的等离子体。
发明内容
本申请的目的是提供一种谐振腔式ECR等离子体源装置以及方法，包括如下技术方案：
一种谐振腔式ECR等离子体源装置，包括：
真空谐振腔，用于使得设定频率的微波产生谐振；
置于所述真空谐振腔内的天线密封罩，所述天线密封罩具有连接外部大气的天线开口；
通过所述开天线口置于所述天线密封罩中的天线，所述天线用于通过所述密封天线罩向所述真空谐振腔辐射所述微波；
置于所述真空谐振腔外部的ECR控制元件，用于在所述真空谐振腔内产生电子回旋共振所需磁场，以在所述真空谐振腔内产生ECR等离子体。
优选的，在上述装置中，所述真空谐振腔包括：圆筒本体，所述圆筒本体的底端密封，其顶端设置有谐振增强环。
优选的，在上述装置中，所述ECR控制元件为磁场线圈，由多匝线圈绕制，用于连接直流稳流电源。
优选的，在上述装置中，所述磁场线圈为漆包线绕制的电磁线圈。
优选的，在上述装置中，所述天线密封罩为石英玻璃罩。
优选的，在上述装置中，所述天线为棒状天线，其一端通过所述天线开口置于所述天线密封罩中，另一端连接微波源产生电路；
所述棒状天线内部具有水冷结构。
优选的，在上述装置中，所述圆筒本体的侧壁具有冷却水循环的通道，所述圆筒本体的侧壁外侧具有连接冷却水管的进水接口以及出水接口。
优选的，在上述装置中，所述圆筒本体的侧壁还具有快速连接法兰，用于连接真空泵组以及测量真空气压的真空规管。
优选的，在上述装置中，所述圆筒本体的侧壁还具有CF法兰，用于安装等离子体测量装置。
本发明还提供了一种ECR等离子体产生方法，采用上述任一项所述的装置产生ECR等离子体。
通过上述描述可知，本发明技术方案提供的一种谐振腔式ECR等离子体源装置以及方法中，在真空谐振腔内设置以天线密封罩，将辐射微波的天线置于该天线密封罩内，可以避免放电天线对所述真空谐振腔内ECR等离子体污染。可以通过所述ECR控制元件调节电子回旋共振所需磁场大小，进一步增加电子密度。本发明技术方案所述装置具有结构简单、电磁波-等离子体能量耦合效率高的优点，可以产生电子密度高达1012cm-3量级的等离子体。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种谐振腔式ECR等离子体源装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种天线密封罩的结构示意图；
图3a为磁场线圈电流为9A时高斯计测量真空谐振腔内轴向强度的分布图；
图3b为磁场线圈电流为9A时高斯计测量真空谐振腔内径向强度的分布图；
图3c为磁场线圈电流为9A时高斯计测量真空谐振腔内总磁感应强度的分布图；
图4a为真空谐振腔中心位置的电子密度随放电功率和气压变化的示意图；
图4b为真空谐振腔中心位置的电子温度随放电功率和气压变化的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图1，图1为本发明实施例提供的一种谐振腔式ECR等离子体源装置的结构示意图，该装置包括：真空谐振腔10，用于使得设定频率的微波产生谐振；置于所述真空谐振腔内10的天线密封罩4，所述天线密封罩4具有连接外部大气的天线开口；通过所述开天线口置于所述天线密封罩4中的天线5，所述天线5用于通过所述密封天线罩4向所述真空谐振腔10辐射所述微波；置于所述真空谐振腔10外部的ECR控制元件7，用于在所述真空谐振腔10内产生电子回旋共振所需磁场，以在所述真空谐振腔内产生ECR等离子体。
所述真空谐振腔10包括：圆筒本体，所述圆筒本体的底端密封，其顶端设置有谐振增强环2。所述谐振腔10作为ECR等离子体的产生容器，需要真空密封，采用低磁导率的不锈钢材料制备，以避免噪声磁场干扰。故所述圆筒本体为不锈钢圆筒，且真空密封。可以设置谐振增强环2的外径等于真空谐振腔10的内径，以便于直接固定在所述真空谐振腔的内壁。所述谐振增强环2的内外径差为22mm，即谐振增强环2的宽度为22mm，可以有效提高真空谐振腔10内微波能量耦合效率。
所述真空谐振腔10的内径满足谐振条件，以使得所述微波在所述真空谐振腔10内产生谐振，增加所述微波耦合能量。故使用所述真空谐振腔在设定频率的微波源下产生等离子体时，可以产生谐振作用有效增加微波能量耦合。
设置所述真空谐振腔10的内径(所述圆筒本体的内径)为所述微波波长的N倍，N为大于的正整数，如N可以为2，以便于使得所述真空谐振腔10的直径为所述微波波长的N倍或近似N倍，使得所述微波产生谐振，如采用频率为2.45GHZ，可以设置所述真空谐振腔10的内径为245mm。所述真空谐振腔10的直径为所述微波波长的近似N倍表示：所述真空谐振腔10的直径与N倍所述微波波长的差值不超过设定阈值，以满足谐振条件，该设定阈值可以根据实际谐振设置，如该阈值不超过微波波长的5％。可以设置所述真空谐振腔10的轴向高度(所述圆筒本体的高度)为150mm，该高度可以基于需求设定，不局限于1500mm。
