JPH0244324U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0244324U JPH0244324U JP12341688U JP12341688U JPH0244324U JP H0244324 U JPH0244324 U JP H0244324U JP 12341688 U JP12341688 U JP 12341688U JP 12341688 U JP12341688 U JP 12341688U JP H0244324 U JPH0244324 U JP H0244324U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing apparatus
- discharge tube
- depressurizing
- evacuating
- plasma processing
- Prior art date
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- Pending
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は、本考案の一実施例のマイクロ波プラ
ズマ処理装置の要部構成図である。 １０……放電管、４０……ガス供給管、５０，
７０……排気管、５１，７２……真空排気装置、
６０，６２……導波管、６３……石英ガラス、７
１……排気ポート、７３，８１……バルブ、８０
……吸気管、９０……ソレノイドコイル、１００
……試料台。
ズマ処理装置の要部構成図である。 １０……放電管、４０……ガス供給管、５０，
７０……排気管、５１，７２……真空排気装置、
６０，６２……導波管、６３……石英ガラス、７
１……排気ポート、７３，８１……バルブ、８０
……吸気管、９０……ソレノイドコイル、１００
……試料台。
Claims (1)
- 内部でプラズマが生成される放電管の外側に設
けられた導波管内を減圧排気する手段を具備した
ことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12341688U JPH0244324U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12341688U JPH0244324U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244324U true JPH0244324U (ja) | 1990-03-27 |
Family
ID=31372250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12341688U Pending JPH0244324U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244324U (ja) |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP12341688U patent/JPH0244324U/ja active Pending