CN107734826A - 高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，包括等离子体源体、微波系统和供气系统，微波系统包括微波电源系统和微波传输系统，微波电源系统通过微波传输系统将微波传输至等离子体源体的等离子体室内，供气系统包括气体储存系统和气体控制系统，等离子体源体产生的等离子体导入真空度为10^{‑ 4}Pa以下的真空室内，并通过微波同轴天线在等离子体室内击穿工作气体，形成等离子体，位于等离子体室内的环形永磁钢用于产生磁场，且在磁场强度为0.0875特斯拉处形成高密度的电子回旋共振等离子体，所形成的等离子体包含电子和离子通过等离子体调节板扩散至待处理工件环境，实现介质表面电荷的主动调节。

Description

高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统

技术领域

本发明属于等离子体与材料相作用科学研究领域，具体涉及一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统。

背景技术

航天器在轨运行期间，其表面受空间等离子体、高能电子、太阳辐射、空间带电尘埃等环境的影响，可能发生静电荷积累和泄漏的现象。这种充放电过程可能造成航天器材料的击穿、材料表面性能下降，使太阳电池、电子器件和光学敏感器性能下降或出现损伤；同时这种充放电过程产生的强电磁脉冲会严重干扰航天器内部仪器系统，产生异常、故障、失灵甚至导致航天器报废等，将严重影响重大空间任务的执行。因此，对航天器表面电位进行有效控制对于保障我国航天器在轨安全稳定运行具有非常重要的意义。

空间的恶劣环境复杂多变（如超低温、极低真空、高能电子离子辐照等），常规可用的地面除静电的方式（如加湿空气、电晕放电等）将无法使用。目前存在的介质表面电位控制方法主要分被动式控制和主动式控制两种，相比较前者主动式控制更为灵活有效和彻底。通常发射的荷电粒子束流主要有三种：电子束、离子束和等离子体束，其中电子束和离子束均为单一电性的粒子流。国际空间站（ISS）使用发射电子的空心阴极组件，通过其发射的电子束流为空间站与空间等离子体环境之间提供一种低阻抗通路，降低并控制空间站表面电位，这种空心等离子体源电子发射能力强，但离子较少，功耗较大，中和不彻底。欧空局提出了一种离子源主动控制方法，使用液态金属蒸发、离化并被加速极的电压加速喷出形成离子束，但这种离子源的结构较为复杂，且只能中和负电位，不能中和正电位，同时会带来不利的材料污染等。因为空间环境的恶劣多变以及飞行器位置时常发生变化，飞行器表面介质材料的电位幅值与极性可能随时间发生变化，如果飞行器表面向阳，且空间等离子体密度和能量很低时，飞行器表面可能带较低的正电位；而如果飞行器表面背阳，且空间等离子体的密度和能量高时，卫星表面可能带很高的负电位。因此使用低能的等离子体束将比电子束和离子束的电位主动控制方式更加的有效，将可以对介质表面的电位进行有效调控。俄罗斯和平号空间站使用一种脉冲等离子体源实现空间中介质表面电荷，具有结构简单、中和效率高、工作稳定等特点，但该脉冲等离子体源通过高温电弧烧蚀工质表面材料分解并离化产生等离子体，能耗高且消耗固材。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，在10^-4Pa以下的高真空环境下，将2.45GHz微波以TEM模式通过同轴波导馈入到位于真空室内的等离子源体，并通过微波同轴天线在等离子体室内击穿工作气体，形成等离子体，位于等离子体室内的环形永磁钢用于产生磁场，且在磁场强度为0.0875特斯拉处发生电子回旋共振使电子加速，从而使气体电离，形成高密度的电子回旋共振等离子体，所形成的等离子体包含电子和离子通过等离子体调节板扩散至待处理工件环境，实现介质表面电荷的主动调节。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，包括等离子体源体、微波系统、供气系统和真空系统，所述微波系统包括用于产生2.45GHz微波的微波发生器和微波传输系统，所述微波发生器由微波电源和磁控管构成；所述微波发生器其产生的微波通过微波传输系统传输至等离子体源体的等离子体室内；所述供气系统包括气体储存系统和用于控制进入等离子体室内气体的气压和流量的气体控制系统，所述气体储存系统的气体通过进气管通入等离子体源体的等离子体室，所述真空系统包括真空室，所述真空室内装有用于测试介质材料表面电位的电位计和待控制表面电位的介质材料及介质材料放置平台，真空室其真空度在10^-4Pa以下；所述等离子体源体其产生的等离子体导入真空室内，并作用于待控制表面电位的介质材料表面。