可选的，所述圆筒本体的侧壁具有冷却水循环的通道，所述圆筒本体的侧壁外侧具有连接冷却水管的进水接口1以及出水接口。也就是说，所述真空谐振腔10的侧壁为夹层结构，可以通入冷却水对内壁进行冷却，冷却水在夹层中内循环，从而保证等离子体源能够进行稳态等离子体放电。图1中仅是示出了进水接口，未示出出水接口。
可选的，所述圆筒本体的侧壁还具有快速连接法兰3，所述快速连接法兰3用于连接真空泵组以及测量真空气压的真空规管。
所述圆筒本体的侧壁还具有CF法兰6，所述CF法兰6用于安装等离子体测量装置。
所述ECR控制元件7为磁场线圈，由多匝线圈绕制，用于连接直流稳流电源，采用直流稳流电源供电，电流小于10A即可以在真空谐振腔10内产生ECR等离子体所需的875Gs磁场区域。可选的，所述磁场线圈为漆包线绕制的电磁线圈。
所述天线密封罩4为石英玻璃罩。所述天线密封罩4采用石英玻璃制作，可以长时间经受等离子体烘烤。所述天线密封罩4将天线5和真空谐振腔10的真空环境隔离，将真空谐振腔10内的等离子体与天线密封罩4内的天线5隔离，在避免带电天线污染真空谐振腔10内等离子体的同时，还可以对所述天线5后端连接微波器件起到保护作用。
所述天线5为棒状天线，其一端通过所述天线开口置于所述天线密封罩4中，另一端连接微波源产生电路；所述棒状天线内部具有水冷结构，如可以为水冷结构。微波源产生电路产生的微波能量转换到所述天线5后，经过所述天线5发射到所述真空谐振腔10内部，天线5处于大气环境中，不予等离子体接触，天线本身有内部冷却结构冷却，降低微波能量传输时产生的热负载。棒状天线结构简单，而且内部具有冷却结构，产生电磁场的模式简单，使得等离子体分布均匀。
本发明实施例中，所述天线密封罩4的结构如图2所示，图2为本发明实施例提供的一种天线密封罩的结构示意图，图2中左图为所述天线密封罩4具有天线开口的一端的俯视图，图2中右图为左图在A-A’的切面图。所示天线密封罩4为圆筒结构，其一端密封，另一端具有开口以便于放置天线5。所述天线密封罩4安装在所述真空谐振腔10的顶部，与顶部密封部件对所述真空谐振腔10密封真空，谐振增强环2贴合在顶部密封部件内表面。所述天线密封罩4的天线开口连通大气环境，故所述天线密封罩4内为大气环境，其外壁置于真空谐振腔10内，处于真空环境。
针对现有微波谐振腔等离子体密度低、和ECR等离子体装置结构复杂，本发明实施例提供了一种新型谐振腔式ECR等离子体源装置，该装置具有一个磁场大小可调节的磁场线圈作为ECT控制元件7，以产生电子回旋共振所需磁场进一步增加电子密度，同时设计天线密封罩4密封放电天线5，从而避免放电天线4对所述真空谐振腔10中等离子体源造成污染。所述装置结构简单，电磁波-等离子体能量耦合效率高，可以产生电子密度高达1012cm-3量级的等离子体。
通过上述描述可知，本发明实施例所述装置采用内径为245mm的真空谐振腔10增强电磁波耦合作用，该真空谐振腔10的内径为2.45GHz微波波长的2倍，在实现谐振作用的同时，尺寸较小，可以有效增加微波的谐振作用。在真空谐振腔10内增加一个一定宽度的谐振增强环2，可以提高真空谐振腔10内微波能量吸收效率。真空谐振腔10侧壁具有夹层结构，可以通入循环冷却水。
而且采用石英玻璃作为天线密封罩4，对真空谐振腔10顶部进行真空密封，将天线5放置于天线密封罩4内，与等离子体隔离，相比于传统的放电天线浸没在等离子体环境中的方案，本发明技术方案中天线密封罩4可以使得放电天线5不带电荷，保护微波天线5以及后端电路，同时避免天线杂质进入等离子体中污染等离子体环境。
采用漆包线绕制的电磁线圈作为ECR控制元件7。传统的使用永磁体的ECR等离子体源磁场梯度极大，造成等离子体内磁场分布不均匀，而通电线圈可产生相对均匀的磁场。此外，传统的中空铝管绕制的磁场线圈匝数较少、体积较大，并且需要使用大电流电源供电，电流通常为百安培量级，使得供电电源成本高昂。而本发明技术方案中，磁场线圈使用的多匝漆包线在电压为120伏特、电流为9A的低功耗情况下即可在真空谐振腔10的中心区域产生超过900Gs的磁场，在真空谐振腔10内产生电子回旋共振区域。如图3所示，图3给出了当磁场线圈电流为9A时，高斯计测量真空谐振腔内轴向、径向和总磁感应强度的分布图，图3包括图3a、图3b和图3c，图3a为磁场线圈电流为9A时高斯计测量真空谐振腔内轴向强度的分布图，图3b为磁场线圈电流为9A时高斯计测量真空谐振腔内径向强度的分布图，图3c为磁场线圈电流为9A时高斯计测量真空谐振腔内总磁感应强度的分布图，可见，当线圈电流达到9A及以上时，在真空谐振腔10内靠近微波天线位置有区域磁感应强度达到875Gs，达到电子回旋共振条件。
通过实验数据可得谐振腔式ECR等离子体源可在真空谐振腔内部产生满足ECR条件强度的磁场，如图4所示，图4展示了使用朗缪尔探针测量的真空谐振腔内中心位置的等离子体电子密度和电子温度，可以真空谐振腔中心产生了电子密度普遍在1012cm-3量级的等离子体，说明了该装置可以在一定放电条件下达到高密度等离子体源的设计要求。图4包括图4a和图4b，图4a为真空谐振腔中心位置的电子密度随放电功率和气压变化的示意图，图4b为真空谐振腔中心位置的电子温度随放电功率和气压变化的示意图，在低气压放电时电子密度达到1012cm-3量级，电子温度约为0.8-3.5电子伏特(eV)。
