JPH0176032U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0176032U JPH0176032U JP1987171326U JP17132687U JPH0176032U JP H0176032 U JPH0176032 U JP H0176032U JP 1987171326 U JP1987171326 U JP 1987171326U JP 17132687 U JP17132687 U JP 17132687U JP H0176032 U JPH0176032 U JP H0176032U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwaves
- plasma processing
- microwave plasma
- sample
- transmitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例のマイクロ波プラズ
マ処理装置の要部縦断面図である。 １…導波管、２…ベルジヤー、３…チヤンバー
、４…真空排気系、５…試料台、６…基板、７…
ガス導入口、８ないし１０…ソレノイドコイル、
１１…ガイド。
マ処理装置の要部縦断面図である。 １…導波管、２…ベルジヤー、３…チヤンバー
、４…真空排気系、５…試料台、６…基板、７…
ガス導入口、８ないし１０…ソレノイドコイル、
１１…ガイド。
Claims (1)
- マイクロ波を発生する手段と、該マイクロ波を
伝達する手段と、前記マイクロ波の伝達が可能か
つガス源に接続された真空容器と、マイクロ波の
注入方向と磁力線束の中心軸とが同一となるよう
な磁力線束を発生する手段と、前記真空容器内で
試料に薄膜を生成し、またはエツチングを施すマ
イクロ波プラズマ処理装置において、前記該磁力
線発生手段を前記磁力線束の中心軸方向に移動可
能に設けたことを特徴とするマイクロ波プラズマ
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987171326U JPH0745959Y2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987171326U JPH0745959Y2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0176032U true JPH0176032U (ja) | 1989-05-23 |
| JPH0745959Y2 JPH0745959Y2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=31463060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987171326U Expired - Lifetime JPH0745959Y2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745959Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01247575A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-03 | Shimadzu Corp | プラズマ処理装置 |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP1987171326U patent/JPH0745959Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01247575A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-03 | Shimadzu Corp | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745959Y2 (ja) | 1995-10-18 |
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