JPH0379420U - - Google Patents

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JPH0379420U
JPH0379420U JP13867189U JP13867189U JPH0379420U JP H0379420 U JPH0379420 U JP H0379420U JP 13867189 U JP13867189 U JP 13867189U JP 13867189 U JP13867189 U JP 13867189U JP H0379420 U JPH0379420 U JP H0379420U
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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図から第3図迄は、本考案によるECRプ
ラズマ装置を示すためのもので、第1図は全体構
成を示す断面図、第2図は他の実施例を示す断面
図、第3図は試料台を示す拡大断面図、第4図は
従来のECRプラズマ装置を示す断面図である。 2……励磁コイル、5……プラズマ生成室、1
3……試料室、16……試料、17……試料台、
17d……中央部、19……磁界生成部である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) プラズマ生成室5内に導入したガスに、マ
    イクロ波による高周波電界と前記プラズマ生成室
    5の周囲に配した励磁コイル2により形成される
    磁界とを作用させてプラズマを発生させると共に
    、前記プラズマを前記磁界により前記プラズマ生
    成室5と連通した試料室13に導出し、前記試料
    室13内の試料台17に設けられた試料16に対
    してプラズマを作用させるようにしたECRプラ
    ズマ装置において、 前記試料台17の中央部17d以外の位置にお
    ける前記試料台17に配設した磁界生成部19を
    有し、前記磁界生成部19により前記プラズマの
    プラズマ流分布を制御するように構成したことを
    特徴とするECRプラズマ装置。 (2) 前記磁界生成部19は、輪状をなしている
    ことを特徴とする請求項1記載のECRプラズマ
    装置。
JP1989138671U 1989-12-01 1989-12-01 Expired - Lifetime JPH0521874Y2 (ja)

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JPH0379420U true JPH0379420U (ja) 1991-08-13
JPH0521874Y2 JPH0521874Y2 (ja) 1993-06-04

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63283018A (ja) * 1986-12-29 1988-11-18 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63283018A (ja) * 1986-12-29 1988-11-18 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ装置

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JPH0521874Y2 (ja) 1993-06-04

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