基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种ECR等离子体源产生方法，该方法采用上述实施例所述的装置产生ECR等离子体。本发明实施例所述方法，采用上述实施例所述装置，可以产生电子密度高达1012cm-3量级的等离子体，实现方式简单，成本低。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的方法而言，由于其与实施例公开的装置相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见装置部分说明即可。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (7)

1.一种谐振腔式ECR等离子体源装置，其特征在于，包括：
真空谐振腔，用于使得设定频率的微波产生谐振；
置于所述真空谐振腔内的天线密封罩，所述天线密封罩具有连接外部大气的天线开口；
通过所述开天线口置于所述天线密封罩中的天线，所述天线用于通过所述密封天线罩向所述真空谐振腔辐射所述微波；
置于所述真空谐振腔外部的ECR控制元件，用于在所述真空谐振腔内产生电子回旋共振所需磁场，以在所述真空谐振腔内产生ECR等离子体。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述真空谐振腔包括：圆筒本体，所述圆筒本体的底端密封，其顶端设置有谐振增强环。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述ECR控制元件为磁场线圈，由多匝线圈绕制，用于连接直流稳流电源。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述磁场线圈为漆包线绕制的电磁线圈。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述天线密封罩为石英玻璃罩。
6.根据权利要求1-5任一项所述的装置，其特征在于，所述天线为棒状天线，其一端通过所述天线开口置于所述天线密封罩中，另一端连接微波源产生电路；
所述棒状天线内部具有水冷结构。
7.一种ECR等离子体产生方法，其特征在于，采用如权利要求1-6任一项所述的装置产生ECR等离子体。
CN201910649890.1A 2019-07-18 2019-07-18 谐振腔式ecr等离子体源装置以及方法 Pending CN110234195A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910649890.1A CN110234195A (zh) 2019-07-18 2019-07-18 谐振腔式ecr等离子体源装置以及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910649890.1A CN110234195A (zh) 2019-07-18 2019-07-18 谐振腔式ecr等离子体源装置以及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110234195A true CN110234195A (zh) 2019-09-13

Family

ID=67855882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910649890.1A Pending CN110234195A (zh) 2019-07-18 2019-07-18 谐振腔式ecr等离子体源装置以及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110234195A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022134656A1 (zh) * 2020-12-25 2022-06-30 上海光链电子科技有限公司 一种用于氢原子激射器的电离源装置及氢原子激射器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100230053A1 (en) * 2009-01-15 2010-09-16 Ryoji Nishio Plasma processing apparatus
US20120049738A1 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Plasma generator
CN103114278A (zh) * 2013-02-06 2013-05-22 上海君威新能源装备有限公司 平面磁控ecr-pecvd等离子源装置
CN107155256A (zh) * 2016-03-03 2017-09-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种表面波等离子体装置
