JPH02138426U - - Google Patents

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JPH02138426U
JPH02138426U JP4802189U JP4802189U JPH02138426U JP H02138426 U JPH02138426 U JP H02138426U JP 4802189 U JP4802189 U JP 4802189U JP 4802189 U JP4802189 U JP 4802189U JP H02138426 U JPH02138426 U JP H02138426U
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JP
Japan
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sample stage
plasma generation
generation chamber
sample
reaction chamber
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Pending
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JP4802189U
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  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るプラズマエツチング装置
の一実施例を模式的に示した断面図、第2図はエ
ツチングの終点検出原理を説明する説明図、第3
図は従来例のプラズマエツチング装置を模式的に
示した断面図、第4図は従来の問題点を説明する
ための説明図である。 1……プラズマ生成室、2……反応室、3……
マイクロ波導波管、4……レーザ導入管、10…
…被エツチング試料、11……試料台。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. プラズマ生成室と、該プラズマ生成室の下部に
    接続された反応室と、マイクロ波を前記プラズマ
    生成室に導入するマイクロ波導波管と、被エツチ
    ング試料を載置して前記反応室内に配設される試
    料台とを備えたプラズマエツチング装置において
    、 前記試料台の中心軸上を軸芯とするレーザ導
    入管が前記導波管の管壁に設けられていることを
    特徴とするプラズマエツチング装置。
JP4802189U 1989-04-24 1989-04-24 Pending JPH02138426U (ja)

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JP4802189U JPH02138426U (ja) 1989-04-24 1989-04-24

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JPH02138426U true JPH02138426U (ja) 1990-11-19

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JP4802189U Pending JPH02138426U (ja) 1989-04-24 1989-04-24

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JP (1) JPH02138426U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270013A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> プラズマ処理装置
JP2016162990A (ja) * 2015-03-05 2016-09-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270013A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> プラズマ処理装置
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