进一步地，所述等离子体源体包括进气管、同轴微波天线、环形永磁钢、磁钢固定套筒以及等离子体调节板，所述磁钢固定套筒为下端开放的筒状结构，微波同轴天线和进气管从磁钢固定套筒的封闭端插入其内腔，所述环形永磁钢固定安装在磁钢固定套筒内侧，且围绕在微波同轴天线外侧，所述等离体调节板固定安装在磁钢固定套筒的开放端，所述环形永磁钢、磁钢固定套筒、等离子体调节板与微波同轴天线构成等离子体室。

再进一步地，所述等离子体调节板上设置有至少一个用于调节等离子体发生室内的反应气体粒子束，以及调节漂移扩散出的等离子体参数，包括等离子体密度、等离子体温度以及等离子体电势的调节孔；所述调节孔呈圆形、三角形、菱形、正方形、五边形、六边形或其他多边形结构；所述等离子体调节板由铝、无磁不锈钢、铜、聚四氟乙烯板、塑料板或环氧板制成。

再进一步地，所述等离子体源体助于密封贯穿真空室的遥操作杆设于真空室内，等离子体源体借助于固定环和等离子体源体外壳安装在遥操作杆端部，所述等离子体源体外壳借助于固定环和遥操作杆连接，所述等离子源体安装在等离子体源体外壳下端，所述遥操作杆其背离等离子体源体的一侧端部与电位计固定安装。

进一步地，所述的电位计为非接触式静电电位计。

再进一步地，所述微波传输系统包括同轴波导、调配器、定向耦合器、空气负载、检波器、同轴电缆和同轴微波天线，所述微波同轴波导通过同轴插头与隔离器连接，隔离器通过同轴波导管与定向耦合器连接，检波器空气负载安装在定向耦合器上，定向耦合器通过同轴电缆与用于调节微波传输线路的阻抗匹配的三销钉调配器连接，三销钉调配器通过密封同轴连接端与真空室对接，三销钉调配器其输出端通过同轴电缆连接等离子体源体的微波同轴天线，并通过微波同轴天线在等离子体室内击穿工作气体形成等离子体，等离子体通过等离子体调节板漂移扩散至真空室，且作用于待控制表面电位的介质材料表面。

