JPH0379421U - - Google Patents

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JPH0379421U
JPH0379421U JP13867289U JP13867289U JPH0379421U JP H0379421 U JPH0379421 U JP H0379421U JP 13867289 U JP13867289 U JP 13867289U JP 13867289 U JP13867289 U JP 13867289U JP H0379421 U JPH0379421 U JP H0379421U
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plasma
generation chamber
plasma generation
ecr
chamber
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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図から第４図迄は、本考案によるＥＣＲプ
ラズマ装置を示すためのもので、第１図は断面図
、第２図は第１図の要部を示す拡大断面図、第３
図は第２図の右側面図、第４図は他の実施例を示
す断面図、第５図は従来のＥＣＲプラズマ装置を
示す断面図である。 ２……励磁コイル、５……プラズマ生成室、５
ａ……入口側、５ｃ……ガス、９……マイクロ波
導波管、１０……マイクロ波、１３……試料室、
１６……試料、２０……テーパ壁面である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) プラズマ生成室５内に導入したガス５ｃに
    、マイクロ波導波管９からのマイクロ波１０によ
    る高周波電界と前記プラズマ生成室５の周囲に配
    した励磁コイル２により形成される磁界とを作用
    させてプラズマを発生させると共に、前記プラズ
    マを前記磁界により前記プラズマ生成室５と連通
    した試料室１３に導出するようにしたＥＣＲプラ
    ズマ装置において、 前記マイクロ波導波管９が固定された前記プラ
    ズマ生成室５の入口側５ａに、末広がり状のテー
    パ壁面２０を形成し、前記プラズマ生成室５への
    前記マイクロ波１０の伝播を前記テーパ壁面２０
    を介して行うようにしたことを特徴とするＥＣＲ
    プラズマ装置。 (2) 前記プラズマ生成室５は、試料１６の大き
    さに応じて内径の大きさの異なる他のプラズマ生
    成室５Ｂに変更可能であることを特徴とする請求
    項１記載のＥＣＲプラズマ装置。
JP13867289U 1989-12-01 1989-12-01 Pending JPH0379421U (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6380523A (ja) * 1986-09-24 1988-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPS63137168A (ja) * 1986-11-29 1988-06-09 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPS63182822A (ja) * 1987-01-26 1988-07-28 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPS63217620A (ja) * 1987-03-06 1988-09-09 Hitachi Ltd プラズマ処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6380523A (ja) * 1986-09-24 1988-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPS63137168A (ja) * 1986-11-29 1988-06-09 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
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JPS63217620A (ja) * 1987-03-06 1988-09-09 Hitachi Ltd プラズマ処理装置

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