JPH0323631A - 反応性ドライエッチング装置 - Google Patents
反応性ドライエッチング装置Info
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- JPH0323631A JPH0323631A JP15913189A JP15913189A JPH0323631A JP H0323631 A JPH0323631 A JP H0323631A JP 15913189 A JP15913189 A JP 15913189A JP 15913189 A JP15913189 A JP 15913189A JP H0323631 A JPH0323631 A JP H0323631A
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- magnetic pole
- pole
- magnetic
- dry etching
- reaction chamber
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- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 17
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 4
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
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- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は反応性ドライエッチング装置に関し、特にマグ
ネトロン電極装置に関する． 〔従来の技術〕 従来、この種のマグネトロン電極型の反応性ドライエッ
チング装置において、第４図に示すように、反応室４３
は真空ボンプ５０にて真空排気され、反応性ガス及び不
活性ガス４２が流量コントロールされ反応室４３に導入
される．これにより、反応室４３は一定の真空度に保持
される．ウエハーが支持された々ソードｔ極４４は反応
室４３内に位置し、高周波電源４１より高周波が印加さ
れると、密なグロー放電またはプラズマがこの電子トラ
ップにおいて発生する． さらに、カソード電ｆ！４４の左右端部には、第１磁極
（Ｓ極）４５と第２磁４［Ｉ（Ｎ極｝４７が設けられて
おり、磁界は第１磁極４６と第２磁極４７の間の空隙を
横切って縦に仲び、カソード電極４４を連続して完全に
取り囲み電子トラップを形成する．この磁界の強さはａ
３！値はおよそ５０・〜１０００ガウスの範囲である． さらに、ウェハー表面の磁界を均一にするため、上部に
カウンターマグネット４５を設け、第３磁極《第１磁極
と同じＳ極）４８と第４磁極（第２磁極と同じＮ［！）
４９によって、磁界を抑えている．さらに、従来の反応
室４３の内部を第５図（ａ），（ｂ） ， （Ｃ）に示
す． 第５図（ａ）〜（Ｃ）において、ウェハー５０がセット
されたカソード電極４４の左右端部に設けられた第１磁
極４５と第２磁極４７に対してカウンターマグネットと
して第３磁極４８と第４磁ｆ！４９が設けられ、ウェハ
ー表面の磁束分布５１を均一にして磁界５２を均一にし
ている．さらに、反応室４３の左右外部よりサイドカウ
ンター磁極５３によって磁界５２を矯正している． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来のマグネトロン電極型の反応性ドライエッ
チング装置ではウェハー５０上のエッチング分布Ｅが第
６図に示すようにある一定の方向性をもっている．この
エッチング分布Ｅを補正するために、サイドカウンター
マグネット５３及びカウンターマグネット４５． ５３
を左右、上下方向に動かしてエッチング分布Ｅを調整し
ているが、磁界５２がどうしてもカウンター磁極４５の
サイドカウンター磁極５３との間で不均一になってしま
い、そのため、エッチング分布Ｅを最適にできないとい
う欠点がある． 本発明の目的は前記課題を解決した反応性ドライエッチ
ング装置を提供することにある．〔発明の従来技術に対
する相違点〕 上述した従来のマグネトロン電極型の反応性ドライエッ
チング装置に対して、本発明は磁界をすべての位置に対
′して均一化してエッチング分布を最適にできるという
相違点を有する． 〔課題を解決するための手段〕 前記目的を達成するため、本発明に係る反応性ドライエ
ッチング装置は、真空排気される反応室と、該反応室に
予め選択された反応ガスを導入する手段と、反応室内に
ウェハーをセットするカソード電極と、該カソード電極
に高周波を印加する手段とを備えた反応性ドライエッチ
ング装置において、前記カソード電極の対向端部にそれ
ぞれ位置する興極性の第１磁極及び第２磁極と、前記第
１磁極と第２磁極の周囲を取囲むリング状カウンタ磁極
とを有するものである． 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する．（実ｈ１
例１） 第１図（ａ）は本発明の実施例１に係るマグネトロン電
極型の反応性ドライエッチング装置の構成を示す側面図
、（ｂ）は同平面図、（Ｃ）は同Ｉｔ１断面図である． 図において、反応室１内に、ウェハー１１がセットされ
るカソード電極１２を水平姿勢で有しており、その左右
両端にＳ極としての第１磁＠１３とＮｆ！としての第２
磁４１１４を備えており、第ＩＩＩ極１３及び第２磁極
１４による磁束１８がカソード電極１２を包囲するよう
に連続して延びている．また、反応室１内は従来と同じ
ように真空ポンプで真空引きされ、反応性ガス及び不活
性ガスが導入されて一定真空圧に保持され、また、反応
室１内のカソードｉｓ１２には高周波電源により高周波
が印加される．本発明は第１磁［！１３及び第２磁極１
４の周囲をそれぞれ取り囲むリング状のカウンター磁極
１７． １７を有しカウンター磁極１７． １７の第３
磁極１５を第１磁極１３と同極性のＳ極とし、第４磁極
１６を第２１ａｉ極１４と同極性のＮ＠としたものであ
る．したがって、本発明によれば、カソードｔＳの対向
端部に有する異極性磁＠１３及び１４をリング状カウン
ター磁ｆ！１７で取り囲んだため、磁界１９を均一にす
ることができ、第２図に示すようにウェハー１１上にお
けるエッチング分布Ｅの方向性をなくして最適なエッチ
ング分布を得ることが可能となる， ｛実施例２｝ 第３図は本発明の実施例２を示す側面図である．第３図
に示すように反応室１の外部にカウンター磁ｓ１７を設
けてもカソードｉ４極１２の距離を等間隔にすれば、同
様の効果を得ることができる．〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は磁界を均一にすることによ
り、エッチング分布の方向性をなくすることができ、最
適なエッチング分布を得ることができる．これにより、
ウェハーの大口径に対してもエッチングバラツキの小さ
い良好なエッチング特性を有する反応性ドライエッチン
グ装置とすることができる効果を有する．
ネトロン電極装置に関する． 〔従来の技術〕 従来、この種のマグネトロン電極型の反応性ドライエッ
チング装置において、第４図に示すように、反応室４３
は真空ボンプ５０にて真空排気され、反応性ガス及び不
活性ガス４２が流量コントロールされ反応室４３に導入
される．これにより、反応室４３は一定の真空度に保持
される．ウエハーが支持された々ソードｔ極４４は反応
室４３内に位置し、高周波電源４１より高周波が印加さ
れると、密なグロー放電またはプラズマがこの電子トラ
ップにおいて発生する． さらに、カソード電ｆ！４４の左右端部には、第１磁極
（Ｓ極）４５と第２磁４［Ｉ（Ｎ極｝４７が設けられて
おり、磁界は第１磁極４６と第２磁極４７の間の空隙を
横切って縦に仲び、カソード電極４４を連続して完全に
取り囲み電子トラップを形成する．この磁界の強さはａ
３！値はおよそ５０・〜１０００ガウスの範囲である． さらに、ウェハー表面の磁界を均一にするため、上部に
カウンターマグネット４５を設け、第３磁極《第１磁極
と同じＳ極）４８と第４磁極（第２磁極と同じＮ［！）
４９によって、磁界を抑えている．さらに、従来の反応
室４３の内部を第５図（ａ），（ｂ） ， （Ｃ）に示
す． 第５図（ａ）〜（Ｃ）において、ウェハー５０がセット
されたカソード電極４４の左右端部に設けられた第１磁
極４５と第２磁極４７に対してカウンターマグネットと
して第３磁極４８と第４磁ｆ！４９が設けられ、ウェハ
ー表面の磁束分布５１を均一にして磁界５２を均一にし
ている．さらに、反応室４３の左右外部よりサイドカウ
ンター磁極５３によって磁界５２を矯正している． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来のマグネトロン電極型の反応性ドライエッ
チング装置ではウェハー５０上のエッチング分布Ｅが第
６図に示すようにある一定の方向性をもっている．この
エッチング分布Ｅを補正するために、サイドカウンター
マグネット５３及びカウンターマグネット４５． ５３
を左右、上下方向に動かしてエッチング分布Ｅを調整し
ているが、磁界５２がどうしてもカウンター磁極４５の
サイドカウンター磁極５３との間で不均一になってしま
い、そのため、エッチング分布Ｅを最適にできないとい
う欠点がある． 本発明の目的は前記課題を解決した反応性ドライエッチ
ング装置を提供することにある．〔発明の従来技術に対
する相違点〕 上述した従来のマグネトロン電極型の反応性ドライエッ
チング装置に対して、本発明は磁界をすべての位置に対
′して均一化してエッチング分布を最適にできるという
相違点を有する． 〔課題を解決するための手段〕 前記目的を達成するため、本発明に係る反応性ドライエ
ッチング装置は、真空排気される反応室と、該反応室に
予め選択された反応ガスを導入する手段と、反応室内に
ウェハーをセットするカソード電極と、該カソード電極
に高周波を印加する手段とを備えた反応性ドライエッチ
ング装置において、前記カソード電極の対向端部にそれ
ぞれ位置する興極性の第１磁極及び第２磁極と、前記第
１磁極と第２磁極の周囲を取囲むリング状カウンタ磁極
とを有するものである． 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する．（実ｈ１
例１） 第１図（ａ）は本発明の実施例１に係るマグネトロン電
極型の反応性ドライエッチング装置の構成を示す側面図
、（ｂ）は同平面図、（Ｃ）は同Ｉｔ１断面図である． 図において、反応室１内に、ウェハー１１がセットされ
るカソード電極１２を水平姿勢で有しており、その左右
両端にＳ極としての第１磁＠１３とＮｆ！としての第２
磁４１１４を備えており、第ＩＩＩ極１３及び第２磁極
１４による磁束１８がカソード電極１２を包囲するよう
に連続して延びている．また、反応室１内は従来と同じ
ように真空ポンプで真空引きされ、反応性ガス及び不活
性ガスが導入されて一定真空圧に保持され、また、反応
室１内のカソードｉｓ１２には高周波電源により高周波
が印加される．本発明は第１磁［！１３及び第２磁極１
４の周囲をそれぞれ取り囲むリング状のカウンター磁極
１７． １７を有しカウンター磁極１７． １７の第３
磁極１５を第１磁極１３と同極性のＳ極とし、第４磁極
１６を第２１ａｉ極１４と同極性のＮ＠としたものであ
る．したがって、本発明によれば、カソードｔＳの対向
端部に有する異極性磁＠１３及び１４をリング状カウン
ター磁ｆ！１７で取り囲んだため、磁界１９を均一にす
ることができ、第２図に示すようにウェハー１１上にお
けるエッチング分布Ｅの方向性をなくして最適なエッチ
ング分布を得ることが可能となる， ｛実施例２｝ 第３図は本発明の実施例２を示す側面図である．第３図
に示すように反応室１の外部にカウンター磁ｓ１７を設
けてもカソードｉ４極１２の距離を等間隔にすれば、同
様の効果を得ることができる．〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は磁界を均一にすることによ
り、エッチング分布の方向性をなくすることができ、最
適なエッチング分布を得ることができる．これにより、
ウェハーの大口径に対してもエッチングバラツキの小さ
い良好なエッチング特性を有する反応性ドライエッチン
グ装置とすることができる効果を有する．
第１図（ａ）は本発明の実腟例１に係るマグネトロン電
極型反応性ドライエッチング装置の構成を示す側面図、
第１図（ｂ）は同平面図、第１図（Ｃ）は同縦断面図、
第２図は本発明の装置を用いてドライエッチングを行な
ったウェハーのエッチングバラツキ分布を示す図、第３
図は本発明の実雑例２を示す側面図、第４図はマグネト
ロン電極を有する反応性ドライエッチング装直の構成を
示す概要図、第５図（ａ）は従来のマグネトロン電極型
反応性ドライエッチング装置の構成を示す開而図、第５
図（ｂ）は同平面図、第５図（Ｃ）は同縦断面図、第６
図は従来の装直を用いてドライエッチングを行なったウ
ェハーのエッチングバラツキ分布を示す図である． １・・・反応室 １１・・・ウェハー１２・
・・カソード電極 １３・・・第１磁極１４・・・
第２磁極 １５・・・第３磁極１６・・・第４
磁極 １７・・・カウンター磁極１８・・・磁
束分布 １９・・・磁界 ｋ臀 〜 ｓ０ 第４図 第３図 −１５９−
極型反応性ドライエッチング装置の構成を示す側面図、
第１図（ｂ）は同平面図、第１図（Ｃ）は同縦断面図、
第２図は本発明の装置を用いてドライエッチングを行な
ったウェハーのエッチングバラツキ分布を示す図、第３
図は本発明の実雑例２を示す側面図、第４図はマグネト
ロン電極を有する反応性ドライエッチング装直の構成を
示す概要図、第５図（ａ）は従来のマグネトロン電極型
反応性ドライエッチング装置の構成を示す開而図、第５
図（ｂ）は同平面図、第５図（Ｃ）は同縦断面図、第６
図は従来の装直を用いてドライエッチングを行なったウ
ェハーのエッチングバラツキ分布を示す図である． １・・・反応室 １１・・・ウェハー１２・
・・カソード電極 １３・・・第１磁極１４・・・
第２磁極 １５・・・第３磁極１６・・・第４
磁極 １７・・・カウンター磁極１８・・・磁
束分布 １９・・・磁界 ｋ臀 〜 ｓ０ 第４図 第３図 −１５９−
Claims (1)
- （１） 真空排気される反応室と、該反応室に予め選択
された反応ガスを導入する手段と、反応室内にウェハー
をセットするカソード電極と、該カソード電極に高周波
を印加する手段とを備えた反応性ドライエッチング装置
において、前記カソード電極の対向端部にそれぞれ位置
する異極性の第１磁極及び第２磁極と、前記第１磁極と
第２磁極の周囲を取囲むリング状カウンタ磁極とを有す
ることを特徴とする反応性ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15913189A JPH0323631A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 反応性ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15913189A JPH0323631A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 反応性ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323631A true JPH0323631A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15686925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15913189A Pending JPH0323631A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 反応性ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323631A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6744054B2 (en) | 2000-12-08 | 2004-06-01 | Hitachi, Ltd. | Evacuation use sample chamber and circuit pattern forming apparatus using the same |
| US11685739B2 (en) | 2013-03-15 | 2023-06-27 | Techfields Pharma Co., Ltd. | High penetration drugs and their compositions thereof for treatment of Parkinson diseases |
-
1989
- 1989-06-21 JP JP15913189A patent/JPH0323631A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6744054B2 (en) | 2000-12-08 | 2004-06-01 | Hitachi, Ltd. | Evacuation use sample chamber and circuit pattern forming apparatus using the same |
| US11685739B2 (en) | 2013-03-15 | 2023-06-27 | Techfields Pharma Co., Ltd. | High penetration drugs and their compositions thereof for treatment of Parkinson diseases |
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