再进一步地，所述的同轴电缆为用于传输微波、实现大范围遥操作的柔性射频同轴电缆线。

进一步地，所述的气体储存系统其工作气体为惰性气体、活性气体或混合气体；所述的气体储存系统其工作气体通过压力容器携带或压缩机从外部空间压缩取得。

再进一步地，所述惰性气体为氦、氖、氩、氪、氙、氡中的一种，所述活性气体或混合气体为氮气、氧气、空气、氢气中的一种。

进一步地，所述的微波发生器为连续工作模式或脉冲工作模式；所述脉冲工作模式下其脉宽、占空比、工作持续时间可调。

再进一步地，所述的等离子体源体通过遥操作杆完成遥感操作，所述等离子体调节板距离样品放置平台的距离、角度可调。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：在10^-4Pa以下的高真空环境下，将2.45GHz微波以TEM模式通过同轴波导馈入到位于真空室内的等离子源体，并通过微波同轴天线在等离子体室内击穿工作气体，形成等离子体，位于等离子体室内的环形永磁钢用于产生磁场，且在磁场强度为0.0875特斯拉处发生电子回旋共振使电子加速，从而使气体电离，形成高密度的电子回旋共振等离子体，所形成的等离子体包含电子和离子通过等离子体调节板扩散至待处理工件环境，实现介质表面电荷的主动调节；另外一方面，等离子体源体利用环形永磁钢产生所需要磁场大小及位型，大大降低了等离子体源体的尺寸和重量，便于在限制重量的特殊环境使用；使用高柔韧性的射频同轴电缆将微波传输给等离子源体，等离子体源体安装在遥操作杆上，有效提高了等离子体源体的大空间尺度可操作性；本发明中所产生的等离子体可以在极低气压下稳定放电并工作；通过在等离子源体下端安装等离子体调节板，等离子体调节板上设置一个或者多个等离子体扩散孔，可以有效调节等离子体密度和等离子体电子温度等参数，进而有效调控钳位电压；本发明所使用的等离子体源体工作温度低，不存在熔融材料，无污染、寿命长。

附图说明

图1是本发明的结构框图。

图2是微波产生及传输系统的局部示意图。

图3是微波产生及传输系统的局部示意图。

图4是等离子体作用于样品台表面样品示意图。

图5微波ECR等离子体源体结构示意图。

图6微波ECR放电示意图。

图7环状永磁铁的磁场幅值及分布图。

图8永磁微波ECR等离子体密度仿真结果图。

图9饱和离子流及等离子体密度随微波电流变化图。

图10介质板表面正负电位消电时间演化仿真图。

在附图中：1、磁控管；2、第一段同轴波导；3、隔离器；4、第二段同轴波导；5、定向耦合器；6、检波器；9、密封同轴连接端；10、遥操作杆；11、空气负载；12、柔性同轴电缆线；13、三销钉调配器；14、橡胶管；15、真空室；16、电位计；17、固定环；18、等离子体源体外壳；19、等离子体源体；20、样品；21、进气管；22、微波同轴天线；24、环形永磁钢；25、磁钢固定套筒；27、等离子体室；28、等离子体调节板；29、调节孔。

具体实施方式

下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

参见附图1-3及附图5，本发明公开了一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，包括等离子体源体、微波系统、供气系统和真空系统，所述微波系统包括用于产生2.45GHz微波的微波发生器和微波传输系统，所述微波发生器由微波电源和磁控管构成；所述微波发生器其产生的微波通过微波传输系统传输至等离子体源体19的等离子体室27内；所述的微波发生器为连续工作模式或脉冲工作模式；所述脉冲工作模式下其脉宽、占空比、工作持续时间可调；所述供气系统包括气体储存系统和用于控制进入等离子体室27内气体的气压和流量的气体控制系统，所述气体储存系统的气体通过进气管21通入等离子体源体的等离子体室27，所述的气体储存系统其工作气体为惰性气体、活性气体或混合气体；所述的气体储存系统其工作气体通过压力容器携带或压缩机从外部空间压缩取得；所述惰性气体为氦、氖、氩、氪、氙、氡中的一种，所述活性气体或混合气体为氮气、氧气、空气、氢气中的一种；所述真空系统包括真空室15，所述真空室内装有用于测试介质材料表面电位的电位计16和待控制表面电位的介质材料20及介质材料放置平台，真空室其真空度在10^-4Pa以下；所述等离子体源体其产生的等离子体导入真空室15内，并作用于待控制表面电位的介质材料表面。

参见附图4-5，所述等离子体源体19包括进气管21、同轴微波天线22、环形永磁钢24、磁钢固定套筒25以及等离子体调节板28，所述磁钢固定套筒25为下端开放的筒状结构，微波同轴天线22和进气管21从磁钢固定套筒25的封闭端插入其内腔，所述环形永磁钢24固定安装在磁钢固定套筒25内侧，且围绕在微波同轴天线22外侧，所述等离体调节板28固定安装在磁钢固定套筒25的开放端，所述环形永磁钢24、磁钢固定套筒25、等离子体调节板28与微波同轴天线22构成等离子体室27；通过环形永磁铁的使用和紧凑的微波天线结构设计，所述及的等离子体源体19长4cm，直径约2.5cm，重量1kg，放电功耗20W~100W，等离子体源体19内的永磁钢尺寸小重量轻，结构可以是环形永磁钢，也可以是条形永磁钢组成的磁钢阵列，永磁钢的材质可以是耐高温铷铁硼（NdFeB）、钐钴（SmCo）、铝镍钴（AlNiCo）等。

