JPH0353558U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0353558U JPH0353558U JP11546189U JP11546189U JPH0353558U JP H0353558 U JPH0353558 U JP H0353558U JP 11546189 U JP11546189 U JP 11546189U JP 11546189 U JP11546189 U JP 11546189U JP H0353558 U JPH0353558 U JP H0353558U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plasma
- chamber
- electric discharge
- plasma chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例によるプラズマ付着
装置の断面構成図である。 １……プラズマ室、４ａ，４……電磁コイル、
５……試料室、７……基板、１１……シヤツタ。
装置の断面構成図である。 １……プラズマ室、４ａ，４……電磁コイル、
５……試料室、７……基板、１１……シヤツタ。
Claims (1)
- マイクロ波が導入されプラズマを発生するため
のプラズマ室と、前記プラズマ室の周囲に配設さ
れた磁気回路と、前記プラズマ室内に発生したプ
ラズマ流が照射される基板が内部に配置される試
料室と、前記試料室内において前記基板との間で
放電を起こし得る位置に配置されこの放電により
前記基板上のクリーニングを行う開閉自在なシヤ
ツタ部材とを備えたプラズマ付着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11546189U JPH0353558U (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11546189U JPH0353558U (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353558U true JPH0353558U (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=31663789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11546189U Pending JPH0353558U (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353558U (ja) |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP11546189U patent/JPH0353558U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL334703A1 (en) | Siliceous adsorbent on a magnetic support | |
| JPH0353558U (ja) | ||
| JPH0282030U (ja) | ||
| JPS58101458U (ja) | 質量分析装置 | |
| JPH028132U (ja) | ||
| JPH0377434U (ja) | ||
| JPH0521874Y2 (ja) | ||
| JPH03115660U (ja) | ||
| JPH0274750U (ja) | ||
| JPH0227726U (ja) | ||
| JPH0273977A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPS60193964U (ja) | マグネトロンスパツタ装置のタ−ゲツト | |
| JPS555740A (en) | Material for high gradient magnetic separator | |
| JP2570805B2 (ja) | プラズマ付着装置 | |
| JPS6272117U (ja) | ||
| ES8703942A3 (es) | Un metodo de controlar el tamano del area de superficie de un electrodo desde el cual se genera un plasma en un proceso de revestimiento por deposicion de vapor. | |
| JPH0176027U (ja) | ||
| JPH0233261U (ja) | ||
| JPH0345633U (ja) | ||
| JPH0440764U (ja) | ||
| JPS62283282A (ja) | 真空装置の仕切弁 | |
| JPH0176032U (ja) | ||
| JPS63110563U (ja) | ||
| JPS6356557U (ja) | ||
| JPS6356258U (ja) |