JPH0379421U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0379421U JPH0379421U JP13867289U JP13867289U JPH0379421U JP H0379421 U JPH0379421 U JP H0379421U JP 13867289 U JP13867289 U JP 13867289U JP 13867289 U JP13867289 U JP 13867289U JP H0379421 U JPH0379421 U JP H0379421U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- generation chamber
- plasma generation
- ecr
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第1図から第4図迄は、本考案によるECRプ
ラズマ装置を示すためのもので、第1図は断面図
、第2図は第1図の要部を示す拡大断面図、第3
図は第2図の右側面図、第4図は他の実施例を示
す断面図、第5図は従来のECRプラズマ装置を
示す断面図である。 2……励磁コイル、5……プラズマ生成室、5
a……入口側、5c……ガス、9……マイクロ波
導波管、10……マイクロ波、13……試料室、
16……試料、20……テーパ壁面である。
ラズマ装置を示すためのもので、第1図は断面図
、第2図は第1図の要部を示す拡大断面図、第3
図は第2図の右側面図、第4図は他の実施例を示
す断面図、第5図は従来のECRプラズマ装置を
示す断面図である。 2……励磁コイル、5……プラズマ生成室、5
a……入口側、5c……ガス、9……マイクロ波
導波管、10……マイクロ波、13……試料室、
16……試料、20……テーパ壁面である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) プラズマ生成室5内に導入したガス5cに
、マイクロ波導波管9からのマイクロ波10によ
る高周波電界と前記プラズマ生成室5の周囲に配
した励磁コイル2により形成される磁界とを作用
させてプラズマを発生させると共に、前記プラズ
マを前記磁界により前記プラズマ生成室5と連通
した試料室13に導出するようにしたECRプラ
ズマ装置において、 前記マイクロ波導波管9が固定された前記プラ
ズマ生成室5の入口側5aに、末広がり状のテー
パ壁面20を形成し、前記プラズマ生成室5への
前記マイクロ波10の伝播を前記テーパ壁面20
を介して行うようにしたことを特徴とするECR
プラズマ装置。 (2) 前記プラズマ生成室5は、試料16の大き
さに応じて内径の大きさの異なる他のプラズマ生
成室5Bに変更可能であることを特徴とする請求
項1記載のECRプラズマ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13867289U JPH0379421U (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13867289U JPH0379421U (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0379421U true JPH0379421U (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=31685756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13867289U Pending JPH0379421U (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0379421U (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6380523A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JPS63137168A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JPS63182822A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JPS63217620A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP13867289U patent/JPH0379421U/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6380523A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JPS63137168A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JPS63182822A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JPS63217620A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
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