参见附图4，所述等离子体源体19借助于密封贯穿真空室15的遥操作杆10设于真空室15内，等离子体源体19借助于固定环17和等离子体源体外壳18安装在遥操作杆10端部，所述等离子体源体外壳18借助于固定环17和遥操作杆10连接，所述等离子源体安装在等离子体源体外壳18下端，所述遥操作杆10其背离等离子体源体19的一侧端部与电位计16固定安装；等离子体源体外壳18用以固定等离子体源体19，并通过固定环17固定于遥操作杆10上，固定环17同时在等离子体源体19另外一侧固定电位计16，用以监测样品20表面电位，等离子体源体19在通入微波时产生等离子体扩散至样品20表面，通过等离子体中所包含的电子、离子与样品表面附着的正电荷、负电荷等发生中和反应，消除样品表面电荷量，降低其表面电位，其中，所述的电位计16为非接触式静电电位计。

参见附图5，所述等离子体调节板28上设置有至少一个用于调节等离子体发生室内的反应气体粒子束，以及调节漂移扩散出的等离子体参数，包括等离子体密度、等离子体温度以及等离子体电势的调节孔29；所述调节孔29呈圆形、三角形、菱形、正方形、五边形、六边形或其他多边形结构；所述等离子体调节板28由铝、无磁不锈钢、铜、聚四氟乙烯板、塑料板或环氧板制成。

参见附图1-2，所述微波电源系统包括微波电源和磁控管1，所述微波传输系统包括同轴波导、调配器、定向耦合器5、空气负载11、检波器6、同轴电缆12和同轴微波天线22，所述微波同轴波导通过同轴插头与隔离器3连接，隔离器3通过同轴波导管与定向耦合器5连接，检波器6空气负载11安装在定向耦合器5上，定向耦合器5通过同轴电缆12与用于调节微波传输线路的阻抗匹配的三销钉调配器13连接，三销钉调配器13通过密封同轴连接端9与真空室15对接，三销钉调配器13其输出端通过同轴电缆连接等离子体源体的微波同轴天线22，并通过微波同轴天线22在等离子体室27内击穿工作气体形成等离子体，等离子体通过等离子体调节板28漂移扩散至真空室，且作用于待控制表面电位的介质材料表面20。

具体的，与磁控管1相连接的第一段同轴波导2，同轴波导2通过同轴插头与隔离器3连接，隔离器3通过第二段同轴波导4连接，然后第二段同轴波导4与定向耦合器5连接，定向耦合器5上安装检波器6以实时检测正方向传输的微波功率，定向耦合器5上安装空气负载11以吸收反射微波，保护磁控管1不被反射微波击毁，定向耦合器5通过柔性同轴电缆12与三销钉调配器13连接，三销钉调配器13主要用于调节微波传输线路的阻抗以满足最大效率的输出，三销钉调配器13通过密封同轴连接端9与消电模拟系统的真空室15连接，密封同轴线连接端9主要用于将微波传输进入真空室同时保证真空室的真空度，真空室15本底真空至10^-4Pa以下，真空室15内的遥操作杆10用于固定等离子体源体外壳18并对其位置进行调整，遥操作杆10竖直部分通过磁流体密封以保证真空室15的真空度，同时允许遥操作杆10的旋转操作；等离子体源体19通过遥操作杆完成遥感操作，所述等离子体调节板28距离样品放置平台的距离、角度可调。

图6给出基于上述结构的等离子体放电示意图。

图7给出了上述结构述及的环状永磁体在空间产生的磁场大小与位型的模拟结果。图8给出了上述结构等离子体源体19产生的等离子体密度大小与分布模拟结果。

图9给出了使用单探针测量获得的饱和离子流和等离子体密度分析实验结果，气体流量及对应的工作气压分别为0.1sccm、0.15sccm、0.2sccm和2.6mPa、2.8mPa、3.0mPa，随微波电流从22mA增加至37mA，等离子体密度从10¹³m^-3增加至6×10¹³m^-3（取电子温度为1.25eV）。