CN107734826A (zh) * 2017-11-29 2018-02-23 中国人民解放军陆军工程大学 高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统
CN211792198U (zh) * 2019-07-18 2020-10-27 中国科学技术大学 谐振腔式ecr等离子体源装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100230053A1 (en) * 2009-01-15 2010-09-16 Ryoji Nishio Plasma processing apparatus
US20120049738A1 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Plasma generator
CN103114278A (zh) * 2013-02-06 2013-05-22 上海君威新能源装备有限公司 平面磁控ecr-pecvd等离子源装置
CN107155256A (zh) * 2016-03-03 2017-09-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种表面波等离子体装置
CN107734826A (zh) * 2017-11-29 2018-02-23 中国人民解放军陆军工程大学 高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统
CN211792198U (zh) * 2019-07-18 2020-10-27 中国科学技术大学 谐振腔式ecr等离子体源装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022134656A1 (zh) * 2020-12-25 2022-06-30 上海光链电子科技有限公司 一种用于氢原子激射器的电离源装置及氢原子激射器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6321681B1 (en) Method and apparatus to produce large inductive plasma for plasma processing
JPH088095A (ja) プラズマ処理用高周波誘導プラズマ源装置
JPH10125496A (ja) 透磁コアを有する誘導結合型−平面状プラズマの発生装置
CN105122951A (zh) 使用介质谐振器的等离子体发生器
KR100651905B1 (ko) 마그네트론
CN110337170B (zh) 一种基于电流驱动技术反场位形结构的高密度等离子体射流发生装置
WO2005095666A2 (en) Magnetically enhanced capacitive plasma source for ionized physical vapour deposition-ipvd
KR20140068962A (ko) 스퍼터링 박막 형성 장치
CN207993797U (zh) 一种射频感应耦合等离子体中和器
CN110234195A (zh) 谐振腔式ecr等离子体源装置以及方法
CN108811290A (zh) 等离子体产生装置和半导体设备
KR101358780B1 (ko) 히터가 설치된 유도 결합 플라즈마 소스를 구비한 플라즈마반응기
KR102149316B1 (ko) 마그네트론 및 그를 가지는 고주파 가열기기
CN211792198U (zh) 谐振腔式ecr等离子体源装置
JP5475506B2 (ja) スパッタリング薄膜形成装置
CN102054646B (zh) 一种八腔小功率磁控管及其设计步骤
CN1988105A (zh) 磁控管
JP6283797B2 (ja) プラズマ発生装置
JP3925153B2 (ja) マグネトロン
TWI584343B (zh) Plasma processing device
CN201898112U (zh) 一种八腔小功率磁控管
KR101384583B1 (ko) 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마반응기
JP2009272127A (ja) プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
KR102384274B1 (ko) 냉각구조를 개선한 플라즈마 반응기
KR102584240B1 (ko) 집속 유도 결합 플라즈마용 페라이트 쉴드를 포함하는 플라즈마 발생장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination