CN207993797U - 一种射频感应耦合等离子体中和器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本实用新型包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、无电极污染、引出电子束洁净、寿命长、工作稳定、束流强度及能量易控等优点。
Description
技术领域
本实用新型属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。
背景技术
中和器是产生电子束的装置，它作为离子源、电推力器等系统的核心关键部件被广泛应用于现代薄膜材料制备、材料表面改性、超大规模集成电路、高精密大型光学元件微细加工、空间电推进系统和航天器主动电位控制等领域。中和器按工作方式可以分为浸没式热阴极中和器、外置式热阴极中和器和等离子体桥式中和器3类。浸没式热阴极中和器是将热阴极置于离子束内部如图1，当其加热到2200～2300℃以上温度时发射电子。在离子源工作期间，由于中和阴极温度很高并受到离子束的强烈溅射作用，阴极损耗很快，寿命很短，需要频繁更换，并且存在杂质污染问题。如果在反应气体气氛中使用阴极消耗更快，其应用范围受到了很大的限制。外置式阴极中和器是将阴极置于离子束外，利用中和器和离子束之间强的耦合电压将阴极发射的电子吸引到离子束中，从而中和离子束，主要由外置式热阴极中和器和外置式场致发射阴极中和器两种，如公开号CN1917131A公布了一种适用于离子束薄膜沉积和离子束材料表面改性领域的外置式阴极中和器如图2。该热阴极虽避免了离子束的直接溅射，但它受热阴极材料热蒸发限制，使用周期依然较短，并且强的耦合电压影响离子束的性能，同时热阴极对工作气氛较为敏感，限制了其在一些控制污染要求较高领域的应用如高洁净光学元件及半导体晶圆离子束加工领域等。外置式场致发射阴极中和器，它是在金属或半导体等表面施加高强度的电场、通过隧道效应使电子进入真空中。与热电子发射相比,场致发射的冷阴极具有功耗低、响应速度快等优点。它可获得电流密度高达107A/cm2以上的发射电流,而且发射没有时间上的延迟,缺点是当其暴露在10-8托以上的环境中时,离子溅射和表面腐蚀限制了场致发射阴极的寿命。等离子体桥中和器是利用空心阴极、射频等放电方式产生放电等离子体，在偏置电压的作用下放电产生的电子和部分离子向离子束输运，放电产生的部分离子为电子进入离子束起搭“桥”作用，以降低耦合电压，并允许中和器位置距离子束较远。目前常用的等离子体桥中和器是空心阴极中和器,如公开号CN195626410A公开了一种适用于空间电推进系统使用的空心阴极中和器、公开号CN103770953A公开了一种采用空心阴极进行航天器结构电位主动控制的装置和方法。空心阴极主要由阴极管、顶板、发射体、加热器和触持极等组成。其中，发射体中毒和加热器失效是制约空心阴极性能的关键因素。这是由于当发射体暴露于大气中，其表面会吸附氧气及水蒸气等杂质；当对发射体进行加热后，杂质与发射体反应，从而使发射体失效，发射电子能力降低或失去发射能力，同时空心阴极加热器的绝缘层涂覆-烧结工艺操作繁琐，人为因素影响大，加热丝再结晶现象严重，容易发生加热丝脆断现象。为了解决这些问题，公开号CN103762134A公开了一种空心阴极热屏蔽组件结构，公开号CN105006412A公开了一种空心阴极加热器的陶瓷组件结构，公开号 CN104780631A公开了一种空心阴极中和器加热装置等，经过多年的研究，虽然空心阴极寿命、性能等技术指标得到了大幅提升，但由于它工作时存在阴极温度高，消耗阴极，并且随着阴极消耗性能降低、对工作环境中的氧气含量较为敏感，污染较大，制造成本高等缺点限制了它的应用。射频等离子体中和器是近年来提出的一种新型中和器，根据放电方式不同，分为射频容性耦合等离子体中和器和射频感应耦合等离子体中和器。其中射频容性耦合等离子体中和器是利用射频电极之间的容性耦合放电产生等离子体，存在电极溅射、杂质污染等问题。射频感应耦合等离子体中和器是通过电磁感应耦合效应维持等离子体放电，无电极污染、等离子体密度高，可以在反应气体中长时间稳定工作，但存在放电起辉困难，放电腔溅射污染等问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有技术存在的上述缺陷，提供一种射频感应耦合等离子体中和器。
本实用新型的技术方案如下：
一种射频感应耦合等离子体中和器，包括：用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，所述等离子体放电腔为中空结构，其上端设有进气孔，下端设有电子束引出孔，等离子体放电腔安装在屏蔽外壳内部，屏蔽外壳内部中间位置固定安装有固定法兰,等离子体放电腔安装在固定法兰上；
等离子体放电腔上端设有气体入口，下端设有电子束引出口。屏蔽外壳上端设置有气体入口，位置和等离子体放电腔上端的气体入口位置对应，屏蔽外壳上端气体入口和等离子体放电腔上端进气孔之间设置有气路，屏蔽外壳上端气体入口和等离子体放电腔上端进气孔之间的部分的气路上装有高压绝缘气路装置；
圆柱形陶瓷等离子体放电腔外壁加工有螺旋形槽，用于安装射频耦合天线，同时也提高了射频耦合天线每匝间的绝缘强度。在等离子体放电腔外壁下端的环形槽处设置有引线管路，引线管路穿过固定法兰后再穿过屏蔽外壳，使得射频电源通过匹配网络与射频耦合天线相连；
阴极位于等离子体放电腔内部，在横切射频耦合天线卷绕方向上有一个窄缝，阴极窄缝处设有放电触发针；
等离子体放电腔内阴极和位于等离子体放电腔下端的阳极构成射频感应耦合等离子体中和器电子束的引出系统，阳极上开有引出孔，且该引出孔与等离子体放电腔下端引出孔对正，其中阳极和阴极之间通过阳极电源施加0-30V正偏压，阴极和地之间通过阴极电源施加0-70V负偏压。
一种射频感应耦合等离子体中和器，所述等离子体放电腔采用低介质损耗的绝缘介质构成，优选陶瓷。
一种射频感应耦合等离子体中和器，所述阴极呈筒形。
一种射频感应耦合等离子体中和器，所述阴极紧贴等离子体放电腔内壁。
一种射频感应耦合等离子体中和器，所述阴极窄缝处设置的放电触发针11，射频电源、匹配网络、射频耦合天线、等离子体放电腔、阴极和高压绝缘气路装置共同构成等离子体放电起辉维持系统。
一种射频感应耦合等离子体中和器，所述等离子体放电腔可以为中空长方体结构，也可以为中空圆柱体结构。
一种射频感应耦合等离子体中和器，所述屏蔽外壳和等离子体放电腔上设置有两组对应的气体入口，屏蔽外壳和等离子体放电腔之间设置的气路数量为两路。
一种射频感应耦合等离子体中和器，其特征在于所述阳极和等离子体放电腔下端开设有多组相互对应的引出孔。
本实用新型的有益效果在于：
相比于其它结构中和器，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、无电极污染、引出电子束洁净、寿命长、工作稳定、束流强度及能量易控等优点。并且，阴极窄缝处设有放电触发针，利用阴极和射频耦合天线之间的感应耦合效应在触发针之间产生强电场电离气体起辉，使射频感应耦合等离子体中和器起辉放电变得更加容易可靠。
附图说明
图1是现有的离子源及浸没式阴极中和器结构示意图；
图2是现有的离子源及外置式阴极中和器结构示意图；
图3是现有的离子源及空心阴极等离子体桥式中和器结构示意图；
图4是本实用新型所提供的一种射频感应耦合等离子体中和器具体实施方式1的结构示意图；
图5是从图1所示的射频感应耦合等离子体中和器发射的电子能量分布的测定结果一例的图；
图6是本实用新型所提供的一种射频感应耦合等离子体中和器具体实施方式2的结构示意图。
图中：1、等离子体放电腔；2、高压绝缘气路装置；3、阴极；4、射频耦合天线；5、匹配网络；6、射频电源；7、阳极；8、阳极电源；9、阴极电源； 10、屏蔽外壳；11、触发针；12、固定法兰。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。
如图4所示，一种射频感应耦合等离子体中和器，包括：用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔1、高压绝缘气路装置2、射频耦合天线4、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极3、屏蔽外壳10和用于从等离子体放电腔1中抽取电子束的阳极7。
所述等离子体放电腔1为中空圆柱形结构，采用低介质损耗的绝缘介质构成，其上端设有进气孔，下端设有电子束引出孔，等离子体放电腔1安装在屏蔽外壳10内部，屏蔽外壳10内部中间位置固定安装有固定法兰12,等离子体放电腔1安装在固定法兰12上；
等离子体放电腔1上端设有气体入口，下端设有电子束引出口。屏蔽外壳 10上端设置有气体入口，位置和等离子体放电腔上端的气体入口位置对应，屏蔽外壳10上端气体入口和等离子体放电腔1上端进气孔之间设置有气路，屏蔽外壳10上端气体入口和等离子体放电腔1上端进气孔之间的部分的气路上装有高压绝缘气路装置2；
圆柱形陶瓷等离子体放电腔1外壁加工有螺旋形槽，用于安装射频耦合天线4，同时也提高了射频耦合天线4每匝间的绝缘强度。在等离子体放电腔1外壁下端的环形槽处设置有引线管路，引线管路穿过固定法兰12后再穿过屏蔽外壳10，使得射频电源6通过匹配网络5与射频耦合天线4相连。
阴极3位于等离子体放电腔1内部，呈筒形，并在横切射频耦合天线4卷绕方向上有一个窄缝，阴极3窄缝处设有放电触发针11，阴极3紧贴等离子体放电腔1内壁。
等离子体放电腔1内阴极3和位于等离子体放电腔1下端的阳极构成射频感应耦合等离子体中和器电子束的引出系统。阳极7上开有引出孔，且该引出孔与等离子体放电腔1下端引出孔对正。其中阳极7和阴极3之间通过阳极电源8施加0-30V正偏压，阴极3和地之间通过阴极电源9施加0-70V负偏压。
为了利于射频感应耦合中和器起辉，阴极3窄缝处设有放电触发针11。射频电源6、匹配网络5、射频耦合天线4、等离子体放电腔1、阴极3和高压绝缘气路装置2共同构成等离子体放电起辉维持系统。利用阴极3和射频耦合天线4之间的感应耦合效应在触发针11之间产生强电场电离气体起辉。该结构使射频感应耦合等离子体中和器起辉放电变得更加容易可靠，起辉后射频天线和等离子体之间通过电磁感应耦合效应传递能量维持等离子体放电。
该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线4和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔1内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性。
工作过程为：当气体工质通过高压绝缘气路装置2进入放电腔，射频电源6 通过匹配箱5把射频能量送到射频天线4，利用法拉第电磁感应耦合效应在触发针11之间产生感应电场电离气体工质起辉放电，起辉后射频天线4通过电磁感应耦合效应维持等离子体放电，阴极通过直流电源9施加负偏压吸收离子，在阳极7上通过直流电源8施加正偏压引出电子束。
该射频电感耦合等离子体中和器射频功率范围在40-150W，频率13.56Mhz，电子束流强度50-2000mA。该中和器具有维护率低、结构简单、易拆卸维护、寿命长，引出电子束能量单一性好等特点如图5，并在惰性和氧化环境中均能实现可靠一致的操作。
实施例二
如图6所示，一种射频感应耦合等离子体中和器，其包括：用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔1、高压绝缘气路装置2、射频耦合天线4、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极3、屏蔽外壳10、用于从等离子体放电腔1 中抽取电子束的阳极7组成。
其等离子体放电腔1为中空长方体结构，采用低介质损耗的绝缘介质构成，其上端设有进气孔，下端设有电子束引出孔。等离子体放电腔1安装在屏蔽外壳10内部，且固定于屏蔽外壳10底端。等离子体放电腔上端设有气体入口，下端设有电子束引出口。屏蔽外壳10和等离子体放电腔1上端进气孔之间的气路上装有高压绝缘气路装置2，为了提高放电室内等离子体的均匀性，配置两路供气系统，且每路气体入口流量大小可以单独控制。射频耦合天线4缠绕于等离子体放电腔1侧壁外侧，并通过匹配网络5与射频电源6相连。
阴极3位于等离子体放电腔1内部，呈矩形，并在横切射频耦合天线4卷绕方向上有一个窄缝，阴极3紧贴等离子体放电腔1内壁。阴极3窄缝处设有放电触发针11。射频电源6、匹配网络5、射频耦合天线4、等离子体放电腔1、阴极3和高压绝缘气路装置2共同构成等离子体放电起辉维持系统。利用阴极3 和射频耦合天线4之间的感应耦合效应在触发针11之间产生强电场电离气体起辉。
等离子体放电腔1内阴极3和位于等离子体放电腔1下端的阳极构成射频感应耦合等离子体中和器电子束的引出系统。阳极7和等离子体放电腔1下开有多组相互对应的引出孔。其中阳极7和阴极3之间通过阳极电源8施加0-30V 正偏压，阴极3和地之间通过阴极电源9施加0-70V负偏压。
Claims (10)
1.一种射频感应耦合等离子体中和器，包括：用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔(1)、高压绝缘气路装置(2)、射频耦合天线(4)、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极(3)、屏蔽外壳(10)和用于从等离子体放电腔(1)中抽取电子束的阳极(7)，其特征在于：
所述等离子体放电腔(1)为中空结构，其上端设有进气孔，下端设有电子束引出孔，等离子体放电腔(1)安装在屏蔽外壳(10)内部，屏蔽外壳(10)内部中间位置固定安装有固定法兰(12),等离子体放电腔(1)安装在固定法兰(12)上；
等离子体放电腔(1)上端设有气体入口，下端设有电子束引出口，屏蔽外壳(10)上端设置有气体入口，位置和等离子体放电腔(1)上端的气体入口位置对应，屏蔽外壳(10)上端气体入口和等离子体放电腔(1)上端进气孔之间设置有气路，屏蔽外壳(10)上端气体入口和等离子体放电腔(1)上端进气孔之间的部分的气路上装有高压绝缘气路装置(2)；
圆柱形陶瓷等离子体放电腔(1)外壁加工有螺旋形槽，用于安装射频耦合天线(4)，同时也提高了射频耦合天线(4)每匝间的绝缘强度，在等离子体放电腔(1)外壁下端的环形槽处设置有引线管路，引线管路穿过固定法兰(12)后再穿过屏蔽外壳(10)，使得射频电源(6)通过匹配网络(5)与射频耦合天线(4)相连；
阴极(3)位于等离子体放电腔(1)内部，在横切射频耦合天线(4)卷绕方向上有一个窄缝，阴极(3)窄缝处设有放电触发针(11)；
等离子体放电腔(1)内阴极(3)和位于等离子体放电腔(1)下端的阳极构成射频感应耦合等离子体中和器电子束的引出系统，阳极(7)上开有引出孔，且该引出孔与等离子体放电腔(1)下端引出孔对正，其中阳极(7)和阴极(3)之间通过阳极电源(8)施加正偏压，阴极(3)和地之间通过阴极电源(9)施加负偏压。
2.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器，其特征在于：所述等离子体放电腔(1)采用低介质损耗的绝缘介质构成。
3.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器，其特征在于：所述阴极(3)呈筒形。
4.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器，其特征在于：所述阴极(3)紧贴等离子体放电腔(1)内壁。
5.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器，其特征在于：所述阴极(3)窄缝处设置的放电触发针(11)，射频电源(6)、匹配网络(5)、射频耦合天线(4)、等离子体放电腔(1)、阴极(3)和高压绝缘气路装置(2)共同构成等离子体放电起辉维持系统。
6.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器，其特征在于：所述等离子体放电腔(1)可以为中空长方体结构，也可以为中空圆柱体结构。
7.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器，其特征在于：所述屏蔽外壳(10)和等离子体放电腔(1)上设置有两组对应的气体入口，屏蔽外壳(10)和等离子体放电腔(1)之间设置的气路数量为两路。
8.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器，其特征在于：所述阳极(7)和等离子体放电腔(1)下端开设有多组相互对应的引出孔。
9.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器，其特征在于：阳极(7)和阴极(3)之间通过阳极电源(8)施加0-30V正偏压。
10.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器，其特征在于：阴极(3)和地之间通过阴极电源(9)施加0-70V负偏压。
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| CN201721863054.6U CN207993797U (zh) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 一种射频感应耦合等离子体中和器 |
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Cited By (3)
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| CN109979794A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 核工业西南物理研究院 | 一种射频感应耦合等离子体中和器 |
| CN110868790A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-03-06 | 成都理工大学工程技术学院 | 一种负氢离子引出装置 |
| WO2023124182A1 (zh) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | 中山市博顿光电科技有限公司 | 射频电离装置、射频中和器及其控制方法 |
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| WO2023124182A1 (zh) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | 中山市博顿光电科技有限公司 | 射频电离装置、射频中和器及其控制方法 |
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| GR01 | Patent grant | ||
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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| TR01 | Transfer of patent right |