图10给出了在介质样品表面附着电荷面密度分别为正负28.5μC/m²时介质板表面电位时间演化模拟结果，可以看出基于上述结构的微波ECR等离子体源可以有效、快速消除介质板表面的正负电荷，对介质板表面的正电荷（6500V）的消除时间约1毫秒，而对介质板表面的负电荷（负6500V）消除时间约0.25秒。

在具体应用过程中，本发明的工作原理是：

本发明所涉及的控制系统在工作时可分为两个过程，其一是放电过程，其二是消电过程；等离子体放电过程是通过使用微波电源对磁控管供电产生2.45GHz微波，该电磁波以TEM模式通过同轴波导（矩形波导管）馈入到等离子体室内，传输经过调配器（矩形波导三销钉或四销钉，同轴线三销钉等）和环行器、负载（水负载或空气负载）等；

调配器的主要作用是调节微波传输线路（包括传输线和微波天线等）的阻抗匹配以达到微波最佳输入的目的；环行器的主要作用是使电磁波单向传输，使反射部分的微波不会返回至环行器入口，而是传输至负载端口，负载端口所安装的负载（水负载或空气负载）则会将反射回来的电磁波全部吸收，进而保护了电磁波发生端；

电磁波在经过三销钉调配器、环行器、波导（矩形波导或同轴线波导）后通过微波天线馈入到等离子体放电区，击穿工作气体形成等离子体；

在等离子体室内的环状永磁钢的主要作用是在等离子体放电区形成强度为0.0875特斯拉的磁场位型，电子在垂直磁场的平面上受洛伦兹力作用而做回旋运动；在磁场强度为0.0875特斯拉的位置，电子回旋频率和沿磁场传播的右旋圆极化微波频率都等于2.45GHz，电子在微波电场中将被不断同步、加速而获得能量，当电子共振吸收微波的能量大于气体粒子的电离能、分子离解能或某一状态的激发能，那么将产生碰撞电离、分子离解和粒子激活，从而实现等离子体放电和获得活性反应粒子，形成高密度的电子回旋共振（ECR）等离子体；因为电子可以在磁场作用下不断从微波电磁场中共振获得能量，有效增加了电子的有效碰撞截面，增大了碰撞电离的几率，所以高密度ECR等离子体可以在极低的气压下（10^-4Pa以下）稳定产生；等离子体消电过程的工作原理是通过等离子体中所包含的电子、离子与介质板上的正电荷、电子相中和，从而达到消电的目的；在ECR等离子体产生后所形成的等离子体束经过等离子体调节板扩散至待处理工件环境，当材料表面携带正电荷时，等离子体中的电子将在材料表面正电荷所产生的向外方向电场所加速，在达到材料表面时与其表面所携带正电荷中和；当材料表面携带负电荷时，等离子体中的正离子将在材料表面负电荷所产生的向内方向电场所加速，在正离子达到材料表面时与表面所携带负电荷中和；通过这两个过程，等离子体将可以实现对介质材料表面正或负电荷进行有效消除。

Claims (11)

1.一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，其特征在于：包括等离子体源体、微波系统、供气系统和真空系统，所述微波系统包括用于产生2.45GHz微波的微波发生器和微波传输系统，所述微波发生器由微波电源和磁控管构成；所述微波发生器其产生的微波通过微波传输系统传输至等离子体源体（19）的等离子体室（27）内；所述供气系统包括气体储存系统和用于控制进入等离子体室（27）内气体的气压和流量的气体控制系统，所述气体储存系统的气体通过进气管（21）通入等离子体源体的等离子体室（27），所述真空系统包括真空室（15），所述真空室内装有用于测试介质材料表面电位的电位计（16）和待控制表面电位的介质材料（20）及介质材料放置平台，真空室其真空度在10^-4Pa以下；所述等离子体源体（19）其产生的等离子体导入真空室（15）内，并作用于待控制表面电位的介质材料表面。

2.根据权利要求1所述的高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，其特征在于：所述等离子体源体（19）包括进气管（21）、同轴微波天线（22）、环形永磁钢（24）、磁钢固定套筒（25）以及等离子体调节板（28），所述磁钢固定套筒（25）为下端开放的筒状结构，微波同轴天线（22）和进气管（21）从磁钢固定套筒（25）的封闭端插入其内腔，所述环形永磁钢（24）固定安装在磁钢固定套筒（25）内侧，且围绕在微波同轴天线（22）外侧，所述等离体调节板（28）固定安装在磁钢固定套筒（25）的开放端，所述环形永磁钢（24）、磁钢固定套筒（25）、等离子体调节板（28）与微波同轴天线（22）构成等离子体室（27）。

3.根据权利要求2所述的高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，其特征在于：所述等离子体调节板（28）上设置有至少一个用于调节等离子体发生室内的反应气体粒子束，以及调节漂移扩散出的等离子体参数，包括等离子体密度、等离子体温度以及等离子体电势的调节孔（29）；所述调节孔（29）呈圆形、三角形、菱形、正方形、五边形、六边形或其他多边形结构；所述等离子体调节板（28）由铝、无磁不锈钢、铜、聚四氟乙烯板、塑料板或环氧板制成。

4.根据权利要求2或3所述的高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，其特征在于：所述等离子体源体（19）借助于密封贯穿真空室（15）的遥操作杆（10）设于真空室（15）内，等离子体源体（19）借助于固定环（17）和等离子体源体外壳（18）安装在遥操作杆（10）端部，所述等离子体源体外壳（18）借助于固定环（17）和遥操作杆（10）连接，所述等离子源体安装在等离子体源体外壳（18）下端，所述遥操作杆（10）其背离等离子体源体（19）的一侧端部与电位计（16）固定安装。

5.根据权利要求1所述的高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，其特征在于：所述的电位计（16）为非接触式静电电位计。

6.根据权利要求2所述的高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，其特征在于：所述微波传输系统包括同轴波导、调配器、定向耦合器（5）、空气负载（11）、检波器（6）、同轴电缆（12）和同轴微波天线（22），所述微波同轴波导通过同轴插头与隔离器（3）连接，隔离器（3）通过同轴波导管与定向耦合器（5）连接，检波器（6）空气负载（11）安装在定向耦合器（5）上，定向耦合器（5）通过同轴电缆（12）与用于调节微波传输线路的阻抗匹配的三销钉调配器（13）连接，三销钉调配器（13）通过密封同轴连接端（9）与真空室（15）对接，三销钉调配器（13）其输出端通过同轴电缆连接等离子体源体的微波同轴天线（22），并通过微波同轴天线（22）在等离子体室（27）内击穿工作气体形成等离子体，等离子体通过等离子体调节板（28）漂移扩散至真空室，且作用于待控制表面电位的介质材料表面（20）。

7.根据权利要求6所述的高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，其特征在于：所述的同轴电缆（12）为用于传输微波、实现大范围遥操作的柔性射频同轴电缆线。

8.根据权利要求1所述的高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，其特征在于：所述的气体储存系统其工作气体为惰性气体、活性气体或混合气体；所述的气体储存系统其工作气体通过压力容器携带或压缩机从外部空间压缩取得。

9.根据权利要求8所述的高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，其特征在于：所述惰性气体为氦、氖、氩、氪、氙、氡中的一种，所述活性气体或混合气体为氮气、氧气、空气、氢气中的一种。

10.根据权利要求1所述的高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，其特征在于：所述的微波发生器为连续工作模式或脉冲工作模式；所述脉冲工作模式下其脉宽、占空比、工作持续时间可调。

11.根据权利要求2所述的高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统，其特征在于：所述的等离子体源体通过遥操作杆完成遥感操作，所述等离子体调节板距离样品放置平台的距离、角度可调。